JPH06334100A - 半導体装置及びそのリードフレーム - Google Patents

半導体装置及びそのリードフレーム

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JPH06334100A JP12262893A JP12262893A JPH06334100A JP H06334100 A JPH06334100 A JP H06334100A JP 12262893 A JP12262893 A JP 12262893A JP 12262893 A JP12262893 A JP 12262893A JP H06334100 A JPH06334100 A JP H06334100A
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Tetsuya Otsuki
哲也 大槻
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Abstract

(57)【要約】 【目的】リードフレーム上に半導体素子を接着固定し、
半導体素子のボンディングパッドとインナーリードとを
金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止してなる
半導体装置において、インピーダンス及びインダクタン
スの影響を低減し、安定した電気特性が得られ安価で安
定した品質の半導体装置を提供する。 【構成】部分的にリードフレームのインナーリードの幅
を太くした単一もしくは複数ワイヤーボンディングした
構成。また、複数のリードをインナーリードのみもしく
は、インナーリード及びアウターリードを接続しその部
分に単一もしくは複数ワイヤーボンディングした構成。
また、複数のインナーリード及びアウターリードを接続
したものについては、インナーリードとアウターリード
とのつなぎ目に貫通穴を有する構成。 【効果】現状設備との兼用が可能となり安価な半導体装
置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係わり、
さらに詳しくはパッケージ電気特性の向上に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）は、従来の半導体装置の一部
を示した透視平面図である。図４（ａ）において３はリ
ードフレーム上のダイパッドであり支持腕５で支持され
ている。ダイパッド３上には、エポキシ等の接着剤で半
導体素子１が固定されている。６は、リードフレーム上
のリードであり、半導体素子１上のボンディングパッド
とリード６は、金線等２で接続されている。通常リード
６の幅は、樹脂部４から外部に露出している部分に対し
て樹脂部４内部が細くなっている。このようにしてでき
あがった半導体装置はリード６の一部を残しエポキシ等
の樹脂４にて樹脂封止される。図４（ｂ）は、従来の半
導体装置を示した一部斜視図である。４は、半導体装置
の樹脂部であり６は、樹脂部４から露出したリードであ
る。このようにして、従来の半導体装置は作られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置においては、リードの幅が極めて細くなってい
るため半導体素子の高速動作要求に対し、リード自身の
持つインダクタンスもしくはインピーダンスが高くなっ
てしまい半導体素子が正常に動作できないといった課題
があった。また、半導体素子の特に電源供給部の安定化
に対し半導体素子上の複数のボンディングパッドから１
本のリードへのワイヤーボンディングを行う際に、リー
ドが細くボンディング品質が安定しないといった課題が
あった。さらには、同一電位である半導体素子上のボン
ディングパッドを複数リードから引き出す際にリード毎
でのインピーダンス、インダクタンスの違いにより安定
した電位を得るのが困難といった課題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたもので、半導体素子の電気的特性を損なうことが
なく、また、安価な半導体装置を得る事を目的とするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】リードフレーム上に半導
体素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパッド
とインナーリードとを金線等のワイヤにて接続した後、
樹脂等で封止してなる半導体装置で、部分的にリードフ
レームのインナーリードの幅を太くした単一もしくは複
数ワイヤーボンディングした構成のものである。また、
複数のリードをインナーリードのみもしくは、インナー
リード及びアウターリードを接続しその部分に単一もし
くは複数ワイヤーボンディングした構成のものである。
また、複数のインナーリード及びアウターリードを接続
したものについては、インナーリードとアウターリード
とのつなぎ目に貫通穴を有する構成となっている。
【０００６】
【作用】本発明の半導体装置は、リードフレームのイン
ナーリード部が広くなっているためリード形状から生じ
るインピーダンス及びインダクタンスの影響を低減する
ことが可能となる構成となっている。。また、インナー
リード部の幅が広くなっているため、ワイヤーボンディ
ングの際に同一リードへの複数ボンディングが容易で安
定したワイヤーボンディングが可能となる構成となって
いる。。また、複数リード同士を接続することによりさ
らにインナーリード部の幅を広くすることが可能とな
り、また、アウターリードの形状により生じるインピー
ダンス及びインダクタンスの影響を低減することが可能
となる構成となっている。また、インナーリード同士の
みの接続においては、外形形状は従来半導体装置と同一
にすることが可能であり設備の兼用が可能となる構成と
なっている。。また、インナーリード、アウターリード
共に接続した物については、インナーリードのみの接続
品よりもさらにアウターリード形状によるインピーダン
ス、インダクタンスの影響を低減することが可能となる
構成となっている。また、この形状において、インナー
リードとアウターリードとのつなぎ部に貫通穴を設ける
ことにより現状設備との兼用が可能となる構成となって
いる。
【０００７】本発明は、電気特性に優れ安価な半導体装
置の供給をするものである。
【０００８】
【実施例】図１（ａ）は、本発明の一実施例であるリー
ドフレーム上に半導体素子を接着固定し、半導体素子の
ボンディングパッドとインナーリードとを金線等のワイ
ヤにて接続した後、樹脂等で封止してなる半導体装置
で、部分的にリードフレームのインナーリードの幅を太
くした半導体装置の一部透視平面図である。図におい
て、３はリードフレームのダイパッドであり、支持腕５
で支持されている。ダイパッド３上にはエポキシ等の接
着剤で固定された半導体素子１が設置されている。６は
リードフレームのリードであり、半導体素子１上のボン
ディングパッドとリード６とは、金線等２で接続されて
いる。７は、本発明のインナーリード部のみを太くした
ものであり、太いリード７には単一もしくは複数のボン
ディングがされている。その後、リード６、太いリード
７のアウターリード部の一部を残しエポキシ等の封止樹
脂４にて樹脂封止され半導体装置が製造される。
【０００９】図１（ｂ）は、同半導体装置の一部斜視図
である。４は、封止樹脂でありアウターリード部リード
６と太いリード７は同一形状となる。
【００１０】図２（ａ）は、リードフレーム上に半導体
素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパッドと
インナーリードとを金線等のワイヤにて接続した後、樹
脂等で封止してなる半導体装置で、２本以上のリード同
士をインナーリードのみで接続し半導体装置外部にでる
アウターリードは分割されている半導体装置の一部透視
平面図である。図において、３はリードフレームのダイ
パッドであり、支持腕５で支持されている。ダイパッド
３上にはエポキシ等の接着剤で固定された半導体素子１
が設置されている。６はリードフレームのリードであ
り、半導体素子１上のボンディングパッドとリード６と
は、金線等２で接続されている。８は、本発明のインナ
ーリード部を複数接続したリード８でありリード８には
単一もしくは複数のボンディングがされている。その
後、リード６、インナーリード接続リード８のアウター
リード部の一部を残しエポキシ等の封止樹脂４にて樹脂
封止され半導体装置が製造される。
【００１１】図２（ｂ）は、同半導体装置の一部斜視図
である。４は、封止樹脂でありアウターリード部リード
６とインナーリード接続リード８のアウターリードは同
一形状となる。
【００１２】図３（ａ）は、リードフレーム上に半導体
素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパッドと
インナーリードとを金線等のワイヤにて接続した後、樹
脂等で封止してなる半導体装置で、２本以上のリード同
士をインナーリード及びアウターリードで接続されいる
半導体装置の一部透視平面図である。図において、３は
リードフレームのダイパッドであり、支持腕５で支持さ
れている。ダイパッド３上にはエポキシ等の接着剤で固
定された半導体素子１が設置されている。６はリードフ
レームのリードであり、半導体素子１上のボンディング
パッドとリード６とは、金線等２で接続されている。９
は、本発明のインナーリード部及びアウターリード部を
複数接続したリード９でありリード９には単一もしくは
複数のボンディングがされている。その後、リード６、
インナーリード及びアウターリード接続リード８のアウ
ターリード部の一部を残しエポキシ等の封止樹脂４にて
樹脂封止され半導体装置が製造される。
【００１３】図３（ｂ）は、同半導体装置の一部斜視図
である。４は、封止樹脂でありアウターリード部リード
６とインナーリード及びアウターリード接続リード９の
アウターリードは異種形状となる。また、インナーリー
ド及びアウターリード接続リード９のインナーリードと
アウターリードとの接続部にリード単品切断工程トリミ
ングのためのトリミングパンチ逃げのための貫通穴を設
けてある。この穴は、設置してもしなくてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したとうりに、リードフレーム
上に半導体素子を接着固定し、半導体素子のボンディン
グパッドとインナーリードとを金線等のワイヤにて接続
した後、樹脂等で封止してなる半導体装置で、部分的に
リードフレームのインナーリードの幅を太くしているた
めリード形状から生じるインピーダンス及びインダクタ
ンスの影響を低減することが可能となる。また、インナ
ーリード部の幅が広くなっているため、ワイヤーボンデ
ィングの際に同一リードへの複数ボンディングが容易で
安定したワイヤーボンディングが可能となる。。また、
複数リード同士を接続することによりさらにインナーリ
ード部の幅を広くすることが可能となり、また、アウタ
ーリードの形状により生じるインピーダンス及びインダ
クタンスの影響を低減することが可能となる。。また、
インナーリード同士のみの接続においては、外形形状は
従来半導体装置と同一にすることが可能であり設備の兼
用が可能となる。また、インナーリード、アウターリー
ド共に接続した物については、インナーリードのみの接
続品よりもさらにアウターリード形状によるインピーダ
ンス、インダクタンスの影響を低減することが可能とな
る。また、この形状において、インナーリードとアウタ
ーリードとのつなぎ部にトリミングパンチ逃げの貫通穴
を設けることにより現状設備との兼用が可能となり安価
な半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例であるリードフレ
ーム上に半導体素子を接着固定し、半導体素子のボンデ
ィングパッドとインナーリードとを金線等のワイヤにて
接続した後、樹脂等で封止してなる半導体装置で、部分
的にリードフレームのインナーリードの幅を太くした半
導体装置の一部透視平面図である。（ｂ）は、同半導体
装置の一部斜視図である。
【図２】（ａ）は、リードフレーム上に半導体素子を接
着固定し、半導体素子のボンディングパッドとインナー
リードとを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封
止してなる半導体装置で、２本以上のリード同士をイン
ナーリードのみで接続し半導体装置外部にでるアウター
リードは分割されている半導体装置の一部透視平面図で
ある。（ｂ）は、同半導体装置の一部斜視図である。
【図３】（ａ）は、リードフレーム上に半導体素子を接
着固定し、半導体素子のボンディングパッドとインナー
リードとを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封
止してなる半導体装置で、２本以上のリード同士をイン
ナーリード及びアウターリードで接続されいる半導体装
置の一部透視平面図である。（ｂ）は、同半導体装置の
一部斜視図である。
【図４】（ａ）は、従来の半導体装置の一部を示した透
視平面図である。（ｂ）は、同半導体装置の一部斜視図
である。
【符号の説明】
１・・・半導体素子 ２・・・ワイヤー ３・・・ダイパッド ４・・・封止樹脂 ５・・・支持腕 ６・・・リード ７・・・インナーリードの太いリード ８・・・インナーリードのみを接続したリード ９・・・インナーリード及びアウターリードを接続した
リード

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレーム上に半導体素子を接着固
    定し、半導体素子のボンディングパッドとインナーリー
    ドとを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止し
    てなる半導体装置で、部分的にリードフレームのインナ
    ーリードの幅を太くしたことを特徴とする半導体装置の
    リードフレーム。
  2. 【請求項２】 リードフレーム上に半導体素子を接着固
    定し、半導体素子のボンディングパッドとインナーリー
    ドとを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止し
    てなる半導体装置で、２本以上のリード同士をインナー
    リードのみで接続し半導体装置外部にでるアウターリー
    ドは分割されていることを特徴とする半導体装置のリー
    ドフレーム。
  3. 【請求項３】 リードフレーム上に半導体素子を接着固
    定し、半導体素子のボンディングパッドとインナーリー
    ドとを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止し
    てなる半導体装置で、２本以上のリード同士をインナー
    リード及びアウターリードで接続されて板状となってい
    ることを特徴とする半導体装置のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置において、イ
    ンナーリード部とアウターリード部のつなぎ目に貫通穴
    を有することを特徴とする半導体装置のリードフレー
    ム。
  5. 【請求項５】 上記リードフレームを用いた半導体装
    置。
JP12262893A 1993-05-25 1993-05-25 半導体装置及びそのリードフレーム Pending JPH06334100A (ja)

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