JPH06329624A - アゼチジノン誘導体の製造法 - Google Patents
アゼチジノン誘導体の製造法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
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- C07D205/08—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 下記式
（式中、Ｒ3 は水素原子または保護基、Ｒ4 は水素原子
または低級アルキル基、Ｒ5 は水素原子または低級アル
キル基、Ｒ7 は水素原子または保護基、Ｚは有機残基、 はアルファ配位結合、 はベータ配位結合をそれぞれ意味する）で示される化合
物の製造法。 【効果】 上記化合物は抗菌活性を有するカルバペネム
系抗生物質の中間体として有用である。
または低級アルキル基、Ｒ5 は水素原子または低級アル
キル基、Ｒ7 は水素原子または保護基、Ｚは有機残基、 はアルファ配位結合、 はベータ配位結合をそれぞれ意味する）で示される化合
物の製造法。 【効果】 上記化合物は抗菌活性を有するカルバペネム
系抗生物質の中間体として有用である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は医薬品として有用な各
種のβ−ラクタム化合物とくにカルバペネム系化合物な
どの合成に重要な中間体の製造法に関するものである。
種のβ−ラクタム化合物とくにカルバペネム系化合物な
どの合成に重要な中間体の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチ
ジノン化合物がチエナマイシン全合成の重要な中間体で
あることがテトラヘドロンレターズ２３巻第２２９３−
２２９６頁（１９８２年）に報告されて以来、３−置換
−４−アセトキシ−２−アゼチジノン類を製造する種々
の試みが行われている。
ジノン化合物がチエナマイシン全合成の重要な中間体で
あることがテトラヘドロンレターズ２３巻第２２９３−
２２９６頁（１９８２年）に報告されて以来、３−置換
−４−アセトキシ−２−アゼチジノン類を製造する種々
の試みが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】上記テトラヘドロン
レターズによれば、Ｌ−アスパラギン酸から７工程以
上、２１％の収率で（３Ｒ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１
−ヒドロキシエチル］−４−アセトキシ−２−アゼチジ
ノンを、また、テトラヘドロン３９巻第２５０５〜２５
１３頁（１９８３年）によれば、６−アミノペニシラン
酸から７工程以上、１７％の収率で（３Ｒ，４Ｒ）−３
−［（Ｒ）−１−（第３級−ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル］−４−アセトキシ−２−アゼチジノンをそ
れぞれ合成できることが報告されている。しかしなが
ら、これらの公知の方法では工程数が長い上、操作が煩
雑で収率も低いことから、工業的に３−置換−４−アセ
トキシ−２−アゼチジノン類を製造するには問題があっ
た。この発明の発明者らは鋭意研究の結果、入手の容易
なアルカン酸アルキルエステル(ＩＩ)の反応性誘導体と
置換エチニルアルドイミン(ＩＩＩ)とを反応させること
により、新規な３−置換−４−エチニル−２−アゼチジ
ノン類(Ｉ)を製造することに成功し、さらにこの３−置
換−４−エチニル−２−アゼチジノン類(Ｉ)を経由する
ことにより、アルカン酸アルキルエステル(ＩＩ)から僅
か３工程で３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチジノ
ン類(Ｖ)が容易に製造できることを見出しこの発明を完
成した。即ち、この発明による３−置換−４−アセトキ
シ−２−アゼチジノン類(Ｖ)の製造法は、次のチャート
Ｉにより示される。
レターズによれば、Ｌ−アスパラギン酸から７工程以
上、２１％の収率で（３Ｒ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１
−ヒドロキシエチル］−４−アセトキシ−２−アゼチジ
ノンを、また、テトラヘドロン３９巻第２５０５〜２５
１３頁（１９８３年）によれば、６−アミノペニシラン
酸から７工程以上、１７％の収率で（３Ｒ，４Ｒ）−３
−［（Ｒ）−１−（第３級−ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル］−４−アセトキシ−２−アゼチジノンをそ
れぞれ合成できることが報告されている。しかしなが
ら、これらの公知の方法では工程数が長い上、操作が煩
雑で収率も低いことから、工業的に３−置換−４−アセ
トキシ−２−アゼチジノン類を製造するには問題があっ
た。この発明の発明者らは鋭意研究の結果、入手の容易
なアルカン酸アルキルエステル(ＩＩ)の反応性誘導体と
置換エチニルアルドイミン(ＩＩＩ)とを反応させること
により、新規な３−置換−４−エチニル−２−アゼチジ
ノン類(Ｉ)を製造することに成功し、さらにこの３−置
換−４−エチニル−２−アゼチジノン類(Ｉ)を経由する
ことにより、アルカン酸アルキルエステル(ＩＩ)から僅
か３工程で３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチジノ
ン類(Ｖ)が容易に製造できることを見出しこの発明を完
成した。即ち、この発明による３−置換−４−アセトキ
シ−２−アゼチジノン類(Ｖ)の製造法は、次のチャート
Ｉにより示される。
【０００４】チャートＩ
【化６】 （式中、Ｒ1 は水素原子または有機残基、Ｒ2 は水素原
子または保護基、Ｒ3 は水素原子または保護基、Ｒ10は
低級アルキル基をそれぞれ意味する）
子または保護基、Ｒ3 は水素原子または保護基、Ｒ10は
低級アルキル基をそれぞれ意味する）
【０００５】製造法１ ３−置換−４−エチニル−２−アゼチジノン類(Ｉ)は、
アルカン酸アルキルエステル(ＩＩ)の反応性誘導体と置
換エチニルアルドイミン(ＩＩＩ)とを反応させることに
より製造することができる。置換エチニルアルドイミン
(ＩＩＩ)は例えば、１，１，１，３，３，３−ヘキサメ
チルジシラザンとブチルリチウムとをテトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジメチルエーテルなどのエーテ
ル溶媒中で１５℃以下好ましくは０℃以下で反応させて
得られるリチウムビス（トリメチルシリル）アミドを、
同様のエーテル溶媒中、−６５℃以下で置換エチニルカ
ルボアルデヒド
アルカン酸アルキルエステル(ＩＩ)の反応性誘導体と置
換エチニルアルドイミン(ＩＩＩ)とを反応させることに
より製造することができる。置換エチニルアルドイミン
(ＩＩＩ)は例えば、１，１，１，３，３，３−ヘキサメ
チルジシラザンとブチルリチウムとをテトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジメチルエーテルなどのエーテ
ル溶媒中で１５℃以下好ましくは０℃以下で反応させて
得られるリチウムビス（トリメチルシリル）アミドを、
同様のエーテル溶媒中、−６５℃以下で置換エチニルカ
ルボアルデヒド
【化７】 と反応させることにより得ることができる。アルカン酸
アルキルエステル(ＩＩ)の反応性誘導体としては、例え
ばリチウムエノレート体が挙げられる。アルカン酸アル
キルエステルのリチウムエノレート体は例えば、リチウ
ムジイソプロピルアミンまたはリチウムビス（トリメチ
ルシリル）アミドとアルカン酸アルキルエステルとを前
記のような溶媒中、−６０℃以下で反応させることによ
り得ることができる。アルカン酸アルキルエステル(Ｉ
Ｉ)の反応性誘導体と置換エチニルアルドイミン(ＩＩ
Ｉ)との反応は、前記のようなエーテル溶媒中、−５０
℃を越えない温度で所望によりアルゴン、窒素などの気
流中で行うことができる。この目的物は常法により単離
することができる。この目的化合物(Ｉ)は、所望により
保護基の導入などの反応に付して、他の３−置換−４−
エチニル−２−アゼチジノン類(Ｉ)に導いたのち、次の
製造法２の反応に付してもよい。
アルキルエステル(ＩＩ)の反応性誘導体としては、例え
ばリチウムエノレート体が挙げられる。アルカン酸アル
キルエステルのリチウムエノレート体は例えば、リチウ
ムジイソプロピルアミンまたはリチウムビス（トリメチ
ルシリル）アミドとアルカン酸アルキルエステルとを前
記のような溶媒中、−６０℃以下で反応させることによ
り得ることができる。アルカン酸アルキルエステル(Ｉ
Ｉ)の反応性誘導体と置換エチニルアルドイミン(ＩＩ
Ｉ)との反応は、前記のようなエーテル溶媒中、−５０
℃を越えない温度で所望によりアルゴン、窒素などの気
流中で行うことができる。この目的物は常法により単離
することができる。この目的化合物(Ｉ)は、所望により
保護基の導入などの反応に付して、他の３−置換−４−
エチニル−２−アゼチジノン類(Ｉ)に導いたのち、次の
製造法２の反応に付してもよい。
【０００６】製造法２ ３−置換−４−アセチル−２−アゼチジノン類(ＩＶ)
は、３−置換−４−エチニル−２−アゼチジノン類(Ｉ)
を硫酸第二水銀のような水銀化合物と濃硫酸および（ま
たは）スルファミン酸アンモニウムの存在下に反応させ
ることにより製造することができる。この反応は、慣用
の溶媒例えばメタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール、前記のようなエーテル、水
またはこれらの混合溶媒中で室温ないし加熱下に行うこ
とができる。この目的化合物(ＩＶ)は、単離後、もしく
は単離されることなく次いで製造法３に記載の反応に付
すことができる。
は、３−置換−４−エチニル−２−アゼチジノン類(Ｉ)
を硫酸第二水銀のような水銀化合物と濃硫酸および（ま
たは）スルファミン酸アンモニウムの存在下に反応させ
ることにより製造することができる。この反応は、慣用
の溶媒例えばメタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール、前記のようなエーテル、水
またはこれらの混合溶媒中で室温ないし加熱下に行うこ
とができる。この目的化合物(ＩＶ)は、単離後、もしく
は単離されることなく次いで製造法３に記載の反応に付
すことができる。
【０００７】製造法３ ３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチジノン類(Ｖ)
は、３−置換−４−アセチル−２−アゼチジノン類(Ｉ
Ｖ)を慣用のバイエル−ビリガー（Ｂａｅｙｅｒ−Ｖｉ
ｌｌｉｇｅｒ）反応またはそれと均等な方法に付すこと
により製造することができる。より詳細には、この反応
は、３−置換−４−アセチル−２−アゼチジノン類（Ｉ
Ｖ）を、メタクロロ過安息香酸などの過酸化物とクロロ
ホルム、四塩化炭素、塩化メチレン、酢酸エチルなどの
不活性な溶媒中で室温ないし加温下に反応させることに
より、３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチジノン類
(Ｖ)を製造することができる。目的物(Ｖ)は、常法によ
り単離されるが、所望により、反応液に硫化メチルなど
の還元剤を添加したのち抽出単離するのが好ましい。
は、３−置換−４−アセチル−２−アゼチジノン類(Ｉ
Ｖ)を慣用のバイエル−ビリガー（Ｂａｅｙｅｒ−Ｖｉ
ｌｌｉｇｅｒ）反応またはそれと均等な方法に付すこと
により製造することができる。より詳細には、この反応
は、３−置換−４−アセチル−２−アゼチジノン類（Ｉ
Ｖ）を、メタクロロ過安息香酸などの過酸化物とクロロ
ホルム、四塩化炭素、塩化メチレン、酢酸エチルなどの
不活性な溶媒中で室温ないし加温下に反応させることに
より、３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチジノン類
(Ｖ)を製造することができる。目的物(Ｖ)は、常法によ
り単離されるが、所望により、反応液に硫化メチルなど
の還元剤を添加したのち抽出単離するのが好ましい。
【０００８】この明細書において、以上および以下に使
用されている各種の置換基の定義を以下詳細に説明す
る。「低級」とは、特に指示がなければ、炭素原子１〜
６個を意味するものとする。「低級アルキル基」の好適
な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等のような直鎖または分枝鎖アルキル基が挙げら
れる。Ｒ1 の「有機残基」とは、炭素原子に置換した水
素原子１個を除いた有機化合物残基であり、そのような
有機化合物残基の例としては、アルキル基、アルコキシ
基、アルカノイル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、シクロアルケニル基、アリール基、
これらの基が１〜３個の同一または異なった置換分で置
換された基などが挙げられる。
用されている各種の置換基の定義を以下詳細に説明す
る。「低級」とは、特に指示がなければ、炭素原子１〜
６個を意味するものとする。「低級アルキル基」の好適
な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等のような直鎖または分枝鎖アルキル基が挙げら
れる。Ｒ1 の「有機残基」とは、炭素原子に置換した水
素原子１個を除いた有機化合物残基であり、そのような
有機化合物残基の例としては、アルキル基、アルコキシ
基、アルカノイル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、シクロアルケニル基、アリール基、
これらの基が１〜３個の同一または異なった置換分で置
換された基などが挙げられる。
【０００９】「アルキル基」の好適な例は上記の「低級
アルキル基」と同じものが挙げられる。この「アルキル
基」は１〜３個の同一または異なった置換分で置換され
ていてもよく、そのような置換分の好適な例としては、
ハロゲン、オキソ基、ヒドロキシ基、保護されたヒドロ
キシ基、アルコキシ基、スルホ基、アリールオキシ基、
カルバモイルオキシ基、アルカンスルホニルオキシ基、
アリールスルホニルオキシ基、アリール基、アルコキシ
カルボニル基、ニトロ基、トリ（低級アルキル）シリル
基、アミノ基などが挙げられる。「ハロゲン」として
は、塩素、臭素、沃素、フッ素が含まれる。「保護され
たヒドロキシ基」とは、ヒドロキシ基が慣用の水酸基の
保護基で保護されたものであり、このような保護基とし
ては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブ
チリル、バレリル、ピバロイル、クロロアセチル、ブロ
モアセチルなどの置換されていてもよいアルカノイル
基、β,β,β−トリクロロエトキシカルボニル、β−ト
リメチルシリルエトキシカルボニルなどのエステル化さ
れたカルボキシ基等のアシル基、第３級ブチル、ベンジ
ル、ｐ−ニトロベンジル、トリチル、β−メトキシエト
キシメチルなどの置換されていてもよいアルキル基、ト
リメチルシリル、第３級ブチルジメチルシリルなどのシ
リル基、ジボラン、トリイソプロピルボランなどのホウ
素基、２−テトラヒドロピラニル、４−メトキシ−４−
テトラヒドロピラニルなどのピラニル基等の慣用の水酸
基の保護基の他、ベンゾイル、ｐ−トルオイル、ｍ−ト
ルオイル、ナフトイル等のアロイル基等が挙げられる。
「アルコキシ基」の好適な例としては、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イ
ソブトキシ、第３級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシ
ルオキシ、などが挙げられる。「アリール基」の好適な
例としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル、
ビフェニリルなどが挙げられる。「アリールオキシ基」
および「アリールスルホニルオキシ基」におけるアリー
ル部分の例としては、上記と同じようなものが挙げられ
る。「アルカンスルホニルオキシ基」の好適な例として
は、メシルオキシ、エタンスルホニルオキシ、イソプロ
パンスルホニルオキシなどが挙げられる。
アルキル基」と同じものが挙げられる。この「アルキル
基」は１〜３個の同一または異なった置換分で置換され
ていてもよく、そのような置換分の好適な例としては、
ハロゲン、オキソ基、ヒドロキシ基、保護されたヒドロ
キシ基、アルコキシ基、スルホ基、アリールオキシ基、
カルバモイルオキシ基、アルカンスルホニルオキシ基、
アリールスルホニルオキシ基、アリール基、アルコキシ
カルボニル基、ニトロ基、トリ（低級アルキル）シリル
基、アミノ基などが挙げられる。「ハロゲン」として
は、塩素、臭素、沃素、フッ素が含まれる。「保護され
たヒドロキシ基」とは、ヒドロキシ基が慣用の水酸基の
保護基で保護されたものであり、このような保護基とし
ては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブ
チリル、バレリル、ピバロイル、クロロアセチル、ブロ
モアセチルなどの置換されていてもよいアルカノイル
基、β,β,β−トリクロロエトキシカルボニル、β−ト
リメチルシリルエトキシカルボニルなどのエステル化さ
れたカルボキシ基等のアシル基、第３級ブチル、ベンジ
ル、ｐ−ニトロベンジル、トリチル、β−メトキシエト
キシメチルなどの置換されていてもよいアルキル基、ト
リメチルシリル、第３級ブチルジメチルシリルなどのシ
リル基、ジボラン、トリイソプロピルボランなどのホウ
素基、２−テトラヒドロピラニル、４−メトキシ−４−
テトラヒドロピラニルなどのピラニル基等の慣用の水酸
基の保護基の他、ベンゾイル、ｐ−トルオイル、ｍ−ト
ルオイル、ナフトイル等のアロイル基等が挙げられる。
「アルコキシ基」の好適な例としては、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イ
ソブトキシ、第３級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシ
ルオキシ、などが挙げられる。「アリール基」の好適な
例としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル、
ビフェニリルなどが挙げられる。「アリールオキシ基」
および「アリールスルホニルオキシ基」におけるアリー
ル部分の例としては、上記と同じようなものが挙げられ
る。「アルカンスルホニルオキシ基」の好適な例として
は、メシルオキシ、エタンスルホニルオキシ、イソプロ
パンスルホニルオキシなどが挙げられる。
【００１０】「アルコキシカルボニル基」の好適な例と
してはメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソ
プロピルオキシカルボニルなどが挙げられる。上記の
「１〜３個の同一または異なった置換分で置換されてい
てもよいアルキル基」のさらに好ましい例としては、式
してはメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソ
プロピルオキシカルボニルなどが挙げられる。上記の
「１〜３個の同一または異なった置換分で置換されてい
てもよいアルキル基」のさらに好ましい例としては、式
【化８】 （式中、Ｒ4 は水素原子または低級アルキル基、Ｒ5 は
水素原子または低級アルキル基、Ｒ6 は水素原子、ハロ
ゲン、ヒドロキシ基または保護されたヒドロキシ基であ
るか、またはＲ5 とＲ6 とが一緒になってオキソ基であ
るをそれぞれ意味する）で示される基が挙げられる。
「アルカノイル基」の好適な例としては、ホルミル、ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ピバロイ
ル、ヘキサノイルなどが挙げられる。「シクロアルキル
基」の好適な例としては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、アダマンチルなどの炭素数３〜12
個を有する基が挙げられる。「アルケニル基」の好適な
例としては、ビニル、アリル、イソプロペニル、２−ブ
テニル、３−ブテニルなどの炭素数２〜６個を有する直
鎖もしくは分枝鎖アルケニル基が挙げられる。「アルキ
ニル基」の好適な例としては、エチニル、１−プロピニ
ル、２−プロピニル、３−ブチニル、４−ペンチニルな
どの炭素数２〜６個を有する基が挙げられる。「シクロ
アルケニル基」の好適な例としては、１−シクロプロペ
ニル、２−シクロブテニル、１−シクロペンテニル、３
−シクロヘキセニルなどの炭素原子３〜６個を有する基
が挙げられる。
水素原子または低級アルキル基、Ｒ6 は水素原子、ハロ
ゲン、ヒドロキシ基または保護されたヒドロキシ基であ
るか、またはＲ5 とＲ6 とが一緒になってオキソ基であ
るをそれぞれ意味する）で示される基が挙げられる。
「アルカノイル基」の好適な例としては、ホルミル、ア
セチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ピバロイ
ル、ヘキサノイルなどが挙げられる。「シクロアルキル
基」の好適な例としては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、アダマンチルなどの炭素数３〜12
個を有する基が挙げられる。「アルケニル基」の好適な
例としては、ビニル、アリル、イソプロペニル、２−ブ
テニル、３−ブテニルなどの炭素数２〜６個を有する直
鎖もしくは分枝鎖アルケニル基が挙げられる。「アルキ
ニル基」の好適な例としては、エチニル、１−プロピニ
ル、２−プロピニル、３−ブチニル、４−ペンチニルな
どの炭素数２〜６個を有する基が挙げられる。「シクロ
アルケニル基」の好適な例としては、１−シクロプロペ
ニル、２−シクロブテニル、１−シクロペンテニル、３
−シクロヘキセニルなどの炭素原子３〜６個を有する基
が挙げられる。
【００１１】これらの「アルコキシ基、アルカノイル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
シクロアルケニル基およびアリール基」は、いずれも、
「アルキル基」の項で例示したような置換分１〜３個で
置換されていてもよい。Ｒ2 の保護基の好適な例として
は、置換されていてもよいトリ（低級アルキル）シリル
基が挙げられる。「トリ（低級アルキル）シリル基」に
おける低級アルキル基は前に例示したような低級アルキ
ル基から選ぶことができるが、３個の低級アルキル基は
同一または異なっていてもよい。このような「トリ（低
級アルキル）シリル基」の好適な例としては、トリメチ
ルシリル、第３級ブチルジメチルシリル、イソプロピル
ジメチルシリル、クロロメチルジメチルシリルなどの置
換分を有していてもよい慣用のトリ（低級）アルキルシ
リル基が挙げられる。Ｒ3 における「保護基」として
は、通常、アミノ基の保護基として使用されている慣用
の保護基であれば特に限定されないが、例えば、ホルミ
ル、アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、ト
リクロロアセチルなどのアシル基、第３級ブトキシカル
ボニル、β，β，β−トリクロロエトキシカルボニル、
β−トリメチルシリルエトキシカルボニル、ベンジルオ
キシカルボニル、パラニトロベンジルオキシカルボニル
などのエステル化されたカルボキシ基、例えばトリメチ
ルシリル、第３級ブチルジメチルシリルなどのトリ（低
級アルキル）シリル基、ベンジル、ｐ−ニトロベンジル
などの置換分を有していてもよいアラルキル基などが挙
げられる。
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
シクロアルケニル基およびアリール基」は、いずれも、
「アルキル基」の項で例示したような置換分１〜３個で
置換されていてもよい。Ｒ2 の保護基の好適な例として
は、置換されていてもよいトリ（低級アルキル）シリル
基が挙げられる。「トリ（低級アルキル）シリル基」に
おける低級アルキル基は前に例示したような低級アルキ
ル基から選ぶことができるが、３個の低級アルキル基は
同一または異なっていてもよい。このような「トリ（低
級アルキル）シリル基」の好適な例としては、トリメチ
ルシリル、第３級ブチルジメチルシリル、イソプロピル
ジメチルシリル、クロロメチルジメチルシリルなどの置
換分を有していてもよい慣用のトリ（低級）アルキルシ
リル基が挙げられる。Ｒ3 における「保護基」として
は、通常、アミノ基の保護基として使用されている慣用
の保護基であれば特に限定されないが、例えば、ホルミ
ル、アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、ト
リクロロアセチルなどのアシル基、第３級ブトキシカル
ボニル、β，β，β−トリクロロエトキシカルボニル、
β−トリメチルシリルエトキシカルボニル、ベンジルオ
キシカルボニル、パラニトロベンジルオキシカルボニル
などのエステル化されたカルボキシ基、例えばトリメチ
ルシリル、第３級ブチルジメチルシリルなどのトリ（低
級アルキル）シリル基、ベンジル、ｐ−ニトロベンジル
などの置換分を有していてもよいアラルキル基などが挙
げられる。
【００１２】この発明のアゼチジノン誘導体(Ｉ)には、
例えば次の化合物が含まれる。３−エチル−４−エチニ
ル−２−アゼチジノン、３−エチル−４−トリメチルシ
リルエチニル−２−アゼチジノン、３−（１−ヒドロキ
シエチル）−４−エチニル−２−アゼチジノン、３−
（１−ヒドロキシエチル）−４−トリメチルシリルエチ
ニル−２−アゼチジノン、３−［１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル］−４−エチニル−２−ア
ゼチジノン、３−［１−（第３級ブチルジメチルシリル
オキシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２
−アゼチジノン、３−（１−ヒドロキシ−１−メチルエ
チル）−４−エチニル−２−アゼチジノン、３−(１−
ヒドロキシ−１−メチルエチル)−４−トリメチルシリ
ルエチニル−２−アゼチジノン、１−（第３級ブチルジ
メチルシリル）−３−（１−ヒドロキシエチル）−４−
エチニル−２−アゼチジノン、１−（第３級ブチルジメ
チルシリル）−３−アセチル−４−トリメチルシリルエ
チニル−２−アゼチジノン、３−（１−ホルミルオキシ
エチル）−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノン、３−（１−ベンゾイルオキシエチル）−４−ト
リメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンおよび３−
（１−ブロモエチル）−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノン。さらに、この発明のアゼチジノン
誘導体(Ｉ)には、例えば、シス、トランス、シン、アン
チ、光学異性体などの種々の立体異性体が含まれ、これ
らの異性体およびその混合物もアゼチジノン誘導体(Ｉ)
の範囲内に含まれる。即ち、この発明のアゼチジノン誘
導体(Ｉ)の立体異性体としては次のような立体異性体が
含まれる。
例えば次の化合物が含まれる。３−エチル−４−エチニ
ル−２−アゼチジノン、３−エチル−４−トリメチルシ
リルエチニル−２−アゼチジノン、３−（１−ヒドロキ
シエチル）−４−エチニル−２−アゼチジノン、３−
（１−ヒドロキシエチル）−４−トリメチルシリルエチ
ニル−２−アゼチジノン、３−［１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル］−４−エチニル−２−ア
ゼチジノン、３−［１−（第３級ブチルジメチルシリル
オキシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２
−アゼチジノン、３−（１−ヒドロキシ−１−メチルエ
チル）−４−エチニル−２−アゼチジノン、３−(１−
ヒドロキシ−１−メチルエチル)−４−トリメチルシリ
ルエチニル−２−アゼチジノン、１−（第３級ブチルジ
メチルシリル）−３−（１−ヒドロキシエチル）−４−
エチニル−２−アゼチジノン、１−（第３級ブチルジメ
チルシリル）−３−アセチル−４−トリメチルシリルエ
チニル−２−アゼチジノン、３−（１−ホルミルオキシ
エチル）−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノン、３−（１−ベンゾイルオキシエチル）−４−ト
リメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンおよび３−
（１−ブロモエチル）−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノン。さらに、この発明のアゼチジノン
誘導体(Ｉ)には、例えば、シス、トランス、シン、アン
チ、光学異性体などの種々の立体異性体が含まれ、これ
らの異性体およびその混合物もアゼチジノン誘導体(Ｉ)
の範囲内に含まれる。即ち、この発明のアゼチジノン誘
導体(Ｉ)の立体異性体としては次のような立体異性体が
含まれる。
【００１３】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は前と同じ意味であり、
【化１３】 はベータ配位結合、および
【化１４】 はアルファ配位結合をそれぞれ意味する）上記式中、化
合物(Ｉb)と(Ｉc)とはシス異性体であり、これらの個々
の異性体および（または）その混合物は、相対配置を表
す結合を使って次式に示す化合物としても書き表わせ
る。
合物(Ｉb)と(Ｉc)とはシス異性体であり、これらの個々
の異性体および（または）その混合物は、相対配置を表
す結合を使って次式に示す化合物としても書き表わせ
る。
【化１５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は上記と同じ意味であ
り、
り、
【化１６】 は相対配置の結合を意味する。）一方、化合物(Ｉa)と
(Ｉd)とはトランス異性体であり、これらの個々の異性
体および（または）その混合物は、次式に示す化合物と
しても書き表わせる。
(Ｉd)とはトランス異性体であり、これらの個々の異性
体および（または）その混合物は、次式に示す化合物と
しても書き表わせる。
【化１７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、
【化１８】 はそれぞれ前と同じ意味である。）さらに、上記式（Ｉ
a〜Ｉd）で表わされる化合物中、Ｒ1 で示される基が、
式
a〜Ｉd）で表わされる化合物中、Ｒ1 で示される基が、
式
【化１９】 （式中、Ｒ4 およびＲ5 はそれぞれ前と同じ意味であ
り、Ｒ7 は水素原子または保護基を意味する）である場
合には、次のような立体異性体もこの発明のアゼチジノ
ン誘導体(Ｉ)の範囲内に含まれる。
り、Ｒ7 は水素原子または保護基を意味する）である場
合には、次のような立体異性体もこの発明のアゼチジノ
ン誘導体(Ｉ)の範囲内に含まれる。
【００１４】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ7 、
【化２８】 はそれぞれ前と同じ意味）
【００１５】ところで、強い抗菌活性を有するカルバペ
ネム系抗生物質はその立体配置が天然型のものに限られ
ており、例えばチエナマイシンは（５Ｒ、６Ｓ、８Ｒ）
の立体配置を有するもののみが抗菌活性を示すことが明
らかになっている。
ネム系抗生物質はその立体配置が天然型のものに限られ
ており、例えばチエナマイシンは（５Ｒ、６Ｓ、８Ｒ）
の立体配置を有するもののみが抗菌活性を示すことが明
らかになっている。
【化２９】 この発明の発明者らは、天然型のカルバペネム系化合物
の合成中間体として前記テトラヘドロンレターズ２３巻
第２２９３−２２９６頁（１９８２年）およびテトラヘ
ドロン３９巻第２５０５−２５１３頁（１９８３年）等
に記載されている（３Ｒ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−
ヒドロキシエチル］−４−アセトキシ−２−アゼチジノ
ン(Ａ)および（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−２−アゼチジノン(Ｂ)の立体選択的な合成法
についてさらに研究の結果、この発明の方法による不斉
合成法により極めて容易に化合物(Ａ)、(Ｂ)およびその
光学異性体を製造できることを見出し、この発明を完成
した。
の合成中間体として前記テトラヘドロンレターズ２３巻
第２２９３−２２９６頁（１９８２年）およびテトラヘ
ドロン３９巻第２５０５−２５１３頁（１９８３年）等
に記載されている（３Ｒ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−
ヒドロキシエチル］−４−アセトキシ−２−アゼチジノ
ン(Ａ)および（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−２−アゼチジノン(Ｂ)の立体選択的な合成法
についてさらに研究の結果、この発明の方法による不斉
合成法により極めて容易に化合物(Ａ)、(Ｂ)およびその
光学異性体を製造できることを見出し、この発明を完成
した。
【化３０】
【化３１】 即ち、この発明による化合物(Ａ)および(Ｂ)の立体選択
的な合成法は次のチャートＩＩで表わされる。
的な合成法は次のチャートＩＩで表わされる。
【００１６】チャートＩＩ
【化３２】
【化３３】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ7 、Ｒ10、
【化３４】 は前と同じ意味）
【００１７】製造法１’ 製造法１における出発物質であるアルカン酸アルキルエ
ステル(ＩＩ)の代りに、光学活性な（Ｒ）−β−ヒドロ
キシアルカン酸アルキルエステルまたはそのヒドロキシ
基に保護基が置換した化合物（以下、保護基が置換して
いてもよい基については基の名称に＊をつけて記載す
る）すなわち、（Ｒ）−β−ヒドロキシ*アルカン酸ア
ルキルエステル(ＩＩa)を化合物(ＩＩＩ)と製造法１と
同様に反応させることにより、ほぼ選択的にシス−３−
［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４−エチニル
* −２−アゼチジノンさらに詳しくは、（３Ｒ，４Ｓ）
−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４−エ
チニル* −２−アゼチジノン(Ｉg)を得ることができ
る。この反応では若干の量の化合物(Ｉi)および(Ｉk)な
どのトランス異性体などの立体異性体が副生することも
あるが、これらの副生物はシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより容易に分離することができる。この目的
化合物(Ｉg)は所望により次いで保護基の導入などの反
応に付したのち、次の製造法４または製造法５の反応に
付すことができる。
ステル(ＩＩ)の代りに、光学活性な（Ｒ）−β−ヒドロ
キシアルカン酸アルキルエステルまたはそのヒドロキシ
基に保護基が置換した化合物（以下、保護基が置換して
いてもよい基については基の名称に＊をつけて記載す
る）すなわち、（Ｒ）−β−ヒドロキシ*アルカン酸ア
ルキルエステル(ＩＩa)を化合物(ＩＩＩ)と製造法１と
同様に反応させることにより、ほぼ選択的にシス−３−
［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４−エチニル
* −２−アゼチジノンさらに詳しくは、（３Ｒ，４Ｓ）
−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４−エ
チニル* −２−アゼチジノン(Ｉg)を得ることができ
る。この反応では若干の量の化合物(Ｉi)および(Ｉk)な
どのトランス異性体などの立体異性体が副生することも
あるが、これらの副生物はシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより容易に分離することができる。この目的
化合物(Ｉg)は所望により次いで保護基の導入などの反
応に付したのち、次の製造法４または製造法５の反応に
付すことができる。
【００１８】製造法２’および３’ 製造法２’および製造法３’はそれぞれラセミ体を製造
する製造法２および製造法３と全く同様にして反応させ
ることができる。これらの反応は、原料として光学活性
体を使用すればその立体配置が保持されたまま進行し、
それぞれ、目的化合物(ＩＶa)および(Ｖa)を選択的に与
える。製造法３’の反応の最終目的物であるトランス−
３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４−アセ
トキシ−２−アゼチジノンさらに詳しくは、（３Ｒ，４
Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４
−アセトキシ−２−アゼチジノン(Ｖa)は、例えば、テ
トラヘドロン３９巻第２５０５−２５１３頁などに記載
されているように、カルバペネム系化合物の中間体とし
て極めて重要な立体配位をもつ化合物である。この発明
の反応によれば、上記のように極めて簡単に光学活性な
３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチジノン誘導体
(Ｖa)を製造することができる。
する製造法２および製造法３と全く同様にして反応させ
ることができる。これらの反応は、原料として光学活性
体を使用すればその立体配置が保持されたまま進行し、
それぞれ、目的化合物(ＩＶa)および(Ｖa)を選択的に与
える。製造法３’の反応の最終目的物であるトランス−
３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４−アセ
トキシ−２−アゼチジノンさらに詳しくは、（３Ｒ，４
Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］−４
−アセトキシ−２−アゼチジノン(Ｖa)は、例えば、テ
トラヘドロン３９巻第２５０５−２５１３頁などに記載
されているように、カルバペネム系化合物の中間体とし
て極めて重要な立体配位をもつ化合物である。この発明
の反応によれば、上記のように極めて簡単に光学活性な
３−置換−４−アセトキシ−２−アゼチジノン誘導体
(Ｖa)を製造することができる。
【００１９】製造法４ トランス−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］
−４−エチニル* −２−アゼチジノンさらに詳しくは、
（３Ｓ,４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* エチ
ル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉk)は、
（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アル
キル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉg)を、
式
−４−エチニル* −２−アゼチジノンさらに詳しくは、
（３Ｓ,４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* エチ
ル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉk)は、
（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アル
キル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉg)を、
式
【化３５】 （式中、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ同一または異
なった炭化水素残基、Ｘは、強酸残基をそれぞれ意味す
る）で示されるシリル化合物(ＶＩ)と反応させ、次い
で、加溶媒分解反応に付すことにより製造することがで
きる。「炭化水素残基」とは、前記のような低級アルキ
ル基、アリール基などが含まれる。［強酸残基］の好適
な例としては、例えばトリフルオロメタンスルホニルオ
キシなどのトリハロアルカンスルホニルオキシ基、トリ
（アルキル）シリルアイオダイド、などのスーパー酸の
残基およびそれらの均等物などが挙げられる。 (ｉ)第１工程 化合物(Ｉg)と(ＶＩ)との反応は、溶媒中冷却下ないし
加温下に行うことができる。好適な溶媒としては、特に
限定されないが、例えば前記のようなエーテル、アルコ
ール、酢酸エチル、クロロホルム、四塩化炭素、塩化メ
チレンなどのハロゲン化炭化水素溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシドのような極性溶
媒などの慣用の溶媒が挙げられる。この反応は所望によ
り、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなど
のアルカリ金属炭酸水素塩、例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸マグ
ネシウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ土類金属炭酸
塩などの無機塩基、例えばトリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミン
などのトリアルキルアミン、例えばピリジン、ピコリ
ン、ルチジン、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノピリジンなど
のピリジン類、キノリン、例えばＮ−メチルモルホリン
などのモルホリン類、例えばＮ，Ｎ−ジメチルベンジル
アミンなどのＮ，Ｎ−ジアルキルベンジルアミンなどの
有機塩基の存在下に反応を行ってもよい。 (ii)第２工程 上記の第１工程で得られた生成物は単離してもよいが、
通常単離することなく、加溶媒分解反応に付すことによ
り、化合物(Ｉk)を製造することができる。加溶媒分解
反応は加水分解、アルコール分解、アミノリシス等の慣
用の方法により行うことができるが、とくに、無機もし
くは有機の酸の存在下に加水分解することにより容易に
反応が進行する。加水分解に使用される酸は慣用の加水
分解に用いられる酸であれば特に限定されないが、例え
ば、塩酸、臭化水素酸、沃化水素酸、硫酸、三塩化硼
素、三臭化硼素などの無機酸、トリフルオロ酢酸、パラ
トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸などの有機酸な
どが挙げられる。加溶媒分解に使用される溶媒の種類は
特に限定されないが、水の他、上記のようなアルコー
ル、酢酸などの慣用の溶媒中で行うことができる。反応
温度は特に限定されないが、通常、氷冷下ないし加熱下
で反応を行うことができる。この反応によれば、アゼチ
ジノン環の３位と４位の配置を容易にシス体から所望の
トランス体すなわち（３Ｓ，４Ｓ）体に異性化すること
ができまた、トランス体から出発すればシス体を得るこ
とができるので極めて有用である。
なった炭化水素残基、Ｘは、強酸残基をそれぞれ意味す
る）で示されるシリル化合物(ＶＩ)と反応させ、次い
で、加溶媒分解反応に付すことにより製造することがで
きる。「炭化水素残基」とは、前記のような低級アルキ
ル基、アリール基などが含まれる。［強酸残基］の好適
な例としては、例えばトリフルオロメタンスルホニルオ
キシなどのトリハロアルカンスルホニルオキシ基、トリ
（アルキル）シリルアイオダイド、などのスーパー酸の
残基およびそれらの均等物などが挙げられる。 (ｉ)第１工程 化合物(Ｉg)と(ＶＩ)との反応は、溶媒中冷却下ないし
加温下に行うことができる。好適な溶媒としては、特に
限定されないが、例えば前記のようなエーテル、アルコ
ール、酢酸エチル、クロロホルム、四塩化炭素、塩化メ
チレンなどのハロゲン化炭化水素溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシドのような極性溶
媒などの慣用の溶媒が挙げられる。この反応は所望によ
り、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなど
のアルカリ金属炭酸水素塩、例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸マグ
ネシウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ土類金属炭酸
塩などの無機塩基、例えばトリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミン
などのトリアルキルアミン、例えばピリジン、ピコリ
ン、ルチジン、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノピリジンなど
のピリジン類、キノリン、例えばＮ−メチルモルホリン
などのモルホリン類、例えばＮ，Ｎ−ジメチルベンジル
アミンなどのＮ，Ｎ−ジアルキルベンジルアミンなどの
有機塩基の存在下に反応を行ってもよい。 (ii)第２工程 上記の第１工程で得られた生成物は単離してもよいが、
通常単離することなく、加溶媒分解反応に付すことによ
り、化合物(Ｉk)を製造することができる。加溶媒分解
反応は加水分解、アルコール分解、アミノリシス等の慣
用の方法により行うことができるが、とくに、無機もし
くは有機の酸の存在下に加水分解することにより容易に
反応が進行する。加水分解に使用される酸は慣用の加水
分解に用いられる酸であれば特に限定されないが、例え
ば、塩酸、臭化水素酸、沃化水素酸、硫酸、三塩化硼
素、三臭化硼素などの無機酸、トリフルオロ酢酸、パラ
トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸などの有機酸な
どが挙げられる。加溶媒分解に使用される溶媒の種類は
特に限定されないが、水の他、上記のようなアルコー
ル、酢酸などの慣用の溶媒中で行うことができる。反応
温度は特に限定されないが、通常、氷冷下ないし加熱下
で反応を行うことができる。この反応によれば、アゼチ
ジノン環の３位と４位の配置を容易にシス体から所望の
トランス体すなわち（３Ｓ，４Ｓ）体に異性化すること
ができまた、トランス体から出発すればシス体を得るこ
とができるので極めて有用である。
【００２０】製造法５ トランス−３−アルカノイル−４−エチニル* −２−ア
ゼチジノンさらに詳しくは、（３Ｓ，４Ｓ）−３−アル
カノイル−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉn)
は、(３Ｒ，４Ｓ)−３−［(Ｒ)−１−ヒドロキシ* アル
キル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉg)を酸
化することにより製造することができる。この酸化反応
は、所望によりジメチルアミン、ジエチルアミン、トリ
エチルアミンなどのアミンの存在下にトリフルオロ酢酸
無水物およびジメチルスルホキシドと反応させるかまた
は二酸化マンガンと反応させることにより行うことがで
きる。この反応は、例えば前記のようなハロゲン化炭化
水素溶媒、エーテル、酢酸エステル、水などの存在下に
行うこともできる。この反応は、アゼチジノン環の３、
４位の配位がシス・トランス変換されるので有用であ
る。
ゼチジノンさらに詳しくは、（３Ｓ，４Ｓ）−３−アル
カノイル−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉn)
は、(３Ｒ，４Ｓ)−３−［(Ｒ)−１−ヒドロキシ* アル
キル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉg)を酸
化することにより製造することができる。この酸化反応
は、所望によりジメチルアミン、ジエチルアミン、トリ
エチルアミンなどのアミンの存在下にトリフルオロ酢酸
無水物およびジメチルスルホキシドと反応させるかまた
は二酸化マンガンと反応させることにより行うことがで
きる。この反応は、例えば前記のようなハロゲン化炭化
水素溶媒、エーテル、酢酸エステル、水などの存在下に
行うこともできる。この反応は、アゼチジノン環の３、
４位の配位がシス・トランス変換されるので有用であ
る。
【００２１】製造法６ トランス−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アルキル］
−４−エチニル* −２−アゼチジノンさらに詳しくは、
（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アル
キル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉk)は、
（３Ｓ,４Ｓ）−３−アルカノイル−４−エチニル* −
２−アゼチジノン(Ｉn)を還元することにより製造する
ことができる。この還元反応は、前記のようなエーテル
溶媒中、トリ（第２級ブチル）水素化ホウ素カリウムも
しくはその均等物で処理することにより行うことができ
る。反応温度は通常氷冷下ないし加温下で行うことがで
きる。この還元反応は、立体選択的に進行し（３Ｓ，４
Ｓ）−３−アルカノイル−２−アゼチジノン(Ｉn)から
（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アル
キル］−２−アゼチジノン（Ｉk）を製造できる。この
発明の３−置換−４−エチニル* −２−アゼチジノン誘
導体(Ｉ)は、前記のような反応によって製造できる他、
下記のような保護基の導入反応、保護基の脱離反応など
により、他の３−置換−４−エチニル* −２−アゼチジ
ノン誘導体から合成することもできる。
−４−エチニル* −２−アゼチジノンさらに詳しくは、
（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アル
キル］−４−エチニル* −２−アゼチジノン(Ｉk)は、
（３Ｓ,４Ｓ）−３−アルカノイル−４−エチニル* −
２−アゼチジノン(Ｉn)を還元することにより製造する
ことができる。この還元反応は、前記のようなエーテル
溶媒中、トリ（第２級ブチル）水素化ホウ素カリウムも
しくはその均等物で処理することにより行うことができ
る。反応温度は通常氷冷下ないし加温下で行うことがで
きる。この還元反応は、立体選択的に進行し（３Ｓ，４
Ｓ）−３−アルカノイル−２−アゼチジノン(Ｉn)から
（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシ* アル
キル］−２−アゼチジノン（Ｉk）を製造できる。この
発明の３−置換−４−エチニル* −２−アゼチジノン誘
導体(Ｉ)は、前記のような反応によって製造できる他、
下記のような保護基の導入反応、保護基の脱離反応など
により、他の３−置換−４−エチニル* −２−アゼチジ
ノン誘導体から合成することもできる。
【００２２】製造法７
【化３６】 製造法８
【化３７】 製造法９
【化３８】
【００２３】製造法１０
【化３９】 製造法１１
【化４０】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ7 は前と同じ
意味、Ｒ9 およびＲ14は保護基、Ｒ15はトリ（低級アル
キル）シリル基をそれぞれ意味する）Ｒ9 の「保護基」
の好適な例としては、Ｒ3 で説明した保護基と同じもの
が挙げられる。Ｒ14の［保護基」の好適な例としては、
前記の「保護されたヒドロキシ基」の項で説明した保護
基と同じものが挙げられる。
意味、Ｒ9 およびＲ14は保護基、Ｒ15はトリ（低級アル
キル）シリル基をそれぞれ意味する）Ｒ9 の「保護基」
の好適な例としては、Ｒ3 で説明した保護基と同じもの
が挙げられる。Ｒ14の［保護基」の好適な例としては、
前記の「保護されたヒドロキシ基」の項で説明した保護
基と同じものが挙げられる。
【００２４】製造法７ 化合物(Ｉx)は、化合物(Ｉw)を式 Ｒ9 −Ｙ (ＶＩＩＩ) （式中、Ｒ9 は、前と同じ意味、Ｙは酸残基を意味す
る）で示される化合物と反応させることにより製造する
ことができる。好適な「酸残基」としては、ハロゲン、
メシルオキシ、ｐ−トルエンスルホニルオキシなどが挙
げられる。好適な化合物(ＶＩＩＩ)としては、例えば、
トリメチルシリルクロリド、トリメチルシリルブロミ
ド、第３級ブチルジメチルシリルクロリド、ｐ−ニトロ
ベンジルクロリド、アセチルクロリドなどのハロゲン化
物が挙げられる。反応は所望により、製造法４で例示し
たような塩基の存在下に反応を行うことができる。溶媒
としては、特に限定されないが、例えばアセトン、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、塩化メ
チレン、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど
の慣用の溶媒が挙げられる。また、この反応は、原料化
合物(Ｉw)中に遊離の水酸基がある場合には、化合物(Ｉ
w)をあらかじめ製造法１で例示したような溶媒中−６０
℃以下の温度でブチルリチウムまたはヘキサメチルジシ
ラザンとブチルリチウムの反応生成物であるビス（トリ
メチルシリル）アミドリチウムと処理し、次いでシリル
化剤と反応させることにより、水酸基はそのままで、ア
ゼチジノン環の窒素原子のみに選択的に保護基を導入す
ることができる。
る）で示される化合物と反応させることにより製造する
ことができる。好適な「酸残基」としては、ハロゲン、
メシルオキシ、ｐ−トルエンスルホニルオキシなどが挙
げられる。好適な化合物(ＶＩＩＩ)としては、例えば、
トリメチルシリルクロリド、トリメチルシリルブロミ
ド、第３級ブチルジメチルシリルクロリド、ｐ−ニトロ
ベンジルクロリド、アセチルクロリドなどのハロゲン化
物が挙げられる。反応は所望により、製造法４で例示し
たような塩基の存在下に反応を行うことができる。溶媒
としては、特に限定されないが、例えばアセトン、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、塩化メ
チレン、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど
の慣用の溶媒が挙げられる。また、この反応は、原料化
合物(Ｉw)中に遊離の水酸基がある場合には、化合物(Ｉ
w)をあらかじめ製造法１で例示したような溶媒中−６０
℃以下の温度でブチルリチウムまたはヘキサメチルジシ
ラザンとブチルリチウムの反応生成物であるビス（トリ
メチルシリル）アミドリチウムと処理し、次いでシリル
化剤と反応させることにより、水酸基はそのままで、ア
ゼチジノン環の窒素原子のみに選択的に保護基を導入す
ることができる。
【００２５】製造法８ 化合物(Ｉw)は、化合物(Ｉx)を保護基の脱離反応に付す
ことにより製造することができる。この反応は、化合物
(Ｉx)をアルコールのような慣用の溶媒中で濃塩酸のよ
うなプロトン酸で処理することにより進行する。反応温
度は特に限定されず、冷却下ないし加熱下に反応を行う
ことができる。
ことにより製造することができる。この反応は、化合物
(Ｉx)をアルコールのような慣用の溶媒中で濃塩酸のよ
うなプロトン酸で処理することにより進行する。反応温
度は特に限定されず、冷却下ないし加熱下に反応を行う
ことができる。
【００２６】製造法９ 化合物(Ｉy)は、化合物(Ｉt)を式 Ｒ14−Ｙ (ＩＸ) （式中、Ｒ14およびＹはそれぞれ前と同じ意味）で示さ
れる化合物と反応させることにより製造することができ
る。好適な化合物(ＩＸ)の例およびこの好適な反応条件
などは、製造法７で説明したものと同じものが挙げられ
る。但し、反応温度は、−１０℃から１００℃までの範
囲で選択しうる。
れる化合物と反応させることにより製造することができ
る。好適な化合物(ＩＸ)の例およびこの好適な反応条件
などは、製造法７で説明したものと同じものが挙げられ
る。但し、反応温度は、−１０℃から１００℃までの範
囲で選択しうる。
【００２７】製造法１０ 化合物(Ｉt)は化合物(Ｉy)を加溶媒分解反応に付すこと
により容易に製造することができる。この反応は、前記
製造法４の第２工程と同様にして行うことができる。
により容易に製造することができる。この反応は、前記
製造法４の第２工程と同様にして行うことができる。
【００２８】製造法１１ 化合物(Ｉz)は化合物(Ｉo)をその保護基の脱離反応に付
すことにより製造することができる。この保護基の脱離
反応は、例えば、水、アルコール、エーテルなどの慣用
の溶媒中でフッ化セシウムと反応させることにより行う
ことができる。反応温度は特に限定されず、室温ないし
加熱下に反応を行うことができる。さらに、この発明の
発明者らは、３，４−シス−２−アゼチジノン誘導体
(Ｘ)のトランス体(ＸＩ)への変換方法について鋭意研究
の結果、次の製造法１２で述べる方法により容易に達成
できることを見出し、この発明を完成した。
すことにより製造することができる。この保護基の脱離
反応は、例えば、水、アルコール、エーテルなどの慣用
の溶媒中でフッ化セシウムと反応させることにより行う
ことができる。反応温度は特に限定されず、室温ないし
加熱下に反応を行うことができる。さらに、この発明の
発明者らは、３，４−シス−２−アゼチジノン誘導体
(Ｘ)のトランス体(ＸＩ)への変換方法について鋭意研究
の結果、次の製造法１２で述べる方法により容易に達成
できることを見出し、この発明を完成した。
【００２９】製造法１２
【化４１】 （式中、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ7 、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、
およびＸはそれぞれ前と同じ、Ｚは有機残基をそれぞれ
意味する）Ｚにおける「有機残基」の好適な例として
は、Ｒ1 において例示したような有機残基と同じものが
挙げられる。３，４−トランス−２−アゼチジノン誘導
体(ＸＩ)は、３，４−シス−２−アゼチジノン誘導体
(Ｘ)と化合物(ＶＩ)とを反応させ、次いで得られた化合
物を単離後もしくは単離することなく加溶媒分解反応に
付すことにより製造することができる。この反応は前に
記載した製造法４と全く同様にして行うことができる。
以下、この発明を実施例により、さらに詳細に説明す
る。
およびＸはそれぞれ前と同じ、Ｚは有機残基をそれぞれ
意味する）Ｚにおける「有機残基」の好適な例として
は、Ｒ1 において例示したような有機残基と同じものが
挙げられる。３，４−トランス−２−アゼチジノン誘導
体(ＸＩ)は、３，４−シス−２−アゼチジノン誘導体
(Ｘ)と化合物(ＶＩ)とを反応させ、次いで得られた化合
物を単離後もしくは単離することなく加溶媒分解反応に
付すことにより製造することができる。この反応は前に
記載した製造法４と全く同様にして行うことができる。
以下、この発明を実施例により、さらに詳細に説明す
る。
【００３０】製造例１
【化４２】 １，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン
（１．３０ｇ）を乾燥テトラハイドロフラン（１５ｍ
ｌ）に溶解した液に、−５℃−０℃で市販のｎ−ブチル
リチウム（１．６０Ｍ）ヘキサン溶液５ｍｌを滴下し、
リチウムビス（トリメチルシリル）アミドを含有する液
を製造する。この反応液を０℃で１０分間撹拌した後、
トリメチルシリルプロピナール（１．０ｇ）の乾燥テト
ラヒドロフラン（５ｍｌ）溶液に−７０℃〜−６５℃で
滴下する。反応液を−７０℃で１時間撹拌し、トリメチ
ルシリルイミン化合物を含有する液を得る。市販のｎ−
ブチルリチウム・ヘキサン溶液（１３ｍｌ）を、−５℃
〜０℃でジイソプロピルアミン（２．０ｇ）の乾燥テト
ラヒドロフラン（１５ｍｌ）溶液へ滴下し、リチウム・
ジイソプロピルアミンを含有する液を製造する。この溶
液を−７０℃に冷却後、この溶液に３−ヒドロキシブタ
ン酸エチルエステル（１．２０ｇ）の乾燥テトラヒドロ
フラン（５ｍｌ）溶液を滴下し、さらに同温で１．５時
間撹拌する。この溶液に、先に製造したトリメチルシリ
ルイミン化合物を含有する液を反応温度が−６５℃を超
えないように注意しながら滴下する。反応液を−７０℃
で１．５時間、さらに室温で１．５時間撹拌後、１０％
塩酸（３０ｍｌ）および酢酸エチル（２５０ｍｌ）の混
合液に注ぎ、１０％塩酸でｐＨを３．０へ調整する。有
機層を分取し、水洗、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃
縮する。得られた褐色の残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーに付し（２３％酢酸エチル−ヘキサン混合
液で溶出）、溶出液を減圧濃縮して、残渣をｎ−ヘキサ
ンで洗うことにより、０．２０ｇのシスすなわち（３
Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン
（１）を白色結晶として得る。 融点 : 95−97℃ IR (ヌジョール) : 3360, 3190, 1755 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.18 (3H,d,J=7.1H
z), 2.74 (1H,d,J=3.3Hz), 3.21 (1H,ddd,J=7.7, 6.7,
1.5Hz), 4.12 (1H,m), 4.22 (1H,d,J=6.7Hz), 6.50 (1
H,m) 施光度 [α]20 D : -11.8°(C=1.12, EtoH) 一方、ｎ−ヘキサン洗液を減圧乾燥することにより、
０．１ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシエチル）−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンを油
状物として得る。 IR (ヌジョール) : 3300, 1770(sh), 1740, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.10 (3H,m), 2.10
(1H,m), 3.18 (1H,dd,J=3.3, 3.3Hz), 4.06 (1H,d,J=3.
3Hz), 4.16 (1H,m), 6.23 (1H,m)
（１．３０ｇ）を乾燥テトラハイドロフラン（１５ｍ
ｌ）に溶解した液に、−５℃−０℃で市販のｎ−ブチル
リチウム（１．６０Ｍ）ヘキサン溶液５ｍｌを滴下し、
リチウムビス（トリメチルシリル）アミドを含有する液
を製造する。この反応液を０℃で１０分間撹拌した後、
トリメチルシリルプロピナール（１．０ｇ）の乾燥テト
ラヒドロフラン（５ｍｌ）溶液に−７０℃〜−６５℃で
滴下する。反応液を−７０℃で１時間撹拌し、トリメチ
ルシリルイミン化合物を含有する液を得る。市販のｎ−
ブチルリチウム・ヘキサン溶液（１３ｍｌ）を、−５℃
〜０℃でジイソプロピルアミン（２．０ｇ）の乾燥テト
ラヒドロフラン（１５ｍｌ）溶液へ滴下し、リチウム・
ジイソプロピルアミンを含有する液を製造する。この溶
液を−７０℃に冷却後、この溶液に３−ヒドロキシブタ
ン酸エチルエステル（１．２０ｇ）の乾燥テトラヒドロ
フラン（５ｍｌ）溶液を滴下し、さらに同温で１．５時
間撹拌する。この溶液に、先に製造したトリメチルシリ
ルイミン化合物を含有する液を反応温度が−６５℃を超
えないように注意しながら滴下する。反応液を−７０℃
で１．５時間、さらに室温で１．５時間撹拌後、１０％
塩酸（３０ｍｌ）および酢酸エチル（２５０ｍｌ）の混
合液に注ぎ、１０％塩酸でｐＨを３．０へ調整する。有
機層を分取し、水洗、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃
縮する。得られた褐色の残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーに付し（２３％酢酸エチル−ヘキサン混合
液で溶出）、溶出液を減圧濃縮して、残渣をｎ−ヘキサ
ンで洗うことにより、０．２０ｇのシスすなわち（３
Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン
（１）を白色結晶として得る。 融点 : 95−97℃ IR (ヌジョール) : 3360, 3190, 1755 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.18 (3H,d,J=7.1H
z), 2.74 (1H,d,J=3.3Hz), 3.21 (1H,ddd,J=7.7, 6.7,
1.5Hz), 4.12 (1H,m), 4.22 (1H,d,J=6.7Hz), 6.50 (1
H,m) 施光度 [α]20 D : -11.8°(C=1.12, EtoH) 一方、ｎ−ヘキサン洗液を減圧乾燥することにより、
０．１ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシエチル）−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンを油
状物として得る。 IR (ヌジョール) : 3300, 1770(sh), 1740, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.10 (3H,m), 2.10
(1H,m), 3.18 (1H,dd,J=3.3, 3.3Hz), 4.06 (1H,d,J=3.
3Hz), 4.16 (1H,m), 6.23 (1H,m)
【００３１】製造例２ 化合物（１）および化合物（２）の合成 アルゴン気流下で１，１，１，３，３，３−ヘキサメチ
ルジシラザン（３．８ｇ）を乾燥テトラヒドロフラン
（２０ｍｌ）溶液に溶解した後、−１０℃〜−５℃で市
販ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ）ヘキサン溶液（１５
ｍｌ）を滴下し、リチウムビス（トリメチルシリル）ア
ミド含有液を製造する。この溶液を−１０℃で０．５時
間撹拌した後、この溶液にトリメチルシリルプロピナー
ル（３．０ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（４ｍｌ）を
反応温度が−６８℃を超えないように滴下する。滴下終
了後、反応液を−７５℃で１時間撹拌して、トリメチル
シリルイミン化合物を含有する溶液を製造する。アルゴ
ン気流中で、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジ
シラザン（８ｇ）とｎ−ブチルリチウム・ヘキサン溶液
（３０ｍｌ）を上記と同様に反応させて、リチウムビス
（トリメチルシリル）アミド含有液を製造した後、この
溶液に、３−ヒドロキシブタン酸エチルエステル（２．
６ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（４ｍｌ）溶液を−６
８℃以下で徐々に滴下し、さらに−７０℃以下で１時間
撹拌する。この反応液に、上記で製造したトリメチルシ
リルイミン化合物を含有する液を−７０℃以下で加え、
同温で１時間さらに３℃で１時間撹拌する。反応液を酢
酸エチル（２００ｍｌ）、食塩水（２００ｍｌ）、酢酸
（２０ｍｌ）の混合液中へ注いだ後、６Ｎ塩酸でｐＨを
３．８に調整する。有機層を分取し、食塩水で洗浄後、
重曹水でｐＨを７．５に調整した後有機層を分取、食塩
水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮する。残
渣に、ｎ−ヘキサン（５０ｍｌ）を加え、室温で１５時
間放置し、生成する結晶を濾取して、１．３５ｇのシス
−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得る。この目
的物の物性値は製造例１で得られたものと同一であるこ
とが確認された。ｎ−ヘキサン母液をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製して、シス対トランスが
１対２の比率で含有された３−（１−ヒドロキシエチ
ル）−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノ
ン（１．５４ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3350, 3200, 2150, 1760, 1740 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (9H,s),1.13 (d,J=6.6Hz) 1.20
(d,J=6.6Hz) ｝3H, 2.90 (1H.m),3.17 (1H,m), 4.13 (2
H,m),6.70 (m) 6.80 (m) ｝1H
ルジシラザン（３．８ｇ）を乾燥テトラヒドロフラン
（２０ｍｌ）溶液に溶解した後、−１０℃〜−５℃で市
販ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ）ヘキサン溶液（１５
ｍｌ）を滴下し、リチウムビス（トリメチルシリル）ア
ミド含有液を製造する。この溶液を−１０℃で０．５時
間撹拌した後、この溶液にトリメチルシリルプロピナー
ル（３．０ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（４ｍｌ）を
反応温度が−６８℃を超えないように滴下する。滴下終
了後、反応液を−７５℃で１時間撹拌して、トリメチル
シリルイミン化合物を含有する溶液を製造する。アルゴ
ン気流中で、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジ
シラザン（８ｇ）とｎ−ブチルリチウム・ヘキサン溶液
（３０ｍｌ）を上記と同様に反応させて、リチウムビス
（トリメチルシリル）アミド含有液を製造した後、この
溶液に、３−ヒドロキシブタン酸エチルエステル（２．
６ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（４ｍｌ）溶液を−６
８℃以下で徐々に滴下し、さらに−７０℃以下で１時間
撹拌する。この反応液に、上記で製造したトリメチルシ
リルイミン化合物を含有する液を−７０℃以下で加え、
同温で１時間さらに３℃で１時間撹拌する。反応液を酢
酸エチル（２００ｍｌ）、食塩水（２００ｍｌ）、酢酸
（２０ｍｌ）の混合液中へ注いだ後、６Ｎ塩酸でｐＨを
３．８に調整する。有機層を分取し、食塩水で洗浄後、
重曹水でｐＨを７．５に調整した後有機層を分取、食塩
水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮する。残
渣に、ｎ−ヘキサン（５０ｍｌ）を加え、室温で１５時
間放置し、生成する結晶を濾取して、１．３５ｇのシス
−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得る。この目
的物の物性値は製造例１で得られたものと同一であるこ
とが確認された。ｎ−ヘキサン母液をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製して、シス対トランスが
１対２の比率で含有された３−（１−ヒドロキシエチ
ル）−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノ
ン（１．５４ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3350, 3200, 2150, 1760, 1740 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (9H,s),1.13 (d,J=6.6Hz) 1.20
(d,J=6.6Hz) ｝3H, 2.90 (1H.m),3.17 (1H,m), 4.13 (2
H,m),6.70 (m) 6.80 (m) ｝1H
【００３２】製造例３ 化合物（１）および（２）の合成 アルゴン気流中、乾燥テトラヒドロフラン（１０ｍ
ｌ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザ
ン（１．１ｍｌ）、市販のｎ−ブチルリチウム（１．６
Ｍ）ヘキサン溶液（３ｍｌ）、トリメチルシリルプロピ
ナール（０．６ｇ）および乾燥テトラヒドロフラン（２
ｍｌ）を製造例１と同様に反応させて、トリメチルシリ
ルイミン化合物を含有する液を製造する。アルゴン気流
中で、乾燥テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、ジイソプ
ロピルアミン（１．７ｍｌ）、ｎ−ブチルリチウム・ヘ
キサン溶液（７ｍｌ）を実施例１と同様に処理してリチ
ウム・ジイソプロピルアミンを含有する溶液を製造し、
この溶液に３−ヒドロキシブタン酸エチルエステル
（０．６５ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（２ｍｌ）溶
液を反応温度が−６８℃を超えないように注意しながら
滴下する。滴下終了後−７０℃でさらに４０分間撹拌す
る。この溶液に同温でトリイソプロピルホウ素（２．３
ｍｌ）を加えた後、１時間撹拌する。この溶液に、上記
で製造したトリメチルシリルイミン化合物を含有する液
を−６８℃以下で加えた後、同温で３０分さらに３℃で
１時間撹拌する。反応液に酢酸（３ｍｌ）を加えた後、
酢酸エチル（７０ｍｌ）および食塩水（５０ｍｌ）の混
合液中へ注ぐ。有機層を分取し、食塩水、重曹水、食塩
水で順次洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付して、
０．２９ｇの３−（１−ヒドロキシエチル）−４−トリ
メチルシリルエチニル−２−アゼチジノンをシス対トラ
ンス＝１対２の比率で得る。
ｌ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザ
ン（１．１ｍｌ）、市販のｎ−ブチルリチウム（１．６
Ｍ）ヘキサン溶液（３ｍｌ）、トリメチルシリルプロピ
ナール（０．６ｇ）および乾燥テトラヒドロフラン（２
ｍｌ）を製造例１と同様に反応させて、トリメチルシリ
ルイミン化合物を含有する液を製造する。アルゴン気流
中で、乾燥テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、ジイソプ
ロピルアミン（１．７ｍｌ）、ｎ−ブチルリチウム・ヘ
キサン溶液（７ｍｌ）を実施例１と同様に処理してリチ
ウム・ジイソプロピルアミンを含有する溶液を製造し、
この溶液に３−ヒドロキシブタン酸エチルエステル
（０．６５ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（２ｍｌ）溶
液を反応温度が−６８℃を超えないように注意しながら
滴下する。滴下終了後−７０℃でさらに４０分間撹拌す
る。この溶液に同温でトリイソプロピルホウ素（２．３
ｍｌ）を加えた後、１時間撹拌する。この溶液に、上記
で製造したトリメチルシリルイミン化合物を含有する液
を−６８℃以下で加えた後、同温で３０分さらに３℃で
１時間撹拌する。反応液に酢酸（３ｍｌ）を加えた後、
酢酸エチル（７０ｍｌ）および食塩水（５０ｍｌ）の混
合液中へ注ぐ。有機層を分取し、食塩水、重曹水、食塩
水で順次洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付して、
０．２９ｇの３−（１−ヒドロキシエチル）−４−トリ
メチルシリルエチニル−２−アゼチジノンをシス対トラ
ンス＝１対２の比率で得る。
【００３３】製造例４
【化４３】 シス−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−ト
リメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン（０．２
ｇ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（７ｍｌ）溶液
に、イミダゾール（０．２ｇ）および第３級ブチル−ジ
メチルシリルクロリド（０．３ｇ）を加え、６０℃〜６
５℃で１．５時間撹拌する。反応液を酢酸エチル（５０
ｍｌ）および水（５０ｍｌ）の混合液へ注ぎ、有機層を
分取し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウム乾燥後減圧濃
縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
して、０．２４ｇのシス−すなわち（３Ｒ，４Ｓ）−３
−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−ア
ゼチジノンを結晶として得る。 IR (ヌジョール) : 3200, 2150, 1765 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (15H,s), 0.9 (9H,s), 1.30 (3H,
d,J=6.6Hz), 3.30(1H,m), 4.30 (1H,d,J=6.0Hz), 4.30
(1H,m), 6.17 (1H,m) 施光度 [α]14 D : -20.6゜(C=1.01, エタノール)
リメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン（０．２
ｇ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（７ｍｌ）溶液
に、イミダゾール（０．２ｇ）および第３級ブチル−ジ
メチルシリルクロリド（０．３ｇ）を加え、６０℃〜６
５℃で１．５時間撹拌する。反応液を酢酸エチル（５０
ｍｌ）および水（５０ｍｌ）の混合液へ注ぎ、有機層を
分取し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウム乾燥後減圧濃
縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
して、０．２４ｇのシス−すなわち（３Ｒ，４Ｓ）−３
−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−ア
ゼチジノンを結晶として得る。 IR (ヌジョール) : 3200, 2150, 1765 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (15H,s), 0.9 (9H,s), 1.30 (3H,
d,J=6.6Hz), 3.30(1H,m), 4.30 (1H,d,J=6.0Hz), 4.30
(1H,m), 6.17 (1H,m) 施光度 [α]14 D : -20.6゜(C=1.01, エタノール)
【００３４】製造例５
【化４４】 シス−３−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリ
ルオキシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−
２−アゼチジノン（０．２４ｇ）をテトラヒドロフラン
（５ｍｌ）および水（１ｍｌ）の混液に溶解後、この溶
液に硫酸第二水銀（０．０３ｇ）および濃硫酸（０．０
６ｇ）を加えて室温で１５時間撹拌する。反応液に炭酸
水素ナトリウム（０．２ｇ）を加えた後、酢酸エチル−
水の混合液中へ注ぎ、有機層を分取し、食塩水で洗浄、
硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付して、０．０３ｇのシ
ス−４−アセチル−３−［１−（第３級ブチルジメチル
シリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得る。 IR (ヌジョール) : 1950, 1760, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.9 (9H,s), 1.33 (3H,
d,J=6.2Hz), 2.30(3H,s), 3.73 (1H,dd,J=6.2, 3.3Hz),
4.20 (1H,d,J=6.0Hz), 4.40 (1H,dd,J=6.0,3.3Hz), 6.
67 (1H,m)
ルオキシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−
２−アゼチジノン（０．２４ｇ）をテトラヒドロフラン
（５ｍｌ）および水（１ｍｌ）の混液に溶解後、この溶
液に硫酸第二水銀（０．０３ｇ）および濃硫酸（０．０
６ｇ）を加えて室温で１５時間撹拌する。反応液に炭酸
水素ナトリウム（０．２ｇ）を加えた後、酢酸エチル−
水の混合液中へ注ぎ、有機層を分取し、食塩水で洗浄、
硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付して、０．０３ｇのシ
ス−４−アセチル−３−［１−（第３級ブチルジメチル
シリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得る。 IR (ヌジョール) : 1950, 1760, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.9 (9H,s), 1.33 (3H,
d,J=6.2Hz), 2.30(3H,s), 3.73 (1H,dd,J=6.2, 3.3Hz),
4.20 (1H,d,J=6.0Hz), 4.40 (1H,dd,J=6.0,3.3Hz), 6.
67 (1H,m)
【００３５】製造例６ 化合物（３）および
【化４５】 ３−（１−ヒドロキシエチル）−４−トリメチルシリル
エチニル−２−アゼチジノンのシス体およびトランス体
の混合物（１．４４ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド（１５ｍｌ）に溶解後、イミダゾール（１．４ｇ）お
よび第３級ブチルジメチルシリルクロリド（３．０ｇ）
を加え、６０℃で２時間撹拌する。反応液を酢酸エチル
（１００ｍｌ）および水（５０ｍｌ）の混液へ注ぎ、有
機層を分取し、水、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧濃縮する。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーに付して、０．６２ｇのシス−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノンおよび０．９７ｇのトランス−３−［１−（第３
級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンならびに０．３
６ｇのシス体およびトランス体の混合物を得る。シス体
の物性値は製造例４で得られたものと一致した。 トランス体の物性値 IR (ヌジョール) : 3150, 3100, 2200, 1760, 1720 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (15H,m), 0.83 (9H,m), 1.20 お
よび 1.27 (d,J=6.7Hz計 3H), 3.23 および 3.37 (m,
計 1H), 4.13 および 4.30 (d,J=3Hz,計 1H), 4.23 (1
H,m), 6.47 (1H,m)
エチニル−２−アゼチジノンのシス体およびトランス体
の混合物（１．４４ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド（１５ｍｌ）に溶解後、イミダゾール（１．４ｇ）お
よび第３級ブチルジメチルシリルクロリド（３．０ｇ）
を加え、６０℃で２時間撹拌する。反応液を酢酸エチル
（１００ｍｌ）および水（５０ｍｌ）の混液へ注ぎ、有
機層を分取し、水、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧濃縮する。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーに付して、０．６２ｇのシス−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノンおよび０．９７ｇのトランス−３−［１−（第３
級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンならびに０．３
６ｇのシス体およびトランス体の混合物を得る。シス体
の物性値は製造例４で得られたものと一致した。 トランス体の物性値 IR (ヌジョール) : 3150, 3100, 2200, 1760, 1720 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (15H,m), 0.83 (9H,m), 1.20 お
よび 1.27 (d,J=6.7Hz計 3H), 3.23 および 3.37 (m,
計 1H), 4.13 および 4.30 (d,J=3Hz,計 1H), 4.23 (1
H,m), 6.47 (1H,m)
【００３６】参考例１
【化４６】 トランス−３−［１−（第３級ブチルジメチルシリルオ
キシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−
アゼチジノン（１．２ｇ）をテトラヒドロフラン（２０
ｍｌ）および水（２ｍｌ）の混合液に溶解後、この溶液
を硫酸第二水銀（０．０７ｇ）および濃硫酸（触媒量）
を加え、室温で１５時間撹拌する。反応液を酢酸エチル
（１５０ｍｌ）および水（１００ｍｌ）中へ注ぎ、有機
層を分取し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥
後、減圧濃縮することにより、０．６０ｇのトランス−
４−アセチル−３−［１−第３級ブチルジメチルシリル
オキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得る。 IR (ヌジョール) : 3200, 1745 (肩), 1740, 1705 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.83 (9H,s), 1.23 およ
び 1.28 (d,J=6.7Hz計 3H), 2.17 および 2.20 (s, 計
3H), 3.03 および 3.17 (m, 計 1H),4.10 および 4.20
(d,J=3Hz, 計 1H), 4.23 (1H,m), 6.63 (1H,m)
キシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−
アゼチジノン（１．２ｇ）をテトラヒドロフラン（２０
ｍｌ）および水（２ｍｌ）の混合液に溶解後、この溶液
を硫酸第二水銀（０．０７ｇ）および濃硫酸（触媒量）
を加え、室温で１５時間撹拌する。反応液を酢酸エチル
（１５０ｍｌ）および水（１００ｍｌ）中へ注ぎ、有機
層を分取し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥
後、減圧濃縮することにより、０．６０ｇのトランス−
４−アセチル−３−［１−第３級ブチルジメチルシリル
オキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得る。 IR (ヌジョール) : 3200, 1745 (肩), 1740, 1705 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.83 (9H,s), 1.23 およ
び 1.28 (d,J=6.7Hz計 3H), 2.17 および 2.20 (s, 計
3H), 3.03 および 3.17 (m, 計 1H),4.10 および 4.20
(d,J=3Hz, 計 1H), 4.23 (1H,m), 6.63 (1H,m)
【００３７】参考例２
【化４７】 トランス−４−アセチル−３−［１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノン
（０．２３ｇ）のクロロホルム（１５ｍｌ）溶液に、メ
タクロロ過安息香酸（１ｇ）を加え、室温で１５時間放
置する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）、５％チオ
硫酸ナトリウム水（５０ｍｌ）および重曹水（３０ｍ
ｌ）混合液中へ注いだ後、有機層を分取し、食塩水で洗
浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮して０．２３
ｇのトランス−４−アセトキシ−３−［１−（第３級ブ
チルジメチルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得
る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1750 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.87 (9H,s), 1.23 およ
び 1.32 (d,J=7.3Hz,計 3H), 2.10 (3H,s), 3.23 (1H,
m), 4.30 (1H,m), 5.73 および 5.90(broad s, 計 1H),
6.87(1H,m)
メチルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノン
（０．２３ｇ）のクロロホルム（１５ｍｌ）溶液に、メ
タクロロ過安息香酸（１ｇ）を加え、室温で１５時間放
置する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）、５％チオ
硫酸ナトリウム水（５０ｍｌ）および重曹水（３０ｍ
ｌ）混合液中へ注いだ後、有機層を分取し、食塩水で洗
浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮して０．２３
ｇのトランス−４−アセトキシ−３−［１−（第３級ブ
チルジメチルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得
る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1750 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.87 (9H,s), 1.23 およ
び 1.32 (d,J=7.3Hz,計 3H), 2.10 (3H,s), 3.23 (1H,
m), 4.30 (1H,m), 5.73 および 5.90(broad s, 計 1H),
6.87(1H,m)
【００３８】参考例３
【化４８】 トランス−４−アセトキシ−３−［１−（第３級ブチル
ジメチルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノン
（０．２０ｇ）を酢酸（５ｍｌ）および水（２ｍｌ）の
混液に溶解した後、７０〜８０℃で２．５時間撹拌す
る。反応液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーに付して、０．０３ｇのトランス−４−
アセトキシ−３−（１−ヒドロキシエチル）−２−アゼ
チジノンを得る。 IR (ニート) : 3300, 1750, 1680 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.37 および 1.43 (d,J=6.6Hz, 計
3.3H), 2.13 (3H,s),2.83 および 3.13 (m, 計 1H), 3.
23 (1H,m), 4.20 (1H,m), 5.77 および5.87 (broad s,
計 1H), 7.13 (1H,m)
ジメチルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノン
（０．２０ｇ）を酢酸（５ｍｌ）および水（２ｍｌ）の
混液に溶解した後、７０〜８０℃で２．５時間撹拌す
る。反応液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーに付して、０．０３ｇのトランス−４−
アセトキシ−３−（１−ヒドロキシエチル）−２−アゼ
チジノンを得る。 IR (ニート) : 3300, 1750, 1680 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.37 および 1.43 (d,J=6.6Hz, 計
3.3H), 2.13 (3H,s),2.83 および 3.13 (m, 計 1H), 3.
23 (1H,m), 4.20 (1H,m), 5.77 および5.87 (broad s,
計 1H), 7.13 (1H,m)
【００３９】製造例７
【化４９】 ３−（１−ヒドロキシエチル）−４−トリメチルシリル
エチニル−２−アゼチジノンのシスおよびトランスの混
合物（１．０ｇ）をテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）お
よびメタノール（５ｍｌ）の混液に溶解後、この溶液
に、セシウムフルオリド（０．２ｇ）の水（２ｍｌ）溶
液を加え、６０℃で１時間撹拌する。反応液を減圧濃縮
し、残渣を酢酸エチル（２０ｍｌ）およびテトラヒドロ
フラン（２０ｍｌ）で抽出し、抽出液を硫酸マグネシウ
ムで乾燥、減圧濃縮した後、酢酸エチルで晶析して、
０．１８ｇのシス−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチ
ル］−４−エチニル−２−アゼチジノンを得る。酢酸エ
チル母液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
し、０．１０ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシエチ
ル）−４−エチニル−２−アゼチジノン、ならびに、シ
スおよびトランス体の混合物（０．３ｇ）を得る。 シス体物性値 IR (ヌジョール) : 3400, 3250, 3200, 2100, 1740 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.37 (3H,d,J=6.6Hz), 2.57 (1H,d,
J=2.5Hz), 2.77(1H,d,J=3.0Hz), 3.37 (1H,m), 4.30 (1
H,m), 4.43 (1H,dd,J=6.6,2.5Hz), 6.50 (1H,m) トランス体物性値 IR (クロロホルム) : 3400, 3300, 2250, 1760 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.33 および 1.40 (d,J=6.6Hz, 計
3H), 2.57 (1H,d,J=2.0Hz), 2.87 および 3.87 (m, 計
1H), 3.43 (1H,m), 4.20 (1H,m),4.30 および 4.47 (d
d,J=3.3, 2.0Hz, 計 1H), 7.20 (1H,m)
エチニル−２−アゼチジノンのシスおよびトランスの混
合物（１．０ｇ）をテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）お
よびメタノール（５ｍｌ）の混液に溶解後、この溶液
に、セシウムフルオリド（０．２ｇ）の水（２ｍｌ）溶
液を加え、６０℃で１時間撹拌する。反応液を減圧濃縮
し、残渣を酢酸エチル（２０ｍｌ）およびテトラヒドロ
フラン（２０ｍｌ）で抽出し、抽出液を硫酸マグネシウ
ムで乾燥、減圧濃縮した後、酢酸エチルで晶析して、
０．１８ｇのシス−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチ
ル］−４−エチニル−２−アゼチジノンを得る。酢酸エ
チル母液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
し、０．１０ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシエチ
ル）−４−エチニル−２−アゼチジノン、ならびに、シ
スおよびトランス体の混合物（０．３ｇ）を得る。 シス体物性値 IR (ヌジョール) : 3400, 3250, 3200, 2100, 1740 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.37 (3H,d,J=6.6Hz), 2.57 (1H,d,
J=2.5Hz), 2.77(1H,d,J=3.0Hz), 3.37 (1H,m), 4.30 (1
H,m), 4.43 (1H,dd,J=6.6,2.5Hz), 6.50 (1H,m) トランス体物性値 IR (クロロホルム) : 3400, 3300, 2250, 1760 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.33 および 1.40 (d,J=6.6Hz, 計
3H), 2.57 (1H,d,J=2.0Hz), 2.87 および 3.87 (m, 計
1H), 3.43 (1H,m), 4.20 (1H,m),4.30 および 4.47 (d
d,J=3.3, 2.0Hz, 計 1H), 7.20 (1H,m)
【００４０】参考例４
【化５０】 トランス−３−（１−ヒドロキシエチル）−４−エチニ
ル−２−アゼチジノン（０．１０ｇ）のエタノール（５
ｍｌ）溶液を、リンドラー（Ｌｉｎｄｌａｒ）触媒
（０．０１ｇ）の存在下に水素ガスで接触還元反応に付
し、水素ガスが１４ｍｌ吸収された時点で反応を止め、
触媒を濾去後、減圧濃縮して、０．１ｇのトランス−３
−（１−ヒドロキシエチル）−４−ビニル−２−アゼチ
ジノンを得る。 IR (クロロホルム) : 3400, 1750, 1660 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.33 (3H,m), 2.96 (1H,m), 3.40
(1H,m), 4.17 (2H,m),5.27 (1H,d,J=10.6Hz), 5.40 (1
H,d,J=18.0Hz), 6.00 (1H,m), 6.73(1H,m)
ル−２−アゼチジノン（０．１０ｇ）のエタノール（５
ｍｌ）溶液を、リンドラー（Ｌｉｎｄｌａｒ）触媒
（０．０１ｇ）の存在下に水素ガスで接触還元反応に付
し、水素ガスが１４ｍｌ吸収された時点で反応を止め、
触媒を濾去後、減圧濃縮して、０．１ｇのトランス−３
−（１−ヒドロキシエチル）−４−ビニル−２−アゼチ
ジノンを得る。 IR (クロロホルム) : 3400, 1750, 1660 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.33 (3H,m), 2.96 (1H,m), 3.40
(1H,m), 4.17 (2H,m),5.27 (1H,d,J=10.6Hz), 5.40 (1
H,d,J=18.0Hz), 6.00 (1H,m), 6.73(1H,m)
【００４１】参考例５
【化５１】 アルゴン気流中で、トランス−３−（１−ヒドロキシエ
チル）−４−ビニル−２−アゼチジノン（０．１０ｇ）
の乾燥テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）溶液を−７５℃
に冷却し、この溶液に市販ｎ−ブチルリチウム（１．６
Ｍ）・ヘキサン溶液（０．９ｍｌ）を、反応温度を−６
５℃以下に保ちながら滴下する。この溶液を−７５℃で
１時間撹拌した後、この液に第３級ブチルジメチルシリ
ルクロリド（０．１６ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン
（２ｍｌ）溶液を−７０℃以下で滴下する。反応液をさ
らに−７３℃で０．５時間撹拌後、酢酸エチル（７０ｍ
ｌ）、水（５０ｍｌ）および酢酸（２ｍｌ）の混液へ注
ぎ、有機層を分取する。有機層を重曹水でｐＨ７．０に
した後食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃
縮して、０．１ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシエ
チル）−１−（第３級ブチルジメチルシリル）−４−ビ
ニル−２−アゼチジノンを得る。 IR (ニート) : 3400, 1740 (肩), 1720, 1660 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.80 (9H,s), 1.17 (3H,
m), 2.90 (1H,m),3.20 (1H,m), 4.10 (2H,m), 5.17 (1
H,d,J=10.0Hz), 5.30 (1H,d,J=17.0Hz), 5.90 (1H,m)
チル）−４−ビニル−２−アゼチジノン（０．１０ｇ）
の乾燥テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）溶液を−７５℃
に冷却し、この溶液に市販ｎ−ブチルリチウム（１．６
Ｍ）・ヘキサン溶液（０．９ｍｌ）を、反応温度を−６
５℃以下に保ちながら滴下する。この溶液を−７５℃で
１時間撹拌した後、この液に第３級ブチルジメチルシリ
ルクロリド（０．１６ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン
（２ｍｌ）溶液を−７０℃以下で滴下する。反応液をさ
らに−７３℃で０．５時間撹拌後、酢酸エチル（７０ｍ
ｌ）、水（５０ｍｌ）および酢酸（２ｍｌ）の混液へ注
ぎ、有機層を分取する。有機層を重曹水でｐＨ７．０に
した後食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃
縮して、０．１ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシエ
チル）−１−（第３級ブチルジメチルシリル）−４−ビ
ニル−２−アゼチジノンを得る。 IR (ニート) : 3400, 1740 (肩), 1720, 1660 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (6H,s), 0.80 (9H,s), 1.17 (3H,
m), 2.90 (1H,m),3.20 (1H,m), 4.10 (2H,m), 5.17 (1
H,d,J=10.0Hz), 5.30 (1H,d,J=17.0Hz), 5.90 (1H,m)
【００４２】参考例６
【化５２】 トリメチルシリルプロピナール（１．２６ｇ）、１，
１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（０．６
１ｇ）、および市販ブチルリチウム（１．６０Ｍ）ヘキ
サン（６．２ｍｌ）溶液ならびに３−ヒドロキシ−３−
メチルブタン酸エチル（１．４６ｇ）、ジイソプロピル
アミン（２．４０ｇ）および市販ブチルリチウム・ヘキ
サン（１４ｍｌ）溶液をそれぞれ製造例１と同様に処理
した後反応させる。目的物を含む反応液を減圧濃縮し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（３０％酢酸エチ
ル−７０％ヘキサンの混液により溶出）に付し、０．２
７８ｇの３−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンを、
シス対トランス比１対２の混合物として得る。 融点 : 137-140℃ IR (ヌジョール) : 3500, 3260, 2960, 1735, 1710 cm
-1 シス体の NMR (CDCl3,ppm) :0.10 (9H,s), 1.33 (6H,
s), 2.86 (1H,s), 3.33 (1H,dd,J=6.3, 2.0Hz),4.30 (1
H,d,J=6.3Hz), 6.47 (1H,m), トランス体の NMR (CDCl3,ppm) :0.10 (9H,s), 1.13 (3
H,s), 1.40 (3H,s), 2.06 (1H,s), 3.16 (1H,d,J=3.3H
z), 4.13 (1H,d,J=3.3Hz), 6.30 (1H,m)
１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（０．６
１ｇ）、および市販ブチルリチウム（１．６０Ｍ）ヘキ
サン（６．２ｍｌ）溶液ならびに３−ヒドロキシ−３−
メチルブタン酸エチル（１．４６ｇ）、ジイソプロピル
アミン（２．４０ｇ）および市販ブチルリチウム・ヘキ
サン（１４ｍｌ）溶液をそれぞれ製造例１と同様に処理
した後反応させる。目的物を含む反応液を減圧濃縮し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（３０％酢酸エチ
ル−７０％ヘキサンの混液により溶出）に付し、０．２
７８ｇの３−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンを、
シス対トランス比１対２の混合物として得る。 融点 : 137-140℃ IR (ヌジョール) : 3500, 3260, 2960, 1735, 1710 cm
-1 シス体の NMR (CDCl3,ppm) :0.10 (9H,s), 1.33 (6H,
s), 2.86 (1H,s), 3.33 (1H,dd,J=6.3, 2.0Hz),4.30 (1
H,d,J=6.3Hz), 6.47 (1H,m), トランス体の NMR (CDCl3,ppm) :0.10 (9H,s), 1.13 (3
H,s), 1.40 (3H,s), 2.06 (1H,s), 3.16 (1H,d,J=3.3H
z), 4.13 (1H,d,J=3.3Hz), 6.30 (1H,m)
【００４３】製造例８
【化５３】 シスおよびトランスの混合物である３−（１−ヒドロキ
シ−１−メチルエチル）−４−トリメチルシリルエチニ
ル−２−アゼチジノン（０．１４３ｇ）のテトラヒドロ
フラン（１０ｍｌ）およびメタノール（３ｍｌ）混合液
に、セシウムフルオリド（０．０５ｇ）の水（３ｍｌ）
溶液を加え、０．５時間加熱還流する。反応液を酢酸エ
チル（１００ｍｌ）および水（５０ｍｌ）の混液へ注
ぎ、有機層を分取し、食塩水で洗浄後硫酸マグネシウム
で乾燥、溶媒を減圧留去する。残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（３０〜４０％の酢酸エチル−６０
〜７０％のヘキサン混液で溶出）に付し、最初の留分か
ら０．０４ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシ−１−
メチルエチル）−４−エチニル−２−アゼチジノンを得
る。 IR (ニート) : 3400, 3200, 1750 (肩), 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.28 (3H,s), 1.43 (3H,s), 2.59
(1H,d,J=2.4Hz), 2.83(1H,m), 3.30 (1H,d,J=3.0Hz),
4.27 (1H,dd,J=3.0,2.4Hz), 6.83(1H,m) 上記トランス体が留出した後の第２留分から、０．０２
２ｇのシス−３−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチ
ル）−４−エチニル−２−アゼチジノンを得る。 融点 : 82-85℃ IR (ヌジョール) : 3520, 3480, 3300, 3200, 1750
(肩), 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.46 (6H,s), 2.67 (2H,m), 3.56
(1H,dd,J=6.0, 1.5Hz),4.43 (1H,dd,J=6.0,2.4Hz), 6.5
0 (1H,m)
シ−１−メチルエチル）−４−トリメチルシリルエチニ
ル−２−アゼチジノン（０．１４３ｇ）のテトラヒドロ
フラン（１０ｍｌ）およびメタノール（３ｍｌ）混合液
に、セシウムフルオリド（０．０５ｇ）の水（３ｍｌ）
溶液を加え、０．５時間加熱還流する。反応液を酢酸エ
チル（１００ｍｌ）および水（５０ｍｌ）の混液へ注
ぎ、有機層を分取し、食塩水で洗浄後硫酸マグネシウム
で乾燥、溶媒を減圧留去する。残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（３０〜４０％の酢酸エチル−６０
〜７０％のヘキサン混液で溶出）に付し、最初の留分か
ら０．０４ｇのトランス−３−（１−ヒドロキシ−１−
メチルエチル）−４−エチニル−２−アゼチジノンを得
る。 IR (ニート) : 3400, 3200, 1750 (肩), 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.28 (3H,s), 1.43 (3H,s), 2.59
(1H,d,J=2.4Hz), 2.83(1H,m), 3.30 (1H,d,J=3.0Hz),
4.27 (1H,dd,J=3.0,2.4Hz), 6.83(1H,m) 上記トランス体が留出した後の第２留分から、０．０２
２ｇのシス−３−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチ
ル）−４−エチニル−２−アゼチジノンを得る。 融点 : 82-85℃ IR (ヌジョール) : 3520, 3480, 3300, 3200, 1750
(肩), 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.46 (6H,s), 2.67 (2H,m), 3.56
(1H,dd,J=6.0, 1.5Hz),4.43 (1H,dd,J=6.0,2.4Hz), 6.5
0 (1H,m)
【００４４】製造例９
【化５４】 シス−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−ト
リメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン（０．８
ｇ）をアルゴン気流中で乾燥テトラヒドロフラン（１５
ｍｌ）に溶解後、−７０℃に冷却し、この溶液にｎ−ブ
チルリチウム（１．６Ｍ）・ヘキサン溶液（４．８ｍ
ｌ）を反応温度が−６５℃を越えないよう注意しながら
滴下する。この反応液に、第３級ブチルジメチルシリル
クロリド（０．８６ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（５
ｍｌ）溶液を−７０℃以下で滴下し、さらに同温で１時
間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）および
水（１００ｍｌ）の混液中へ注ぎ、有機層を分取し、食
塩水で洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧
留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−ｎ−ヘキサンの１対９混合溶媒により溶
出）に付し、０．４０ｇのシス−１−（第３級ブチルジ
メチルシリル）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチ
ル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノ
ンを得る。 IR (ヌジョール) : 3350, 2300, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (9H,s), 0.10 (6H,s), 0.83 (9H,
s), 1.20 (3H,d,J=6.6Hz), 2.83 (1H,m), 3.23 (1H,dd,
J=6.6, 6.6Hz), 4.13 (1H,m),4.20 (1H,d,J=6.6Hz) さらに、留出液からシス−３−（１−ヒドロキシエチ
ル）−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノ
ン（０．２０ｇ）を回収した。
リメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン（０．８
ｇ）をアルゴン気流中で乾燥テトラヒドロフラン（１５
ｍｌ）に溶解後、−７０℃に冷却し、この溶液にｎ−ブ
チルリチウム（１．６Ｍ）・ヘキサン溶液（４．８ｍ
ｌ）を反応温度が−６５℃を越えないよう注意しながら
滴下する。この反応液に、第３級ブチルジメチルシリル
クロリド（０．８６ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（５
ｍｌ）溶液を−７０℃以下で滴下し、さらに同温で１時
間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）および
水（１００ｍｌ）の混液中へ注ぎ、有機層を分取し、食
塩水で洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧
留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル−ｎ−ヘキサンの１対９混合溶媒により溶
出）に付し、０．４０ｇのシス−１−（第３級ブチルジ
メチルシリル）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチ
ル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノ
ンを得る。 IR (ヌジョール) : 3350, 2300, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (9H,s), 0.10 (6H,s), 0.83 (9H,
s), 1.20 (3H,d,J=6.6Hz), 2.83 (1H,m), 3.23 (1H,dd,
J=6.6, 6.6Hz), 4.13 (1H,m),4.20 (1H,d,J=6.6Hz) さらに、留出液からシス−３−（１−ヒドロキシエチ
ル）−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノ
ン（０．２０ｇ）を回収した。
【００４５】参考例７
【化５５】 アルゴン気流中でジメチルスルホキシド（０．１ｍｌ）
および塩化メチレン（１０ｍｌ）混合液に、無水トリフ
ルオロ酢酸（０．２ｍｌ）の塩化メチレン（３ｍｌ）溶
液を−６５℃以下で滴下し、さらに−７０℃で０．５時
間撹拌する。この溶液にシス−１−（第３級ブチルジメ
チルシリル）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］
−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン
（０．４ｇ）の塩化メチレン（４ｍｌ）溶液を−６５℃
以下で滴下し、さらに同温で０．５時間撹拌する。この
溶液にトリエチルアミン（０．３ｍｌ）を同温で加えた
後、徐々に室温へ戻す。反応液を酢酸エチル（７０ｍ
ｌ）および水（１００ｍｌ）混液へ注ぎ、有機層を分取
し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃
縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（３
％酢酸エチル、９７％ｎ−ヘキサン混合液にて溶出）に
付し、０．１３ｇのトランスすなわち（３Ｓ，４Ｓ）−
３−アセチル−１−（第３級ブチルジメチルシリル）−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得
る。 IR (ニート) : 2150, 1750, 1705 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (9H,s), 0.10 (6H,s), 0.90 (9H,
s), 2.20 (3H,s),4.23 (1H,d,J=3.0Hz), 4.53 (1H,d,J=
3.0Hz),
および塩化メチレン（１０ｍｌ）混合液に、無水トリフ
ルオロ酢酸（０．２ｍｌ）の塩化メチレン（３ｍｌ）溶
液を−６５℃以下で滴下し、さらに−７０℃で０．５時
間撹拌する。この溶液にシス−１−（第３級ブチルジメ
チルシリル）−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］
−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン
（０．４ｇ）の塩化メチレン（４ｍｌ）溶液を−６５℃
以下で滴下し、さらに同温で０．５時間撹拌する。この
溶液にトリエチルアミン（０．３ｍｌ）を同温で加えた
後、徐々に室温へ戻す。反応液を酢酸エチル（７０ｍ
ｌ）および水（１００ｍｌ）混液へ注ぎ、有機層を分取
し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃
縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（３
％酢酸エチル、９７％ｎ−ヘキサン混合液にて溶出）に
付し、０．１３ｇのトランスすなわち（３Ｓ，４Ｓ）−
３−アセチル−１−（第３級ブチルジメチルシリル）−
４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得
る。 IR (ニート) : 2150, 1750, 1705 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0 (9H,s), 0.10 (6H,s), 0.90 (9H,
s), 2.20 (3H,s),4.23 (1H,d,J=3.0Hz), 4.53 (1H,d,J=
3.0Hz),
【００４６】参考例８ 化合物（１３）の合成 シス−１−（第３級ブチルジメチルシリル）−３−
［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシ
リルエチニル−２−アゼチジノン（０．１５ｇ）を酢酸
エチル（２０ｍｌ）に溶解した後、活性二酸化マンガン
（５ｇ）を加え、２５℃で５時間撹拌する。反応液を濾
過して二酸化マンガンを濾去し、濾液を減圧濃縮して、
０．１４ｇのトランス−３−アセチル−１−（第３級ブ
チルジメチルシリル）−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノンを得る。
［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシ
リルエチニル−２−アゼチジノン（０．１５ｇ）を酢酸
エチル（２０ｍｌ）に溶解した後、活性二酸化マンガン
（５ｇ）を加え、２５℃で５時間撹拌する。反応液を濾
過して二酸化マンガンを濾去し、濾液を減圧濃縮して、
０．１４ｇのトランス−３−アセチル−１−（第３級ブ
チルジメチルシリル）−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノンを得る。
【００４７】参考例９
【化５６】 アルゴン気流下で、（３Ｓ，４Ｓ）−すなわちトランス
−３−アセチル−１−（第３級ブチルジメチルシリル）
−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン
（０．２ｇ）をジエチルエーテル（１５ｍｌ）に溶解し
た後、この溶液に市販のｋ−セレクトリドR のテトラヒ
ドロフラン溶液（１．５ｍｌ）を２５℃で滴下する。
０．５時間同温で撹拌した後、酢酸エチル（５０ｍｌ）
および水（５０ｍｌ）の混液中へ注ぐ。有機層を分取
し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃
縮する。残渣をメタノール（１５ｍｌ）に溶解後、濃塩
酸（０．３ｍｌ）を加え、さらに室温で１時間撹拌す
る。この溶液を酢酸エチル（７０ｍｌ）水（５０ｍｌ）
の混液中に注ぎ、有機層を分取後、食塩水で洗浄、硫酸
マグネシウムで乾燥、減圧濃縮する。得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ｎ−
ヘキサンの３対７混合溶媒により溶出）に付し、０．０
８ｇのトランスすなわち（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）
−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチ
ニル−２−アゼチジノン（１４）を得る。 IR (ヌジョール) : 3370, 3200, 2200, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.20 (3H,d,J=6.5H
z), 3.20 (2H,m), 4.10(1H,m), 4.23 (1H,d,J=2.5Hz),
6.67 (1H,m) 施光度 [α]25 D : +47.2゜(C=0.72, クロロホルム)
−３−アセチル−１−（第３級ブチルジメチルシリル）
−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノン
（０．２ｇ）をジエチルエーテル（１５ｍｌ）に溶解し
た後、この溶液に市販のｋ−セレクトリドR のテトラヒ
ドロフラン溶液（１．５ｍｌ）を２５℃で滴下する。
０．５時間同温で撹拌した後、酢酸エチル（５０ｍｌ）
および水（５０ｍｌ）の混液中へ注ぐ。有機層を分取
し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃
縮する。残渣をメタノール（１５ｍｌ）に溶解後、濃塩
酸（０．３ｍｌ）を加え、さらに室温で１時間撹拌す
る。この溶液を酢酸エチル（７０ｍｌ）水（５０ｍｌ）
の混液中に注ぎ、有機層を分取後、食塩水で洗浄、硫酸
マグネシウムで乾燥、減圧濃縮する。得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ｎ−
ヘキサンの３対７混合溶媒により溶出）に付し、０．０
８ｇのトランスすなわち（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）
−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチ
ニル−２−アゼチジノン（１４）を得る。 IR (ヌジョール) : 3370, 3200, 2200, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.20 (3H,d,J=6.5H
z), 3.20 (2H,m), 4.10(1H,m), 4.23 (1H,d,J=2.5Hz),
6.67 (1H,m) 施光度 [α]25 D : +47.2゜(C=0.72, クロロホルム)
【００４８】参考例１０
【化５７】 （３Ｓ，４Ｓ）−すなわちトランス−３−［（Ｒ）−１
−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノン（０．０８ｇ）をテトラヒドロフラ
ン（１０ｍｌ）および水（２ｍｌ）の混液に溶解した液
に、硫酸第二水銀（０．０２ｇ）、濃硫酸（触媒量）を
加え、室温で３時間撹拌する。この溶液に炭酸水素ナト
リウム（０．１ｇ）を加えた後、減圧濃縮する。残渣を
酢酸エチル（５０ｍｌ）で抽出し減圧濃縮する。残渣を
さらに酢酸エチル（１０ｍｌ）に溶解した後、メタクロ
ロ安息香酸（０．２ｇ）を加え、室温で５０時間撹拌す
る。反応液にジメチルスルフィド（０．２ｍｌ）を加え
てさらに室温で０．５時間撹拌する。反応液を減圧濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸
エチル−ｎ−ヘキサンの６対４混合溶媒により溶出）に
付し、（３Ｓ，４Ｒ）−すなわちトランス−４−アセト
キシ−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−２−ア
ゼチジノン（０．０４ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3300, 1750, 1680 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.23 (3H,d,J=6.6Hz), 2.06 (3H,
s), 3.16 (1H,m), 4.13(1H,m), 5.80 (1H,m), 7.00 (1
H,m)
−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノン（０．０８ｇ）をテトラヒドロフラ
ン（１０ｍｌ）および水（２ｍｌ）の混液に溶解した液
に、硫酸第二水銀（０．０２ｇ）、濃硫酸（触媒量）を
加え、室温で３時間撹拌する。この溶液に炭酸水素ナト
リウム（０．１ｇ）を加えた後、減圧濃縮する。残渣を
酢酸エチル（５０ｍｌ）で抽出し減圧濃縮する。残渣を
さらに酢酸エチル（１０ｍｌ）に溶解した後、メタクロ
ロ安息香酸（０．２ｇ）を加え、室温で５０時間撹拌す
る。反応液にジメチルスルフィド（０．２ｍｌ）を加え
てさらに室温で０．５時間撹拌する。反応液を減圧濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸
エチル−ｎ−ヘキサンの６対４混合溶媒により溶出）に
付し、（３Ｓ，４Ｒ）−すなわちトランス−４−アセト
キシ−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−２−ア
ゼチジノン（０．０４ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3300, 1750, 1680 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.23 (3H,d,J=6.6Hz), 2.06 (3H,
s), 3.16 (1H,m), 4.13(1H,m), 5.80 (1H,m), 7.00 (1
H,m)
【００４９】製造例１０ ３−ヒドロキシブタン酸エチルエステルの代りにＲ−
（−）−３−ヒドロキシブタン酸メチルを使用して製造
例１と同様に反応させて化合物(1)を得る。物性値は化
合物（１）のそれと一致した。
（−）−３−ヒドロキシブタン酸メチルを使用して製造
例１と同様に反応させて化合物(1)を得る。物性値は化
合物（１）のそれと一致した。
【００５０】製造例１１
【化５８】 製造例１０の目的化合物（０．１５ｇ）を、イミダゾー
ル（０．１５ｇ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
（１０ｍｌ）、第３級ブチルジメチルシリルクロリド
（０．２１ｇ）を使って製造例４と同様に処理して（３
Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチ
ニル−２−アゼチジノンを得る。この化合物をメタノー
ル（１３ｍｌ）、水（２ｍｌ）、硫酸第二水銀（０．１
ｇ）、硫酸アンモニウム（０．３ｇ）、濃硫酸（触媒
量）を使って製造例５と同様に処理して、０．１ｇの
（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセチル−３−［（Ｒ）−１−
（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−２−
アゼチジノンを得る。 IR (ヌジョール) : 2950, 1760, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (6H,s), 0.9 (9H,s), 1.37 (3
H,d,J=6.9Hz), 2.35(3H,s), 3.77 (1H,m), 4.22 (1H,d,
J=6.0Hz), 4.47 (1H,m), 6.70 (1H,m)
ル（０．１５ｇ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
（１０ｍｌ）、第３級ブチルジメチルシリルクロリド
（０．２１ｇ）を使って製造例４と同様に処理して（３
Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル］−４−トリメチルシリルエチ
ニル−２−アゼチジノンを得る。この化合物をメタノー
ル（１３ｍｌ）、水（２ｍｌ）、硫酸第二水銀（０．１
ｇ）、硫酸アンモニウム（０．３ｇ）、濃硫酸（触媒
量）を使って製造例５と同様に処理して、０．１ｇの
（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセチル−３−［（Ｒ）−１−
（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−２−
アゼチジノンを得る。 IR (ヌジョール) : 2950, 1760, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (6H,s), 0.9 (9H,s), 1.37 (3
H,d,J=6.9Hz), 2.35(3H,s), 3.77 (1H,m), 4.22 (1H,d,
J=6.0Hz), 4.47 (1H,m), 6.70 (1H,m)
【００５１】製造例１２
【化５９】 製造例１１の目的化合物（０．０８ｇ）を参考例２と同
様に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−２−アゼチジノン（０．０４５ｇ）を得る。 施光度 [α]20 D : +22.4゜(C=0.90 エタノール) IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (6H,s), 1.0 (9H,s), 1.33 (3
H,d,J=6.6Hz), 2.16(3H,s), 3.43 (1H,m), 4.33 (1H,
m), 5.97 (1H,d,J=4.5Hz), 6.67 (1H,m)
様に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−２−アゼチジノン（０．０４５ｇ）を得る。 施光度 [α]20 D : +22.4゜(C=0.90 エタノール) IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (6H,s), 1.0 (9H,s), 1.33 (3
H,d,J=6.6Hz), 2.16(3H,s), 3.43 (1H,m), 4.33 (1H,
m), 5.97 (1H,d,J=4.5Hz), 6.67 (1H,m)
【００５２】参考例１１
【化６０】 製造例２と同様にしてリチウムビス（トリメチルシリ
ル）アミド含有液を製造し、この液を−７０℃に冷却し
た後、製造例１の目的化合物（１）（０．２１ｇ）のテ
トラヒドロフラン（５ｍｌ）溶液を温度が−６５℃を越
えないよう注意しながら滴下する。同温で１時間撹拌
後、第３級ブチルジメチルシリルクロリド（０．１５
ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン溶液（３ｍｌ）を−６５
℃以下で加え、さらに同温で１時間、室温で１．５時間
撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）と水（５
０ｍｌ）の混液に注いだ後、有機層を分取、食塩水で洗
浄、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧留去し、
残渣を酢酸エチル（２０ｍｌ）に溶解する。この液に活
性二酸化マンガン（２０ｇ）を加え、室温で１５時間撹
拌する。二酸化マンガンを濾去し、濾液を減圧濃縮し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ルとヘキサンの２対９８の混液により溶出）に付し、
０．１５ｇの（３Ｓ，４Ｓ）−３−アセチル−１−（第
３級ブチルジメチルシリル）−４−トリメチルシリルエ
チニル−２−アゼチジノンを得る。 施光度 [α]24 D : +7.3゜(C=1.70,クロロホルム) その他の物性値は製造例７で得られた化合物のそれと一
致した。
ル）アミド含有液を製造し、この液を−７０℃に冷却し
た後、製造例１の目的化合物（１）（０．２１ｇ）のテ
トラヒドロフラン（５ｍｌ）溶液を温度が−６５℃を越
えないよう注意しながら滴下する。同温で１時間撹拌
後、第３級ブチルジメチルシリルクロリド（０．１５
ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン溶液（３ｍｌ）を−６５
℃以下で加え、さらに同温で１時間、室温で１．５時間
撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）と水（５
０ｍｌ）の混液に注いだ後、有機層を分取、食塩水で洗
浄、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧留去し、
残渣を酢酸エチル（２０ｍｌ）に溶解する。この液に活
性二酸化マンガン（２０ｇ）を加え、室温で１５時間撹
拌する。二酸化マンガンを濾去し、濾液を減圧濃縮し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ルとヘキサンの２対９８の混液により溶出）に付し、
０．１５ｇの（３Ｓ，４Ｓ）−３−アセチル−１−（第
３級ブチルジメチルシリル）−４−トリメチルシリルエ
チニル−２−アゼチジノンを得る。 施光度 [α]24 D : +7.3゜(C=1.70,クロロホルム) その他の物性値は製造例７で得られた化合物のそれと一
致した。
【００５３】参考例１２
【化６１】 参考例９の目的化合物（１４）（０．０３６ｇ）のＤＭ
Ｆ（５ｍｌ）溶液に、４０℃でイミダゾール（０．１
ｇ）および第３級ブチルジメチルシリルクロリド（０．
０８ｇ）を加え、同温で２時間撹拌した後、酢酸エチル
（５０ｍｌ）および水（３０ｍｌ）の混液へ注ぐ。有機
層を分離、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、
減圧濃縮する。残渣をテトラヒドロフラン（７ｍｌ）お
よび水（２ｍｌ）の混液に溶解した後、濃硫酸（微量）
の存在下に室温で４時間撹拌する。反応液を酢酸エチル
（５０ｍｌ）と水（３０ｍｌ）の混液に注ぎ、有機層を
分離、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
濃縮する。残渣を酢酸エチル（１２ｍｌ）に溶解した液
を参考例２と同様に処理して、０．０１２ｇの（３Ｒ，
４Ｒ）−４−アセトキシ−３−［（Ｒ）−１−（第３級
ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジ
ノンを得る。 施光度 [α]25 D : +34.2゜(C=0.24, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3200, 1780, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.87 (9H,s), 1.23
(3H,d,J=6.3Hz), 2.13(3H,s), 3.20 (1H,m), 4.27 (1H,
m), 5.90 (1H,m), 6.70 (1H,m)
Ｆ（５ｍｌ）溶液に、４０℃でイミダゾール（０．１
ｇ）および第３級ブチルジメチルシリルクロリド（０．
０８ｇ）を加え、同温で２時間撹拌した後、酢酸エチル
（５０ｍｌ）および水（３０ｍｌ）の混液へ注ぐ。有機
層を分離、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、
減圧濃縮する。残渣をテトラヒドロフラン（７ｍｌ）お
よび水（２ｍｌ）の混液に溶解した後、濃硫酸（微量）
の存在下に室温で４時間撹拌する。反応液を酢酸エチル
（５０ｍｌ）と水（３０ｍｌ）の混液に注ぎ、有機層を
分離、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
濃縮する。残渣を酢酸エチル（１２ｍｌ）に溶解した液
を参考例２と同様に処理して、０．０１２ｇの（３Ｒ，
４Ｒ）−４−アセトキシ−３−［（Ｒ）−１−（第３級
ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジ
ノンを得る。 施光度 [α]25 D : +34.2゜(C=0.24, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3200, 1780, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.87 (9H,s), 1.23
(3H,d,J=6.3Hz), 2.13(3H,s), 3.20 (1H,m), 4.27 (1H,
m), 5.90 (1H,m), 6.70 (1H,m)
【００５４】参考例１３
【化６２】 ３−ヒドロキシブタン酸エチルエステルの代りに、
（Ｓ）−（＋）−ヒドロキシブタン酸エチルエステルを
使用して製造例１と同様に反応させて、（３Ｓ，４Ｒ）
−３−［（Ｓ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得る。 施光度 [α]25 D : +16.7゜(C=1.04,エタノール) IR (ヌジョール) : 3360, 3190, 1755 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (9H,s), 1.37 (3H,d,J=6.9Hz),
2.87 (1H,m), 3.40(1H,m), 4.37 (1H,m), 4.43 (1H,d,
J=6.0Hz), 6.43 (1H,m)
（Ｓ）−（＋）−ヒドロキシブタン酸エチルエステルを
使用して製造例１と同様に反応させて、（３Ｓ，４Ｒ）
−３−［（Ｓ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得る。 施光度 [α]25 D : +16.7゜(C=1.04,エタノール) IR (ヌジョール) : 3360, 3190, 1755 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (9H,s), 1.37 (3H,d,J=6.9Hz),
2.87 (1H,m), 3.40(1H,m), 4.37 (1H,m), 4.43 (1H,d,
J=6.0Hz), 6.43 (1H,m)
【００５５】参考例１４
【化６３】 参考例１３の目的化合物（０．３ｇ）を参考例１１と同
様に処理して、（３Ｒ，４Ｒ）−３−アセチル−１−
（第３級ブチルジメチルシリル）−４−トリメチルシリ
ルエチニル−２−アゼチジノン（０．３２ｇ）を得る。 施光度 [α]25 D : -7.2゜(C=1.28, クロロホルム) その他の物性値からこの目的化合物は参考例１１で得ら
れた化合物のエピマーであることが確認された。
様に処理して、（３Ｒ，４Ｒ）−３−アセチル−１−
（第３級ブチルジメチルシリル）−４−トリメチルシリ
ルエチニル−２−アゼチジノン（０．３２ｇ）を得る。 施光度 [α]25 D : -7.2゜(C=1.28, クロロホルム) その他の物性値からこの目的化合物は参考例１１で得ら
れた化合物のエピマーであることが確認された。
【００５６】参考例１５
【化６４】 参考例１４の目的化合物（０．３２ｇ）を参考例９と同
様に処理して、（３Ｒ，４Ｒ）−３−［（Ｓ）−１−ヒ
ドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２
−アゼチジノン（０．０６ｇ）を得る。 施光度 [α]26 D : -49.2゜(C=1.04, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3370, 3200, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.23 (3H,d,J=6.6H
z), 2.70 (1H,m), 3.30(1H,m), 4.13 (1H,m), 4.30 (1
H,d,J=2.7Hz), 6.40 (1H,m)
様に処理して、（３Ｒ，４Ｒ）−３−［（Ｓ）−１−ヒ
ドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２
−アゼチジノン（０．０６ｇ）を得る。 施光度 [α]26 D : -49.2゜(C=1.04, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3370, 3200, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (9H,s), 1.23 (3H,d,J=6.6H
z), 2.70 (1H,m), 3.30(1H,m), 4.13 (1H,m), 4.30 (1
H,d,J=2.7Hz), 6.40 (1H,m)
【００５７】参考例１６
【化６５】 参考例１５の目的化合物（０．０５２ｇ）を参考例１２
と同様に処理して、０．０２３ｇの（３Ｓ，４Ｓ）−４
−アセトキシ−３−［（Ｓ）−１−（第３級ブチルジメ
チルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得
る。 施光度 [α]28 D : -28.7゜(C=0.46, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3200, 1780, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.83 (9H,s), 1.23
(3H,d,J=6.3Hz), 2.07(3H,s), 3.17 (1H,m), 4.20 (1H,
m), 5.83 (1H,m), 6.60 (1H,m)
と同様に処理して、０．０２３ｇの（３Ｓ，４Ｓ）−４
−アセトキシ−３−［（Ｓ）−１−（第３級ブチルジメ
チルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンを得
る。 施光度 [α]28 D : -28.7゜(C=0.46, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3200, 1780, 1740 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.83 (9H,s), 1.23
(3H,d,J=6.3Hz), 2.07(3H,s), 3.17 (1H,m), 4.20 (1H,
m), 5.83 (1H,m), 6.60 (1H,m)
【００５８】参考例１７
【化６６】 製造例１と同様にして、トリメチルシリルプロピナール
（１．５ｇ）と（Ｒ，Ｓ）−３−ヒドロキシブタン酸エ
チル（１．３ｇ）を反応させ、反応液を酢酸エチル（２
００ｍｌ）、酢酸（１０ｍｌ）および水（２００ｍｌ）
の混液中へ注ぐ。有機層を分取し、炭酸水素ナトリウム
水、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減圧下に
濃縮する。残渣にｎ−ヘキサン（５０ｍｌ）を加えて室
温で一夜放置して、（３Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｓ）−１
−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノンと（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−
１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニ
ル−２−アゼチジノンの１対１混合物（0.52ｇ）を得
る。 IR (ヌジョール) : 3360, 3190, 1755 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (9H,s), 1.37 (3H,d,J=6.9Hz),
2.87 (1H,m), 3.40(1H,m), 4.37 (1H,m), 4.43 (1H,d,
J=6.0Hz), 6.43 (1H,m)
（１．５ｇ）と（Ｒ，Ｓ）−３−ヒドロキシブタン酸エ
チル（１．３ｇ）を反応させ、反応液を酢酸エチル（２
００ｍｌ）、酢酸（１０ｍｌ）および水（２００ｍｌ）
の混液中へ注ぐ。有機層を分取し、炭酸水素ナトリウム
水、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減圧下に
濃縮する。残渣にｎ−ヘキサン（５０ｍｌ）を加えて室
温で一夜放置して、（３Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｓ）−１
−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル
−２−アゼチジノンと（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−
１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニ
ル−２−アゼチジノンの１対１混合物（0.52ｇ）を得
る。 IR (ヌジョール) : 3360, 3190, 1755 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.1 (9H,s), 1.37 (3H,d,J=6.9Hz),
2.87 (1H,m), 3.40(1H,m), 4.37 (1H,m), 4.43 (1H,d,
J=6.0Hz), 6.43 (1H,m)
【００５９】参考例１８
【化６７】 参考例１７の目的化合物（１．０ｇ）の乾燥テトラヒド
ロフラン（２０ｍｌ）の溶液に、トリフェニルホスフィ
ン（２．５ｇ）、義酸（０．６ｍｌ）を加え、１５℃に
冷却する。この溶液に２５℃以下でアゾジカルボン酸ジ
メチル（１．６ｇ）のテトラヒドロフラン（５ｍｌ）溶
液を１５分間かけて滴下し、さらに２時間室温で撹拌す
る。反応液を酢酸エチル（１５０ｍｌ）と水（１００ｍ
ｌ）の混液に注ぎ、有機層を分離し、食塩水で洗浄、硫
酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮する。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルとｎ−ヘキサ
ンの１対９混液にて溶出）に付し、（３Ｓ，４Ｒ）−３
−［（Ｒ）−１−ホルミルオキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンと（３Ｒ，４
Ｓ）−３−［（Ｓ）−１−ホルミルオキシエチル］−４
−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンの１対
１混合物（０．７８ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 2017, 1775, 1760, 1735 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.13 (9H,s), 1.53 (3H,d,J=6.0H
z), 3.57 (1H,dd,J=7.5,5.1Hz), 4.43 (1H,d,J=5.1Hz),
5.30 〜 5.73 (1H,m), 6.50 (1H,bs),8.10 (1H,s)
ロフラン（２０ｍｌ）の溶液に、トリフェニルホスフィ
ン（２．５ｇ）、義酸（０．６ｍｌ）を加え、１５℃に
冷却する。この溶液に２５℃以下でアゾジカルボン酸ジ
メチル（１．６ｇ）のテトラヒドロフラン（５ｍｌ）溶
液を１５分間かけて滴下し、さらに２時間室温で撹拌す
る。反応液を酢酸エチル（１５０ｍｌ）と水（１００ｍ
ｌ）の混液に注ぎ、有機層を分離し、食塩水で洗浄、硫
酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮する。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルとｎ−ヘキサ
ンの１対９混液にて溶出）に付し、（３Ｓ，４Ｒ）−３
−［（Ｒ）−１−ホルミルオキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンと（３Ｒ，４
Ｓ）−３−［（Ｓ）−１−ホルミルオキシエチル］−４
−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンの１対
１混合物（０．７８ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 2017, 1775, 1760, 1735 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.13 (9H,s), 1.53 (3H,d,J=6.0H
z), 3.57 (1H,dd,J=7.5,5.1Hz), 4.43 (1H,d,J=5.1Hz),
5.30 〜 5.73 (1H,m), 6.50 (1H,bs),8.10 (1H,s)
【００６０】参考例１９
【化６８】 参考例１８の目的化合物（１．１ｇ）のメタノール（１
０ｍｌ）溶液に１０％塩酸（２ｍｌ）を加え、室温で
１．５時間撹拌後、酢酸エチル（１００ｍｌ）と炭酸水
素ナトリウム水（１００ｍｌ）の混液中へ注ぐ。有機層
を分離し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減
圧下に溶媒を留去する。残渣をＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶
解した液に、第３級ブチルジメチルシリルクロリド
（１．６ｇ）とイミダゾール（１．１ｇ）を加え、４０
℃〜４５℃で２時間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１
００ｍｌ）と水（１００ｍｌ）の混液中へ注ぎ、有機層
を分離、水洗、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥
して、減圧下に溶媒を留去する。残渣をテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）（１０ｍｌ）およびメタノール（３ｍ
ｌ）の混液に溶解し、次いで、セシウムフルオリド
（０．７ｇ）の水（３ｍｌ）を加え、６５℃で１．５時
間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）でうす
め、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥する。こ
の溶液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（酢酸エチルとｎ−ヘキサンの４対６混液に
て溶出）に付し、（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−
（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−４−
エチニル−２−アゼチジノンおよび、（３Ｒ，４Ｓ）−
１−［（Ｓ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル］−４−エチニル−２−アゼチジノンの１対
１混合物（１．０ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1755, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.86 (9H,s), 1.37
(3H,d,J=6Hz), 2.47(1H,d,J=1.5Hz), 3.40 (1H,dd,J=7.
0, 5.2Hz), 4.33 〜 4.60 (2H,m),6.13 (1H,bs)
０ｍｌ）溶液に１０％塩酸（２ｍｌ）を加え、室温で
１．５時間撹拌後、酢酸エチル（１００ｍｌ）と炭酸水
素ナトリウム水（１００ｍｌ）の混液中へ注ぐ。有機層
を分離し、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減
圧下に溶媒を留去する。残渣をＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶
解した液に、第３級ブチルジメチルシリルクロリド
（１．６ｇ）とイミダゾール（１．１ｇ）を加え、４０
℃〜４５℃で２時間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１
００ｍｌ）と水（１００ｍｌ）の混液中へ注ぎ、有機層
を分離、水洗、食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥
して、減圧下に溶媒を留去する。残渣をテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）（１０ｍｌ）およびメタノール（３ｍ
ｌ）の混液に溶解し、次いで、セシウムフルオリド
（０．７ｇ）の水（３ｍｌ）を加え、６５℃で１．５時
間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）でうす
め、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥する。こ
の溶液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（酢酸エチルとｎ−ヘキサンの４対６混液に
て溶出）に付し、（３Ｓ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−
（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］−４−
エチニル−２−アゼチジノンおよび、（３Ｒ，４Ｓ）−
１−［（Ｓ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル］−４−エチニル−２−アゼチジノンの１対
１混合物（１．０ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1755, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.86 (9H,s), 1.37
(3H,d,J=6Hz), 2.47(1H,d,J=1.5Hz), 3.40 (1H,dd,J=7.
0, 5.2Hz), 4.33 〜 4.60 (2H,m),6.13 (1H,bs)
【００６１】参考例２０
【化６９】 参考例１９の目的化合物（１．０ｇ）を製造例５と同様
に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセチル−３−
［（Ｒ）−１−（第三級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−２−アゼチジノンおよび（３Ｒ，４Ｓ）−４
−アセチル−３−［（Ｓ）−１−（第三級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンの１対１
混合物（０．５３ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1760, 1720, 1690 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.90 (9H,s), 1.33
(3H,d,J=6Hz), 2.33(3H,s), 3.60 (1H,dd,J=7.5, 6Hz),
4.17 〜 4.50 (1H,m), 4.26 (1H,d,J=6Hz), 6.83 (1H,
bs)
に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセチル−３−
［（Ｒ）−１−（第三級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−２−アゼチジノンおよび（３Ｒ，４Ｓ）−４
−アセチル−３−［（Ｓ）−１−（第三級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル］−２−アゼチジノンの１対１
混合物（０．５３ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1760, 1720, 1690 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.10 (6H,s), 0.90 (9H,s), 1.33
(3H,d,J=6Hz), 2.33(3H,s), 3.60 (1H,dd,J=7.5, 6Hz),
4.17 〜 4.50 (1H,m), 4.26 (1H,d,J=6Hz), 6.83 (1H,
bs)
【００６２】参考例２１
【化７０】 参考例１７の目的化合物（０．５ｇ）を参考例１８次い
で製造例５と同様に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−３−
［（Ｒ）−１−アセトキシエチル］−４−アセチル−２
−アゼチジノンおよび（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｓ）−
１−アセトキシエチル］−４−アセチル−２−アゼチジ
ノンの１対１混合物（０．０５ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1745, 1725, 1710 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.43 (3H,d,J=6.0Hz), 2.06 (3H,
s), 2.30 (3H,s), 3.83(1H,dd,J=7.5, 6.0Hz), 4.50 (1
H,d,J=6.0Hz), 5.00 〜 5.37 (1H,m),6.93 (1H,bs)
で製造例５と同様に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−３−
［（Ｒ）−１−アセトキシエチル］−４−アセチル−２
−アゼチジノンおよび（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｓ）−
１−アセトキシエチル］−４−アセチル−２−アゼチジ
ノンの１対１混合物（０．０５ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3250, 1780, 1745, 1725, 1710 cm
-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.43 (3H,d,J=6.0Hz), 2.06 (3H,
s), 2.30 (3H,s), 3.83(1H,dd,J=7.5, 6.0Hz), 4.50 (1
H,d,J=6.0Hz), 5.00 〜 5.37 (1H,m),6.93 (1H,bs)
【００６３】参考例２２
【化７１】 参考例２１の目的化合物（０．０５ｇ）を参考例２と同
様に処理（但し、反応温度は４５℃で４時間撹拌）し
て、（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−アセトキシエ
チル）−４−アセトキシ−２−アゼチジノンおよび（３
Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｓ）−１−アセトキシエチル）−
４−アセトキシ−２−アゼチジノン（０．０４ｇ）を得
る。 IR (クロロホルム) : 3400, 1780, 1730 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.43 (3H,d,J=6Hz), 2.03 (3H,s),
2.10 (3H,s), 3.50 〜3.70 (1H,m), 5.33 〜 5.70 (1H,
m), 6.03 (1H,d,J=4.8Hz), 6.90(1H,bs)
様に処理（但し、反応温度は４５℃で４時間撹拌）し
て、（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−アセトキシエ
チル）−４−アセトキシ−２−アゼチジノンおよび（３
Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｓ）−１−アセトキシエチル）−
４−アセトキシ−２−アゼチジノン（０．０４ｇ）を得
る。 IR (クロロホルム) : 3400, 1780, 1730 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.43 (3H,d,J=6Hz), 2.03 (3H,s),
2.10 (3H,s), 3.50 〜3.70 (1H,m), 5.33 〜 5.70 (1H,
m), 6.03 (1H,d,J=4.8Hz), 6.90(1H,bs)
【００６４】参考例２３
【化７２】 参考例１３の目的化合物（０．５ｇ）を、義酸の代りに
安息香酸（０．９ｇ）を使用して参考例１８と同様に処
理して、（３Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ベンゾイ
ルオキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２
−アゼチジノン（０．５２ｇ）を得る。 施光度 [α]20 D : -72.5゜(C=1.26, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3230, 1765, 1730, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : -0.04 (9H,s), 1.60 (3H,d,J=6.0H
z), 3.70 (1H,q,J=6.0Hz), 4.47 (1H,d,J=5.7Hz), 5.62
(1H,d,d,J=6.0, 5.7Hz), 6.93(1H,s), 7.37 〜 7.65
(3H,m), 8.03 〜 8.20 (2H,m)
安息香酸（０．９ｇ）を使用して参考例１８と同様に処
理して、（３Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ベンゾイ
ルオキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２
−アゼチジノン（０．５２ｇ）を得る。 施光度 [α]20 D : -72.5゜(C=1.26, クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3230, 1765, 1730, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : -0.04 (9H,s), 1.60 (3H,d,J=6.0H
z), 3.70 (1H,q,J=6.0Hz), 4.47 (1H,d,J=5.7Hz), 5.62
(1H,d,d,J=6.0, 5.7Hz), 6.93(1H,s), 7.37 〜 7.65
(3H,m), 8.03 〜 8.20 (2H,m)
【００６５】参考例２４
【化７３】 参考例２３の目的化合物（０．４８ｇ）を製造例５と同
様に処理（但し、反応温度は６０℃で３時間撹拌）し
て、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセチル−３−［（Ｒ）−１
−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチジノン（０．
３ｇ）を得る。 施光度 [α]22 D : -112.9゜ IR (ヌジョール) : 3350, 1785, 1770, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.53 (3H,d,J=6.9Hz), 2.13 (3H,
s), 3.93 (1H,dd,J=6.9,6.0Hz), 4.48 (1H,d,J=6Hz),
5.07 〜 5.50 (1H,m), 6.80 (1H,s), 7.27〜 7.63 (3H,
m), 7.85 〜 8.10 (2H,m)
様に処理（但し、反応温度は６０℃で３時間撹拌）し
て、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセチル−３−［（Ｒ）−１
−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチジノン（０．
３ｇ）を得る。 施光度 [α]22 D : -112.9゜ IR (ヌジョール) : 3350, 1785, 1770, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.53 (3H,d,J=6.9Hz), 2.13 (3H,
s), 3.93 (1H,dd,J=6.9,6.0Hz), 4.48 (1H,d,J=6Hz),
5.07 〜 5.50 (1H,m), 6.80 (1H,s), 7.27〜 7.63 (3H,
m), 7.85 〜 8.10 (2H,m)
【００６６】参考例２５
【化７４】 参考例２４の目的化合物（０．１２ｇ）を参考例２と同
様に処理（但し、反応温度は５５〜６０℃で５時間撹
拌）して、０．１２ｇの（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセトキ
シ−３−［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２
−アゼチジノンを得る。 施光度 [α]20 D : -124.9゜ IR (ヌジョール) : 3240, 1780, 1735, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.57 (3H,d,J=6.3Hz), 1.90 (3H,
s), 3.72 (1H,q,d,J=2.1, 9.0Hz), 3.60-3.83 (1H,m),
6.03 (1H,d,J=5.4Hz), 7.10 (1H,s),7.38-7.67 (3H,m),
7.96-8.17 (2H,m)
様に処理（但し、反応温度は５５〜６０℃で５時間撹
拌）して、０．１２ｇの（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセトキ
シ−３−［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２
−アゼチジノンを得る。 施光度 [α]20 D : -124.9゜ IR (ヌジョール) : 3240, 1780, 1735, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.57 (3H,d,J=6.3Hz), 1.90 (3H,
s), 3.72 (1H,q,d,J=2.1, 9.0Hz), 3.60-3.83 (1H,m),
6.03 (1H,d,J=5.4Hz), 7.10 (1H,s),7.38-7.67 (3H,m),
7.96-8.17 (2H,m)
【００６７】参考例２６参考例１７の目的化合物（２．
０ｇ）を参考例２３と同様に処理して、（３Ｒ，４Ｓ）
−３−［（Ｓ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−４−
トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンおよび
（３Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシ
エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノンの１対１混合物（２．０ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3230, 1765, 1730, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : -0.04 (9H,s), 1.60 (3H,d,J=6.0H
z), 3.70 (1H,q,J=6.0Hz), 4.47 (1H,d,J=5.7Hz), 5.62
(1H,d,d,J=6.0, 5.7Hz), 6.93(1H,s), 7.37 〜 7.65
(3H,m), 8.03 〜 8.20 (2H,m)
０ｇ）を参考例２３と同様に処理して、（３Ｒ，４Ｓ）
−３−［（Ｓ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−４−
トリメチルシリルエチニル−２−アゼチジノンおよび
（３Ｓ，４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシ
エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノンの１対１混合物（２．０ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3230, 1765, 1730, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : -0.04 (9H,s), 1.60 (3H,d,J=6.0H
z), 3.70 (1H,q,J=6.0Hz), 4.47 (1H,d,J=5.7Hz), 5.62
(1H,d,d,J=6.0, 5.7Hz), 6.93(1H,s), 7.37 〜 7.65
(3H,m), 8.03 〜 8.20 (2H,m)
【００６８】参考例２７
【化７５】 参考例２６の目的化合物（１．７ｇ）を参考例２４と同
様に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセチル−３−
［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチ
ジノンおよび（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセチル−［（Ｓ）
−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチジノンの
１対１混合物(１．６２ｇ)を得る。 IR (ヌジョール) : 3350, 1785, 1770, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.53 (3H,d,J=6.9Hz), 2.13 (3H,
s), 3.93 (1H,dd,J=6.9,6.0Hz), 4.48 (1H,d,J=6Hz),
5.07 〜 5.50 (1H,m), 6.80 (1H,s), 7.27〜 7.63 (3H,
m), 7.85 〜 8.10 (2H,m)
様に処理して、（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセチル−３−
［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチ
ジノンおよび（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセチル−［（Ｓ）
−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチジノンの
１対１混合物(１．６２ｇ)を得る。 IR (ヌジョール) : 3350, 1785, 1770, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.53 (3H,d,J=6.9Hz), 2.13 (3H,
s), 3.93 (1H,dd,J=6.9,6.0Hz), 4.48 (1H,d,J=6Hz),
5.07 〜 5.50 (1H,m), 6.80 (1H,s), 7.27〜 7.63 (3H,
m), 7.85 〜 8.10 (2H,m)
【００６９】参考例２８
【化７６】 参考例２７の目的化合物（１．７ｇ）を参考例２５と同
様に処理して、（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチ
ジノンおよび（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｓ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチ
ジノンの１対１混合物（１．６２ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3240, 1780, 1735, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.57 (3H,d,J=6.3Hz), 1.90 (3H,
s), 3.72 (1H,q,d,J=2.1, 9.0Hz), 3.60-3.83 (1H,m),
6.03 (1H,d, J=5.4Hz), 7.10(1H,s), 7.38-7.67 (3H,
m), 7.96-8.17 (2H,m)
様に処理して、（３Ｒ，４Ｓ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｒ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチ
ジノンおよび（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
［（Ｓ）−１−ベンゾイルオキシエチル］−２−アゼチ
ジノンの１対１混合物（１．６２ｇ）を得る。 IR (ヌジョール) : 3240, 1780, 1735, 1715 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 1.57 (3H,d,J=6.3Hz), 1.90 (3H,
s), 3.72 (1H,q,d,J=2.1, 9.0Hz), 3.60-3.83 (1H,m),
6.03 (1H,d, J=5.4Hz), 7.10(1H,s), 7.38-7.67 (3H,
m), 7.96-8.17 (2H,m)
【００７０】実施例１
【化７７】 （３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル］−４−トリメチルシリル
エチニル−２−アゼチジノン（０．７３ｇ）の塩化メチ
レン（１０ｍｌ）溶液にトリエチルアミン（１ｍｌ）を
加える。この溶液に、トリフルオロメタンスルホン酸ト
リメチルシリル（１．２ｍｌ）を５℃で加えた後、室温
で１５時間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍ
ｌ）、１０％塩酸（１０ｍｌ）、水（１００ｍｌ）の混
液に注ぎ、室温で３０分間撹拌する。有機層を分離し、
食塩水、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗
浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮する。残渣を
ｎ−ヘキサンから再結晶して、（３Ｓ，４Ｓ）−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノン（０．６４ｇ）を得る。 施光度 [α]21 D : +39.0゜(C=1.016,クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3170, 2200, 1770, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.13 (6H,s), 0.20 (9H,s), 0.87
(9H,s), 1.23 (3H,d,J=7.2Hz), 3.17-3.30 (1H,m), 4.2
3-4.37 (1H,m), 4.30 (1H,d,J=2.7Hz), 6.17 (1H,br s)
メチルシリルオキシ）エチル］−４−トリメチルシリル
エチニル−２−アゼチジノン（０．７３ｇ）の塩化メチ
レン（１０ｍｌ）溶液にトリエチルアミン（１ｍｌ）を
加える。この溶液に、トリフルオロメタンスルホン酸ト
リメチルシリル（１．２ｍｌ）を５℃で加えた後、室温
で１５時間撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍ
ｌ）、１０％塩酸（１０ｍｌ）、水（１００ｍｌ）の混
液に注ぎ、室温で３０分間撹拌する。有機層を分離し、
食塩水、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗
浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮する。残渣を
ｎ−ヘキサンから再結晶して、（３Ｓ，４Ｓ）−３−
［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）
エチル］−４−トリメチルシリルエチニル−２−アゼチ
ジノン（０．６４ｇ）を得る。 施光度 [α]21 D : +39.0゜(C=1.016,クロロホルム) IR (ヌジョール) : 3170, 2200, 1770, 1720 cm-1 NMR (CDCl3,ppm) : 0.13 (6H,s), 0.20 (9H,s), 0.87
(9H,s), 1.23 (3H,d,J=7.2Hz), 3.17-3.30 (1H,m), 4.2
3-4.37 (1H,m), 4.30 (1H,d,J=2.7Hz), 6.17 (1H,br s)
【００７１】実施例２
【化７８】 トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリル（０．
４８ｍｌ）を、５℃で（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−
１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニ
ル−２−アゼチジノン（０．１５ｇ）、トリエチルアミ
ン（０．４ｍｌ）および塩化メチレン（７ｍｌ）の混合
液に加えた後、反応液を室温で３時間撹拌する。反応液
を酢酸エチル（７０ｍｌ）、エタノール（10ｍｌ）、10
％塩酸（10ｍｌ）および水（50ｍｌ）の混液に注ぎ、室
温で30分間撹拌する。有機層を分取し、食塩水、飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄、硫酸マグ
ネシウムで乾燥、減圧濃縮して、生成する結晶を集め、
ｎ−ヘキサンから再結晶して、0.13ｇの（３Ｓ,４Ｓ）
−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得る。 施光度 : 65.14゜ 他の物性値は参考例９のそれと一致した。
４８ｍｌ）を、５℃で（３Ｒ，４Ｓ）−３−［（Ｒ）−
１−ヒドロキシエチル］−４−トリメチルシリルエチニ
ル−２−アゼチジノン（０．１５ｇ）、トリエチルアミ
ン（０．４ｍｌ）および塩化メチレン（７ｍｌ）の混合
液に加えた後、反応液を室温で３時間撹拌する。反応液
を酢酸エチル（７０ｍｌ）、エタノール（10ｍｌ）、10
％塩酸（10ｍｌ）および水（50ｍｌ）の混液に注ぎ、室
温で30分間撹拌する。有機層を分取し、食塩水、飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄、硫酸マグ
ネシウムで乾燥、減圧濃縮して、生成する結晶を集め、
ｎ−ヘキサンから再結晶して、0.13ｇの（３Ｓ,４Ｓ）
−３−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−トリメ
チルシリルエチニル−２−アゼチジノンを得る。 施光度 : 65.14゜ 他の物性値は参考例９のそれと一致した。
【００７２】参考例３０
【化７９】 実施例１の目的化合物（０．３ｇ）を、参考例１続いて
参考例２と同様に処理して、（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセ
トキシ−３−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシ
リルオキシ）エチル］−２−アゼチジノン（０．１４
ｇ）を得る。物性値から参考例１２の目的化合物と同一
であることが確認された。
参考例２と同様に処理して、（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセ
トキシ−３−［（Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシ
リルオキシ）エチル］−２−アゼチジノン（０．１４
ｇ）を得る。物性値から参考例１２の目的化合物と同一
であることが確認された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ８５１５６８７ (32)優先日 1985年６月20日 (33)優先権主張国 イギリス（ＧＢ）
Claims (1)
- 【請求項１】 式 【化１】 で示される化合物と、式 【化２】 で示される化合物とを反応させ、次いで加溶媒分解反応
に付すことを特徴とする、式 【化３】 （式中、Ｒ3 は水素原子または保護基、 Ｒ4 は水素原子または低級アルキル基、 Ｒ5 は水素原子または低級アルキル基、 Ｒ7 は水素原子または保護基、 Ｒ11、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ同一または異なった炭
化水素残基、 Ｘは強酸残基、 Ｚは有機残基、 【化４】 はアルファ配位結合、 【化５】 はベータ配位結合をそれぞれ意味する）で示される２−
アゼチジノン誘導体の製造法。
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| GB848427260A GB8427260D0 (en) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Azetidinone derivatives |
| GB858505926A GB8505926D0 (en) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | Azetidinone derivatives |
| GB8419962 | 1985-06-20 | ||
| GB858515687A GB8515687D0 (en) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | Asymmetric synthesis of azetidinone derivatives |
| GB8515687 | 1985-06-20 | ||
| GB8505926 | 1985-06-20 | ||
| GB8427260 | 1985-06-20 |
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|---|---|---|---|
| JP60172822A Expired - Lifetime JPH0649710B2 (ja) | 1984-08-06 | 1985-08-06 | アゼチジノン誘導体およびその製造法 |
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| JP (2) | JPH0649710B2 (ja) |
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| JPH0649679B2 (ja) * | 1985-07-24 | 1994-06-29 | 財団法人相模中央化学研究所 | アゼチジノン誘導体 |
| JPS6317859A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-25 | Sagami Chem Res Center | フルオロアゼチジノン誘導体 |
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| US5312914A (en) * | 1987-02-17 | 1994-05-17 | Ciba-Geigy Corp | Process for the manufacture of 4-acetoxy-3-hydroxyethyl-azetidinone |
| SG45180A1 (en) * | 1987-02-17 | 1998-01-16 | Ciba Geigy Ag | A process for the manufacture of 4-acetoxy-3- hydroxy-ethyl-azetidinone |
| JPS63218659A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Yasumitsu Tamura | β−ラクタム化合物およびその製造法 |
| EP0290385B1 (de) * | 1987-05-04 | 1992-10-21 | Ciba-Geigy Ag | Neues Verfahren zur Herstellung von 4-Acyloxy-3-hydroxyethyl-azetidinonen |
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| JPH01180874A (ja) * | 1988-01-07 | 1989-07-18 | Toyo Sutoufuaa Chem:Kk | β−ラクタム化合物の高立体選択的合成法 |
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| US5204460A (en) * | 1988-11-29 | 1993-04-20 | Takasago International Corporation | Ruthenium catalyzed process for preparing 4-acetoxyazetidinones |
| DE68920298T2 (de) | 1988-11-29 | 1995-07-27 | Takasago Perfumery Co Ltd | Verfahren zur Herstellung von 4-Acetoxyazetidinonen. |
| US5068232A (en) * | 1990-04-10 | 1991-11-26 | American Cyanamid Company | Novel 2-substituted alkyl-3-carboxy carbapenems as antibiotics and a method of producing them |
| JP2969387B2 (ja) * | 1991-04-18 | 1999-11-02 | 高砂香料工業株式会社 | 置換アセトキシアゼチジノン類及び４−アシルオキシアゼチジノン類の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4511509A (en) * | 1982-03-25 | 1985-04-16 | Kowa Co. Ltd. | 3-Alkylidine azetidine compound and their production |
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| NZ205642A (en) * | 1982-10-06 | 1986-08-08 | Squibb & Sons Inc | Beta-lactams and pharmaceutical compositions |
| DE3375481D1 (en) * | 1982-10-13 | 1988-03-03 | Sumitomo Pharma | Beta-lactam compounds and production thereof |
| DE3484362D1 (de) * | 1983-03-28 | 1991-05-08 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur herstellung von optisch aktiven azetidinonen. |
-
1985
- 1985-08-06 EP EP85109880A patent/EP0171064B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-06 JP JP60172822A patent/JPH0649710B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-06 DE DE3588039T patent/DE3588039T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-03-08 US US07/168,532 patent/US4845210A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-09 JP JP5309087A patent/JPH06329624A/ja active Pending
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| EP0171064A1 (en) | 1986-02-12 |
| EP0171064B1 (en) | 1995-07-12 |
| DE3588039T2 (de) | 1995-11-16 |
| JPS6150964A (ja) | 1986-03-13 |
| US4845210A (en) | 1989-07-04 |
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| JPH0649710B2 (ja) | 1994-06-29 |
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