JP2533291B2 - パッケ―ジの気密端子構造 - Google Patents
パッケ―ジの気密端子構造Info
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- JP2533291B2 JP2533291B2 JP6070286A JP7028694A JP2533291B2 JP 2533291 B2 JP2533291 B2 JP 2533291B2 JP 6070286 A JP6070286 A JP 6070286A JP 7028694 A JP7028694 A JP 7028694A JP 2533291 B2 JP2533291 B2 JP 2533291B2
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- package
- terminal
- hole
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波機器などを構成
するパッケージを貫通して設けられる端子を気密に形成
するパッケージの気密端子構造に関する。
するパッケージを貫通して設けられる端子を気密に形成
するパッケージの気密端子構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のパッケージの気密端子構造につい
て、図８を参照して説明する。８１はパッケージの一部
で、パッケージ８１には貫通穴８２が設けられている。
そして、貫通穴８２の部分に端子８３を配置し、端子８
３と貫通穴８２の壁面８２ａ間にガラスなどの絶縁体８
４を充填し気密にしている。
て、図８を参照して説明する。８１はパッケージの一部
で、パッケージ８１には貫通穴８２が設けられている。
そして、貫通穴８２の部分に端子８３を配置し、端子８
３と貫通穴８２の壁面８２ａ間にガラスなどの絶縁体８
４を充填し気密にしている。
【０００３】ところで、従来のパッケージの気密端子構
造の場合、絶縁体８４の直径や厚さ、および端子８３の
直径などは、端子８３の機械的強度や気密度を考慮して
決定される。そして、端子８３の延長方向における絶縁
体８４の厚みはパッケージ８１の厚みとほぼ等しくなっ
ている。なお、端子８３やパッケージ８１、絶縁体８４
は１つの同軸線路を構成する。このとき、端子８３やパ
ッケージ８１などで構成される同軸線路の特性インピー
ダンスは、通常の場合、高周波機器などで使用される特
性インピーダンス系、例えば５０オーム系や７５オーム
系より低くなる。
造の場合、絶縁体８４の直径や厚さ、および端子８３の
直径などは、端子８３の機械的強度や気密度を考慮して
決定される。そして、端子８３の延長方向における絶縁
体８４の厚みはパッケージ８１の厚みとほぼ等しくなっ
ている。なお、端子８３やパッケージ８１、絶縁体８４
は１つの同軸線路を構成する。このとき、端子８３やパ
ッケージ８１などで構成される同軸線路の特性インピー
ダンスは、通常の場合、高周波機器などで使用される特
性インピーダンス系、例えば５０オーム系や７５オーム
系より低くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、端子やパッ
ケージなどが構成する同軸線路の特性インピーダンスが
所望の特性インピーダンス系より低い場合、このような
同軸線路を所望の特性インピーダンス系で使用すると、
インピーダンス整合がとれなくなりＶＳＷＲ（電圧定在
波比）など電気的特性が悪化する。また、このような電
気的特性の悪化は周波数が高くなればなるほど大きくな
る。
ケージなどが構成する同軸線路の特性インピーダンスが
所望の特性インピーダンス系より低い場合、このような
同軸線路を所望の特性インピーダンス系で使用すると、
インピーダンス整合がとれなくなりＶＳＷＲ（電圧定在
波比）など電気的特性が悪化する。また、このような電
気的特性の悪化は周波数が高くなればなるほど大きくな
る。
【０００５】そこで、電気的特性の悪化を小さくするた
めに特性インピーダンスを高くすることが考えられる。
例えば端子８３の直径を小さくしたり、あるいは絶縁体
８４の直径を大きくするなどの方法である。しかし、端
子８３の直径を小さくし、また、絶縁体８４の部分を多
くすると、端子の機械的強度が劣化したり気密度が損な
われたりする。
めに特性インピーダンスを高くすることが考えられる。
例えば端子８３の直径を小さくしたり、あるいは絶縁体
８４の直径を大きくするなどの方法である。しかし、端
子８３の直径を小さくし、また、絶縁体８４の部分を多
くすると、端子の機械的強度が劣化したり気密度が損な
われたりする。
【０００６】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、機械的強度や気密度を劣化させずに、電気的特性の
悪化を少なくしたパッケージの気密端子構造を提供する
ことを目的とする。
で、機械的強度や気密度を劣化させずに、電気的特性の
悪化を少なくしたパッケージの気密端子構造を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のパッケージの気
密端子構造は、貫通穴が形成された金属パッケージと、
前記貫通穴の中に位置し、かつ、高周波基板に形成され
たマイクロストリップ線路にその一端が接続され、前記
金属パッケージとともに同軸線路を構成する端子と、こ
の端子と前記貫通穴の壁面間の前記貫通穴の全長より短
い区間に充填され、この区間以外の前記端子と前記貫通
穴の壁面間に空間を残した絶縁体とで構成されている。
密端子構造は、貫通穴が形成された金属パッケージと、
前記貫通穴の中に位置し、かつ、高周波基板に形成され
たマイクロストリップ線路にその一端が接続され、前記
金属パッケージとともに同軸線路を構成する端子と、こ
の端子と前記貫通穴の壁面間の前記貫通穴の全長より短
い区間に充填され、この区間以外の前記端子と前記貫通
穴の壁面間に空間を残した絶縁体とで構成されている。
【０００８】また、前記絶縁体が充填された部分の径
が、前記絶縁体が充填されていない部分の径より小さく
なるように、前記貫通穴を形成している。
が、前記絶縁体が充填されていない部分の径より小さく
なるように、前記貫通穴を形成している。
【０００９】
【作用】上記の構成によれば、端子や絶縁体、パッケー
ジによって、端子を中心導体とする同軸線路が形成され
る。また、この同軸線路には絶縁体がある部分と絶縁体
がない部分がある。絶縁体がない部分の同軸線路は、中
心導体とパッケージ間は空気で比誘電率は１となり、そ
の特性インピーダンスは所望の特性インピーダンス系よ
り高く誘導性となる。また、絶縁体がある部分の同軸線
路は、絶縁体の存在でその特性インピーダンスは所望の
特性インピーダンス系より低く容量性となる。したがっ
て、絶縁体がある特性インピーダンスの低い同軸線路の
容量性と、絶縁体がない特性インピーダンスの高い同軸
線路の誘導性とで、所望の特性インピーダンスに整合す
ることができる。その結果、ＶＳＷＲなど電気的特性の
悪化を小さくできる。
ジによって、端子を中心導体とする同軸線路が形成され
る。また、この同軸線路には絶縁体がある部分と絶縁体
がない部分がある。絶縁体がない部分の同軸線路は、中
心導体とパッケージ間は空気で比誘電率は１となり、そ
の特性インピーダンスは所望の特性インピーダンス系よ
り高く誘導性となる。また、絶縁体がある部分の同軸線
路は、絶縁体の存在でその特性インピーダンスは所望の
特性インピーダンス系より低く容量性となる。したがっ
て、絶縁体がある特性インピーダンスの低い同軸線路の
容量性と、絶縁体がない特性インピーダンスの高い同軸
線路の誘導性とで、所望の特性インピーダンスに整合す
ることができる。その結果、ＶＳＷＲなど電気的特性の
悪化を小さくできる。
【００１０】また、絶縁体が充填されていない部分の径
を、絶縁体が充填された部分の径より大きくすることに
より、絶縁体がない部分の同軸線路の特性インピーダン
スをより高くできる。
を、絶縁体が充填された部分の径より大きくすることに
より、絶縁体がない部分の同軸線路の特性インピーダン
スをより高くできる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例について、図１の断面図を
参照して説明する。１１はパッケージの一部で、パッケ
ージ１１には貫通穴１２が形成されている。そして、貫
通穴１２の中央に端子１３が配置される。また端子１３
と貫通穴１２の壁面１２ａ間にガラスなどの絶縁体１４
が充填され、気密にされる。なお、絶縁体１４は、貫通
穴１２の全長より短い区間例えば中央部分にのみ充填さ
れる。したがって、貫通穴１２の上下の両端部には、端
子１３と貫通穴１２の壁面１２ａ間に絶縁体１４のない
空間部分ができる。上記した構成により、端子１３や絶
縁体１４、パッケージ１１によって、端子１３を中心導
体とする同軸線路が形成される。
参照して説明する。１１はパッケージの一部で、パッケ
ージ１１には貫通穴１２が形成されている。そして、貫
通穴１２の中央に端子１３が配置される。また端子１３
と貫通穴１２の壁面１２ａ間にガラスなどの絶縁体１４
が充填され、気密にされる。なお、絶縁体１４は、貫通
穴１２の全長より短い区間例えば中央部分にのみ充填さ
れる。したがって、貫通穴１２の上下の両端部には、端
子１３と貫通穴１２の壁面１２ａ間に絶縁体１４のない
空間部分ができる。上記した構成により、端子１３や絶
縁体１４、パッケージ１１によって、端子１３を中心導
体とする同軸線路が形成される。
【００１２】なお、端子１３の一端は、高周波基板１５
に形成されたマイクロストリップ線路１６に接続され
る。また、絶縁体１４の直径や厚み、あるいは端子１３
の直径は、端子１３の機械的強度や気密度を考慮して決
められる。
に形成されたマイクロストリップ線路１６に接続され
る。また、絶縁体１４の直径や厚み、あるいは端子１３
の直径は、端子１３の機械的強度や気密度を考慮して決
められる。
【００１３】図２は、図１におけるパッケージの気密端
子構造部分の等価回路である。２１Ａ、２１Ｃは、絶縁
体がない貫通穴の両端部における等価回路で、２１Ｂは
絶縁体がある貫通穴の中央部分の等価回路である。例え
ば入力側の部分、即ち等価回路２１Ａで示された部分は
特性インピーダンスが高い同軸線路を形成し、インピー
ダンスＡは誘導性となる。また、絶縁体がある貫通穴の
中央部分、即ち等価回路２１Ｂで示された部分は特性イ
ンピーダンスが低い同軸線路を構成し、インピーダンス
Ｂは容量性となる。また、出力側の部分、即ち等価回路
２１Ｃで示された部分は特性インピーダンスが高い同軸
線路を構成する。このような構成で所望の特性インピー
ダンス系Ｃに整合するパッケージの気密端子構造が実現
される。この結果、高周波におけるＶＳＷＲなど電気的
特性の悪化を小さくできる。
子構造部分の等価回路である。２１Ａ、２１Ｃは、絶縁
体がない貫通穴の両端部における等価回路で、２１Ｂは
絶縁体がある貫通穴の中央部分の等価回路である。例え
ば入力側の部分、即ち等価回路２１Ａで示された部分は
特性インピーダンスが高い同軸線路を形成し、インピー
ダンスＡは誘導性となる。また、絶縁体がある貫通穴の
中央部分、即ち等価回路２１Ｂで示された部分は特性イ
ンピーダンスが低い同軸線路を構成し、インピーダンス
Ｂは容量性となる。また、出力側の部分、即ち等価回路
２１Ｃで示された部分は特性インピーダンスが高い同軸
線路を構成する。このような構成で所望の特性インピー
ダンス系Ｃに整合するパッケージの気密端子構造が実現
される。この結果、高周波におけるＶＳＷＲなど電気的
特性の悪化を小さくできる。
【００１４】図３は、図２で示された等価回路におい
て、点Ａ〜Ｃにおけるインピーダンスの軌跡を示してい
る。この図から分かるように所望の特性インピーダンス
系Ｃに整合できる。
て、点Ａ〜Ｃにおけるインピーダンスの軌跡を示してい
る。この図から分かるように所望の特性インピーダンス
系Ｃに整合できる。
【００１５】また、図１のようにパッケージの気密端子
構造を構成する端子１３をマイクロストリップ線路１６
に接続した場合、マイクロストリップ線路１６側の貫通
穴１２部分に絶縁体１４のない空間ができる。この空間
は端子１３に対する機械的ストレスを緩和するように作
用する。したがって、パッケージ１１とマイクロストリ
ップ線路１６上の電極との間に、機械的ストレスを緩和
するスペースを設ける必要がなくなる。
構造を構成する端子１３をマイクロストリップ線路１６
に接続した場合、マイクロストリップ線路１６側の貫通
穴１２部分に絶縁体１４のない空間ができる。この空間
は端子１３に対する機械的ストレスを緩和するように作
用する。したがって、パッケージ１１とマイクロストリ
ップ線路１６上の電極との間に、機械的ストレスを緩和
するスペースを設ける必要がなくなる。
【００１６】図４および図５は、本発明の他の実施例を
示す。これらの実施例は、絶縁体１４がない部分を貫通
穴１２の一方の端部にのみ形成している。例えば図４は
貫通穴１２の上方即ち入力側に絶縁体１４がない部分を
形成し、図５は貫通穴１２の下方即ち出力側に絶縁体１
４がない部分を形成している。この場合も、絶縁体１４
の有無により特性インピーダンスが低い同軸線路と高い
同軸線路が形成され、所望の特性インピーダンス系に整
合するパッケージの気密端子構造が得られる。なお、図
４や図５では、図１に対応する部分には同一の符号を付
し重複する説明は省略する。
示す。これらの実施例は、絶縁体１４がない部分を貫通
穴１２の一方の端部にのみ形成している。例えば図４は
貫通穴１２の上方即ち入力側に絶縁体１４がない部分を
形成し、図５は貫通穴１２の下方即ち出力側に絶縁体１
４がない部分を形成している。この場合も、絶縁体１４
の有無により特性インピーダンスが低い同軸線路と高い
同軸線路が形成され、所望の特性インピーダンス系に整
合するパッケージの気密端子構造が得られる。なお、図
４や図５では、図１に対応する部分には同一の符号を付
し重複する説明は省略する。
【００１７】図６は、本発明のもう１つの他の実施例で
ある。図６の場合も図１に対応する部分には同一の符号
を付し、図１と相違する部分を中心に説明する。この実
施例では、パッケージ１１に形成された貫通穴１２の下
方、例えば出力側で絶縁体をなくし特性インピーダンス
の高い同軸線路を形成している。また、入力側は金リボ
ンあるいは金ワイヤなどの接続片６１を端子１３にマウ
ントし、パッケージ１１上で端子１３に直角方向に設け
られた回路基板６２上の線路（図示せず）に接続片６１
を接続している。この場合、接続片６１のインダクタン
ス成分が、特性インピーダンスの高い同軸線路と同様に
機能し、電気的特性の悪化を低減する。図７も本発明の
他の実施例である。図７の場合も図１に対応する部分に
は同一の符号を付し、図１と相違する部分を中心に説明
する。この実施例では、パッケージ１１に形成される貫
通穴１２の径に変化を持たせている。絶縁体１４が充填
されている中央部分の貫通穴１２の直径を、絶縁体１４
が充填されていない両端部分の直径より小さくしてい
る。この場合、絶縁体１４が充填されない部分で形成さ
れる同軸線路の特性インピーダンスをより高くできる。
ある。図６の場合も図１に対応する部分には同一の符号
を付し、図１と相違する部分を中心に説明する。この実
施例では、パッケージ１１に形成された貫通穴１２の下
方、例えば出力側で絶縁体をなくし特性インピーダンス
の高い同軸線路を形成している。また、入力側は金リボ
ンあるいは金ワイヤなどの接続片６１を端子１３にマウ
ントし、パッケージ１１上で端子１３に直角方向に設け
られた回路基板６２上の線路（図示せず）に接続片６１
を接続している。この場合、接続片６１のインダクタン
ス成分が、特性インピーダンスの高い同軸線路と同様に
機能し、電気的特性の悪化を低減する。図７も本発明の
他の実施例である。図７の場合も図１に対応する部分に
は同一の符号を付し、図１と相違する部分を中心に説明
する。この実施例では、パッケージ１１に形成される貫
通穴１２の径に変化を持たせている。絶縁体１４が充填
されている中央部分の貫通穴１２の直径を、絶縁体１４
が充填されていない両端部分の直径より小さくしてい
る。この場合、絶縁体１４が充填されない部分で形成さ
れる同軸線路の特性インピーダンスをより高くできる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、機械的強度や気密度が
劣化せず、また電気的特性の悪化が小さいパッケージの
気密端子構造を実現できる。
劣化せず、また電気的特性の悪化が小さいパッケージの
気密端子構造を実現できる。
【図１】本発明の一実施例を説明する断面図である。
【図２】本発明の一実施例を説明する等価回路である。
【図３】本発明の一実施例を説明するスミスチャートで
ある。
ある。
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施例を説明する断面図である。
【図８】従来例を示す断面図である。
１１…パッケージ １２…貫通穴 １２ａ…壁面 １３…端子 １４…絶縁体 １５…高周波基板 １６…マイクロストリップ線路
Claims (2)
- 【請求項１】 貫通穴が形成された金属パッケージと、
前記貫通穴の中に位置し、かつ、高周波基板に形成され
たマイクロストリップ線路にその一端が接続され、前記
金属パッケージとともに同軸線路を構成する端子と、こ
の端子と前記貫通穴の壁面間の前記貫通穴の全長より短
い区間に充填され、この区間以外の前記端子と前記貫通
穴の壁面間に空間を残した絶縁体とを具備したパッケー
ジの気密端子構造。 - 【請求項２】 前記絶縁体が充填された部分の径が、前
記絶縁体が充填されていない部分の径より小さくなるよ
うに、前記貫通穴を形成したことを特徴とする請求項１
記載のパッケージの気密端子構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6070286A JP2533291B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | パッケ―ジの気密端子構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6070286A JP2533291B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | パッケ―ジの気密端子構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283556A JPH07283556A (ja) | 1995-10-27 |
| JP2533291B2 true JP2533291B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=13427094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6070286A Expired - Lifetime JP2533291B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | パッケ―ジの気密端子構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533291B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH087778Y2 (ja) * | 1989-01-07 | 1996-03-04 | リンナイ株式会社 | 操作盤のコード挿通部の気密構造 |
| JPH0454153U (ja) * | 1990-09-12 | 1992-05-08 | ||
| JPH0727702Y2 (ja) * | 1990-09-21 | 1995-06-21 | 新日本無線株式会社 | 衛星放送受信用周波数変換器 |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP6070286A patent/JP2533291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07283556A (ja) | 1995-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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