JPH06338709A - 同軸ビーズ - Google Patents
同軸ビーズInfo
- Publication number
- JPH06338709A JPH06338709A JP12880493A JP12880493A JPH06338709A JP H06338709 A JPH06338709 A JP H06338709A JP 12880493 A JP12880493 A JP 12880493A JP 12880493 A JP12880493 A JP 12880493A JP H06338709 A JPH06338709 A JP H06338709A
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- Japan
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- dielectric
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- coaxial
- conductor
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Abstract
性が確保できる同軸ビーズを提供すること。 【構成】 中心導体1とこの中心導体1を囲む外導体2
との間に、誘電体3を充填して構成される同軸ビーズに
おいて、前記誘電体3を充填する領域Aを部分的にし、
かつ、前記誘電体が充填される部分Aと前記誘電体が充
填されない部分Bとで、前記外導体2の内径を相違させ
ている。
Description
路などに用いられる同軸ビーズに関する。
る増幅器や発振器は、例えばモジュールケースの内部に
構成される。そして、モジュールケース内部の増幅器や
発振器に対する信号の入出力のために、モジュールケー
スの壁面に入出力端子が形成される。このとき、モジュ
ールケースに形成される入出力端子が気密構造となるよ
うに、ビーズと呼ばれる同軸線路構造の部品、いわゆる
同軸ビーズが用いられる。 ここで、従来の同軸ビーズ
について、図4を参照して説明する。
うに外導体42が設けられる。そして、中心導体41と
外導体42との間にはガラス等の誘電体43が充填され
る。なお、中心導体41は外導体42より長く形成さ
れ、その両端は中心導体41と外導体42で構成される
同軸部分から突出する構造になっている。
振器を収納するモジュールケースの例えば壁面に穴を設
け、その穴の内面に、同軸ビーズの外導体の外周面を半
田づけなどで固定し、気密構造の入出力端子を形成して
いる。
ケースの壁面に設けられた気密構造の入出力端子を通し
て信号を伝送する場合、入出力端子を構成する同軸ビー
ズの中心導体や外導体、あるいは誘電体の各部分におい
て、マイクロ波の伝送損失が生じる。このうち誘電体で
の損失が特に大きい。
を少なくする方法として、例えば同軸ビーズ全体の長さ
を短くすることが考えられる。しかし、同軸ビーズの長
さを短くすると外導体の長さも短くなる。このため、モ
ジュールケースなどに半田づけされる外導体の外周面積
が小さくなり、気密もれが起こりやすくなる。また、同
軸ビーズの寸法が変わるので、市販の同軸ビーズに合わ
せて加工されたモジュールケースをそのまま使用できな
いという問題もある。
く、かつ、気密性が確保できる同軸ビーズを提供するこ
とを目的とする。
の中心導体を囲む外導体との間に、誘電体を充填して構
成される同軸ビーズにおいて、前記誘電体を充填する領
域を部分的にし、かつ、前記誘電体が充填される部分と
前記誘電体が充填されない部分とで、前記外導体の内径
を相違させている。
が同軸ビーズ全体でなく部分的になるため、誘電体が充
填された領域が少なくなった分、マイクロ波の伝送損失
が少なくなる。また、外形寸法は従来のものと変わらな
いので、モジュールケースなどに半田づけされる外導体
の外周面積も、これまで通り維持でき、気密性を確保で
きる。
説明する。
うに外導体2が設けられている。なお、外導体2の内径
は、その延長方向で相違しており、一部区間Aで大き
く、そして、一部区間Bで小さく構成される。また、中
心導体1と外導体2との間の間隙のうち、内径が大きい
区間Aにガラス等の誘電体3が充填されている。
体3が同軸ビーズの一部にしか充填されていないため、
誘電体3部分の長さが短くなり、誘電体3部分での損失
を少なくできる。
に構成できるので、モジュールケース等に半田づけする
場合でも、気密性は保たれる。また、市販の同軸ビーズ
に合わせて加工されたモジュールケースをそのまま使用
することもできる。また、外導体2の内径を、誘電体3
が充填された部分Aと充填されていない部分Bとで相違
させている。したがって、外導体2の内径が大きい部分
の長さや小さい部分の長さを適宜選ぶことによって、同
軸ビーズを同軸線路とみた場合にその特性インピーダン
スを位置によって変化させることができる。このような
特性を利用すれば、例えばマイクロストリップ線路と導
波管との変換部に同軸ビーズを使用する場合など、変換
部での整合をとることができる。
ュールケースの入出力端子に用いた例について、図2を
参照して説明する。なお、図2は主要部のみを抜き出し
て示した断面図である。
ールケース21内部には導波管22が形成されている。
そして、モジュールケース21内部の導波管22に隣接
した部分に空間が設けられ、その空間部分に同軸ビーズ
23の外周部が半田24などで固定される。この同軸ビ
ーズ23は、図1と同じ構造のもので中心導体25や外
導体26、誘電体27から構成されている。したがっ
て、外導体26の内径は部分的に相違しており、また、
誘電体27の充填も部分的である。そして、中心導体2
5の一端は導波管22の内部に挿入されている。また、
モジュールケース21の外部には、絶縁基板28が設け
られその上にマイクロストリップ線路29が形成されて
いる。そして、中心導体25の他端はマイクロストリッ
プ線路29に接続されている。この場合、同軸ビーズ
は、導波管−マイクロストリップ線路変換部を構成して
いる。
を参照して説明する。なお、図3では図1と同一部分に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
に形成されているが、この実施例では、外導体2の外径
が階段状に変化している。この場合、外導体2外周の表
面積が広くなるので、その分、モジュールケースなどと
の半田づけの面積が広くなり、気密度をより向上でき
る。このとき、モジュールケースの半田づけ部分は、外
導体2の外周に合わせた形状に形成される。
を少なくでき、しかも気密性が確保できる同軸ビーズが
提供できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 中心導体とこの中心導体を囲む外導体と
の間に、誘電体を充填して構成される同軸ビーズにおい
て、前記誘電体を充填する領域を部分的にし、かつ、前
記誘電体が充填される部分と前記誘電体が充填されない
部分とで、前記外導体の内径を相違させたことを特徴と
する同軸ビーズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12880493A JP3272816B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 同軸ビーズ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12880493A JP3272816B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 同軸ビーズ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06338709A true JPH06338709A (ja) | 1994-12-06 |
JP3272816B2 JP3272816B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=14993842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12880493A Expired - Fee Related JP3272816B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 同軸ビーズ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3272816B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100626652B1 (ko) * | 2004-06-18 | 2006-09-25 | 한국전자통신연구원 | 능동 위상 배열 안테나 시스템의 직선 모드 변환기 및 그제조 방법 |
WO2008137477A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Viasat, Inc. | Low-loss impedance coaxial interface for integrated circuits |
US7625131B2 (en) | 2007-05-02 | 2009-12-01 | Viasat, Inc. | Interface for waveguide pin launch |
US7812686B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-10-12 | Viasat, Inc. | Adjustable low-loss interface |
US7855612B2 (en) | 2007-10-18 | 2010-12-21 | Viasat, Inc. | Direct coaxial interface for circuits |
US8212631B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-07-03 | Viasat, Inc. | Multi-level power amplification system |
CN108711665A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-10-26 | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) | 矩形波导微带气密封过渡电路 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12880493A patent/JP3272816B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100626652B1 (ko) * | 2004-06-18 | 2006-09-25 | 한국전자통신연구원 | 능동 위상 배열 안테나 시스템의 직선 모드 변환기 및 그제조 방법 |
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US7855612B2 (en) | 2007-10-18 | 2010-12-21 | Viasat, Inc. | Direct coaxial interface for circuits |
US7812686B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-10-12 | Viasat, Inc. | Adjustable low-loss interface |
US8212631B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-07-03 | Viasat, Inc. | Multi-level power amplification system |
US8598966B2 (en) | 2008-03-13 | 2013-12-03 | Viasat, Inc. | Multi-level power amplification system |
US9368854B2 (en) | 2008-03-13 | 2016-06-14 | Viasat, Inc. | Multi-level power amplification system |
CN108711665A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-10-26 | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) | 矩形波导微带气密封过渡电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3272816B2 (ja) | 2002-04-08 |
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