JPH06333427A - 圧電磁器組成物 - Google Patents
圧電磁器組成物Info
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- JPH06333427A JPH06333427A JP5124206A JP12420693A JPH06333427A JP H06333427 A JPH06333427 A JP H06333427A JP 5124206 A JP5124206 A JP 5124206A JP 12420693 A JP12420693 A JP 12420693A JP H06333427 A JPH06333427 A JP H06333427A
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- piezoelectric ceramic
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気機械結合係数及び耐熱性が高く、経時変
化の小さい圧電磁器素子を得る。 【構成】 一般式：Ｐｂα［（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）a（Ｙ
ｂ1/2Ｎｂ1/2）bＴｉCＺｒd］Ｏ 3（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＝１）で示される圧電磁器組成物の組成を、０.９５
≦α≦１.０５，０.０１≦ａ≦０.１５，０.０１≦ｂ≦
０.１０，０.３０≦ｃ≦０.６０，０.２５≦ｄ≦０.６
８を満足する基礎組成とする。
化の小さい圧電磁器素子を得る。 【構成】 一般式：Ｐｂα［（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）a（Ｙ
ｂ1/2Ｎｂ1/2）bＴｉCＺｒd］Ｏ 3（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＝１）で示される圧電磁器組成物の組成を、０.９５
≦α≦１.０５，０.０１≦ａ≦０.１５，０.０１≦ｂ≦
０.１０，０.３０≦ｃ≦０.６０，０.２５≦ｄ≦０.６
８を満足する基礎組成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電磁器組成物、特に、
セラミック発振子、セラミックディスクリミネータ、セ
ラミックフィルタ、弾性表面波素子に好適な圧電磁器組
成物に係る。
セラミック発振子、セラミックディスクリミネータ、セ
ラミックフィルタ、弾性表面波素子に好適な圧電磁器組
成物に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来の、この種の圧電素子に用いる材料
としては、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3の二成分系に、Ｃ
ｒ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3などを添加する
ことにより圧電特性を改善したもの、あるいは、ＰｂＴ
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3の二成分系に、Ｐｂ（Ｃｏ1/3Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3などを加
え三成分系とし、圧電特性を改善した圧電磁器組成物、
さらに、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3−Ｐｂ（Ｙｂ1/2Ｎ
ｂ1/2）Ｏ3（特公昭４５−１０３１１号公報）などが提
案されている。
としては、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3の二成分系に、Ｃ
ｒ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3などを添加する
ことにより圧電特性を改善したもの、あるいは、ＰｂＴ
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3の二成分系に、Ｐｂ（Ｃｏ1/3Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3などを加
え三成分系とし、圧電特性を改善した圧電磁器組成物、
さらに、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3−Ｐｂ（Ｙｂ1/2Ｎ
ｂ1/2）Ｏ3（特公昭４５−１０３１１号公報）などが提
案されている。
【０００３】近年電子装置の小型化に伴い表面実装が盛
んに行われるようになり、それに対応して電子部品のチ
ップ化が進められている。本願発明が係る圧電素子部品
もその例に洩れず、表面実装用の圧電素子チップ部品が
開発されている。従来のセラミック発振子、セラミック
フィルタ等の圧電素子部品はリードタイプの樹脂モール
ド品であり、半田付け温度は２００℃以下であったた
め、圧電素子に対する熱の影響はあまり大きな問題では
なかった。しかし、チップ部品の形態を採る圧電素子チ
ップ部品は電子装置に実装する際の半田付け時のリフロ
ー炉において２５０℃前後の温度にさらされる。
んに行われるようになり、それに対応して電子部品のチ
ップ化が進められている。本願発明が係る圧電素子部品
もその例に洩れず、表面実装用の圧電素子チップ部品が
開発されている。従来のセラミック発振子、セラミック
フィルタ等の圧電素子部品はリードタイプの樹脂モール
ド品であり、半田付け温度は２００℃以下であったた
め、圧電素子に対する熱の影響はあまり大きな問題では
なかった。しかし、チップ部品の形態を採る圧電素子チ
ップ部品は電子装置に実装する際の半田付け時のリフロ
ー炉において２５０℃前後の温度にさらされる。
【０００４】前に述べたような組成を有する従来の圧電
磁器組成物は、２００℃以上の温度にさらされることは
想定していない。そのため、電子装置に実装する際の半
田付け時のリフロー炉において２５０℃前後の温度にさ
らされると機械的品質係数（Ｑm）、電気機械結合係数
（ｋp）が悪化するため、耐熱性において信頼性の高い
圧電素子チップ部品を得ることはできなかった。
磁器組成物は、２００℃以上の温度にさらされることは
想定していない。そのため、電子装置に実装する際の半
田付け時のリフロー炉において２５０℃前後の温度にさ
らされると機械的品質係数（Ｑm）、電気機械結合係数
（ｋp）が悪化するため、耐熱性において信頼性の高い
圧電素子チップ部品を得ることはできなかった。
【０００５】また、従来の圧電材料をセラミック発振子
等に用いた場合、素子の経時変化により、共振周波数が
初期の周波数から大きく変動するという問題があった。
等に用いた場合、素子の経時変化により、共振周波数が
初期の周波数から大きく変動するという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本願発明はこれらの問
題を解決することができる圧電磁器組成物、すなわち、
２００℃以上の温度にさらされても特性が悪化すること
なく、経時変化の小さい圧電磁器組成物を提供すること
を課題とする。
題を解決することができる圧電磁器組成物、すなわち、
２００℃以上の温度にさらされても特性が悪化すること
なく、経時変化の小さい圧電磁器組成物を提供すること
を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために「一般式：Ｐｂα［（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）a
（Ｙｂ1/2Ｎｂ1/2）bＴｉCＺｒd］０3（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）で示され、０.９５≦α≦１.０５，０.０
１≦ａ≦０.１５，０.０１≦ｂ≦０.１０，０.３０≦ｃ
≦０.６０，０.２５≦ｄ≦０.６８を満足する基礎組成
を有することを特徴とする圧電磁器組成物」であること
を構成とする発明を提供する。
決するために「一般式：Ｐｂα［（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）a
（Ｙｂ1/2Ｎｂ1/2）bＴｉCＺｒd］０3（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）で示され、０.９５≦α≦１.０５，０.０
１≦ａ≦０.１５，０.０１≦ｂ≦０.１０，０.３０≦ｃ
≦０.６０，０.２５≦ｄ≦０.６８を満足する基礎組成
を有することを特徴とする圧電磁器組成物」であること
を構成とする発明を提供する。
【０００８】
【作用】本発明の圧電磁器組成物を使用した圧電磁器素
子によれば、高い電気機械結合係数が得らるとともに耐
熱性が改善される。
子によれば、高い電気機械結合係数が得らるとともに耐
熱性が改善される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図及び表を用いて説
明する。
明する。
【表１】
【００１０】図１に本発明に係る圧電磁器組成物は以下
に記した工程により製造される。 (１)出発原料としてＰｂＯ、ＭｇＣＯ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｎ
ｂ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2を用い、これらを第１表に示
す組成になるように秤量する。 (２)秤量された原料をボールミルで湿式混合する。 (３)湿式混合されたものを乾燥する。 (４)乾燥されたものを７５０℃〜９００℃で仮焼する。 (５)仮焼成されたものをボールミルで湿式粉砕する。 (６)得られた粉末に有機バインダを適量加えて造粒す
る。 (７)造粒されたものを４ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で加圧成
形する。 (８)成形体を１１３０℃〜１２５０℃で焼結する。 (９)焼結体の両表面に、銀電極を焼付・形成する。 (１０)５０℃〜１２０℃のシリコーン油中において２〜
３ＭＶ／ｍの直流電界を１時間印加して分極処理する。
に記した工程により製造される。 (１)出発原料としてＰｂＯ、ＭｇＣＯ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｎ
ｂ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2を用い、これらを第１表に示
す組成になるように秤量する。 (２)秤量された原料をボールミルで湿式混合する。 (３)湿式混合されたものを乾燥する。 (４)乾燥されたものを７５０℃〜９００℃で仮焼する。 (５)仮焼成されたものをボールミルで湿式粉砕する。 (６)得られた粉末に有機バインダを適量加えて造粒す
る。 (７)造粒されたものを４ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で加圧成
形する。 (８)成形体を１１３０℃〜１２５０℃で焼結する。 (９)焼結体の両表面に、銀電極を焼付・形成する。 (１０)５０℃〜１２０℃のシリコーン油中において２〜
３ＭＶ／ｍの直流電界を１時間印加して分極処理する。
【００１１】このようにして得られた形状が直径１４.
３mm、厚さ０.６mmの圧電磁器円板について、密度
（ρ），電気機械結合係数（ｋp），誘電率（ε）及び
機械的品質係数（Ｑm）を測定した結果を表１に示す。
３mm、厚さ０.６mmの圧電磁器円板について、密度
（ρ），電気機械結合係数（ｋp），誘電率（ε）及び
機械的品質係数（Ｑm）を測定した結果を表１に示す。
【００１２】圧電特性は、インピーダンスアナライザー
を用いて、共振・反共振周波数を測定した結果から計算
により求めた。ｋp変化率は耐熱性の評価方法であり、
２５０℃の半田槽に円板素子を１分間浸漬させ、その前
後におけるｋpの変化を測定した値で、次式で示され
る。 ｋp変化率（％）＝［（ｋp−ｋpi）／ｋpi］×１００ ここで、ｋpiは半田槽浸漬前の電気機械結合係数であ
り、ｋpは半田槽浸漬１時間後の電気機械結合係数であ
る。
を用いて、共振・反共振周波数を測定した結果から計算
により求めた。ｋp変化率は耐熱性の評価方法であり、
２５０℃の半田槽に円板素子を１分間浸漬させ、その前
後におけるｋpの変化を測定した値で、次式で示され
る。 ｋp変化率（％）＝［（ｋp−ｋpi）／ｋpi］×１００ ここで、ｋpiは半田槽浸漬前の電気機械結合係数であ
り、ｋpは半田槽浸漬１時間後の電気機械結合係数であ
る。
【００１３】これらの測定結果の評価は電気機械結合係
数（ｋｐ）及び電気機械結合係数変化率について行い、
電気機械結合係数については６０％以上、電気機械結合
係数変化率については−３％以上のものを良好と判定
し、その他の不良と判定した。
数（ｋｐ）及び電気機械結合係数変化率について行い、
電気機械結合係数については６０％以上、電気機械結合
係数変化率については−３％以上のものを良好と判定
し、その他の不良と判定した。
【００１４】その結果、電気機械結合係数については、
試料１，５，６，９，１０，１３，１４，１６，１９を
不良と判定し、電気機械結合係数変化率については、試
料１，５，６，９，１０，１３，１４，１６，１９を不
良と判定した。そして、総合して試料２，３，４，７，
８，１１，１２，１５，１７，１８を良好と判定した。
試料１，５，６，９，１０，１３，１４，１６，１９を
不良と判定し、電気機械結合係数変化率については、試
料１，５，６，９，１０，１３，１４，１６，１９を不
良と判定した。そして、総合して試料２，３，４，７，
８，１１，１２，１５，１７，１８を良好と判定した。
【００１５】この判定結果に基づいて試料の組成範囲を
整理すると、αに関してはα＜０.９５，１.０５＜α、
ａに関してはａ＜０.０１，０.１５＜ａ、ｂに関しては
ｂ＜０.０１，０.１０＜ｂ、ｃに関してはｃ＜０.３
０，０.６０＜ｃ、ｄに関してはｄ＜０.２５，０.６８
＜ｄの組成範囲のものは不良であり、したがってαに関
しては０.９５≦α≦１.０５、ａに関しては０.０１≦
ａ≦０.１５、ｂに関しては０.０１≦ｂ≦０.１０、ｃ
に関しては０.３０≦ｃ≦０.６０、ｄに関しては０.２
５≦ｄ≦０.６８の組成範囲のものは良好である。
整理すると、αに関してはα＜０.９５，１.０５＜α、
ａに関してはａ＜０.０１，０.１５＜ａ、ｂに関しては
ｂ＜０.０１，０.１０＜ｂ、ｃに関してはｃ＜０.３
０，０.６０＜ｃ、ｄに関してはｄ＜０.２５，０.６８
＜ｄの組成範囲のものは不良であり、したがってαに関
しては０.９５≦α≦１.０５、ａに関しては０.０１≦
ａ≦０.１５、ｂに関しては０.０１≦ｂ≦０.１０、ｃ
に関しては０.３０≦ｃ≦０.６０、ｄに関しては０.２
５≦ｄ≦０.６８の組成範囲のものは良好である。
【００１６】表１から明らかなように、従来の圧電磁器
組成物では、２５０℃の半田熱による電気機械結合係数
の変化率が−２０％前後であったが、本発明に係る圧電
磁器組成物では、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3に第３成
分、第４成分として、（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、（Ｙｂ
1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3を同時に固溶させることにより、−３
％以下と大幅に改善することができる。
組成物では、２５０℃の半田熱による電気機械結合係数
の変化率が−２０％前後であったが、本発明に係る圧電
磁器組成物では、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3に第３成
分、第４成分として、（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、（Ｙｂ
1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3を同時に固溶させることにより、−３
％以下と大幅に改善することができる。
【００１７】本発明の実施例である試料３と従来例の時
間経過に伴う共振周波数の変化を図２に示す。なお、共
振周波数の変化率は、次式で示される。 共振周波変化率（％）＝［（ｆr−ｆri）／ｆri］×１
００ ここで、ｆriは初期（分極１時間後）における共振周波
数であり、ｆrは分極後一定時間経過後における共振周
波数である。この図から明らかなように、従来の圧電磁
器組成物に比べ、本発明の圧電磁器組成物は、共振周波
数の変化率が０.１％／Time decade以下と極めて小さな
値にすることができる。しかも、組成比を選ぶことによ
り、電気機械結合係数（ｋp）が６０％以上の優れた圧
電磁器材料を得ることができる。
間経過に伴う共振周波数の変化を図２に示す。なお、共
振周波数の変化率は、次式で示される。 共振周波変化率（％）＝［（ｆr−ｆri）／ｆri］×１
００ ここで、ｆriは初期（分極１時間後）における共振周波
数であり、ｆrは分極後一定時間経過後における共振周
波数である。この図から明らかなように、従来の圧電磁
器組成物に比べ、本発明の圧電磁器組成物は、共振周波
数の変化率が０.１％／Time decade以下と極めて小さな
値にすることができる。しかも、組成比を選ぶことによ
り、電気機械結合係数（ｋp）が６０％以上の優れた圧
電磁器材料を得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る圧電磁器組成物を用いることにより、電気機械結
合係数（ｋp）が高く、耐熱性が高く、しかも、経時変
化の極めて小さい圧電磁器素子を得ることができる。従
って、表面実装の際に、２５０℃前後の温度にさらされ
ても圧電特性の劣化することが少ないチップ部品を作製
することができる。
に係る圧電磁器組成物を用いることにより、電気機械結
合係数（ｋp）が高く、耐熱性が高く、しかも、経時変
化の極めて小さい圧電磁器素子を得ることができる。従
って、表面実装の際に、２５０℃前後の温度にさらされ
ても圧電特性の劣化することが少ないチップ部品を作製
することができる。
【図１】本発明の圧電磁器組成物を用いた圧電素子の製
造工程図。
造工程図。
【図２】本発明の圧電磁器組成物と従来例の共振周波数
の経時変化率を示すグラフ。
の経時変化率を示すグラフ。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために「一般式：Ｐｂα［（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）a
（Ｙｂ1/2Ｎｂ1/2）bＴｉCＺｒd］Ｏ 3（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）で示され、０.９５≦α≦１.０５，０.０
１≦ａ≦０.１５，０.０１≦ｂ≦０.１０，０.３０≦ｃ
≦０.６０，０.２５≦ｄ≦０.６８を満足する基礎組成
を有することを特徴とする圧電磁器組成物」であること
を構成とする発明を提供する。
決するために「一般式：Ｐｂα［（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）a
（Ｙｂ1/2Ｎｂ1/2）bＴｉCＺｒd］Ｏ 3（但し、ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ＝１）で示され、０.９５≦α≦１.０５，０.０
１≦ａ≦０.１５，０.０１≦ｂ≦０.１０，０.３０≦ｃ
≦０.６０，０.２５≦ｄ≦０.６８を満足する基礎組成
を有することを特徴とする圧電磁器組成物」であること
を構成とする発明を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】 図１に本発明に係る圧電磁器組成物は以
下に記した工程により製造される。 (１)出発原料としてＰｂＯ、ＭｇＣＯ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｎ
ｂ2Ｏ5 、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2を用い、これらを第１表に示
す組成になるように秤量する。なお、この表においてａ
はＭｇＣＯ3とＮｂ2Ｏ5を１：１のモル比で混合したも
の、ｂはＹｂ2Ｏ3とＮｂ2Ｏ5を１：１のモル比で混合し
たものを秤量する。 (２)秤量された原料をボールミルで湿式混合する。 (３)湿式混合されたものを乾燥する。 (４)乾燥されたものを７５０℃〜９００℃で仮焼する。 (５)仮焼成されたものをボールミルで湿式粉砕する。 (６)得られた粉末に有機バインダを適量加えて造粒す
る。 (７)造粒されたものを４ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で加圧成
形する。 (８)成形体を１１３０℃〜１２５０℃で焼結する。 (９)焼結体の両表面に、銀電極を焼付・形成する。 (１０)５０℃〜１２０℃のシリコーン油中において２〜
３ＭＶ／ｍの直流電界を１時間印加して分極処理する。
下に記した工程により製造される。 (１)出発原料としてＰｂＯ、ＭｇＣＯ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｎ
ｂ2Ｏ5 、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2を用い、これらを第１表に示
す組成になるように秤量する。なお、この表においてａ
はＭｇＣＯ3とＮｂ2Ｏ5を１：１のモル比で混合したも
の、ｂはＹｂ2Ｏ3とＮｂ2Ｏ5を１：１のモル比で混合し
たものを秤量する。 (２)秤量された原料をボールミルで湿式混合する。 (３)湿式混合されたものを乾燥する。 (４)乾燥されたものを７５０℃〜９００℃で仮焼する。 (５)仮焼成されたものをボールミルで湿式粉砕する。 (６)得られた粉末に有機バインダを適量加えて造粒す
る。 (７)造粒されたものを４ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で加圧成
形する。 (８)成形体を１１３０℃〜１２５０℃で焼結する。 (９)焼結体の両表面に、銀電極を焼付・形成する。 (１０)５０℃〜１２０℃のシリコーン油中において２〜
３ＭＶ／ｍの直流電界を１時間印加して分極処理する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 35/49 Ｚ Ｈ０１Ｌ 41/187
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式： Ｐｂα［（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）a（Ｙｂ1/2Ｎｂ1/2）bＴｉ
CＺｒd］０3 （但し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）で示され、 ０.９５≦α≦１.０５ ０.０１≦ａ≦０.１５ ０.０１≦ｂ≦０.１０ ０.３０≦ｃ≦０.６０ ０.２５≦ｄ≦０.６８ であることを特徴とする圧電磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124206A JP2762012B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 圧電磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124206A JP2762012B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 圧電磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333427A true JPH06333427A (ja) | 1994-12-02 |
| JP2762012B2 JP2762012B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=14879622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5124206A Expired - Fee Related JP2762012B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 圧電磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762012B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6123867A (en) * | 1997-12-03 | 2000-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric device using the same |
| US6207070B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-03-27 | Tdk Corporation | Composition for piezoelectric ceramics |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP5124206A patent/JP2762012B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6123867A (en) * | 1997-12-03 | 2000-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric device using the same |
| US6207070B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-03-27 | Tdk Corporation | Composition for piezoelectric ceramics |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2762012B2 (ja) | 1998-06-04 |
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