JPH06339539A - 医用半導体レーザ装置 - Google Patents
医用半導体レーザ装置Info
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- JPH06339539A JPH06339539A JP5154222A JP15422293A JPH06339539A JP H06339539 A JPH06339539 A JP H06339539A JP 5154222 A JP5154222 A JP 5154222A JP 15422293 A JP15422293 A JP 15422293A JP H06339539 A JPH06339539 A JP H06339539A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 不可視半導体レーザ発生素子からの光をセル
フォックスレンズを通して光ファイバー内に導入すると
ともに、可視光を反射ミラーにて反射して前記光ファイ
バー内に導入するようにし、もって、レーザ光の減衰を
少なくする。 【構成】 不可視光を発生する半導体レーザ発生素子１
１と、該半導体レーザ発生素子からのレーザ光を集光す
る集光レンズ１３と、該集光レンズ１３によって集光さ
れたレーザ光が導入される光ファイバー１６と、可視光
を発生する光源１２と、該光源からの可視光を集光する
集光レンズ１４と、該集光レンズ１４からの可視光を反
射して前記光ファイバーに導入する反射ミラー１５とか
ら成る。半導体レーザ発生素子１１からのレーザ光は、
最小限必要とされる集光レンズ１３のみを通して伝達さ
れ、ロスが少ない。
フォックスレンズを通して光ファイバー内に導入すると
ともに、可視光を反射ミラーにて反射して前記光ファイ
バー内に導入するようにし、もって、レーザ光の減衰を
少なくする。 【構成】 不可視光を発生する半導体レーザ発生素子１
１と、該半導体レーザ発生素子からのレーザ光を集光す
る集光レンズ１３と、該集光レンズ１３によって集光さ
れたレーザ光が導入される光ファイバー１６と、可視光
を発生する光源１２と、該光源からの可視光を集光する
集光レンズ１４と、該集光レンズ１４からの可視光を反
射して前記光ファイバーに導入する反射ミラー１５とか
ら成る。半導体レーザ発生素子１１からのレーザ光は、
最小限必要とされる集光レンズ１３のみを通して伝達さ
れ、ロスが少ない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、医用半導体レーザ装
置、より詳細には、医科治療において、生体組織の切
開、血液の凝固等に用いる医用半導体レーザ装置に関す
る。
置、より詳細には、医科治療において、生体組織の切
開、血液の凝固等に用いる医用半導体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】医科治療において、生体組織の切開、血
液の凝固等にレーザ光を使用することは広く行なわれて
いる。例えば、近赤外、可視域のレーザ光は、被照射体
へ強い熱作用を与えるので、このレーザ光を用いて生体
組織を切開すると、この熱によって血管及び血液が脱水
されて凝固状態となり、血管が閉塞されるため、ほとん
ど血を流すことなく手術を行うことができる。
液の凝固等にレーザ光を使用することは広く行なわれて
いる。例えば、近赤外、可視域のレーザ光は、被照射体
へ強い熱作用を与えるので、このレーザ光を用いて生体
組織を切開すると、この熱によって血管及び血液が脱水
されて凝固状態となり、血管が閉塞されるため、ほとん
ど血を流すことなく手術を行うことができる。
【０００３】しかし、レーザ光として、近赤外領域の波
長（例えば、７５０ｎｍ〜９００ｎｍ）のレーザ光を用
いた場合、レーザ光を目で見ることができないため、ど
この部分にレーザ光が照射されているのか確認できず、
非常に施術しにくかった。
長（例えば、７５０ｎｍ〜９００ｎｍ）のレーザ光を用
いた場合、レーザ光を目で見ることができないため、ど
この部分にレーザ光が照射されているのか確認できず、
非常に施術しにくかった。
【０００４】上述のごとき不都合を解決するために、従
来、近赤外線を用いる医用レーザ装置においては、可視
光発生手段を別に設けておき、この可視光を前記レーザ
光と共にレーザメスに導入し、該可視光にてレーザ光の
照射位置を確認するようにしている。
来、近赤外線を用いる医用レーザ装置においては、可視
光発生手段を別に設けておき、この可視光を前記レーザ
光と共にレーザメスに導入し、該可視光にてレーザ光の
照射位置を確認するようにしている。
【０００５】図３は、従来の医用レーザ装置の一例を説
明するための構成図で、図中、１は近赤外領域のレーザ
光を発生する半導体レーザ発生素子（主半導体レーザ発
生素子）、２は可視光領域のレーザ光を発生する半導体
レーザ発生素子、３，４はコリメートレンズ、５はビー
ムスピリッター、６は集光レンズ、７は光ファイバー
で、該光ファイバー７の図示しない端部には、例えば、
レーザメスが取り付けられている。
明するための構成図で、図中、１は近赤外領域のレーザ
光を発生する半導体レーザ発生素子（主半導体レーザ発
生素子）、２は可視光領域のレーザ光を発生する半導体
レーザ発生素子、３，４はコリメートレンズ、５はビー
ムスピリッター、６は集光レンズ、７は光ファイバー
で、該光ファイバー７の図示しない端部には、例えば、
レーザメスが取り付けられている。
【０００６】半導体レーザ発生素子からのレーザ光は、
コリメートレンズ３、ビームスピリッター５、及び、集
光レンズ６を通して光ファイバー７に導入され、該光フ
ァイバー７の図示しない端部に取り付けられたレーザメ
スに伝達され、生体組織の切開等に使用されるが、その
際、レーザ光が近赤外領域のものである場合、レーザ光
の照射箇所を正確に特定することが非常に困難であっ
た。
コリメートレンズ３、ビームスピリッター５、及び、集
光レンズ６を通して光ファイバー７に導入され、該光フ
ァイバー７の図示しない端部に取り付けられたレーザメ
スに伝達され、生体組織の切開等に使用されるが、その
際、レーザ光が近赤外領域のものである場合、レーザ光
の照射箇所を正確に特定することが非常に困難であっ
た。
【０００７】そのため、可視光領域のレーザ光を発生す
る半導体レーザ発生素子２からのレーザ光をコリメート
レンズ４を通してビームスピリッター５に導き、ここ
で、近赤外領域のレーザ光を発生する半導体レーザ発生
素子１からのレーザ光と合波し、前記集光レンズ６を通
して光ファイバー７に導入するようにしている。なお、
ここで、コリメートメンズを用いているが、これは半導
体レーザは広がり角が大きいため、コリメートしないと
光路長がとれないためである。
る半導体レーザ発生素子２からのレーザ光をコリメート
レンズ４を通してビームスピリッター５に導き、ここ
で、近赤外領域のレーザ光を発生する半導体レーザ発生
素子１からのレーザ光と合波し、前記集光レンズ６を通
して光ファイバー７に導入するようにしている。なお、
ここで、コリメートメンズを用いているが、これは半導
体レーザは広がり角が大きいため、コリメートしないと
光路長がとれないためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術による
と、半導体レーザ発生素子１からのレーザ光は、ビーム
スピリッター５及び集光レンズ６を通して光ファイバー
７に導入されるようになっており、これらの光学素子に
よって損失が発生する。
と、半導体レーザ発生素子１からのレーザ光は、ビーム
スピリッター５及び集光レンズ６を通して光ファイバー
７に導入されるようになっており、これらの光学素子に
よって損失が発生する。
【０００９】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたもので、不可視レーザ光に可視光を合波して照射部
位を明確にできるようにした医用半導体レーザ装置にお
いて、使用する光学系の数を少なくし、もって、該光学
系を通過することによるレーザ光の減衰を少なくするこ
とを目的としてなされたものである。
れたもので、不可視レーザ光に可視光を合波して照射部
位を明確にできるようにした医用半導体レーザ装置にお
いて、使用する光学系の数を少なくし、もって、該光学
系を通過することによるレーザ光の減衰を少なくするこ
とを目的としてなされたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、（１）不可視光を発生する半導体レーザ
発生素子と、該半導体レーザ発生素子からのレーザ光を
集光する集光レンズと、該集光レンズによって集光され
たレーザ光が導入される光ファイバーと、可視光を発生
する光源と、該光源からの可視光を集光する集光レンズ
と、該集光レンズからの可視光を反射して前記光ファイ
バーに導入する反射ミラーとから成ることを特徴とした
ものであり、更には、（２）前記光源が可視光を発生す
る半導体レーザ発生素子であること、或いは、（３）不
可視光を発生する第１の半導体レーザ発生素子と、該第
１の半導体レーザ発生素子からのレーザ光を集束する第
１のセルフォックレンズと、該セルフォックレンズを通
したレーザ光が導入される光ファイバーと、可視光を発
生する第２の半導体レーザ発生素子と、該第２の半導体
レーザ発生素子からのレーザ光を集束する第２のセルフ
ォックレンズと、該第２のセルフォックレンズからの光
を反射して前記光ファイバーに導入する反射ミラーとを
有し、該反射ミラーが前記第１のセルフォックレンズを
通過したレーザ光の像の外側に配設されていること、更
には、（４）前記（３）において、前記レーザ光の像が
楕円であり、前記反射ミラーの反射面が、前記楕円の短
径上にあることを特徴としたものである。
成するために、（１）不可視光を発生する半導体レーザ
発生素子と、該半導体レーザ発生素子からのレーザ光を
集光する集光レンズと、該集光レンズによって集光され
たレーザ光が導入される光ファイバーと、可視光を発生
する光源と、該光源からの可視光を集光する集光レンズ
と、該集光レンズからの可視光を反射して前記光ファイ
バーに導入する反射ミラーとから成ることを特徴とした
ものであり、更には、（２）前記光源が可視光を発生す
る半導体レーザ発生素子であること、或いは、（３）不
可視光を発生する第１の半導体レーザ発生素子と、該第
１の半導体レーザ発生素子からのレーザ光を集束する第
１のセルフォックレンズと、該セルフォックレンズを通
したレーザ光が導入される光ファイバーと、可視光を発
生する第２の半導体レーザ発生素子と、該第２の半導体
レーザ発生素子からのレーザ光を集束する第２のセルフ
ォックレンズと、該第２のセルフォックレンズからの光
を反射して前記光ファイバーに導入する反射ミラーとを
有し、該反射ミラーが前記第１のセルフォックレンズを
通過したレーザ光の像の外側に配設されていること、更
には、（４）前記（３）において、前記レーザ光の像が
楕円であり、前記反射ミラーの反射面が、前記楕円の短
径上にあることを特徴としたものである。
【００１１】
【作用】不可視半導体レーザ発生素子からの光をセルフ
ォックスレンズを通して光ファイバー内に導入するとと
もに、可視光を反射ミラーにて反射して前記光ファイバ
ー内に導入するようにし、もって、レーザ光の減衰を少
なくする。
ォックスレンズを通して光ファイバー内に導入するとと
もに、可視光を反射ミラーにて反射して前記光ファイバ
ー内に導入するようにし、もって、レーザ光の減衰を少
なくする。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明による医用半導体レーザ装置
の一実施例を説明するための構成図で、図中、１１は不
可視光（例えば、近赤外線）発生用の半導体レーザ発生
素子、１２は可視光発生用の半導体レーザ発生素子、１
３，１４はセルフォックスレンズ、１５は反射ミラー、
１６は光ファイバーで、半導体レーザ発生素子１１から
の不可視レーザ光はセルフォックスレンズ１３にて集束
されて光ファイバー１６内に導入される。
の一実施例を説明するための構成図で、図中、１１は不
可視光（例えば、近赤外線）発生用の半導体レーザ発生
素子、１２は可視光発生用の半導体レーザ発生素子、１
３，１４はセルフォックスレンズ、１５は反射ミラー、
１６は光ファイバーで、半導体レーザ発生素子１１から
の不可視レーザ光はセルフォックスレンズ１３にて集束
されて光ファイバー１６内に導入される。
【００１３】一方、半導体レーザ素子１２からの可視レ
ーザ光は、セルフォックスレンズ１４にて集光された
後、反射ミラー１５にて反射されて光ファイバー１６内
に導入される。光ファイバー１６内に導入されたレーザ
光は、前述のように、半導体レーザ発生素子１１からの
不可視光（近赤外線）が生体組織の切開に、半導体レー
ザ素子１２からの可視光が照射位置確認に用いられる。
ーザ光は、セルフォックスレンズ１４にて集光された
後、反射ミラー１５にて反射されて光ファイバー１６内
に導入される。光ファイバー１６内に導入されたレーザ
光は、前述のように、半導体レーザ発生素子１１からの
不可視光（近赤外線）が生体組織の切開に、半導体レー
ザ素子１２からの可視光が照射位置確認に用いられる。
【００１４】上述のように、本発明によると、半導体レ
ーザ素子１１から放射されたレーザ光は、セルフォック
スレンズ１３を通して直接光ファイバー１６に導入され
るようになっており、図３に示した従来技術のようにビ
ームスピリッターや集光レンズを使用しないので、これ
らによるロスがなく、従って、半導体レーザ発生素子１
１から放射されるレーザ光を効率より使用することがで
きる。なお、図には、可視光発生手段として、半導体レ
ーザ素子１２を用いた例を示したが、この可視光発生手
段は、半導体レーザに限定されるものでないことは容易
に理解できよう。
ーザ素子１１から放射されたレーザ光は、セルフォック
スレンズ１３を通して直接光ファイバー１６に導入され
るようになっており、図３に示した従来技術のようにビ
ームスピリッターや集光レンズを使用しないので、これ
らによるロスがなく、従って、半導体レーザ発生素子１
１から放射されるレーザ光を効率より使用することがで
きる。なお、図には、可視光発生手段として、半導体レ
ーザ素子１２を用いた例を示したが、この可視光発生手
段は、半導体レーザに限定されるものでないことは容易
に理解できよう。
【００１５】光ファイバーの開口角は、通常、４６°程
度であり、従って、光ファイバー内に光を導入するため
には、入射角θを２３°以下にしなければならず、特
に、狭いスペース内でこのような光学系を構成すること
は困難であった。
度であり、従って、光ファイバー内に光を導入するため
には、入射角θを２３°以下にしなければならず、特
に、狭いスペース内でこのような光学系を構成すること
は困難であった。
【００１６】周知のように、半導体レーザ発生素子から
放射される光の像は、図２に楕円Ａにて示すように楕円
であり、セルフォックスレンズを通した後の像も楕円で
ある。従って、この楕円Ａと該楕円の長径に相当する直
径の円Ｂの間の空間（図２において斜線にて示してあ
る）に反射ミラー１５の反射面を配設するようにする
と、狭いスペースを有効に利用して、より容易に、反射
ミラー１５からの光を入射角θを２３°以下にして光フ
ァイバー１６に導入することができる。
放射される光の像は、図２に楕円Ａにて示すように楕円
であり、セルフォックスレンズを通した後の像も楕円で
ある。従って、この楕円Ａと該楕円の長径に相当する直
径の円Ｂの間の空間（図２において斜線にて示してあ
る）に反射ミラー１５の反射面を配設するようにする
と、狭いスペースを有効に利用して、より容易に、反射
ミラー１５からの光を入射角θを２３°以下にして光フ
ァイバー１６に導入することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、半導体レーザ発生素子からのレーザ光を減衰
をより少なくして、より効果的に光ファイバー内に導入
することができる。また、半導体レーザ発生素子から放
射されるレーザ光の像が楕円であることを利用し、該楕
円の短径軸上で、かつ、レーザ光の外側に反射ミラーを
配設するようにしたので、狭いスペースをより有効に利
用して、光ファイバー内に可視光を導入することができ
る。
によると、半導体レーザ発生素子からのレーザ光を減衰
をより少なくして、より効果的に光ファイバー内に導入
することができる。また、半導体レーザ発生素子から放
射されるレーザ光の像が楕円であることを利用し、該楕
円の短径軸上で、かつ、レーザ光の外側に反射ミラーを
配設するようにしたので、狭いスペースをより有効に利
用して、光ファイバー内に可視光を導入することができ
る。
【図１】 本発明による医用半導体レーザ装置の一実施
例を説明するための全体構成図である。
例を説明するための全体構成図である。
【図２】 半導体レーザ発生素子から放射されるレーザ
光の像と、反射ミラーとの配置関係を示す図である。
光の像と、反射ミラーとの配置関係を示す図である。
【図３】 従来の医用レーザ装置の一例を説明するため
の図である。
の図である。
１…レーザ光発生素子、２…可視光発生素子、３，４…
コリメートレンズ、５…ビームレンズ、６…集光レン
ズ、７…光ファイバー、１１…半導体レーザ発生素子、
１２…可視光発生用の半導体レーザ発生素子、１３，１
４…セルフォックスレンズ、１５…反射ミラー、１６…
光ファイバー。
コリメートレンズ、５…ビームレンズ、６…集光レン
ズ、７…光ファイバー、１１…半導体レーザ発生素子、
１２…可視光発生用の半導体レーザ発生素子、１３，１
４…セルフォックスレンズ、１５…反射ミラー、１６…
光ファイバー。
Claims (4)
- 【請求項１】 不可視光を発生する半導体レーザ発生素
子と、該半導体レーザ発生素子からのレーザ光を集光す
る集光レンズと、該集光レンズによって集光されたレー
ザ光が導入される光ファイバーと、可視光を発生する光
源と、該光源からの可視光を集光する集光レンズと、該
集光レンズからの可視光を反射して前記光ファイバーに
導入する反射ミラーとから成ることを特徴とする医用半
導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記光源が可視光を発生する半導体レー
ザ発生素子であることを特徴とする請求項１に記載の医
用半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 不可視光を発生する第１の半導体レーザ
発生素子と、該第１の半導体レーザ発生素子からのレー
ザ光を集束する第１のセルフォックレンズと、該セルフ
ォックレンズを通したレーザ光が導入される光ファイバ
ーと、可視光を発生する第２の半導体レーザ発生素子
と、該第２の半導体レーザ発生素子からのレーザ光を集
束する第２のセルフォックレンズと、該第２のセルフォ
ックレンズからの光を反射して前記光ファイバーに導入
する反射ミラーとを有し、該反射ミラーが前記第１のセ
ルフォックレンズを通過したレーザ光の像の外側に配設
されていることを特徴とする医用半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記レーザ光の像が楕円であり、前記反
射ミラーの反射面が、前記楕円の短径上にあることを特
徴とする請求項３に記載の医用半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154222A JP2882973B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 医用半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154222A JP2882973B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 医用半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06339539A true JPH06339539A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2882973B2 JP2882973B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=15579523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154222A Expired - Fee Related JP2882973B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 医用半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882973B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008077003A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Sony Corp | 光モジュール |
| CN110137796A (zh) * | 2018-02-02 | 2019-08-16 | 发那科株式会社 | 半导体激光模块和激光振荡器 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5154222A patent/JP2882973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008077003A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Sony Corp | 光モジュール |
| CN110137796A (zh) * | 2018-02-02 | 2019-08-16 | 发那科株式会社 | 半导体激光模块和激光振荡器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2882973B2 (ja) | 1999-04-19 |
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Legal Events
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