JP2001358506A - 高周波変換構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来、線路変換器の外導体及び誘電体を製造
するには高度な加工技術が必要となるという課題があっ
た。 【解決手段】 同軸線路３は、長方形の断面形状を持つ
中空の筒状導体から構成される外導体１と、外導体の内
部に配置された内導体２を備え、マイクロストリップ線
路９は、誘電体基板６の表面に形成されたストリップ導
体パターン７と、誘電体基板６の裏面に形成された接地
導体８を備え、前記外導体は、その上面あるいは底面の
高さを変化させた先端部５を有し、前記内導体は、先端
部５と対向する部分の幅を変化させた先端部４を有し、
先端部５と接地導体８を金属キャリア１０により接続
し、先端部４とストリップ導体パターン７を金属リボン
１１により接続した。 【効果】 高周波信号の波形を乱すことなく伝送でき、
耐電力性に優れ、かつ簡易に製作できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、主としてマイク
ロ波帯及びミリ波帯における高周波変換構造に関するも
のであり、特に、同軸線路とマイクロストリップ線路と
の接続構造である高周波変換構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の高周波変換構造について図面を参
照しながら説明する。図１４は、例えば特開平９−２３
１０８号公報に示された従来の高周波変換構造の構成を
示す図である。

【０００３】図１４において、１０３は同軸線路の内導
体、１０４は同軸線路の外導体、１０５は同軸線路の誘
電体である。また、１０６はマイクロストリップ線路の
信号線路、１０７はマイクロストリップ線路の誘電体基
板、１０８はマイクロストリップ線路の接地導体であ
る。また、１０９は金属製のキャリア、１１０は金属ケ
ース、１１１は同軸線路、１１２はマイクロストリップ
線路、１１３は線路変換器である。さらに、１１７は線
路変換器の内導体、１１８は誘電体、１１８ａは線路変
換器の上部誘電体、１１８ｂは線路変換器の下部誘電
体、１１９は線路変換器の外導体、１２０は線路変換器
の上部空気層、１３８は同軸線路１１１を金属ケース１
１０に固定するための金具である。

【０００４】同軸線路１１１とマイクロストリップ線路
１１２との間に挿入され、線路形式を変換する線路変換
器１１３において、図１４（ｃ）に示すように、マイク
ロストリップ線路１１２の接続端子に向かうにつれて、
マイクロストリップ線路１１２の自由空間側に接続され
る誘電体１１８ａをテーパ状に徐々に連続的に削減し、
マイクロストリップ線路１１２との接続部では、図１４
（ｄ）に示すように、マイクロストリップ線路１１２の
自由空間側と接触する側は空気、マイクロストリップ線
路１１２の基板と接触する側は誘電体１１８ｂで充たさ
れた断面構造を持つ線路変換器１１３を構成する。

【０００５】つぎに、従来の高周波変換構造の動作につ
いて図面を参照しながら説明する。

【０００６】線路変換器１１３において、同軸線路１１
１に接続される断面は、図１４（ｂ）に示すように、内
導体１１７と外導体１１９との間が均一に誘電体１１８
で充たされた同軸線路構造を有する。

【０００７】また、図１４（ａ）及び（ｃ）に示すよう
に、マイクロストリップ線路１１２に接続される断面側
に向けて断面が円形から矩形に徐々に変化する構造を有
する。

【０００８】誘電体１１８ａが徐々に削減すると共に内
導体１１７の径を一定に保持しつつ外導体１１９の径が
徐々に縮小し、マイクロストリップ線路１１２に接続さ
れる断面は、内導体１１７と誘電体１１８ｂおよび外導
体１１９がそれぞれマイクロストリップ線路１１２の信
号線路１０６と誘電体基板１０７および接地導体１０８
に対応する断面構造を有する。

【０００９】そして、誘電体１１８が削減した部分をマ
イクロストリップ線路１１２の自由空間側と対向させる
ことにより、同軸線路１１１とマイクロストリップ線路
１１２とを接続する両線路の接続面で電磁界が不連続に
なることなく変換される。

【００１０】また、誘電体１１８ａは、同軸線路１１１
に接続される断面側からマイクロストリップ線路１１２
に接続される断面側に向けてマイクロストリップ線路１
１２の自由空間側と対向する部分がテーパ状に連続して
徐々に削減されることにより、マイクロストリップ線路
１１２との接続面において、誘電体で充たされている側
に電界分布を集中させて、マイクロストリップ線路１１
２の伝送モードと同一にしている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
高周波変換構造では、同軸線路１１１の先端部における
外導体および内部に挿入される誘電体の断面形状を円形
から長方形へ徐々に変化させ、同時に内部に挿入される
誘電体を徐々に削減させ、マイクロストリップ線路に似
た電界分布に変換することによりマイクロストリップ線
路１１２と接続している。そのため、線路変換器１１３
の外導体および誘電体を製造するには、高度な加工技術
が必要となるという問題点があった。

【００１２】また、線路変換器１１３とマイクロストリ
ップ線路１１２とを接続する断面において、誘電体１１
８ｂと誘電体基板１０７の誘電率が異なる一般的な場
合、内導体１１７と信号線路１０６の幅に不連続が生
じ、高周波信号の伝送特性を劣化させる原因になるとい
う問題点があった。

【００１３】さらに、同軸線路１１１に挿入した誘電体
の損失によって生じる誘電体損を除去するため同軸線路
１１１の内部の誘電体１１８を除去した場合、同軸線路
１１１と線路変換器１１３とのインピーダンス整合を図
るため、線路変換器１１３に挿入する誘電体１１８ａ、
１１８ｂを除去する必要がある。この時、線路変換器１
１３とマイクロストリップ線路１１２との接続部におい
て、線路変換器１１３の伝送モードは同軸線路１１１の
伝送モードに等しくなるため伝送モードの不整合が生じ
る。そのため、高周波信号の波形を乱す原因になるとい
う問題点があった。

【００１４】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、同軸線路とマイクロストリップ線
路との接続において、高周波信号の波形を乱すことなく
伝送し、耐電力性に優れ、かつ簡易な構造によりに接続
することができる高周波変換構造を得ることを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る高周波変換構造は、同軸線路とマイクロストリップ線
路とを接続する高周波変換構造であって、前記同軸線路
は、長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成さ
れる外導体と、前記外導体の内部に配置された内導体と
を備え、前記マイクロストリップ線路は、誘電体基板の
表面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘電
体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、前記同軸
線路の外導体は、その上面あるいは底面の高さを変化さ
せた第１の先端部を有し、前記同軸線路の内導体は、前
記第１の先端部と対向する部分の幅を変化させた第２の
先端部を有し、前記同軸線路の外導体の第１の先端部と
前記マイクロストリップ線路の接地導体とを第１の導体
により接続し、前記同軸線路の内導体の第２の先端部と
前記マイクロストリップ線路のストリップ導体パターン
とを第２の導体により接続したものである。

【００１６】この発明の請求項２に係る高周波変換構造
は、前記同軸線路が、前記外導体の第１の先端部の底面
と前記内導体の第２の先端部との間に挿入された誘電体
をさらに備えたものである。

【００１７】この発明の請求項３に係る高周波変換構造
は、前記同軸線路の外導体の第１の先端部の幅を変化さ
せたものである。

【００１８】この発明の請求項４に係る高周波変換構造
は、同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続する高
周波変換構造であって、前記同軸線路は、長方形の断面
形状を持つ中空の筒状導体から構成される外導体と、前
記外導体の内部に前記外導体の中心から上側又は下側に
オフセットして配置された内導体とを備え、前記マイク
ロストリップ線路は、誘電体基板の表面に形成されたス
トリップ導体パターンと、前記誘電体基板の裏面に形成
された接地導体とを備え、前記同軸線路は、前記内導体
をはめ合わせて接続するための切り欠きを一端に設け前
記外導体の中心に配置された棒状導体と、前記外導体と
前記棒状導体との間に充填した誘電体とをさらに備え、
前記同軸線路の外導体と前記マイクロストリップ線路の
接地導体とを第１の導体により接続し、前記同軸線路の
棒状導体と前記マイクロストリップ線路のストリップ導
体パターンとを第２の導体により接続したものである。

【００１９】この発明の請求項５に係る高周波変換構造
は、前記同軸線路の外導体のうち前記棒状導体と対向す
る部分の幅を変化させたものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１に係る高周波変換構造について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、この発明の実施の形態１に係る高
周波変換構造の上面を示す図である。また、図２は、こ
の発明の実施の形態１に係る高周波変換構造の側面を示
す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。

【００２１】図１及び図２において、１は外導体、２は
内導体、３は同軸線路、４は同軸線路３の先端部の内導
体、５は同軸線路３の先端部の外導体である。

【００２２】また、同図において、６は誘電体基板、７
はストリップ導体パターン、８は接地導体、９はマイク
ロストリップ線路、１０は金属キャリア、１１は金属リ
ボンである。

【００２３】外導体１および内導体２の断面は長方形を
有している。また、同軸線路３の先端部の内導体４の幅
は内導体２の幅と比べて狭く、内導体４の真下の先端部
の外導体５は段差を設けて外導体５と内導体４の距離を
狭くしている。

【００２４】外導体１の内部の中心に内導体２を配置し
て同軸線路３を構成する。一方、誘電体基板６の表面に
ストリップ導体パターン７を形成し、裏面に接地導体８
を形成してマイクロストリップ線路９を構成する。

【００２５】同軸線路３の外導体１と、マイクロストリ
ップ線路９の接地導体８は、金属キャリア１０の上に接
触するように配置する。また、同軸線路３の先端部の内
導体４とマイクストリップ線路９のストリップ導体パタ
ーン７は、金属リボン１１を介して接続されている。

【００２６】同軸線路３の特性インピーダンスＺｃ１、
および同軸線路３の先端部の特性インピーダンスＺｃ２
は、それぞれの断面における外導体１、５と内導体２、
４との距離、内導体２、４の幅と厚さ、内部の誘電率に
より決定される。

【００２７】また、マイクロストリップ線路９の特性イ
ンピーダンスＺｃ３は、断面におけるストリップ導体パ
ターン７の幅と厚さ、誘電体基板６の厚さおよび誘電率
により決定される。

【００２８】ここでは、Ｚｃ１＝Ｚｃ２＝Ｚｃ３となる
ような断面寸法および誘電率としてインピーダンス整合
を図っている。

【００２９】つぎに、この実施の形態１に係る高周波変
換構造の動作について図面を参照しながら説明する。

【００３０】同軸線路３を伝送する高周波信号の電界分
布は、同軸線路３の長さ方向に対して垂直な方向に上下
および左右対称に分布する。一方、マイクロストリップ
線路９を伝送する高周波信号の電界分布は、ストリップ
導体パターン７と接地導体８との間に分布する。そのた
め、同軸線路３とマイクロストリップ線路９とを直接接
続すると、電界分布の違いによる不整合および外導体１
の先端部の上面部分から放射が生じる。また、内導体２
の幅とストリップ導体パターン７の幅に不連続が生じる
ため高周波信号の波形に乱れが生じる。

【００３１】これを防ぐために、図２に示すように、同
軸線路３の先端部の外導体５の底面に段差を設けて内導
体４との距離を狭くし、先端部の外導体５と内導体４の
間に電界を集中させて、先端部の電界分布をマイクロス
トリップ線路９の電界分布に近づけている。

【００３２】また、図１に示すように、内導体４の幅を
内導体２とストリップ導体パターン７の幅との間にする
ことで、幅の変化が緩やかな階段状になるため、高周波
信号の波形の乱れが少なく伝送することができる。

【００３３】さらに、同軸線路３の先端部において、外
導体５の底面と内導体４との距離が狭くなると同時に内
導体４の幅が狭くなるので、Ｚｃ１＝Ｚｃ２＝Ｚｃ３の
関係を維持することができる。

【００３４】本実施の形態１においては、同軸線路３の
先端部の外導体５に段差を設けて内導体４との距離を狭
くし、同軸線路３とマイクロストリップ線路９との間の
動作をさせることで、ストリップ導体パターン７との接
続部における不整合および同軸線路３の先端部からの放
射を抑制できる効果がある。

【００３５】また、同軸線路３の先端部の内導体４の幅
を内導体２とストリップ導体パターン７の幅との間に設
定でき、幅の変化を緩やかな階段状にさせることができ
るため、急激な幅の不連続による高周波信号の波形を乱
れを緩和させることができる効果がある。

【００３６】さらに、同軸線路３の先端部における外導
体５の段差は、例えば金属ブロックを外導体内部に挿入
することにより構成できるため、容易に製作できる効果
がある。

【００３７】実施の形態２．この発明の実施の形態２に
係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明す
る。図３は、この発明の実施の形態２に係る高周波変換
構造の上面を示す図である。また、図４は、この発明の
実施の形態２に係る高周波変換構造の側面を示す図であ
る。

【００３８】図３及び図４において、１２は誘電体であ
る。なお、他の構成は、上記実施の形態１と同様であ
る。

【００３９】外導体１および内導体２の断面は長方形を
有している。また、同軸線路３の先端部の内導体４の幅
は内導体２の幅と比べて狭く、内導体４の真下の先端部
の外導体５に段差を設けて外導体５と内導体４の距離を
狭くしてしており、間に誘電体１２を挿入している。

【００４０】つぎに、この実施の形態２に係る高周波変
換構造の動作について図面を参照しながら説明する。

【００４１】同軸線路３の先端部に誘電体１２を挿入す
ると、単位長さあたりの静電容量が増加するため、特性
インピーダンスは減少する。インピーダンスの整合関係
を維持するためには、先端部の内導体４の幅と段差を設
けた外導体５との距離を調節する必要がある。逆に、変
換部における伝送特性を向上すべく外導体５および内導
体４の寸法を与えた時、誘電体１２の誘電率を変えるこ
とでインピーダンスの整合関係を維持することができ
る。すなわち、高周波変換構造の設計の自由度を増加す
ることができる。

【００４２】また、同軸線路３の電界分布をマイクロス
トリップ線路９の電界分布に近付けるために、同軸線路
３の先端部で外導体５の底面に段差を設けて内導体４と
の距離を狭くした構造では、上記先端部での外導体５と
内導体４との間の電界強度が大きくなる。

【００４３】この時、先端部の外導体５と内導体４の間
が真空であると、大きな電力の高周波信号を伝送する際
に、外導体５と内導体４の間から次々と電子を放出する
マルチパクションを引き起こし、高周波信号が伝送され
なくなる。そのため、外導体５と内導体４の間に誘電体
１２を挿入してマルチパクションを起こさないようにし
ている。

【００４４】本実施の形態２においては、上記実施の形
態１と同様の効果に加え、同軸線路３の先端部の外導体
５の底面と内導体４との間に誘電体１２を挿入すること
により、高周波変換構造の設計の自由度を増加するとと
もに、マルチパクションを引き起こさず高耐電力化を図
ることができる効果がある。

【００４５】実施の形態３．この発明の実施の形態３に
係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明す
る。図５は、この発明の実施の形態３に係る高周波変換
構造の上面を示す図である。また、図６は、この発明の
実施の形態３に係る高周波変換構造の側面を示す図であ
る。

【００４６】図５及び図６において、外導体１および内
導体２の断面は長方形を有している。また、同軸線路３
の先端部の外導体５および内導体４の幅は、それぞれ外
導体１および内導体２の幅と比べて狭く、内導体４の真
下の先端部の外導体５に段差を設けて外導体５と内導体
４の距離を狭くしており、間に誘電体１２を挿入してい
る。

【００４７】本実施の形態３においては、上記実施の形
態２と同様の効果に加え、同軸線路３の先端部の外導体
５の幅も設計パラメータとして利用できるため、高周波
変換構造の設計の自由度をさらに増加することができる
効果がある。

【００４８】実施の形態４．この発明の実施の形態４に
係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明す
る。図７は、この発明の実施の形態４に係る高周波変換
構造に結合線路形方向性結合器を装着したの上面を示す
図である。また、図８は、図７に示したＡＡ’部の断面
を示す図である。また、図９は、図７に示したＢ部の上
面を示す図である。また、図１０は、図７に示したＢ部
の側面を示す図である。さらに、図１１は、図７に示し
たＣＣ’部の断面を示す図である。

【００４９】図７から図１１までにおいて、２ａ、２ｂ
は内導体、１２ａは誘電体、１３は結合線路形方向性結
合器、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄは入出力端子、
１５は棒状導体、１６は棒状導体１５の先端に設けた突
起である。

【００５０】図８に示した図７のＡＡ’部において、金
属キャリア１０の上に構成した長方形の断面形状を有す
る外導体１の内部に、長方形の断面形状を有する２つの
内導体２ａ、２ｂを外導体１の中心からそれぞれ上下方
向にオフセットして対向するように配置する。

【００５１】上記外導体１の内部は誘電体１２ａを充填
しており、ＡＡ’部の長さを所定の伝搬波長の１／４と
して結合線路形方向性結合器１３を構成する。この結合
線路形方向性結合器１３に高周波信号を入出力する端子
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとして、図９および図
１０に示した高周波変換構造を用いている。

【００５２】図９および図１０に示した高周波変換構造
において、同軸線路３の先端部は長方形の断面形状を有
する外導体１の内部に棒状の導体１５をその中心軸が外
導体１の中心軸と一致するように配置し、周りを誘電体
１２で充填する。

【００５３】棒状の導体１５の内導体２ｂ側には部分的
に切り欠きが設けられ、この切り欠きに内導体２ｂをは
め合わせて接続し、棒状導体１５の先端に設けた突起１
６をストリップ導体パターン７に接続する。また、金属
キャリア１０の上に外導体１および接地導体８を配置す
る。

【００５４】図１１に示すように、入出力端子１４ａ、
１４ｂの手前において、２つの内導体２ａ、２ｂは外導
体１の中心からそれぞれ上下方向にオフセットした位置
にあるものの、棒状導体１５を外導体１の中心に配置し
て内導体２ａ、２ｂと接続されるため、ストリップ導体
パターン７に接続されるそれぞれの突起１６の高さにそ
ろえることができる。なお、ＣＣ’部と反対側に形成さ
れる入出力端子１４ｃ、１４ｄについても同様な関係に
なっている。

【００５５】同軸線路３の特性インピーダンスＺｃ１
は、断面における外導体と内導体との距離、内導体の幅
と厚さ、内部の誘電率により決定される。同軸線路３の
先端部の特性インピーダンスＺｃ２は、断面における外
導体と棒状導体との距離、棒状導体の径、内部の誘電率
により決定される。また、マイクロストリップ線路９の
特性インピーダンスＺｃ３は、断面においてストリップ
導体パターン７の幅と厚さ、誘電体基板６の厚さおよび
誘電率により決定される。ここでは、Ｚｃ１＝Ｚｃ２＝
Ｚｃ３となるような断面寸法および誘電率としてインピ
ーダンス整合を図っている。

【００５６】つぎに、この実施の形態４に係る高周波変
換構造の動作について図面を参照しながら説明する。

【００５７】例えば、入出力端子１４ａから高周波信号
を入力すると、高周波信号は上側の内導体２ａを伝送
し、所定の伝搬波長の１／４波長の長さを有する結合部
において下側の内導体２ｂと電磁界結合し、信号の一部
は入出力端子１４ｂに出力され、他の信号は入出力端子
１４ｄに出力される。入出力端子１４ｃには出力されな
い。

【００５８】また、入出力端子１４ｂから高周波信号を
加えた場合は、入出力端子１４ａと入出力端子１４ｃか
ら、入出力端子１４ｃから高周波信号を加えた場合は、
入出力端子１４ｂと入出力端子１４ｄから、入出力端子
１４ｄから高周波信号を加えた場合には、入出力端子１
４ａと入出力端子１４ｃから出力され、既に述べた同様
な動作をする。

【００５９】結合線路形方向性結合器１３に高周波信号
を入出力する入出力端子１４において、棒状導体１５を
外導体１の中心に配置して外導体１の中心から上下方向
にオフセットした２つ内導体２ａ、２ｂを接続している
ため、棒状導体１５の先端に設けた突起１６は同一の高
さとなり、同一の誘電体基板６上に形成されたストリッ
プ導体パターン７と接続することができる。

【００６０】本実施の形態４においては、結合線路形方
向性結合器１３に設けた４つの入出力端子を同一の高さ
に設置することができるので、同一の誘電体基板上に形
成されたストリップ導体パターン７と接続することがで
きる効果がある。

【００６１】実施の形態５．この発明の実施の形態５に
係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明す
る。図１２は、この発明の実施の形態５に係る高周波変
換構造の上面を示す図である。また、図１３は、この発
明の実施の形態５に係る高周波変換構造の側面を示す図
である。

【００６２】図１２及び図１３において、５ａは同軸線
路３の先端部の外導体である。外導体１および内導体２
の断面は長方形を有しており、同軸線路３の先端部の外
導体５ａの幅は外導体１の幅と比べて狭くしている。

【００６３】つぎに、この実施の形態５に係る高周波変
換構造の動作について図面を参照しながら説明する。

【００６４】同軸線路３には内導体２の長さ方向に電流
が流れるとともに、外導体１の長さ方向に内導体２とは
逆方向にグラウンド電流が流れる。そのグラウンド電流
は、外導体１の上下および左右に分布している。

【００６５】一方、マイクロストリップ線路９にはスト
リップ導体パターン７の長さ方向に電流が流れるととも
に、接地導体８の長さ方向にストリップ導体パターン７
とは逆方向にグラウンド電流が流れている。そのグラウ
ンド電流はストリップ導体パターン７の真下の接地導体
８に分布している。

【００６６】外導体１の幅はストリップ導体パターン７
の幅に比べ広いため、同軸線路３とマイクロストリップ
線路９とを接続すると、接続部において棒状導体１５か
らストリップ導体パターン７へ流れる電流と接地導体８
から外導体１に流れるグラウンド電流に経路差が生じ、
高周波信号の波形に乱れが生じる。

【００６７】これを防ぐために、同軸線路３の先端部の
外導体５ａの幅を狭くし、外導体５ａに流れるグラウン
ド電流を長さ方向の中心軸方向に集めて、上記経路差を
減らしている。

【００６８】本実施の形態５においては、上記実施の形
態４と同様の効果に加え、同軸線路３の先端部の外導体
５ａの幅を狭くすることで、接続部における棒状導体１
５からストリップ導体パターン７へ流れる電流と接地導
体８から外導体１に流れるグラウンド電流との経路差を
減らし、高周波信号の波形を乱れを緩和させることがで
きる効果がある。また、同軸線路３の先端部の外導体５
ａの幅を設計パラメータとして利用できるため、高周波
変換構造の設計の自由度をさらに増加することができる
効果がある。

【００６９】

【発明の効果】この発明の請求項１に係る高周波変換構
造は、以上説明したとおり、同軸線路とマイクロストリ
ップ線路とを接続する高周波変換構造であって、前記同
軸線路は、長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から
構成される外導体と、前記外導体の内部に配置された内
導体とを備え、前記マイクロストリップ線路は、誘電体
基板の表面に形成されたストリップ導体パターンと、前
記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、前
記同軸線路の外導体は、その上面あるいは底面の高さを
変化させた第１の先端部を有し、前記同軸線路の内導体
は、前記第１の先端部と対向する部分の幅を変化させた
第２の先端部を有し、前記同軸線路の外導体の第１の先
端部と前記マイクロストリップ線路の接地導体とを第１
の導体により接続し、前記同軸線路の内導体の第２の先
端部と前記マイクロストリップ線路のストリップ導体パ
ターンとを第２の導体により接続したので、高周波信号
の波形を乱すことなく伝送でき、かつ簡易に製作できる
という効果を奏する。

【００７０】この発明の請求項２に係る高周波変換構造
は、以上説明したとおり、前記同軸線路が、前記外導体
の第１の先端部の底面と前記内導体の第２の先端部との
間に挿入された誘電体をさらに備えたので、高周波変換
構造の設計の自由度を増加するとともに、マルチパクシ
ョンを引き起こさず高耐電力化を図ることができるとい
う効果を奏する。

【００７１】この発明の請求項３に係る高周波変換構造
は、以上説明したとおり、前記同軸線路の外導体の第１
の先端部の幅を変化させたので、高周波変換構造の設計
の自由度を増加することができるという効果を奏する。

【００７２】この発明の請求項４に係る高周波変換構造
は、以上説明したとおり、同軸線路とマイクロストリッ
プ線路とを接続する高周波変換構造であって、前記同軸
線路は、長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構
成される外導体と、前記外導体の内部に前記外導体の中
心から上側又は下側にオフセットして配置された内導体
とを備え、前記マイクロストリップ線路は、誘電体基板
の表面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘
電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、前記同
軸線路は、前記内導体をはめ合わせて接続するための切
り欠きを一端に設け前記外導体の中心に配置された棒状
導体と、前記外導体と前記棒状導体との間に充填した誘
電体とをさらに備え、前記同軸線路の外導体と前記マイ
クロストリップ線路の接地導体とを第１の導体により接
続し、前記同軸線路の棒状導体と前記マイクロストリッ
プ線路のストリップ導体パターンとを第２の導体により
接続したので、入出力端子を同一の高さに設置できると
いう効果を奏する。

【００７３】この発明の請求項５に係る高周波変換構造
は、以上説明したとおり、前記同軸線路の外導体のうち
前記棒状導体と対向する部分の幅を変化させたので、高
周波信号の波形を乱すことなく伝送でき、かつ高周波変
換構造の設計の自由度を増加することができるという効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に係る高周波変換構
造の上面を示す図である。

【図２】 この発明の実施の形態１に係る高周波変換構
造の側面を示す図である。

【図３】 この発明の実施の形態２に係る高周波変換構
造の上面を示す図である。

【図４】 この発明の実施の形態２に係る高周波変換構
造の側面を示す図である。

【図５】 この発明の実施の形態３に係る高周波変換構
造の上面を示す図である。

【図６】 この発明の実施の形態３に係る高周波変換構
造の側面を示す図である。

【図７】 この発明の実施の形態４に係る高周波変換構
造に結合線路形方向性結合器を装着した上面を示す図で
ある。

【図８】 図７に示したＡＡ’部の断面を示す図であ
る。

【図９】 図７に示したＢ部の上面を示す図である。

【図１０】 図７に示したＢ部の側面を示す図である。

【図１１】 図７に示したＣＣ’部の断面を示す図であ
る。

【図１２】 この発明の実施の形態５に係る高周波変換
構造の上面を示す図である。

【図１３】 この発明の実施の形態５に係る高周波変換
構造の側面を示す図である。

【図１４】 従来の高周波変換構造を示す図である。

【符号の説明】

１ 外導体、２、２ａ、２ｂ 内導体、３ 同軸線路、
４ 先端部の内導体、５ 先端部の外導体、６ 誘電体
基板、７ ストリップ導体パターン、８ 接地導体、９
マイクロストリップ線路、１０ 金属キャリア、１１
金属リボン、１２ 誘電体、１３ 結合線路形方向性
結合器、１５ 棒状導体、１６ 突起。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同軸線路とマイクロストリップ線路とを
   接続する高周波変換構造であって、 前記同軸線路は、 長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される
   外導体と、 前記外導体の内部に配置された内導体とを備え、 前記マイクロストリップ線路は、 誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターン
   と、 前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、 前記同軸線路の外導体は、その上面あるいは底面の高さ
   を変化させた第１の先端部を有し、 前記同軸線路の内導体は、前記第１の先端部と対向する
   部分の幅を変化させた第２の先端部を有し、 前記同軸線路の外導体の第１の先端部と前記マイクロス
   トリップ線路の接地導体とを第１の導体により接続し、 前記同軸線路の内導体の第２の先端部と前記マイクロス
   トリップ線路のストリップ導体パターンとを第２の導体
   により接続したことを特徴とする高周波変換構造。
2. 【請求項２】 前記同軸線路は、前記外導体の第１の先
   端部の底面と前記内導体の第２の先端部との間に挿入さ
   れた誘電体をさらに備えたことを特徴とする請求項１記
   載の高周波変換構造。
3. 【請求項３】 前記同軸線路の外導体の第１の先端部の
   幅を変化させたことを特徴とする請求項１又は２記載の
   高周波変換構造。
4. 【請求項４】 同軸線路とマイクロストリップ線路とを
   接続する高周波変換構造であって、 前記同軸線路は、 長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される
   外導体と、 前記外導体の内部に前記外導体の中心から上側又は下側
   にオフセットして配置された内導体とを備え、 前記マイクロストリップ線路は、 誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターン
   と、 前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、 前記同軸線路は、前記内導体をはめ合わせて接続するた
   めの切り欠きを一端に設け前記外導体の中心に配置され
   た棒状導体と、 前記外導体と前記棒状導体との間に充填した誘電体とを
   さらに備え、 前記同軸線路の外導体と前記マイクロストリップ線路の
   接地導体とを第１の導体により接続し、 前記同軸線路の棒状導体と前記マイクロストリップ線路
   のストリップ導体パターンとを第２の導体により接続し
   たことを特徴とする高周波変換構造。
5. 【請求項５】 前記同軸線路の外導体のうち前記棒状導
   体と対向する部分の幅を変化させたことを特徴とする請
   求項４記載の高周波変換構造。