JP2001196815A - 導波管−マイクロストリップ線路変換器 - Google Patents
導波管−マイクロストリップ線路変換器Info
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- JP2001196815A JP2001196815A JP2000001597A JP2000001597A JP2001196815A JP 2001196815 A JP2001196815 A JP 2001196815A JP 2000001597 A JP2000001597 A JP 2000001597A JP 2000001597 A JP2000001597 A JP 2000001597A JP 2001196815 A JP2001196815 A JP 2001196815A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を用いて一体化の導波管−マイクロスト
リップ線路を構成することで気密を確保し、安価で歩留
りが良く、広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロス
トリップ線路変換器を得ることを目的とする。 【解決手段】 多層誘電体基板にて構成された導波管−
マイクロストリップ線路変換器において、多層誘電体基
板上に設けたキャビティ周囲に複数のスルーホールを配
列して構成した導波管と、導波管内部の出力側に信号周
波数における基板内伝搬波長の概略１／２となる厚さの
誘電体基板を配置することで、気密性を確保し、安価で
歩留りが良い導波管−マイクロストリップ線路変換器を
得ることができる。
リップ線路を構成することで気密を確保し、安価で歩留
りが良く、広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロス
トリップ線路変換器を得ることを目的とする。 【解決手段】 多層誘電体基板にて構成された導波管−
マイクロストリップ線路変換器において、多層誘電体基
板上に設けたキャビティ周囲に複数のスルーホールを配
列して構成した導波管と、導波管内部の出力側に信号周
波数における基板内伝搬波長の概略１／２となる厚さの
誘電体基板を配置することで、気密性を確保し、安価で
歩留りが良い導波管−マイクロストリップ線路変換器を
得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主としてマイク
ロ波帯及びミリ波帯における導波管、マイクロストリッ
プ線路のインタフェースを必要とする多層高周波回路基
板に関するもので、特に多層誘電体基板を用いて安価で
歩留りが良く、気密性と広帯域な通過特性を持つ導波管
−マイクロストリップ変換器に関する。
ロ波帯及びミリ波帯における導波管、マイクロストリッ
プ線路のインタフェースを必要とする多層高周波回路基
板に関するもので、特に多層誘電体基板を用いて安価で
歩留りが良く、気密性と広帯域な通過特性を持つ導波管
−マイクロストリップ変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８、９は従来の導波管−マイクロスト
リップ変換器を一例を示したものであり、図８は上面図
を、図９は断面図を示している。図において、１１はシ
ョート板、１２は導波管ブロック、１３は導波管、１４
はマイクロストリップ線路、１５はプローブ、１６はフ
ィードスルー、１７はリボンを示している。
リップ変換器を一例を示したものであり、図８は上面図
を、図９は断面図を示している。図において、１１はシ
ョート板、１２は導波管ブロック、１３は導波管、１４
はマイクロストリップ線路、１５はプローブ、１６はフ
ィードスルー、１７はリボンを示している。
【０００３】次に動作について説明する。マイクロスト
リップ線路１４を伝送する高周波信号はリボン１７によ
って接続された、フィードスルー１６を通してプローブ
１５に伝搬する。プローブ２０から電磁界結合により、
導波管１３へ高周波信号が変換され、外部のアンテナな
どに出力される。
リップ線路１４を伝送する高周波信号はリボン１７によ
って接続された、フィードスルー１６を通してプローブ
１５に伝搬する。プローブ２０から電磁界結合により、
導波管１３へ高周波信号が変換され、外部のアンテナな
どに出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の導波管−マイク
ロストリップ変換器は以上のように構成されており、フ
ィードスルーなどを用いれなければ気密性確保ができな
いという問題があった。
ロストリップ変換器は以上のように構成されており、フ
ィードスルーなどを用いれなければ気密性確保ができな
いという問題があった。
【０００５】また、チップキャリアからプローブが突き
出しているために機械的に破損しやすいことや、リボン
による接続個所が多いために、組立工数が多くなった
り、特性ばらつきが大きくなるという問題もあった。
出しているために機械的に破損しやすいことや、リボン
による接続個所が多いために、組立工数が多くなった
り、特性ばらつきが大きくなるという問題もあった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ために考案されたもので、多層誘電体基板を用いて一体
化の導波管−マイクロストリップ線路を構成することで
気密を確保し、安価で歩留りが良く、広帯域な通過特性
を持つ導波管−マイクロストリップ線路変換器を得るこ
とを目的とする。
ために考案されたもので、多層誘電体基板を用いて一体
化の導波管−マイクロストリップ線路を構成することで
気密を確保し、安価で歩留りが良く、広帯域な通過特性
を持つ導波管−マイクロストリップ線路変換器を得るこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明の導波管−マ
イクロストリップ線路変換器は、多層誘電体基板内に形
成したキャビティ周囲に複数のスルーホール列を形成し
た導波管と、上記導波管内の出力側に信号周波数におけ
る基板内伝搬波長の概略１／２となる厚さの誘電体基板
とを設けたことを特徴とする。
イクロストリップ線路変換器は、多層誘電体基板内に形
成したキャビティ周囲に複数のスルーホール列を形成し
た導波管と、上記導波管内の出力側に信号周波数におけ
る基板内伝搬波長の概略１／２となる厚さの誘電体基板
とを設けたことを特徴とする。
【０００８】また、第２の発明の導波管−マイクロスト
リップ変換器は、多層誘電体基板内に形成したキャビテ
ィ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、上
記導波管内の出力側に設けた第１の誘電体基板と、上記
誘電体基板から信号周波数における基板内伝搬波長の概
略１／４となる距離に配置した第２の誘電体基板とを設
けたことを特徴とする。
リップ変換器は、多層誘電体基板内に形成したキャビテ
ィ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、上
記導波管内の出力側に設けた第１の誘電体基板と、上記
誘電体基板から信号周波数における基板内伝搬波長の概
略１／４となる距離に配置した第２の誘電体基板とを設
けたことを特徴とする。
【０００９】また、第３の発明の導波管−マイクロスト
リップ変換器は、多層誘電体基板内に形成したキャビテ
ィ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、信
号周波数における基板内伝搬波長の概略１／２となる厚
さの誘電体基板上に構成したマイクロストリップ線路と
を設けたことを特徴とする。
リップ変換器は、多層誘電体基板内に形成したキャビテ
ィ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、信
号周波数における基板内伝搬波長の概略１／２となる厚
さの誘電体基板上に構成したマイクロストリップ線路と
を設けたことを特徴とする。
【００１０】また、第４の発明の導波管−マイクロスト
リップ変換器は、多層誘電体基板内に形成したキャビテ
ィ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、誘
電体基板上に形成したマイクロストリップ線路と、上記
導波管内の出力側に上記マイクロストリップ線路から信
号周波数における基板内伝搬波長の概略１／４となる距
離に配置した誘電体基板とを設けたことを特徴とする。
リップ変換器は、多層誘電体基板内に形成したキャビテ
ィ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、誘
電体基板上に形成したマイクロストリップ線路と、上記
導波管内の出力側に上記マイクロストリップ線路から信
号周波数における基板内伝搬波長の概略１／４となる距
離に配置した誘電体基板とを設けたことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１を示す導波管−マイクロストリップ線路変
換器を上面図である。図２はこの発明の実施の形態１を
示す導波管−マイクロストリップ変換器の断面図であ
る。図において、１ａ〜１ｆは誘電体基板、２は誘電体
基板上に形成したマイクロストリップ線路、３は誘電体
基板１ｃ〜１ｆを刳り貫いて形成した導波管キャビテ
ィ、４は導波管３の周囲に複数配列したスルーホール、
５はマイクロストリップ線路３の接地導体、６は誘電体
基板１ｂの裏面に接地導体５を設けることにより形成し
た導波管キャビティ３のショート板を示している。
実施の形態１を示す導波管−マイクロストリップ線路変
換器を上面図である。図２はこの発明の実施の形態１を
示す導波管−マイクロストリップ変換器の断面図であ
る。図において、１ａ〜１ｆは誘電体基板、２は誘電体
基板上に形成したマイクロストリップ線路、３は誘電体
基板１ｃ〜１ｆを刳り貫いて形成した導波管キャビテ
ィ、４は導波管３の周囲に複数配列したスルーホール、
５はマイクロストリップ線路３の接地導体、６は誘電体
基板１ｂの裏面に接地導体５を設けることにより形成し
た導波管キャビティ３のショート板を示している。
【００１２】次に動作について説明する。図１、２にお
いて、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層
誘電体基板１ｃ上に形成されたマイクロストリップ線路
２を伝わる。ショート板６は誘電体基板１ｂによって、
マイクロストリップ線路２から導波管３へ高周波信号が
効率よく導波管モードに変換される距離に配置されてい
る。導波管モードに変換された高周波信号は導波管内部
の誘電体基板１ｅにより反射が生じるが、誘電体基板１
ｅを信号周波数における基板内伝搬波長の概略１／２と
なる厚さとすることにより、定在波分布が誘電体基板１
ｅ上面及び下面において位相が同相となり、良好な通過
特性が得られる。図３はマイクロストリップ線路から変
換された高周波信号の導波管内の通過特性の一例を示し
たものである。信号周波数帯域において広帯域な通過特
性が得られている。
いて、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層
誘電体基板１ｃ上に形成されたマイクロストリップ線路
２を伝わる。ショート板６は誘電体基板１ｂによって、
マイクロストリップ線路２から導波管３へ高周波信号が
効率よく導波管モードに変換される距離に配置されてい
る。導波管モードに変換された高周波信号は導波管内部
の誘電体基板１ｅにより反射が生じるが、誘電体基板１
ｅを信号周波数における基板内伝搬波長の概略１／２と
なる厚さとすることにより、定在波分布が誘電体基板１
ｅ上面及び下面において位相が同相となり、良好な通過
特性が得られる。図３はマイクロストリップ線路から変
換された高周波信号の導波管内の通過特性の一例を示し
たものである。信号周波数帯域において広帯域な通過特
性が得られている。
【００１３】実施の形態２．図４はこの発明の実施の形
態２を示す導波管−マイクロストリップ線路変換器の断
面図である。図において、図２に示した例と同一部分に
は同一符号を付している。
態２を示す導波管−マイクロストリップ線路変換器の断
面図である。図において、図２に示した例と同一部分に
は同一符号を付している。
【００１４】次に動作について説明する。図４におい
て、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層誘
電体基板内のマイクロストリップ線路２を伝わる。ショ
ート板６は誘電体基板１ｂによって、マイクロストリッ
プ線路２から導波管３へ高周波信号が効率よく導波管モ
ードに変換される距離に配置されている。導波管モード
に変換された高周波信号は導波管内部の誘電体基板１
ｅ、１ｇにより反射が生じるが、第１の誘電体基板１ｅ
と第２の誘電体基板１ｇの距離を信号周波数における伝
搬波長の概略１／４となる距離に誘電体基板１ｅ、１
ｆ、１ｇを配置することにより、定在波分布が第１の誘
電体基板１ｅ上面及び第２の誘電体基板１ｈ下面におい
て位相が同相となり、良好な通過特性が得られる。
て、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層誘
電体基板内のマイクロストリップ線路２を伝わる。ショ
ート板６は誘電体基板１ｂによって、マイクロストリッ
プ線路２から導波管３へ高周波信号が効率よく導波管モ
ードに変換される距離に配置されている。導波管モード
に変換された高周波信号は導波管内部の誘電体基板１
ｅ、１ｇにより反射が生じるが、第１の誘電体基板１ｅ
と第２の誘電体基板１ｇの距離を信号周波数における伝
搬波長の概略１／４となる距離に誘電体基板１ｅ、１
ｆ、１ｇを配置することにより、定在波分布が第１の誘
電体基板１ｅ上面及び第２の誘電体基板１ｈ下面におい
て位相が同相となり、良好な通過特性が得られる。
【００１５】実施の形態３．図５はこの発明の実施の形
態３を示す導波管−マイクロストリップ線路変換器を上
面図である。図６はこの発明の実施の形態１を示す導波
管−マイクロストリップ変換器の断面図である。図にお
いて、図１及び図２に示した例と同一部分には同一符号
を付している。
態３を示す導波管−マイクロストリップ線路変換器を上
面図である。図６はこの発明の実施の形態１を示す導波
管−マイクロストリップ変換器の断面図である。図にお
いて、図１及び図２に示した例と同一部分には同一符号
を付している。
【００１６】次に動作について説明する。図５、６にお
いて、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層
誘電体基板１ｃ上に形成されたマイクロストリップ線路
２を伝わる。ショート板６は誘電体基板１ｂによって、
マイクロストリップ線路２から導波管３へ高周波信号が
効率よく導波管モードに変換される距離に配置されてい
る。導波管モードに変換された高周波信号は導波管内部
の誘電体基板１ｃにより反射が生じるが、誘電体基板１
ｃを信号周波数における基板内伝搬波長の概略１／２と
なる厚さとすることにより、定在波分布が誘電体基板１
ｃ上面及び下面において位相が同相となり、良好な通過
特性が得られる。
いて、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層
誘電体基板１ｃ上に形成されたマイクロストリップ線路
２を伝わる。ショート板６は誘電体基板１ｂによって、
マイクロストリップ線路２から導波管３へ高周波信号が
効率よく導波管モードに変換される距離に配置されてい
る。導波管モードに変換された高周波信号は導波管内部
の誘電体基板１ｃにより反射が生じるが、誘電体基板１
ｃを信号周波数における基板内伝搬波長の概略１／２と
なる厚さとすることにより、定在波分布が誘電体基板１
ｃ上面及び下面において位相が同相となり、良好な通過
特性が得られる。
【００１７】実施の形態４．図７はこの発明の実施の形
態４を示す導波管−マイクロストリップ線路変換器の断
面図である。図において、図６に示した例と同一部分に
は同一符号を付している。
態４を示す導波管−マイクロストリップ線路変換器の断
面図である。図において、図６に示した例と同一部分に
は同一符号を付している。
【００１８】次に動作について説明する。図７におい
て、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層誘
電体基板内のマイクロストリップ線路２を伝わる。ショ
ート板６は誘電体基板１ｂによって、マイクロストリッ
プ線路２から導波管３へ高周波信号が効率よく導波管モ
ードに変換される距離に配置されている。導波管モード
に変換された高周波信号は導波管内部の誘電体基板１
ｃ、１ｅにより反射が生じるが、誘電体基板１ｃと１ｅ
の距離を信号周波数における伝搬波長の概略１／４とな
る距離に誘電体基板１ｃ、１ｄ、１ｅを配置することに
より、定在波分布が誘電体基板１ｃ上面及び１ｅ下面に
おいて位相が同相となり、良好な通過特性が得られる。
て、高周波デバイスから出力される高周波信号は多層誘
電体基板内のマイクロストリップ線路２を伝わる。ショ
ート板６は誘電体基板１ｂによって、マイクロストリッ
プ線路２から導波管３へ高周波信号が効率よく導波管モ
ードに変換される距離に配置されている。導波管モード
に変換された高周波信号は導波管内部の誘電体基板１
ｃ、１ｅにより反射が生じるが、誘電体基板１ｃと１ｅ
の距離を信号周波数における伝搬波長の概略１／４とな
る距離に誘電体基板１ｃ、１ｄ、１ｅを配置することに
より、定在波分布が誘電体基板１ｃ上面及び１ｅ下面に
おいて位相が同相となり、良好な通過特性が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、第１の発明によれば、多
層誘電体基板にて構成された導波管−マイクロストリッ
プ線路変換器において、多層誘電体基板内に形成したキ
ャビティ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管
と、上記導波管内の出力側に信号周波数における基板内
伝搬波長の概略１／２となる厚さの誘電体基板を備えた
ことにより、導波管内部において気密性を確保し、かつ
広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロストリップ変
換器を得ることができる。
層誘電体基板にて構成された導波管−マイクロストリッ
プ線路変換器において、多層誘電体基板内に形成したキ
ャビティ周囲に複数のスルーホール列を形成した導波管
と、上記導波管内の出力側に信号周波数における基板内
伝搬波長の概略１／２となる厚さの誘電体基板を備えた
ことにより、導波管内部において気密性を確保し、かつ
広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロストリップ変
換器を得ることができる。
【００２０】また、第２の発明によれば、多層誘電体基
板にて構成された導波管−マイクロストリップ線路変換
器において、多層誘電体基板内に形成したキャビティ周
囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、上記導
波管内の出力側に設けた第１の誘電体基板と、上記誘電
体基板から信号周波数における基板内伝搬波長の概略１
／４となる距離に配置した第２の誘電体基板を具備した
ことにより、導波管内部において気密性を確保し、かつ
広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロストリップ変
換器を得ることができる。
板にて構成された導波管−マイクロストリップ線路変換
器において、多層誘電体基板内に形成したキャビティ周
囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、上記導
波管内の出力側に設けた第１の誘電体基板と、上記誘電
体基板から信号周波数における基板内伝搬波長の概略１
／４となる距離に配置した第２の誘電体基板を具備した
ことにより、導波管内部において気密性を確保し、かつ
広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロストリップ変
換器を得ることができる。
【００２１】また、第３の発明によれば、多層誘電体基
板にて構成された導波管−マイクロストリップ線路変換
器において、多層誘電体基板内に形成したキャビティ周
囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、信号周
波数における基板内伝搬波長の概略１／２となる厚さの
誘電体基板上に構成したマイクロストリップ線路を具備
にしたことにより、導波管内部において気密性を確保
し、かつ広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロスト
リップ変換器を得ることができる。また、多層誘電体基
板の一体化成形による歩留りが良く、部品点数の少ない
安価な変換器を構成することができる。
板にて構成された導波管−マイクロストリップ線路変換
器において、多層誘電体基板内に形成したキャビティ周
囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、信号周
波数における基板内伝搬波長の概略１／２となる厚さの
誘電体基板上に構成したマイクロストリップ線路を具備
にしたことにより、導波管内部において気密性を確保
し、かつ広帯域な通過特性を持つ導波管−マイクロスト
リップ変換器を得ることができる。また、多層誘電体基
板の一体化成形による歩留りが良く、部品点数の少ない
安価な変換器を構成することができる。
【００２２】また、第４の発明によれば、多層誘電体基
板にて構成された導波管−マイクロストリップ線路変換
器において、多層誘電体基板内に形成したキャビティ周
囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、配置し
た誘電体基板上に形成したマイクロストリップ線路と、
上記導波管内の出力側に上記マイクロストリップ線路か
ら信号周波数における基板内伝搬波長の概略１／４とな
る距離に配置した誘電体基板を具備したことにより、導
波管内部において気密性を確保し、かつ広帯域な通過特
性を持つ導波管−マイクロストリップ変換器を得ること
ができる。また、多層誘電体基板の一体化成形による歩
留りが良く、部品点数の少ない安価な変換器を構成する
ことができる。
板にて構成された導波管−マイクロストリップ線路変換
器において、多層誘電体基板内に形成したキャビティ周
囲に複数のスルーホール列を形成した導波管と、配置し
た誘電体基板上に形成したマイクロストリップ線路と、
上記導波管内の出力側に上記マイクロストリップ線路か
ら信号周波数における基板内伝搬波長の概略１／４とな
る距離に配置した誘電体基板を具備したことにより、導
波管内部において気密性を確保し、かつ広帯域な通過特
性を持つ導波管−マイクロストリップ変換器を得ること
ができる。また、多層誘電体基板の一体化成形による歩
留りが良く、部品点数の少ない安価な変換器を構成する
ことができる。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す導波管−マイ
クロストリップ線路変換器の上面図である。
クロストリップ線路変換器の上面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す導波管−マイ
クロストリップ線路変換器の断面図である。
クロストリップ線路変換器の断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１を示す導波管−マイ
クロストリップ線路変換器の導波管部分の通過特性の一
例である。
クロストリップ線路変換器の導波管部分の通過特性の一
例である。
【図４】 この発明の実施の形態２を示す導波管−マイ
クロストリップ線路変換器の断面図である。
クロストリップ線路変換器の断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３を示す導波管−マイ
クロストリップ線路変換器の上面図である。
クロストリップ線路変換器の上面図である。
【図６】 この発明の実施の形態３を示す導波管−マイ
クロストリップ線路変換器の断面図である。
クロストリップ線路変換器の断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態４を示す導波管−マイ
クロストリップ線路変換器の断面図である。
クロストリップ線路変換器の断面図である。
【図８】 従来の導波管−マイクロストリップ線路変換
器の上面図の一例である。
器の上面図の一例である。
【図９】 従来の導波管−マイクロストリップ線路変換
器の断面図の一例である。
器の断面図の一例である。
１ａ〜１ｈ 誘電体基板、２ マイクロストリップ線
路、３ 導波管キャビティ、４ スルーホール、５ 接
地導体、６ 接地導体によるショート板、１１ショート
板、１２ 導波管ブロック、１３ 導波管、１４ マイ
クロストリップ線路、１５ プローブ、１６ フィード
スルー、１７ リボン。
路、３ 導波管キャビティ、４ スルーホール、５ 接
地導体、６ 接地導体によるショート板、１１ショート
板、１２ 導波管ブロック、１３ 導波管、１４ マイ
クロストリップ線路、１５ プローブ、１６ フィード
スルー、１７ リボン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古屋 輝雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J014 CA32 CA42 CA56 DA05
Claims (4)
- 【請求項１】 多層誘電体基板にて構成された導波管−
マイクロストリップ線路変換器において、上記多層誘電
体基板内に形成したキャビティ周囲に複数のスルーホー
ル列を形成した導波管と、上記導波管内の出力側に信号
周波数における基板内伝搬波長の概略１／２となる厚さ
の誘電体基板とを設けたことを特徴とする導波管−マイ
クロストリップ線路変換器。 - 【請求項２】 多層誘電体基板にて構成された導波管−
マイクロストリップ線路変換器において、上記多層誘電
体基板内に形成したキャビティ周囲に複数のスルーホー
ル列を形成した導波管と、上記導波管内の出力側に設け
た第１の誘電体基板と、上記誘電体基板から信号周波数
における基板内伝搬波長の概略１／４となる距離に配置
した第２の誘電体基板とを設けたことを特徴とする導波
管−マイクロストリップ線路変換器。 - 【請求項３】 多層誘電体基板にて構成された導波管−
マイクロストリップ線路変換器において、上記多層誘電
体基板内に形成したキャビティ周囲に複数のスルーホー
ル列を形成した導波管と、信号周波数における基板内伝
搬波長の概略１／２となる厚さの誘電体基板上に構成し
たマイクロストリップ線路とを設けたことを特徴とする
導波管−マイクロストリップ線路変換器。 - 【請求項４】 多層誘電体基板にて構成された導波管−
マイクロストリップ線路変換器において、上記多層誘電
体基板内に形成したキャビティ周囲に複数のスルーホー
ル列を形成した導波管と、誘電体基板上に形成したマイ
クロストリップ線路と、上記導波管内の出力側に上記マ
イクロストリップ線路から信号周波数における基板内伝
搬波長の概略１／４となる距離に配置した誘電体基板と
を設けたことを特徴とする導波管−マイクロストリップ
線路変換器。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008193162A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | マイクロストリップ線路−導波管変換器 |
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| JP2011517247A (ja) * | 2008-04-15 | 2011-05-26 | フーバー ウント ズーナー アーゲー | 導波路コネクタ機能を有する表面実装型アンテナ、上記アンテナ装置を有する通信システム、アダプタ、及び配置 |
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2000
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| EP2712469A4 (en) * | 2011-07-04 | 2014-04-09 | Huawei Tech Co Ltd | MODULE AND CLUTCH ASSEMBLY |
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