JPH06338548A - シリコンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法 - Google Patents
シリコンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法Info
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- JPH06338548A JPH06338548A JP14863093A JP14863093A JPH06338548A JP H06338548 A JPH06338548 A JP H06338548A JP 14863093 A JP14863093 A JP 14863093A JP 14863093 A JP14863093 A JP 14863093A JP H06338548 A JPH06338548 A JP H06338548A
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- silicon wafer
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 鏡面研磨後のシリコンウエーハ表面の微弱な
加工変質層の深さを簡便な操作で正確に測定できる方法
を提供する。 【構成】 ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶
インゴットを加工することにより得られる鏡面研磨後の
シリコンウエーハの表面を、水酸化アンモニウム・過酸
化水素・水からなる混合液で処理し、該処理面に発生す
るエッチピットの個数をパーティクルカウンタで測定
し、エッチング総時間とエッチピット総数との関係か
ら、エッチピットの発生速度が急激に低下する時点を検
出し、エッチピットの増加率が急激に低下する時点を検
出して、エッチング開始時点から前記エッチピットの増
加率が急激に低下する時点までのエッチング時間ｔd 等
を求める。
加工変質層の深さを簡便な操作で正確に測定できる方法
を提供する。 【構成】 ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶
インゴットを加工することにより得られる鏡面研磨後の
シリコンウエーハの表面を、水酸化アンモニウム・過酸
化水素・水からなる混合液で処理し、該処理面に発生す
るエッチピットの個数をパーティクルカウンタで測定
し、エッチング総時間とエッチピット総数との関係か
ら、エッチピットの発生速度が急激に低下する時点を検
出し、エッチピットの増加率が急激に低下する時点を検
出して、エッチング開始時点から前記エッチピットの増
加率が急激に低下する時点までのエッチング時間ｔd 等
を求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＺ法により引き上げ
られたシリコン単結晶インゴットを加工することにより
得られるシリコンウエーハに関し、ウエットエッチング
により、該シリコンウエーハの鏡面研磨された表面に発
生するエッチピットの個数を測定することによって、該
シリコンウエーハの鏡面に存在する微弱な加工変質層
（以下、単に加工変質層とする）の深さを間接的に測定
する方法に関する。
られたシリコン単結晶インゴットを加工することにより
得られるシリコンウエーハに関し、ウエットエッチング
により、該シリコンウエーハの鏡面研磨された表面に発
生するエッチピットの個数を測定することによって、該
シリコンウエーハの鏡面に存在する微弱な加工変質層
（以下、単に加工変質層とする）の深さを間接的に測定
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造に用いられるシリ
コンウエーハは通常、シリコン単結晶インゴットについ
て外径研削、オリエンテーションフラット加工、スライ
シング、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨の
順に加工を施すことにより作製される。この鏡面研磨加
工は、通常、軟質な研磨クロス及びアルカリ成分と砥粒
を含んだ研磨剤を用いて、いわゆるメカノケミカル研磨
で行われており、一般にはメカノケミカル研磨加工表面
には加工変質層が存在しないといわれている。ところが
本発明者の研究によれば、前記鏡面研磨工程において、
シリコンウエーハ表面に微弱で層厚の薄い加工変質層の
存在が知見されている。この加工変質層は、前記スライ
スからラッピング工程に至る機械加工による加工変質
（加工歪）と比べた場合、歪の大きさや深さが小さい点
で異なるものの、該加工変質と基本的には同じものであ
る。しかも、この加工変質層は、半導体デバイスを製造
する際、シリコンウエーハの表面部に微小欠陥、積層欠
陥等の結晶欠陥を発生させる原因となるものであるた
め、その存在量を抑制したり、該加工変質層の存在量
（深さ）を測定することは、高品質の半導体デバイス製
造のために極めて重要なことである。
コンウエーハは通常、シリコン単結晶インゴットについ
て外径研削、オリエンテーションフラット加工、スライ
シング、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨の
順に加工を施すことにより作製される。この鏡面研磨加
工は、通常、軟質な研磨クロス及びアルカリ成分と砥粒
を含んだ研磨剤を用いて、いわゆるメカノケミカル研磨
で行われており、一般にはメカノケミカル研磨加工表面
には加工変質層が存在しないといわれている。ところが
本発明者の研究によれば、前記鏡面研磨工程において、
シリコンウエーハ表面に微弱で層厚の薄い加工変質層の
存在が知見されている。この加工変質層は、前記スライ
スからラッピング工程に至る機械加工による加工変質
（加工歪）と比べた場合、歪の大きさや深さが小さい点
で異なるものの、該加工変質と基本的には同じものであ
る。しかも、この加工変質層は、半導体デバイスを製造
する際、シリコンウエーハの表面部に微小欠陥、積層欠
陥等の結晶欠陥を発生させる原因となるものであるた
め、その存在量を抑制したり、該加工変質層の存在量
（深さ）を測定することは、高品質の半導体デバイス製
造のために極めて重要なことである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来、上
記のようなシリコンウエーハ表面の微弱な加工変質層の
深さを正確に測定することは困難であった。本発明は、
この点に鑑みなされたもので、その目的は、シリコンウ
エーハ表面の微弱な加工変質層の深さを、簡便な操作に
より正確に測定することができる方法を提供することに
ある。本発明は、（１）ＣＺ法により得られたａｓ−ｇ
ｒｏｗｎのシリコンウエーハにはＣＯＰ（ｃrystal ori
ginated particle）と呼ばれる欠陥がほぼ均一に存在す
る、（２）この欠陥はウエットエッチングによってエッ
チピットとして顕在化する、（３）該エッチピットの総
数はエッチング量（エッチング深さ）にほぼ比例して増
大する、さらに（４）加工変質層のエッチング速度はバ
ルク層のエッチング速度に比べて高い、との知見に基づ
いてなされたものであって、前記加工変質層とバルク層
との境界部分において、エッチング速度すなわち、エッ
チピットの増加速度（増加率）が急激に低下することに
着目して完成されたものである。
記のようなシリコンウエーハ表面の微弱な加工変質層の
深さを正確に測定することは困難であった。本発明は、
この点に鑑みなされたもので、その目的は、シリコンウ
エーハ表面の微弱な加工変質層の深さを、簡便な操作に
より正確に測定することができる方法を提供することに
ある。本発明は、（１）ＣＺ法により得られたａｓ−ｇ
ｒｏｗｎのシリコンウエーハにはＣＯＰ（ｃrystal ori
ginated particle）と呼ばれる欠陥がほぼ均一に存在す
る、（２）この欠陥はウエットエッチングによってエッ
チピットとして顕在化する、（３）該エッチピットの総
数はエッチング量（エッチング深さ）にほぼ比例して増
大する、さらに（４）加工変質層のエッチング速度はバ
ルク層のエッチング速度に比べて高い、との知見に基づ
いてなされたものであって、前記加工変質層とバルク層
との境界部分において、エッチング速度すなわち、エッ
チピットの増加速度（増加率）が急激に低下することに
着目して完成されたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のシリコ
ンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法は、Ｃ
Ｚ法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットを
加工することによって得られたシリコンウエーハの鏡面
研磨面を、その成分と濃度および温度が一定のエッチン
グ液でエッチングし、エッチングの総時間と、エッチン
グによりシリコンウエーハの表面に発生するエッチピッ
トの総数との関係に基づいて、エッチピットの増加率が
急激に低下する時点を検出してエッチング開始時点から
前記エッチピットの増加率が急激に低下する時点までの
エッチング時間ｔd を求めるとともに、エッチピット増
加率低下前におけるエッチピット増加率Ａ1 とエッチピ
ット増加率低下後のエッチピット増加率Ａ2 を求め、他
方加工変質層を除いたバルク層のエッチング速度αを別
途求めておき、下式によりシリコンウエーハ表面の加工
変質層深さＤd を求めることを特徴とする。 Ｄd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α×ｔd
ンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法は、Ｃ
Ｚ法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットを
加工することによって得られたシリコンウエーハの鏡面
研磨面を、その成分と濃度および温度が一定のエッチン
グ液でエッチングし、エッチングの総時間と、エッチン
グによりシリコンウエーハの表面に発生するエッチピッ
トの総数との関係に基づいて、エッチピットの増加率が
急激に低下する時点を検出してエッチング開始時点から
前記エッチピットの増加率が急激に低下する時点までの
エッチング時間ｔd を求めるとともに、エッチピット増
加率低下前におけるエッチピット増加率Ａ1 とエッチピ
ット増加率低下後のエッチピット増加率Ａ2 を求め、他
方加工変質層を除いたバルク層のエッチング速度αを別
途求めておき、下式によりシリコンウエーハ表面の加工
変質層深さＤd を求めることを特徴とする。 Ｄd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α×ｔd
【０００５】請求項２に記載のシリコンウエーハ表面の
微弱加工変質層深さの測定方法は、前記エッチング液と
して水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、水との混合
液を用いることを特徴とする。
微弱加工変質層深さの測定方法は、前記エッチング液と
して水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、水との混合
液を用いることを特徴とする。
【０００６】請求項３に記載のシリコンウエーハ表面の
微弱加工変質層深さの測定方法は、エッチピットの数を
パーティクルカウンタにて測定することを特徴とする。
微弱加工変質層深さの測定方法は、エッチピットの数を
パーティクルカウンタにて測定することを特徴とする。
【０００７】
【作用】請求項１に記載の測定方法において、加工変質
層ではエッチング速度が一定であり、かつ加工変質層内
にはＣＯＰがほぼ均一に存在するため、発生するエッチ
ピットの総数は、エッチング時間とほぼ比例して増大す
る。同じ理由から、バルク層でも発生するエッチピット
の総数は同様に、エッチング時間とほぼ比例して増大す
る。この場合、バルク層のエッチング速度は加工変質層
に比べて低いため、加工変質層全体がエッチングで除去
された時点以降ではエッチピットの増加率Ａ1 が急激に
低下した値Ａ2 となる。ここで、加工変質層のエッチン
グ速度をＲd ，バルク層のエッチング速度をＲb とする
と Ａ1 ／Ａ2 ＝Ｒd ／Ｒb なる関係が成り立つ。ここで、Ｒb は別途求めて既知の
値αとすることができるから Ｒd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α となる。よって、加工変質層深さＤd は Ｄd ＝Ｒd ×ｔd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α×ｔd で求められる。
層ではエッチング速度が一定であり、かつ加工変質層内
にはＣＯＰがほぼ均一に存在するため、発生するエッチ
ピットの総数は、エッチング時間とほぼ比例して増大す
る。同じ理由から、バルク層でも発生するエッチピット
の総数は同様に、エッチング時間とほぼ比例して増大す
る。この場合、バルク層のエッチング速度は加工変質層
に比べて低いため、加工変質層全体がエッチングで除去
された時点以降ではエッチピットの増加率Ａ1 が急激に
低下した値Ａ2 となる。ここで、加工変質層のエッチン
グ速度をＲd ，バルク層のエッチング速度をＲb とする
と Ａ1 ／Ａ2 ＝Ｒd ／Ｒb なる関係が成り立つ。ここで、Ｒb は別途求めて既知の
値αとすることができるから Ｒd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α となる。よって、加工変質層深さＤd は Ｄd ＝Ｒd ×ｔd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α×ｔd で求められる。
【０００８】本発明によりエッチングを行う場合、その
エッチング液の成分・濃度・温度およびエッチング速度
は格別限定されるものではないが、エッチング速度が高
すぎるときには、非常に短時間で加工変質層が除去され
るためエッチピットの増加率が急激に低下する時点の検
出が困難になり、逆にエッチング速度が低すぎると、エ
ッチピットの観察に時間がかかり、加工変質層深さの測
定に長時間を要することになる。請求項２に記載のエッ
チング液は、この意味において適切なエッチング速度を
有し、従って長時間を要することなく、ダメージ層にお
けるエッチピット増加速度の測定を行うことができるも
のである。
エッチング液の成分・濃度・温度およびエッチング速度
は格別限定されるものではないが、エッチング速度が高
すぎるときには、非常に短時間で加工変質層が除去され
るためエッチピットの増加率が急激に低下する時点の検
出が困難になり、逆にエッチング速度が低すぎると、エ
ッチピットの観察に時間がかかり、加工変質層深さの測
定に長時間を要することになる。請求項２に記載のエッ
チング液は、この意味において適切なエッチング速度を
有し、従って長時間を要することなく、ダメージ層にお
けるエッチピット増加速度の測定を行うことができるも
のである。
【０００９】また、請求項３によりエッチピットの数を
パーティクルカウンタで測定することにより、エッチピ
ット（ＣＯＰ）の数を正確にかつ簡便に測定できる。
パーティクルカウンタで測定することにより、エッチピ
ット（ＣＯＰ）の数を正確にかつ簡便に測定できる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。 実施例１ ＣＺ法で得られ、引上げ方位が＜１００＞のシリコン単
結晶インゴットを常法の加工工程で処理し、ｐＨ１０の
研磨液を用いて鏡面研磨した後の２枚のシリコンウエー
ハ（直径１２５ｍｍ、抵抗率８〜１２Ωｃｍ）をサンプ
ルとした。フッ酸として濃度２０重量％（室温）のもの
を用い、エッチング液として、容積比が、水酸化アンモ
ニウム（２８重量％）：過酸化水素（３０重量％）：水
＝０．０５：１：１０の混合液（室温）を使用し、各ウ
エーハについて以下の手順で処理してパーティクルカウ
ンタ（日立 ＬＳ６０００）によりエッチピットの数を
ＣＯＰの数として測定した。 処理１：前記フッ酸で洗浄した後、前記エッチング液で
３０秒間エッチング後、エッチング面を前記パーティク
ルカウンタで観察、 処理２：前記エッチング液により１分間処理の後、エッ
チング面を前記パーティクルカウンタで観察、以下、処
理２と同一の操作を延べｎ回繰り返す。 この場合、フッ酸で洗浄処理するのは、鏡面研磨後のウ
エーハ表面に残留する研磨剤や異物を除去するためであ
る。なお、フッ酸には加工変質層やバルク層のエッチン
グ作用はない。
する。 実施例１ ＣＺ法で得られ、引上げ方位が＜１００＞のシリコン単
結晶インゴットを常法の加工工程で処理し、ｐＨ１０の
研磨液を用いて鏡面研磨した後の２枚のシリコンウエー
ハ（直径１２５ｍｍ、抵抗率８〜１２Ωｃｍ）をサンプ
ルとした。フッ酸として濃度２０重量％（室温）のもの
を用い、エッチング液として、容積比が、水酸化アンモ
ニウム（２８重量％）：過酸化水素（３０重量％）：水
＝０．０５：１：１０の混合液（室温）を使用し、各ウ
エーハについて以下の手順で処理してパーティクルカウ
ンタ（日立 ＬＳ６０００）によりエッチピットの数を
ＣＯＰの数として測定した。 処理１：前記フッ酸で洗浄した後、前記エッチング液で
３０秒間エッチング後、エッチング面を前記パーティク
ルカウンタで観察、 処理２：前記エッチング液により１分間処理の後、エッ
チング面を前記パーティクルカウンタで観察、以下、処
理２と同一の操作を延べｎ回繰り返す。 この場合、フッ酸で洗浄処理するのは、鏡面研磨後のウ
エーハ表面に残留する研磨剤や異物を除去するためであ
る。なお、フッ酸には加工変質層やバルク層のエッチン
グ作用はない。
【００１１】そして、上記繰り返し操作を行い、加工変
質層が完全に除去されたと思われる程充分に長くエッチ
ングを行った後のパーティクルマップをベースに各操作
ごとのパーティクルマップの重ね合わせを実施し、同じ
位置にあるパーティクルを、ＣＯＰに起因して発生した
エッチピットと判定して処理１〜ｎによるエッチング総
時間と、エッチピット総数との関係をプロットした。な
お、エッチピットは一度発生すれば同じ位置に存在する
がエッチング時点で付着するパーティクルはエッチング
前後で脱離・付着が起こりその位置はずっと同じ位置に
ないため、エッチピットとパーティクルを分離計測する
ことが可能となる。以上の処理１〜ｎおよびプロッティ
ングの作業を同一サンプルについて繰り返して行い、エ
ッチングの総時間と、エッチピットの総数との関係を示
すグラフが急激に折れ曲がる点を求めた。この点におけ
るエッチングの総時間は、エッチングにより加工変質層
全体が溶解除去されたエッチング時間であることを示す
ものである。
質層が完全に除去されたと思われる程充分に長くエッチ
ングを行った後のパーティクルマップをベースに各操作
ごとのパーティクルマップの重ね合わせを実施し、同じ
位置にあるパーティクルを、ＣＯＰに起因して発生した
エッチピットと判定して処理１〜ｎによるエッチング総
時間と、エッチピット総数との関係をプロットした。な
お、エッチピットは一度発生すれば同じ位置に存在する
がエッチング時点で付着するパーティクルはエッチング
前後で脱離・付着が起こりその位置はずっと同じ位置に
ないため、エッチピットとパーティクルを分離計測する
ことが可能となる。以上の処理１〜ｎおよびプロッティ
ングの作業を同一サンプルについて繰り返して行い、エ
ッチングの総時間と、エッチピットの総数との関係を示
すグラフが急激に折れ曲がる点を求めた。この点におけ
るエッチングの総時間は、エッチングにより加工変質層
全体が溶解除去されたエッチング時間であることを示す
ものである。
【００１２】以上の結果を図１に示す。この図は横軸を
エッチングの総時間とし、縦軸を発生したエッチピット
の総数としたものである。この図から、エッチング総時
間がｔd ＝５分の時点で加工変質層全体が溶解除去さ
れ、それ以降ではバルク層がエッチングされているこ
と、加工変質層のエッチピット増加率は３０．９個／ｍ
ｉｎであり、バルク層のエッチピット増加率は３．６個
／ｍｉｎであることがわかる。一方、別の実験により鏡
面研磨後のシリコンウエーハについては、上記エッチン
グ液によるバルク層のエッチング速度は０．１５ｎｍ／
ｍｉｎである。よって、次式によりシリコンウエーハ表
面の加工変質層深さＤd が求められる。 Ｄd ＝Ｒd ×ｔd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α×ｔd ＝（３０．９／３．６）×０．１５×５＝６．４ｎｍ
エッチングの総時間とし、縦軸を発生したエッチピット
の総数としたものである。この図から、エッチング総時
間がｔd ＝５分の時点で加工変質層全体が溶解除去さ
れ、それ以降ではバルク層がエッチングされているこ
と、加工変質層のエッチピット増加率は３０．９個／ｍ
ｉｎであり、バルク層のエッチピット増加率は３．６個
／ｍｉｎであることがわかる。一方、別の実験により鏡
面研磨後のシリコンウエーハについては、上記エッチン
グ液によるバルク層のエッチング速度は０．１５ｎｍ／
ｍｉｎである。よって、次式によりシリコンウエーハ表
面の加工変質層深さＤd が求められる。 Ｄd ＝Ｒd ×ｔd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α×ｔd ＝（３０．９／３．６）×０．１５×５＝６．４ｎｍ
【００１３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
に記載のシリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定
方法によれば、ウエットエッチングで発生するエッチピ
ットの個数を測定する操作を繰り返すことにより、簡便
な操作により加工変質層の深さを正確に測定することが
できる効果がある。請求項２に記載のシリコンウエーハ
表面の加工変質層深さの測定方法によれば、加工変質層
のエッチング速度が適切なものとなり、前記エッチピッ
トの発生速度が急激に減少する時点を、より短時間内に
見出すことができ、従って、加工変質層の深さ測定に要
する時間を短縮することができる効果がある。請求項３
に記載のシリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定
方法によれば、エッチピットの数をパーティクルカウン
タにより測定するために、簡便な操作により正確に測定
することができる効果がある。
に記載のシリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定
方法によれば、ウエットエッチングで発生するエッチピ
ットの個数を測定する操作を繰り返すことにより、簡便
な操作により加工変質層の深さを正確に測定することが
できる効果がある。請求項２に記載のシリコンウエーハ
表面の加工変質層深さの測定方法によれば、加工変質層
のエッチング速度が適切なものとなり、前記エッチピッ
トの発生速度が急激に減少する時点を、より短時間内に
見出すことができ、従って、加工変質層の深さ測定に要
する時間を短縮することができる効果がある。請求項３
に記載のシリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定
方法によれば、エッチピットの数をパーティクルカウン
タにより測定するために、簡便な操作により正確に測定
することができる効果がある。
【図１】本発明の実施例の結果を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 正己 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣＺ法により引き上げられたシリコン単
結晶インゴットを加工することによって得られたシリコ
ンウエーハの鏡面研磨面を、その成分と濃度および温度
が一定のエッチング液でエッチングし、エッチングの総
時間と、エッチングによりシリコンウエーハの表面に発
生するエッチピットの総数との関係に基づいて、エッチ
ピットの増加率が急激に低下する時点を検出してエッチ
ング開始時点から前記エッチピットの増加率が急激に低
下する時点までのエッチング時間ｔd を求めるととも
に、エッチピット増加率低下前におけるエッチピット増
加率Ａ1 とエッチピット増加率低下後のエッチピット増
加率Ａ2 を求め、他方加工変質層を除いたバルク層のエ
ッチング速度αを別途求めておき、下式によりシリコン
ウエーハ表面加工変質層深さＤd を求めることを特徴と
するシリコンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定
方法。 Ｄd ＝（Ａ1 ／Ａ2 ）×α×ｔd - 【請求項２】 前記ウエットエッチング用のエッチング
液として、水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、水と
の混合液を用いることを特徴とする請求項１に記載のシ
リコンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法。 - 【請求項３】 エッチピットの数をパーティクルカウン
タにて測定することを特徴とする請求項１に記載のシリ
コンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14863093A JP2894154B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | シリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14863093A JP2894154B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | シリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338548A true JPH06338548A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2894154B2 JP2894154B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=15457090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14863093A Expired - Lifetime JP2894154B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | シリコンウエーハ表面の加工変質層深さの測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2894154B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5943549A (en) * | 1996-12-27 | 1999-08-24 | Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. | Method of evaluating silicon wafers |
| CN105300999A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-02-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用硅单晶的缺陷检验方法 |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP14863093A patent/JP2894154B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5943549A (en) * | 1996-12-27 | 1999-08-24 | Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. | Method of evaluating silicon wafers |
| CN105300999A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-02-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用硅单晶的缺陷检验方法 |
| CN105300999B (zh) * | 2015-10-19 | 2018-03-06 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用硅单晶的缺陷检验方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2894154B2 (ja) | 1999-05-24 |
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