JP4450954B2 - 高周波変換構造 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
この発明は、主としてマイクロ波帯及びミリ波帯における高周波変換構造に関するものであり、特に、同軸線路とマイクロストリップ線路との接続構造である高周波変換構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の高周波変換構造について図面を参照しながら説明する。図14は、例えば特開平9−23108号公報に示された従来の高周波変換構造の構成を示す図である。
【0003】
図14において、103は同軸線路の内導体、104は同軸線路の外導体、105は同軸線路の誘電体である。また、106はマイクロストリップ線路の信号線路、107はマイクロストリップ線路の誘電体基板、108はマイクロストリップ線路の接地導体である。また、109は金属製のキャリア、110は金属ケース、111は同軸線路、112はマイクロストリップ線路、113は線路変換器である。さらに、117は線路変換器の内導体、118は誘電体、118aは線路変換器の上部誘電体、118bは線路変換器の下部誘電体、119は線路変換器の外導体、120は線路変換器の上部空気層、138は同軸線路111を金属ケース110に固定するための金具である。
【0004】
同軸線路111とマイクロストリップ線路112との間に挿入され、線路形式を変換する線路変換器113において、図14(c)に示すように、マイクロストリップ線路112の接続端子に向かうにつれて、マイクロストリップ線路112の自由空間側に接続される誘電体118aをテーパ状に徐々に連続的に削減し、マイクロストリップ線路112との接続部では、図14(d)に示すように、マイクロストリップ線路112の自由空間側と接触する側は空気、マイクロストリップ線路112の基板と接触する側は誘電体118bで充たされた断面構造を持つ線路変換器113を構成する。
【0005】
つぎに、従来の高周波変換構造の動作について図面を参照しながら説明する。
【0006】
線路変換器113において、同軸線路111に接続される断面は、図14(b)に示すように、内導体117と外導体119との間が均一に誘電体118で充たされた同軸線路構造を有する。
【0007】
また、図14(a)及び(c)に示すように、マイクロストリップ線路112に接続される断面側に向けて断面が円形から矩形に徐々に変化する構造を有する。
【0008】
誘電体118aが徐々に削減すると共に内導体117の径を一定に保持しつつ外導体119の径が徐々に縮小し、マイクロストリップ線路112に接続される断面は、内導体117と誘電体118bおよび外導体119がそれぞれマイクロストリップ線路112の信号線路106と誘電体基板107および接地導体108に対応する断面構造を有する。
【0009】
そして、誘電体118が削減した部分をマイクロストリップ線路112の自由空間側と対向させることにより、同軸線路111とマイクロストリップ線路112とを接続する両線路の接続面で電磁界が不連続になることなく変換される。
【0010】
また、誘電体118aは、同軸線路111に接続される断面側からマイクロストリップ線路112に接続される断面側に向けてマイクロストリップ線路112の自由空間側と対向する部分がテーパ状に連続して徐々に削減されることにより、マイクロストリップ線路112との接続面において、誘電体で充たされている側に電界分布を集中させて、マイクロストリップ線路112の伝送モードと同一にしている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような従来の高周波変換構造では、同軸線路111の先端部における外導体および内部に挿入される誘電体の断面形状を円形から長方形へ徐々に変化させ、同時に内部に挿入される誘電体を徐々に削減させ、マイクロストリップ線路に似た電界分布に変換することによりマイクロストリップ線路112と接続している。そのため、線路変換器113の外導体および誘電体を製造するには、高度な加工技術が必要となるという問題点があった。
【0012】
また、線路変換器113とマイクロストリップ線路112とを接続する断面において、誘電体118bと誘電体基板107の誘電率が異なる一般的な場合、内導体117と信号線路106の幅に不連続が生じ、高周波信号の伝送特性を劣化させる原因になるという問題点があった。
【0013】
さらに、同軸線路111に挿入した誘電体の損失によって生じる誘電体損を除去するため同軸線路111の内部の誘電体118を除去した場合、同軸線路111と線路変換器113とのインピーダンス整合を図るため、線路変換器113に挿入する誘電体118a、118bを除去する必要がある。この時、線路変換器113とマイクロストリップ線路112との接続部において、線路変換器113の伝送モードは同軸線路111の伝送モードに等しくなるため伝送モードの不整合が生じる。そのため、高周波信号の波形を乱す原因になるという問題点があった。
【0014】
この発明は、前述した問題点を解決するためになされたもので、同軸線路とマイクロストリップ線路との接続において、高周波信号の波形を乱すことなく伝送し、耐電力性に優れ、かつ簡易な構造によりに接続することができる高周波変換構造を得ることを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項1に係る高周波変換構造は、同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続する高周波変換構造であって、前記同軸線路は、長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される外導体と、長方形の断面形状を持つ前記外導体の筒状の内部の中心に配置された内導体とを備え、前記マイクロストリップ線路は、誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、前記同軸線路の外導体は、その底面が、低い面と高い面を構成する第1の段差を有する金属キャリアの低い面上に接触するように配置され、前記マイクロストリップ線路の接地導体は、前記金属キャリアの高い面上に接触するように配置され、前記同軸線路の先端部は、外導体が、先端部の筒状の内部の底面に第2の段差を設けた部分である第1の先端部を有し、かつ内導体が、前記第2の段差と対向する先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅が前記先端部以外の内導体の幅と前記ストリップ導体パターンの幅との間である第2の先端部を有し、前記同軸線路の長さ方向と前記ストリップ導体パターンの長さ方向が平行になるように、かつ前記第2の先端部の表面の前記同軸線路の高さ方向の高さと前記ストリップ導体パターンの表面の前記誘電体基板の厚さ方向の高さが同じになるように、前記同軸線路の内導体の第2の先端部と前記マイクロストリップ線路のストリップ導体パターンの一端とを、前記金属キャリアの第1の段差を跨ぐように、金属リボンにより接続し、前記同軸線路の特性インピーダンスと、前記同軸線路の先端部の特性インピーダンスと、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、等しいものである。
【0016】
この発明の請求項2に係る高周波変換構造は、前記同軸線路が、前記外導体の第1の先端部と前記内導体の第2の先端部との間に挿入された誘電体をさらに備えたものである。
【0017】
この発明の請求項3に係る高周波変換構造は、前記同軸線路の外導体の第1の先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅を前記第1の先端部以外の外導体の幅よりも狭くしたものである。
【0018】
この発明の請求項4に係る高周波変換構造は、同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続する高周波変換構造であって、前記同軸線路は、長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される外導体と、長方形の断面形状を持つ前記外導体の筒状の内部に前記外導体の中心軸から上側又は下側にオフセットして配置された内導体とを備え、前記マイクロストリップ線路は、誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、前記同軸線路の外導体は、その底面が、低い面と高い面を構成する段差を有する金属キャリアの低い面上に接触するように配置され、前記マイクロストリップ線路の接地導体は、前記金属キャリアの高い面上に接触するように配置され、前記同軸線路の先端部は、前記内導体の代わりに、前記外導体の先端部の筒状の内部に中心軸が前記外導体の中心軸と一致するように配置され、一端の下側に前記内導体の先端の表面をはめ合わせて接続するための切り欠きを有し、他端に前記ストリップ導体パターンの先端と接続するための突起を有する棒状導体と、前記外導体と前記棒状導体との間に充填した誘電体とを備え、前記同軸線路の長さ方向と前記ストリップ導体パターンの長さ方向が平行になるように、前記棒状導体の突起の下側と前記ストリップ導体パターンの先端の表面とを接続し、前記同軸線路の特性インピーダンスと、前記同軸線路の先端部の特性インピーダンスと、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、等しいものである。
【0019】
この発明の請求項5に係る高周波変換構造は、前記同軸線路の外導体のうち前記棒状導体と対向する前記同軸線路の先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅が前記棒状導体と対向する前記同軸線路の先端部以外の外導体の幅よりも狭くしたものである。
【0020】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
この発明の実施の形態1に係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る高周波変換構造の上面を示す図である。また、図2は、この発明の実施の形態1に係る高周波変換構造の側面を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【0021】
図1及び図2において、1は外導体、2は内導体、3は同軸線路、4は同軸線路3の先端部の内導体、5は同軸線路3の先端部の外導体である。
【0022】
また、同図において、6は誘電体基板、7はストリップ導体パターン、8は接地導体、9はマイクロストリップ線路、10は金属キャリア、11は金属リボンである。
【0023】
外導体1および内導体2の断面は長方形を有している。また、同軸線路3の先端部の内導体4の幅は内導体2の幅と比べて狭く、内導体4の真下の先端部の外導体5は段差を設けて外導体5と内導体4の距離を狭くしている。
【0024】
外導体1の内部の中心に内導体2を配置して同軸線路3を構成する。一方、誘電体基板6の表面にストリップ導体パターン7を形成し、裏面に接地導体8を形成してマイクロストリップ線路9を構成する。
【0025】
同軸線路3の外導体1と、マイクロストリップ線路9の接地導体8は、金属キャリア10の上に接触するように配置する。また、同軸線路3の先端部の内導体4とマイクストリップ線路9のストリップ導体パターン7は、金属リボン11を介して接続されている。
【0026】
同軸線路3の特性インピーダンスZc1、および同軸線路3の先端部の特性インピーダンスZc2は、それぞれの断面における外導体1、5と内導体2、4との距離、内導体2、4の幅と厚さ、内部の誘電率により決定される。
【0027】
また、マイクロストリップ線路9の特性インピーダンスZc3は、断面におけるストリップ導体パターン7の幅と厚さ、誘電体基板6の厚さおよび誘電率により決定される。
【0028】
ここでは、Zc1=Zc2=Zc3となるような断面寸法および誘電率としてインピーダンス整合を図っている。
【0029】
つぎに、この実施の形態1に係る高周波変換構造の動作について図面を参照しながら説明する。
【0030】
同軸線路3を伝送する高周波信号の電界分布は、同軸線路3の長さ方向に対して垂直な方向に上下および左右対称に分布する。一方、マイクロストリップ線路9を伝送する高周波信号の電界分布は、ストリップ導体パターン7と接地導体8との間に分布する。そのため、同軸線路3とマイクロストリップ線路9とを直接接続すると、電界分布の違いによる不整合および外導体1の先端部の上面部分から放射が生じる。また、内導体2の幅とストリップ導体パターン7の幅に不連続が生じるため高周波信号の波形に乱れが生じる。
【0031】
これを防ぐために、図2に示すように、同軸線路3の先端部の外導体5の底面に段差を設けて内導体4との距離を狭くし、先端部の外導体5と内導体4の間に電界を集中させて、先端部の電界分布をマイクロストリップ線路9の電界分布に近づけている。
【0032】
また、図1に示すように、内導体4の幅を内導体2とストリップ導体パターン7の幅との間にすることで、幅の変化が緩やかな階段状になるため、高周波信号の波形の乱れが少なく伝送することができる。
【0033】
さらに、同軸線路3の先端部において、外導体5の底面と内導体4との距離が狭くなると同時に内導体4の幅が狭くなるので、Zc1=Zc2=Zc3の関係を維持することができる。
【0034】
本実施の形態1においては、同軸線路3の先端部の外導体5に段差を設けて内導体4との距離を狭くし、同軸線路3とマイクロストリップ線路9との間の動作をさせることで、ストリップ導体パターン7との接続部における不整合および同軸線路3の先端部からの放射を抑制できる効果がある。
【0035】
また、同軸線路3の先端部の内導体4の幅を内導体2とストリップ導体パターン7の幅との間に設定でき、幅の変化を緩やかな階段状にさせることができるため、急激な幅の不連続による高周波信号の波形を乱れを緩和させることができる効果がある。
【0036】
さらに、同軸線路3の先端部における外導体5の段差は、例えば金属ブロックを外導体内部に挿入することにより構成できるため、容易に製作できる効果がある。
【0037】
実施の形態2.
この発明の実施の形態2に係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明する。図3は、この発明の実施の形態2に係る高周波変換構造の上面を示す図である。また、図4は、この発明の実施の形態2に係る高周波変換構造の側面を示す図である。
【0038】
図3及び図4において、12は誘電体である。なお、他の構成は、上記実施の形態1と同様である。
【0039】
外導体1および内導体2の断面は長方形を有している。また、同軸線路3の先端部の内導体4の幅は内導体2の幅と比べて狭く、内導体4の真下の先端部の外導体5に段差を設けて外導体5と内導体4の距離を狭くしてしており、間に誘電体12を挿入している。
【0040】
つぎに、この実施の形態2に係る高周波変換構造の動作について図面を参照しながら説明する。
【0041】
同軸線路3の先端部に誘電体12を挿入すると、単位長さあたりの静電容量が増加するため、特性インピーダンスは減少する。インピーダンスの整合関係を維持するためには、先端部の内導体4の幅と段差を設けた外導体5との距離を調節する必要がある。逆に、変換部における伝送特性を向上すべく外導体5および内導体4の寸法を与えた時、誘電体12の誘電率を変えることでインピーダンスの整合関係を維持することができる。すなわち、高周波変換構造の設計の自由度を増加することができる。
【0042】
また、同軸線路3の電界分布をマイクロストリップ線路9の電界分布に近付けるために、同軸線路3の先端部で外導体5の底面に段差を設けて内導体4との距離を狭くした構造では、上記先端部での外導体5と内導体4との間の電界強度が大きくなる。
【0043】
この時、先端部の外導体5と内導体4の間が真空であると、大きな電力の高周波信号を伝送する際に、外導体5と内導体4の間から次々と電子を放出するマルチパクションを引き起こし、高周波信号が伝送されなくなる。そのため、外導体5と内導体4の間に誘電体12を挿入してマルチパクションを起こさないようにしている。
【0044】
本実施の形態2においては、上記実施の形態1と同様の効果に加え、同軸線路3の先端部の外導体5の底面と内導体4との間に誘電体12を挿入することにより、高周波変換構造の設計の自由度を増加するとともに、マルチパクションを引き起こさず高耐電力化を図ることができる効果がある。
【0045】
実施の形態3.
この発明の実施の形態3に係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明する。図5は、この発明の実施の形態3に係る高周波変換構造の上面を示す図である。また、図6は、この発明の実施の形態3に係る高周波変換構造の側面を示す図である。
【0046】
図5及び図6において、外導体1および内導体2の断面は長方形を有している。また、同軸線路3の先端部の外導体5および内導体4の幅は、それぞれ外導体1および内導体2の幅と比べて狭く、内導体4の真下の先端部の外導体5に段差を設けて外導体5と内導体4の距離を狭くしており、間に誘電体12を挿入している。
【0047】
本実施の形態3においては、上記実施の形態2と同様の効果に加え、同軸線路3の先端部の外導体5の幅も設計パラメータとして利用できるため、高周波変換構造の設計の自由度をさらに増加することができる効果がある。
【0048】
実施の形態4.
この発明の実施の形態4に係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明する。図7は、この発明の実施の形態4に係る高周波変換構造に結合線路形方向性結合器を装着したの上面を示す図である。また、図8は、図7に示したAA’部の断面を示す図である。また、図9は、図7に示したB部の上面を示す図である。また、図10は、図7に示したB部の側面を示す図である。さらに、図11は、図7に示したCC’部の断面を示す図である。
【0049】
図7から図11までにおいて、2a、2bは内導体、12aは誘電体、13は結合線路形方向性結合器、14a、14b、14c、14dは入出力端子、15は棒状導体、16は棒状導体15の先端に設けた突起である。
【0050】
図8に示した図7のAA’部において、金属キャリア10の上に構成した長方形の断面形状を有する外導体1の内部に、長方形の断面形状を有する2つの内導体2a、2bを外導体1の中心からそれぞれ上下方向にオフセットして対向するように配置する。
【0051】
上記外導体1の内部は誘電体12aを充填しており、AA’部の長さを所定の伝搬波長の1/4として結合線路形方向性結合器13を構成する。この結合線路形方向性結合器13に高周波信号を入出力する端子14a、14b、14c、14dとして、図9および図10に示した高周波変換構造を用いている。
【0052】
図9および図10に示した高周波変換構造において、同軸線路3の先端部は長方形の断面形状を有する外導体1の内部に棒状の導体15をその中心軸が外導体1の中心軸と一致するように配置し、周りを誘電体12で充填する。
【0053】
棒状の導体15の内導体2b側には部分的に切り欠きが設けられ、この切り欠きに内導体2bをはめ合わせて接続し、棒状導体15の先端に設けた突起16をストリップ導体パターン7に接続する。また、金属キャリア10の上に外導体1および接地導体8を配置する。
【0054】
図11に示すように、入出力端子14a、14bの手前において、2つの内導体2a、2bは外導体1の中心からそれぞれ上下方向にオフセットした位置にあるものの、棒状導体15を外導体1の中心に配置して内導体2a、2bと接続されるため、ストリップ導体パターン7に接続されるそれぞれの突起16の高さにそろえることができる。なお、CC’部と反対側に形成される入出力端子14c、14dについても同様な関係になっている。
【0055】
同軸線路3の特性インピーダンスZc1は、断面における外導体と内導体との距離、内導体の幅と厚さ、内部の誘電率により決定される。同軸線路3の先端部の特性インピーダンスZc2は、断面における外導体と棒状導体との距離、棒状導体の径、内部の誘電率により決定される。また、マイクロストリップ線路9の特性インピーダンスZc3は、断面においてストリップ導体パターン7の幅と厚さ、誘電体基板6の厚さおよび誘電率により決定される。ここでは、Zc1=Zc2=Zc3となるような断面寸法および誘電率としてインピーダンス整合を図っている。
【0056】
つぎに、この実施の形態4に係る高周波変換構造の動作について図面を参照しながら説明する。
【0057】
例えば、入出力端子14aから高周波信号を入力すると、高周波信号は上側の内導体2aを伝送し、所定の伝搬波長の1/4波長の長さを有する結合部において下側の内導体2bと電磁界結合し、信号の一部は入出力端子14bに出力され、他の信号は入出力端子14dに出力される。入出力端子14cには出力されない。
【0058】
また、入出力端子14bから高周波信号を加えた場合は、入出力端子14aと入出力端子14cから、入出力端子14cから高周波信号を加えた場合は、入出力端子14bと入出力端子14dから、入出力端子14dから高周波信号を加えた場合には、入出力端子14aと入出力端子14cから出力され、既に述べた同様な動作をする。
【0059】
結合線路形方向性結合器13に高周波信号を入出力する入出力端子14において、棒状導体15を外導体1の中心に配置して外導体1の中心から上下方向にオフセットした2つ内導体2a、2bを接続しているため、棒状導体15の先端に設けた突起16は同一の高さとなり、同一の誘電体基板6上に形成されたストリップ導体パターン7と接続することができる。
【0060】
本実施の形態4においては、結合線路形方向性結合器13に設けた4つの入出力端子を同一の高さに設置することができるので、同一の誘電体基板上に形成されたストリップ導体パターン7と接続することができる効果がある。
【0061】
実施の形態5.
この発明の実施の形態5に係る高周波変換構造について図面を参照しながら説明する。図12は、この発明の実施の形態5に係る高周波変換構造の上面を示す図である。また、図13は、この発明の実施の形態5に係る高周波変換構造の側面を示す図である。
【0062】
図12及び図13において、5aは同軸線路3の先端部の外導体である。外導体1および内導体2の断面は長方形を有しており、同軸線路3の先端部の外導体5aの幅は外導体1の幅と比べて狭くしている。
【0063】
つぎに、この実施の形態5に係る高周波変換構造の動作について図面を参照しながら説明する。
【0064】
同軸線路3には内導体2の長さ方向に電流が流れるとともに、外導体1の長さ方向に内導体2とは逆方向にグラウンド電流が流れる。そのグラウンド電流は、外導体1の上下および左右に分布している。
【0065】
一方、マイクロストリップ線路9にはストリップ導体パターン7の長さ方向に電流が流れるとともに、接地導体8の長さ方向にストリップ導体パターン7とは逆方向にグラウンド電流が流れている。そのグラウンド電流はストリップ導体パターン7の真下の接地導体8に分布している。
【0066】
外導体1の幅はストリップ導体パターン7の幅に比べ広いため、同軸線路3とマイクロストリップ線路9とを接続すると、接続部において棒状導体15からストリップ導体パターン7へ流れる電流と接地導体8から外導体1に流れるグラウンド電流に経路差が生じ、高周波信号の波形に乱れが生じる。
【0067】
これを防ぐために、同軸線路3の先端部の外導体5aの幅を狭くし、外導体5aに流れるグラウンド電流を長さ方向の中心軸方向に集めて、上記経路差を減らしている。
【0068】
本実施の形態5においては、上記実施の形態4と同様の効果に加え、同軸線路3の先端部の外導体5aの幅を狭くすることで、接続部における棒状導体15からストリップ導体パターン7へ流れる電流と接地導体8から外導体1に流れるグラウンド電流との経路差を減らし、高周波信号の波形を乱れを緩和させることができる効果がある。また、同軸線路3の先端部の外導体5aの幅を設計パラメータとして利用できるため、高周波変換構造の設計の自由度をさらに増加することができる効果がある。
【0069】
【発明の効果】
この発明の請求項1に係る高周波変換構造は、以上説明したとおり、同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続する高周波変換構造であって、前記同軸線路は、長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される外導体と、長方形の断面形状を持つ前記外導体の筒状の内部の中心に配置された内導体とを備え、前記マイクロストリップ線路は、誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、前記同軸線路の外導体は、その底面が、低い面と高い面を構成する第1の段差を有する金属キャリアの低い面上に接触するように配置され、前記マイクロストリップ線路の接地導体は、前記金属キャリアの高い面上に接触するように配置され、前記同軸線路の先端部は、外導体が、先端部の筒状の内部の底面に第2の段差を設けた部分である第1の先端部を有し、かつ内導体が、前記第2の段差と対向する先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅が前記先端部以外の内導体の幅と前記ストリップ導体パターンの幅との間である第2の先端部を有し、前記同軸線路の長さ方向と前記ストリップ導体パターンの長さ方向が平行になるように、かつ前記第2の先端部の表面の前記同軸線路の高さ方向の高さと前記ストリップ導体パターンの表面の前記誘電体基板の厚さ方向の高さが同じになるように、前記同軸線路の内導体の第2の先端部と前記マイクロストリップ線路のストリップ導体パターンの一端とを、前記金属キャリアの第1の段差を跨ぐように、金属リボンにより接続し、前記同軸線路の特性インピーダンスと、前記同軸線路の先端部の特性インピーダンスと、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、等しくしたので、高周波信号の波形を乱すことなく伝送でき、かつ簡易に製作できるという効果を奏する。
【0070】
この発明の請求項2に係る高周波変換構造は、以上説明したとおり、前記同軸線路が、前記外導体の第1の先端部と前記内導体の第2の先端部との間に挿入された誘電体をさらに備えたので、高周波変換構造の設計の自由度を増加するとともに、マルチパクションを引き起こさず高耐電力化を図ることができるという効果を奏する。
【0071】
この発明の請求項3に係る高周波変換構造は、以上説明したとおり、前記同軸線路の外導体の第1の先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅を前記第1の先端部以外の外導体の幅よりも狭くしたので、高周波変換構造の設計の自由度を増加することができるという効果を奏する。
【0072】
この発明の請求項4に係る高周波変換構造は、以上説明したとおり、同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続する高周波変換構造であって、前記同軸線路は、長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される外導体と、長方形の断面形状を持つ前記外導体の筒状の内部に前記外導体の中心軸から上側又は下側にオフセットして配置された内導体とを備え、前記マイクロストリップ線路は、誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、前記同軸線路の外導体は、その底面が、低い面と高い面を構成する段差を有する金属キャリアの低い面上に接触するように配置され、前記マイクロストリップ線路の接地導体は、前記金属キャリアの高い面上に接触するように配置され、前記同軸線路の先端部は、前記内導体の代わりに、前記外導体の先端部の筒状の内部に中心軸が前記外導体の中心軸と一致するように配置され、一端の下側に前記内導体の先端の表面をはめ合わせて接続するための切り欠きを有し、他端に前記ストリップ導体パターンの先端と接続するための突起を有する棒状導体と、前記外導体と前記棒状導体との間に充填した誘電体とを備え、前記同軸線路の長さ方向と前記ストリップ導体パターンの長さ方向が平行になるように、前記棒状導体の突起の下側と前記ストリップ導体パターンの先端の表面とを接続し、前記同軸線路の特性インピーダンスと、前記同軸線路の先端部の特性インピーダンスと、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、等しくしたので、入出力端子を同一の高さに設置できるという効果を奏する。
【0073】
この発明の請求項5に係る高周波変換構造は、以上説明したとおり、前記同軸線路の外導体のうち前記棒状導体と対向する前記同軸線路の先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅が前記棒状導体と対向する前記同軸線路の先端部以外の外導体の幅よりも狭くしたので、高周波信号の波形を乱すことなく伝送でき、かつ高周波変換構造の設計の自由度を増加することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1に係る高周波変換構造の上面を示す図である。
【図2】 この発明の実施の形態1に係る高周波変換構造の側面を示す図である。
【図3】 この発明の実施の形態2に係る高周波変換構造の上面を示す図である。
【図4】 この発明の実施の形態2に係る高周波変換構造の側面を示す図である。
【図5】 この発明の実施の形態3に係る高周波変換構造の上面を示す図である。
【図6】 この発明の実施の形態3に係る高周波変換構造の側面を示す図である。
【図7】 この発明の実施の形態4に係る高周波変換構造に結合線路形方向性結合器を装着した上面を示す図である。
【図8】 図7に示したAA’部の断面を示す図である。
【図9】 図7に示したB部の上面を示す図である。
【図10】 図7に示したB部の側面を示す図である。
【図11】 図7に示したCC’部の断面を示す図である。
【図12】 この発明の実施の形態5に係る高周波変換構造の上面を示す図である。
【図13】 この発明の実施の形態5に係る高周波変換構造の側面を示す図である。
【図14】 従来の高周波変換構造を示す図である。
【符号の説明】
1 外導体、2、2a、2b 内導体、3 同軸線路、4 先端部の内導体、5 先端部の外導体、6 誘電体基板、7 ストリップ導体パターン、8 接地導体、9 マイクロストリップ線路、10 金属キャリア、11 金属リボン、12 誘電体、13 結合線路形方向性結合器、15 棒状導体、16 突起。
Claims (5)
- 同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続する高周波変換構造であって、
前記同軸線路は、
長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される外導体と、
長方形の断面形状を持つ前記外導体の筒状の内部の中心に配置された内導体とを備え、
前記マイクロストリップ線路は、
誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターンと、
前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、
前記同軸線路の外導体は、その底面が、低い面と高い面を構成する第1の段差を有する金属キャリアの低い面上に接触するように配置され、
前記マイクロストリップ線路の接地導体は、前記金属キャリアの高い面上に接触するように配置され、
前記同軸線路の先端部は、外導体が、先端部の筒状の内部の底面に第2の段差を設けた部分である第1の先端部を有し、かつ内導体が、前記第2の段差と対向する先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅が前記先端部以外の内導体の幅と前記ストリップ導体パターンの幅との間である第2の先端部を有し、
前記同軸線路の長さ方向と前記ストリップ導体パターンの長さ方向が平行になるように、かつ前記第2の先端部の表面の前記同軸線路の高さ方向の高さと前記ストリップ導体パターンの表面の前記誘電体基板の厚さ方向の高さが同じになるように、前記同軸線路の内導体の第2の先端部と前記マイクロストリップ線路のストリップ導体パターンの一端とを、前記金属キャリアの第1の段差を跨ぐように、金属リボンにより接続し、
前記同軸線路の特性インピーダンスと、前記同軸線路の先端部の特性インピーダンスと、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、等しい
ことを特徴とする高周波変換構造。 - 前記同軸線路は、前記外導体の第1の先端部と前記内導体の第2の先端部との間に挿入された誘電体
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の高周波変換構造。 - 前記同軸線路の外導体の第1の先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅が前記第1の先端部以外の外導体の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項1又は2記載の高周波変換構造。 - 同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続する高周波変換構造であって、
前記同軸線路は、
長方形の断面形状を持つ中空の筒状導体から構成される外導体と、
長方形の断面形状を持つ前記外導体の筒状の内部に前記外導体の中心軸から上側又は下側にオフセットして配置された内導体とを備え、
前記マイクロストリップ線路は、
誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体パターンと、
前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、
前記同軸線路の外導体は、その底面が、低い面と高い面を構成する段差を有する金属キャリアの低い面上に接触するように配置され、
前記マイクロストリップ線路の接地導体は、前記金属キャリアの高い面上に接触するように配置され、
前記同軸線路の先端部は、前記内導体の代わりに、
前記外導体の先端部の筒状の内部に中心軸が前記外導体の中心軸と一致するように配置され、一端の下側に前記内導体の先端の表面をはめ合わせて接続するための切り欠きを有し、他端に前記ストリップ導体パターンの先端と接続するための突起を有する棒状導体と、
前記外導体と前記棒状導体との間に充填した誘電体とを備え、
前記同軸線路の長さ方向と前記ストリップ導体パターンの長さ方向が平行になるように、前記棒状導体の突起の下側と前記ストリップ導体パターンの先端の表面とを接続し、
前記同軸線路の特性インピーダンスと、前記同軸線路の先端部の特性インピーダンスと、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、等しい
ことを特徴とする高周波変換構造。 - 前記同軸線路の外導体のうち前記棒状導体と対向する前記同軸線路の先端部の、前記同軸線路の長さ方向に対して垂直な方向かつ前記同軸線路の高さ方向に対して垂直な方向の長さである、幅が前記棒状導体と対向する前記同軸線路の先端部以外の外導体の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項4記載の高周波変換構造。
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