JPH06322548A - 化学銅めっき液、化学銅めっき方法および配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ホルムアルデヒドを使用せずに、化学銅めっき
により良好な物性を備えるめっき皮膜を析出させるられ
るめっき液。中性領域で使用可能なめっき液。 【構成】水溶性の２価銅化合物、２価銅イオンの錯化
剤、およびｐＨ調整剤を含み、さらに還元剤としてアミ
ンボランを含む。さらに、界面活性剤および／または１
価銅イオンの錯化剤を含むことが望ましい。２価銅イオ
ンの錯化剤としてはトリエチレンテトラミン６酢酸また
はその金属塩を、界面活性剤としてはポリオキシエチレ
ン系非イオン性界面活性剤を、１価銅イオンの錯化剤と
してはアミノアルキルスルホン酸を、それぞれ用いるこ
とが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、化学銅めっき液および
これを用いた配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】交換器、ファクシミリ等の多くの電子機
器に配線基板が用いられているが、配線基板の製造にお
いて、スルーホール、ビアホール、回路用導体の形成に
化学銅めっき液が幅広く用いられている。現在実用化さ
れている一般的な化学銅めっき液として、水溶性の２価
の銅化合物、該２価の銅イオンの錯化剤、還元剤として
ホルムアルデヒド、ｐＨ調整剤、および、浴安定化、析
出銅の物性（ひっぱり強度、硬度、伸び等）の改善、銅
析出速度の高速化を目的とした種々の添加剤を含む化学
銅めっき液がある。この化学銅めっき液は広く使用され
ているにもかかわらず、以下の点については考慮がされ
ていなかった。

【０００３】第１に、ホルムアルデヒドはｐＨ１１以上
の高アルカリにおいてのみ還元剤としての活性を有す
る。従って、ホルムアルデヒドを使用する化学銅めっき
液は必然的に高アルカリ性であり、アルカリに侵食され
るポリイミド、多くのポジ形レジスト、セラミック等の
基材上にめっきを行うことが出来ない。

【０００４】第２に、ホルムアルデヒドは発癌性物質と
して最近その有毒性が問題視されている。従って、多量
のホルムアルデヒドの蒸気を発生する化学銅めっき液の
使用は、作業者の健康上避けることが望ましい。

【０００５】このため、近年、ホルムアルデヒドの代替
物質として、次亜リン酸塩、水素化ホウ素ナトリウム、
ヒドラジン、アミンボランなどが報告されている。例え
ば、特開平１−１８０９８６号公報には、次亜リン酸塩
を還元剤とする化学銅めっき液が示されている。しか
し、次亜リン酸塩を還元剤とするめっき液は自己触媒性
がないため、一般に１μｍ以上の銅皮膜を析出できず、
プリント回路基板製造のような厚膜の銅析出が必要とさ
れる目的には使用できない。

【０００６】また、水素化ホウ素ナトリウムおよびヒド
ラジンは、ホルムアルデヒドと同様に、その活性発揮の
ためには高アルカリ条件が必要であり、その使用は限定
される。特開平３−２８７７８０号公報には還元剤にヒ
ドラジンを用いｐＨ９でのめっきが可能である旨の記載
があるが、このめっき液は９０℃以上の高温であるため
作業性が著しく低下する。

【０００７】一方、アミンボランは中性〜アルカリ性に
おいて化学銅めっきに使用できる還元剤である。特開平
１−２４２７８１号公報および特開平２−３０５９７１
号公報にはアミンボランを還元剤とする化学銅めっき液
が示されている。しかし、アミンボランは還元力が非常
に高く、めっき液が分解してしまうため、アミンボラン
を良好な浴安定性を有する実用性のあるめっき液はなか
った。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、還元剤
としてアミンボランを含有する化学銅めっき液が従来よ
り提案されているが、めっき液の液浴安定性、析出する
めっき皮膜の物性等については考慮されておらず、実用
に耐えうるものではなかった。

【０００９】本発明は、有毒なホルムアルデヒドを使用
せず、良好な物性を備えるめっき皮膜を析出させること
ができる化学銅めっき液、めっき方法、および、該化学
銅めっき液を用いた配線基板の製造方法を提供すること
を第１の目的とする。また、本発明は、中性領域で使用
可能な化学銅めっき液、めっき方法、および、該化学銅
めっき液を用いた配線基板の製造方法を提供することを
第２の目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、水溶性の２価銅化合物と、２価銅イオ
ンの錯化剤と、還元剤とを含む化学銅めっき液におい
て、上記還元剤は、ボラン化合物であり、上記２価銅イ
オンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン６酢酸および
トリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩のうちの少なく
ともいずれか一方を含むことを特徴とする化学銅めっき
液が提供される。

【００１１】また、本発明では、水溶性の２価銅化合物
と、２価銅イオンの錯化剤と、還元剤とを含む化学銅め
っき液において、上記還元剤は、ボラン化合物であり、
さらに界面活性剤を含み、上記界面活性剤は、ポリオキ
シエチレン系非イオン性界面活性剤であることを特徴と
する化学銅めっき液が提供される。なお、界面活性剤の
濃度は、０．０１〜１０ｇ／ｌであることが望ましい。
また、界面活性剤としては、ポリエチレングリコールモ
ノステアレートを用いることが好ましい。

【００１２】さらに、本発明では、水溶性の２価銅化合
物と、２価銅イオンの錯化剤と、還元剤とを含む化学銅
めっき液において、上記還元剤は、ボラン化合物であ
り、さらに１価銅イオンの錯化剤を含み、上記１価銅イ
オンの錯化剤は、アミノアルキルスルホン酸であること
を特徴とする化学銅めっき液が提供される。なお、１価
銅イオンの錯化剤の濃度は、１０^-6〜１０^-3ｍｏｌ／ｌ
であることが望ましい。また、１価銅イオンの錯化剤と
しては、アミノエタンスルホン酸を用いることが好まし
い。

【００１３】また、本発明では、水溶性の２価銅化合物
と、２価銅イオンの錯化剤と、還元剤とを含む化学銅め
っき液において、界面活性剤と、１価銅イオンの錯化剤
とをさらに含み、上記還元剤は、ボラン化合物であり、
上記２価銅イオンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン
６酢酸およびトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩の
うちの少なくともいずれか一方であり、上記界面活性剤
は、ポリオキシエチレン系非イオン性界面活性剤であ
り、上記１価銅イオンの錯化剤は、アミノアルキルスル
ホン酸であることを特徴とする化学銅めっき液が提供さ
れる。

【００１４】なお、上記水溶性の２価銅化合物の濃度
は、いずれの化学銅めっき液においても、０．００５〜
０．５ｍｏｌ／ｌであることが好ましい。また、上記２
価銅イオンの錯化剤の濃度は、いずれの化学銅めっき液
においても、銅イオン濃度の１．２〜６倍であることが
好ましい。さらに、還元剤の濃度は、いずれの化学銅め
っき液においても、銅イオン濃度の２〜１０倍であるこ
とが好ましい。還元剤は、いずれの化学銅めっき液にお
いても、アミンボランであることが好ましく、ジメチル
アミンボランであることがとくに好ましい。

【００１５】さらに、本発明では、少なくとも、水溶性
の２価銅化合物と、トリエチレンテトラミン６酢酸およ
びトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩のうちの少な
くともいずれか一方とを含む混合液を用意する混合液準
備工程と、上記混合液に、還元剤としてボラン化合物を
添加して化学銅めっき液を調製する化学銅めっき液調製
工程と、上記化学銅めっき液に浸漬することによりめっ
きを行なうめっき工程とを有する化学銅めっき方法が提
供される。

【００１６】また、本発明では、少なくとも、水溶性の
２価銅化合物と、２価銅イオンの錯化剤と、ポリオキシ
エチレン系非イオン性界面活性剤とを含む混合液を用意
する混合液準備工程と、上記混合液に、還元剤としてボ
ラン化合物を添加して化学銅めっき液を調製する化学銅
めっき液調製工程と、上記化学銅めっき液に浸漬するこ
とによりめっきを行なうめっき工程とを有する化学銅め
っき方法が提供される。

【００１７】さらに、本発明では、少なくとも、水溶性
の２価銅化合物と、２価銅イオンの錯化剤と、アミノア
ルキルスルホン酸とを含む混合液を用意する混合液準備
工程と、上記混合液に、還元剤としてボラン化合物を添
加して化学銅めっき液を調製する化学銅めっき液調製工
程と、上記化学銅めっき液に浸漬することによりめっき
を行なうめっき工程とを有する化学銅めっき方法が提供
される。

【００１８】また、本発明では、少なくとも、水溶性の
２価銅化合物と、トリエチレンテトラミン６酢酸および
トリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩のうちの少なく
ともいずれか一方と、ポリオキシエチレン系非イオン性
界面活性剤と、アミノアルキルスルホン酸とを含む混合
液を用意する混合液準備工程と、上記混合液に、還元剤
としてボラン化合物を添加して化学銅めっき液を調製す
る化学銅めっき液調製工程と、上記化学銅めっき液に浸
漬することによりめっきを行なうめっき工程とを有する
化学銅めっき方法が提供される。

【００１９】なお、混合液準備工程において用意される
混合液に界面活性剤を含まない場合のめっき工程は、４
５〜７０℃の前記化学銅めっき液に浸漬することにより
行なわれることが望ましい。混合液準備工程において用
意される混合液に界面活性剤が含まれる場合のめっき工
程は、４５〜９０℃の前記化学銅めっき液に浸漬するこ
とにより行なわれることが望ましい。いずれの場合も、
混合液準備工程は、混合液をｐＨ６〜１０に調製する処
理を含むことが望ましい。

【００２０】また、本発明の化学銅めっき液は、次の
（１）〜（４）のような配線基板の製造方法における銅
めっきに用いることができる。

【００２１】（１）銅張積層板の所定位置に貫通孔をあ
け、穴あき銅張積層板とする工程、ランド部と配線回路
部を除く銅箔の不要部分をエッチングにより除去する工
程、上記回路板の貫通孔の内壁およびランド部以外の配
線回路部の表面に耐めっきソルダレジストを付着させる
工程、上記貫通孔の内壁およびランド部の銅箔表面に化
学銅めっきを施す工程を有する配線基板の製造方法。

【００２２】（２）基板表面に接着剤を塗布し、基板の
所定位置に貫通孔をあけ、穴あき基板とする工程、上記
穴あき基板のランド部と配線回路部を除く部分に耐めっ
きレジストを付着させる工程、上記貫通孔の内壁、ラン
ド部および配線回路部の接着剤表面に化学銅めっきを施
す工程、および、上記回路板の貫通孔の内壁およびラン
ド部の銅めっき皮膜以外の基板の表面にソルダレジスト
を付着する工程を有する配線基板の製造方法。

【００２３】（３）銅張積層板の所定位置に貫通孔をあ
け、穴あき銅張積層板とする工程、上記穴あき銅張積層
板の表面および貫通孔の内壁に化学銅めっきを施す工
程、貫通孔の内壁、ランド部および配線回路部を除く銅
めっき皮膜の不要部分をエッチングにより除去する工
程、および、上記回路板の貫通孔の内壁およびランド部
の銅めっき皮膜以外の基板の表面にソルダレジストを付
着する工程を有する配線基板の製造方法。

【００２４】（４）基板の表面の所定の位置をめっきレ
ジストで覆う工程、該基板のめっきレジストで覆われて
いない部分に化学銅めっきを施し配線とし、配線層を形
成する工程、上記配線層上のあらかじめ定められた位置
をめっきレジストで覆う工程、および、該めっきレジス
トで覆われていない部分に化学銅めっきを施し、ビアホ
ールとし、ビアホール層を形成する工程を有する配線基
板の製造方法。

【００２５】

【作用】本発明のめっき液は、水溶性の２価銅化合物、
２価銅イオンの錯化剤、およびｐＨ調整剤を含む。さら
に、本発明のめっき液は、還元剤としてボラン化合物を
含む。また、本発明のめっき液は、界面活性剤、および
１価銅イオンの錯化剤のうちの少なくとも一方をさらに
含むことが望ましい。

【００２６】水溶性の２価銅化合物としては、硫酸銅、
硝酸銅、酢酸銅等が挙げられ、主として経済的理由によ
って硫酸銅が用いられる。その好ましい濃度範囲は０．
００５〜０．５ｍｏｌ／ｌである。これより低濃度では
めっき速度が低下して厚膜めっきが不可能となり、高濃
度ではめっき液が不安定となる。

【００２７】還元剤は、中性〜アルカリ性において使用
可能なボラン化合物を用いる。ここで用いるボラン化合
物としては、アミンボランが好ましく、ジメチルアミン
ボランが適している。モルフォリノボラン等の他のアミ
ンボランも、本発明の実施に使用できる。これらのボラ
ン化合物の好ましい濃度範囲は、銅イオン濃度の２〜１
０倍である。これより低濃度ではめっき速度が低下して
厚膜めっきが困難となり、高濃度では液が不安定となる
と共に、めっき速度の高速化に伴い銅皮膜物性が著しく
低下する。なお、ジメチルアミンボランは、ｐＨ６以
上、温度４５℃以上において銅表面上で酸化反応を示
し、そのピーク電位は−０．８Ｖｖｓ．ＳＣＥ付近であ
って、銅を還元する充分な能力を有する。

【００２８】２価の銅化合物の錯化剤の選択はめっきの
浴安定性に本質的な問題である。２価の銅化合物の錯化
剤には、２価の銅イオンとの錯形成定数が高く、溶液中
において還元剤からの攻撃を保護しうる配位構造をとる
ものが適する。

【００２９】一般的に用いられているエチレンジアミン
４酢酸は、ｌｏｇｋ＝１８．３と高い錯形成定数を持
ち、還元剤にホルムアルデヒドを用いる従来の化学銅め
っき液には有効であった。しかし、本発明の化学銅めっ
き液に用いたジメチルアミンボラン等のボラン化合物の
還元力は非常に強い。このため、錯化剤にエチレンジア
ミン４酢酸を用いると、化学銅めっき液は還元剤添加後
１０分以内に分解した。

【００３０】これに対し、トリエチレンテトラミン６酢
酸は１分子で２個の銅イオンに配位するという特殊な配
位構造を取り、錯形成定数が３２．６と非常に高い。こ
のため、トリエチレンテトラミン６錯酸を用いると、還
元剤にジメチルアミンボランを用いた場合でも安定な化
学銅めっき液が得られる。トリエチレンテトラミン６酢
酸の好ましい濃度範囲は銅イオン濃度の１．２〜６倍で
あり、これより低濃度では浴が不安定となり、高濃度で
は浴安定性は向上するがめっき速度が低下して厚膜めっ
きが困難となる。なお、２価の銅化合物の錯化剤とし
て、トリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩を用いても
よい。

【００３１】さらに、本発明のめっき液には、銅皮膜物
性を向上させる添加剤を添加してもよい。添加剤には、
例えば、界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、めっ
き皮膜表面に吸着して、還元剤の反応にともなって生じ
る亜酸化銅の結晶が、めっき皮膜内で成長するのを阻害
する。ゆえに、界面活性剤には、亜酸化銅のめっき皮膜
への混入を防ぐという効果がある。また、界面活性剤に
は、還元剤の反応に伴って発生する水素を、気泡として
速やかに系外へ脱離させるという効果もある。

【００３２】界面活性剤としては、ポリオキシエチレン
系非イオン界面活性剤を用いることが好ましい。ポリオ
キシエチレン系非イオン界面活性剤としては、ポリエチ
レングリコールモノステアレート、リポノックスＮＣ−
１２０（ライオン（株）製）等が挙げられる。好ましい
濃度範囲は１０^-6〜１０^-3ｍｏｌ／ｌであり、これより
低濃度では界面活性剤の添加効果が現われず、高濃度で
はめっき速度が著しく低下し、厚膜めっきが困難とな
る。

【００３３】さらに、銅皮膜物性を向上させるための添
加剤として、１価銅イオンの錯化剤を挙げることができ
る。２価の銅イオンを還元により金属銅にする場合、１
価の銅イオンが生成する。１価の銅イオンがめっき液中
に蓄積されると、亜酸化銅が生成し、めっき液の分解を
起こす。さらに、亜酸化銅はめっき皮膜に進入して膜を
脆くする。そこで、本発明のめっき液には１価銅イオン
の錯化剤を添加することが望ましい。１価銅イオンの錯
化剤により錯化された１価銅イオンは、空気酸化により
２価の銅イオンに戻るからである。このように、１価銅
イオンの錯化剤は、還元剤の反応に伴って生成した亜酸
化銅を錯化させて溶媒中に溶解させるため、亜酸化銅の
結晶が析出、成長するのを阻害し、亜酸化銅の結晶がめ
っき皮膜内に混入するのを防ぐ効果がある。また、１価
銅イオンの錯化剤は、酸化銅によるめっき液の分解を阻
害するため、めっき液の安定化にも効果がある。

【００３４】１価銅イオンの錯化剤としてはアミドスル
ホン酸系の化合物（アミノアルキルスルホン酸）が適
し、中でも２−アミノエタンスルホン酸は大きな効果を
示す。好ましい濃度範囲は１０^-6〜１０^-3ｍｏｌ／ｌで
あり、これより低濃度では１価銅イオンの錯化剤の添加
効果が現われない。また、高濃度では１価銅イオンが安
定化するため、めっき液中に１価銅イオンの高濃度の蓄
積が起こる。このため、空気酸化による２価銅イオンへ
の酸化がまにあわなくなり、かえって亜酸化銅が生成す
ることになる。

【００３５】なお、上記添加剤の効果を最大限に発揮す
るため、２価銅化合物や該銅化合物の錯化剤に含まれる
不純物を取り除くことが望ましい。２価銅化合物中に含
まれる不純物は塩素イオンや窒素化合物であり、該銅化
合物の錯化剤であるトリエチレンテトラミン６酢酸およ
びその金属塩にはその製造工程においてエチレンジアミ
ンやトリエチレンテトラミンなどのポリアミンが混入す
る。

【００３６】ｐＨ調整剤としては、アルカリ金属の水酸
化物である水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどを用
いることができる。本発明のめっき液は、ｐＨ６〜１０
に調整することが好ましい。これ以下のｐＨではめっき
が起こらず、これ以上のｐＨでは浴安定性が低下する。

【００３７】本発明の化学銅めっき液は４５〜９０℃の
温度範囲で安定に使用できる。これ以下の温度域ではめ
っきが非常に遅く、これ以上の温度域では浴安定性が低
下する。

【００３８】本発明のめっき液では、還元剤としてアミ
ンボラン、とくにジメチルアミンボランを安定に使用す
ることができ、ｐＨ６〜１０において銅めっきが行え
る。このため、アルカリに侵食されるポリイミド、多く
のポジ形フォトレジスト、セラミック等の基材上にめっ
きを行うことができる。このため、本発明の化学銅めっ
き液および化学銅めっき方法は、各種の配線基板の製造
に用いるのに適している。

【００３９】

【実施例】以下に本発明の実施例を示して、さらに詳細
に説明する。

【００４０】（実施例１〜４、比較例１〜１８）まず、
錯化剤の選択、およびその好ましい濃度範囲について検
討する。

【００４１】本実施例および比較例では、下記組成の化
学銅めっき液を作成し、ＳＵＳ板（ステンレススチール
板）上にめっきを行って、めっき液の浴安定性、めっき
速度などを測定した。

【００４２】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ 錯化剤 ：表１に示す量 ジメチルアミンボラン：０．３ｍｏｌ／ｌ 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 蒸留水 ：液量を１リットルとする量 還元剤を除くめっき液１リットルをビーカーにいれ、孔
眼寸法５μｍのフィルタを通した空気によって撹拌しな
がら、ウォーターバス中で液温を６０℃に上げた後、所
定量の還元剤（本実施例１〜４および比較例１〜１８で
はジメチルアミンボラン（日曹ベントロン（株）製））
を添加した。通常のパラジウム−スズ活性化によって表
面を処理したＳＵＳ板をこの６０℃に保っためっき液中
に浸漬し、めっきを行った。この時のめっき電位、分解
時間を測定し、さらに、ＳＵＳ板の重量変化からめっき
速度を求めた。

【００４３】各種錯化剤についての測定結果を、表１に
示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】この結果から、還元剤にジメチルアミンボ
ランを用いる本発明のめっき液では、錯形成定数が３
２．６と高いトリエチレンテトラミン６酢酸（実施例１
〜４）のみが２０μｍ以上の厚膜のめっきに使用できる
ことが判った。なお、分解時間は長いほど望ましく、１
時間未満では実用に耐えない。めっき電位は−０．９〜
−０．７５ＶｖｓＳＣＥが望ましい。また、めっき速度
は１μｍ／ｈ以上であることが実用上望ましい。また、
得られるめっき皮膜の膜厚は、２０μｍ、より好ましく
は３０μｍ以上であることが望ましい。得られるめっき
皮膜の膜厚の最大値は、めっき速度に分解時間を掛けあ
わせればほぼ予測できる。

【００４６】錯形成定数が１８以下の錯化剤（イミノ二
酢酸、ニトリロ三酢酸・二ナトリウム、クエン酸・三ナ
トリウム、グリシン、およびヒドロキシエチルエチレン
ジアミン三酢酸）の場合は、還元剤添加直後にめっき液
が分解した（比較例１〜１０）。また、錯形成定数１８
〜２２の錯化剤（エチレンジアミン四酢酸・二ナトリウ
ム、シクロヘキサンジアミン四酢酸、およびジエチレン
トリアミン五酢酸）の場合は、めっき液が錯化剤添加後
３０分以内に分解し、実用に耐えない。

【００４７】また、錯化剤としてトリエチレンテトラミ
ン６酢酸を用いる場合の好ましい濃度範囲は、銅イオン
濃度の１．２〜６倍であり、これより低濃度（比較例１
７）では浴が不安定となり、高濃度（比較例１８）では
浴安定性は向上するがめっき速度が低下して厚膜のめっ
きが不可能となることが判った。

【００４８】（実施例５〜１２、比較例１９〜２０）つ
ぎに、還元剤の選択、およびその濃度範囲について検討
する。

【００４９】本実施例および比較例では、下記組成の化
学銅めっき液を作成し、実施例１と同様の方法でＳＵＳ
板上にめっきを行って、そのめっき液の浴安定性、めっ
き速度などを測定した。

【００５０】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ トリエチレンテトラミン６酢酸：０．２ｍｏｌ／ｌ 還元剤 ：表２に示す量 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 蒸留水 ：液量を１リットルとす
る量 各種還元剤についての測定結果を、表２に示す。

【００５１】

【表２】

【００５２】実施例５〜９（還元剤濃度０．０１〜１．
０ｍｏｌ／ｌ）では、安定に厚膜のめっきが行えた。こ
れより低濃度（比較例１９）では、めっき速度が低下し
て厚膜のめっきが困難となり、高濃度（比較例２０）で
は液が不安定となった。また、ジメチルアミンボラン以
外のモルフォリノボラン、ｔ−ブチルアミンボラン、イ
ソプロピルアミンボラン等の還元剤を用いた場合（実施
例１０〜１２）も、良好な浴安定性、めっき電位、めっ
き速度が得られることが判った。なお、ジメチルアミン
ボラン、モルフォリノボラン、ｔ−ブチルアミンボラ
ン、イソプロピルアミンボランの化学式を（化１）に示
す。

【００５３】

【化１】

【００５４】（実施例１３〜１９、比較例２１〜２２）
つぎに、銅イオン源およびその濃度範囲について検討す
る。

【００５５】本実施例および比較例では、下記組成の化
学銅めっき液を作成し、実施例１と同様の方法でＳＵＳ
板上にめっきを行って、各めっき液の浴安定性、めっき
速度などを測定した。

【００５６】 銅イオン源 ：表３に示す量 トリエチレンテトラミン６酢酸：０．２ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．３ｍｏｌ／ｌ 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 蒸留水 ：液量を１リットルとす
る量 各種銅イオン源についての測定結果を、表３に示す。

【００５７】

【表３】

【００５８】実施例１３〜１７（銅濃度０．００５〜
０．５ｍｏｌ／ｌ）では、安定に厚膜のめっきが行え
た。これより低濃度（比較例２１）ではめっき速度が低
下して厚膜めっきが困難となり、高濃度（比較例２２）
では液が不安定となった。また、硝酸銅を用いた実施例
１８や、酢酸銅を用いた実施例１９のように、硫酸銅以
外の銅イオン源を使用することも可能であることが判っ
た。

【００５９】（実施例２０〜２９、比較例２３〜３１）
さらに、界面活性剤を添加する場合の、好ましい界面活
性剤の種類、およびその好ましい濃度範囲を検討する。

【００６０】本実施例および比較例では、硫酸銅、トリ
エチレンテトラミン６酢酸、ジメチルアミンボランの基
本組成に界面活性剤を添加し、その効果を調べた。すな
わち、下記組成の化学銅めっき液を作成し、実施例１と
同様の方法でＳＵＳ板上にめっきを行って、各めっき液
の浴安定性、めっき速度などを測定した。

【００６１】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ トリエチレンテトラミン６酢酸：０．２ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．３ｍｏｌ／ｌ 界面活性剤 ：表４に示す量 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 蒸留水 ：液量を１リットルとす
る量 界面活性剤としては、ポリオキシエチレン系のポリエチ
レングリコールモノステアレート、リポノックスＮＣ−
１２０（ライオン（株）製）、レオコン１０２０Ｈ（ラ
イオン（株）製）、および、陰イオン系のドデシル硫酸
ナトリウム、陽イオン系のセチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、両性のＮ−ラウロイルサルコシンナトリ
ウムの合計６種類について検討した。なお、リポノック
スＮＣ−１２０およびレオコン１０２０Ｈの分子式を
（化２）に示す。

【００６２】

【化２】

【００６３】上記各種界面活性剤について浴安定性等を
測定した結果を、表４に示す。

【００６４】

【表４】

【００６５】実施例２０〜２９からわかるように、ポリ
オキシエチレン系の界面活性剤を添加しためっき液は、
浴安定性が添加しない場合（比較例２３）より著しく向
上する。また、ポリオキシエチレン系の界面活性剤の、
厚膜のめっきのために好ましい濃度範囲は０.０１〜１
０ｇ／ｌであった。この濃度範囲のポリオキシエチレン
系界面活性剤を添加しためっき液では、測定した時間範
囲内では分解が起こらず、また、めっき速度も十分高い
ため、厚膜のめっきを得るのに適している。

【００６６】これより低濃度（比較例２４、２７）では
界面活性剤を添加した効果が現われず、８時間で分解が
起こった。また、膜の形成が速すぎるため、生成しため
っき膜には、多数のピンホールが観測された。これより
高濃度（比較例２６、２８）ではめっき速度が低下する
ため、厚膜のめっきには不向きである。

【００６７】比較例２５からわかるように、錯化剤にエ
チレンジアミン４酢酸２ナトリウムを用いためっき液で
は、ポリオキシエチレン系の界面活性剤を添加しても浴
安定性はまったく改善されなかった。なお、比較例２５
では、還元剤の添加直後にめっき液が分解したため、め
っき電位、めっき速度は測定しなかった。また、比較例
２９〜３１からわかるように、ポリオキシエチレン系以
外の界面活性剤を添加すると、浴安定性は逆に低下す
る。なお、比較例２６、２８、２９〜３１では、厚いめ
っき膜が得られなかったため、ピンホールの計測は行な
わなかった。

【００６８】（実施例３０〜４３、比較例３２〜４１）
つぎに、めっき液のｐＨの好ましい範囲および好ましい
ｐＨ調整剤について検討する。

【００６９】本実施例および比較例では、下記組成の化
学銅めっき液を作成し、実施例１と同様の方法でＳＵＳ
板上にめっきを行って、各めっき液の浴安定性、めっき
速度などを測定した。

【００７０】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ トリエチレンテトラミン６酢酸：０．２ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．３ｍｏｌ／ｌ ｐＨ調整剤 ：表５に示すｐＨとする
量 界面活性剤 ：０．１ｇ／ｌ 蒸留水 ：液量を１リットルとす
る量 次の表５に各ｐＨおよび各ｐＨ調整剤についての測定結
果を示す。

【００７１】

【表５】

【００７２】なお、比較例３２、３４、３６、および３
８のめっき速度は判定できなかった。これは、めっき反
応がほぼ進行しなかったためである。また、比較例３３
では、還元剤添加直後にめっき液が分解したため、めっ
き電位、めっき速度は測定できなかった。比較例４０、
および４１では、浴安定性、めっき速度ともに判定でき
なかった。めっき反応がほぼ進行せず、分解も進行しな
かったためである。

【００７３】実施例３０〜４３からわかるように、ｐＨ
６〜１０の範囲では、安定に厚膜のめっきが行える。ｐ
Ｈ５（比較例３２、３４、３６、および３８）ではめっ
き速度が遅すぎてめっきが困難であり、逆に、ｐＨ１１
（比較例３３、３５、３７、および３９）では液が不安
定で速やかに分解した。なお、界面活性剤を添加する効
果は、各ｐＨにおいて確認できた。

【００７４】実施例４２、４３からわかるように、ｐＨ
調整剤として、水酸化カリウムのような水酸化ナトリウ
ム以外の水酸化アルカリも使用できる。しかし、ｐＨ調
整剤にアンモニアを用いる（比較例４０、４１）と、中
性領域でのめっきが困難であることが判った。

【００７５】（実施例４４〜５７、比較例４２〜４７）
ここでは、めっき液の液温について検討する。

【００７６】下記組成の化学銅めっき液を調整し、表６
に示した各液温として、これを用いて、ＳＵＳ板上にめ
っきを行い、浴安定性などを測定した。

【００７７】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ トリエチレンテトラミン６酢酸：０．２ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．３ｍｏｌ／ｌ 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 蒸留水 ：液量を１リットルとす
る量 次の表６に各液温についての測定結果を示す。なお、実
施例４５、４７〜４９、５１〜５３、５５、５６、５
７、比較例４３、４７には、さらに、表６に示す界面活
性剤を０．１ｇ／ｌ添加した。

【００７８】

【表６】

【００７９】なお、比較例４２、４３のめっき速度およ
び浴安定性は判定できなかった。これは、めっき反応が
ほぼ進行せず、分解も進行しなかったためである。ま
た、比較例４４〜４７では、めっき液は還元剤添加直後
に分解したため、めっき電位、めっき速度の測定は行な
わなかった。

【００８０】実施例４４〜５５からわかるように、４５
〜７０℃の温度範囲でめっきが可能であった。これより
低温（比較例４２、４３）ではめっき速度が遅すぎてめ
っきが困難であり、高温（比較例４６、４７）では液が
不安定となり速やかに分解したため、めっきができなか
った。

【００８１】ただし、界面活性剤を添加すれば（実施例
５６、５７）、７０〜９０℃の温度範囲でもめっきを行
なうことができる。また、実施例４５、４７〜４９、５
１〜５３、５５から、界面活性剤の浴安定性に対する効
果が確認された。なお、９５℃以上（比較例４６、４
７）では、界面活性剤の有無にかかわらず、液が不安定
となり速やかな分解が起こった。

【００８２】（実施例５８〜６３、比較例４８〜５０）
つぎに、添加剤として１価銅イオンの錯化剤を加える場
合の、錯化剤の選択、およびその好ましい濃度範囲につ
いて検討する。

【００８３】本実施例および比較例では、下記組成の化
学銅めっき液を用いて、ＳＵＳ板上にめっきを行い、め
っき速度、生成しためっき皮膜の物性などを測定した。

【００８４】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ トリエチレンテトラミン６酢酸 ：０．２ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．３ｍｏｌ／ｌ 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 ポリエチレングリコール・モノステアレート：０．１ｇ／ｌ １価銅イオンの錯化剤 ：表７に示す量 蒸留水 ：液量を１リットルとする量 まず、めっき液を調整した。還元剤を除く組成を混合し
て得られるめっき液１リットルをビーカーにいれ、孔眼
寸法５μｍのフィルタを通した空気によって撹拌しなが
らウォーターバス中で液温を６０℃に上げた後、所定量
の還元剤を添加してめっき液を得た（比較例４８のみ還
元剤を添加せず）。このめっき液中に、通常のパラジウ
ム−スズ活性化によって表面を処理したＳＵＳ板を浸漬
し、めっきを行い、ＳＵＳ板の重量を３０分ごとに測定
することにより、めっき速度、および、総めっき量を求
めた。めっき膜厚が２０μｍになった時点で皮膜をＳＵ
Ｓ板から剥がし、皮膜強度と伸びを測定した。表７に測
定結果を示す。

【００８５】

【表７】

【００８６】実施例５８〜６１からわかるように、１価
銅イオンの錯化剤を１０^-6〜１０^−３ｍｏｌ／ｌ添加す
ると、得られる皮膜の物性が良好である。なお、めっき
皮膜の伸びは、３％以上が望ましい。これより低濃度
（比較例４９）、または、１価銅イオンの錯化剤無添加
の場合（比較例４８）は、皮膜物性の改善がみられず、
得られるめっき皮膜の伸びが３％未満であった。また、
高濃度（比較例５０）ではやはり皮膜が脆くなり、皮膜
の伸びは３％未満であった。

【００８７】また、実施例６２、６３からわかるよう
に、アミノメタンスルホン酸、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
エタンスルホン酸等、２−アミノメタンスルホン酸以外
の１価銅イオンの錯化剤も皮膜物性改善効果がある。さ
らに、実施例５８〜６３により得られた皮膜中のホウ素
含有量を分析したところ、０．０１％以下であった。こ
のことから、本実施例５８〜６３のめっき液を用いれ
ば、高純度の銅によるめっき皮膜が得られることが確認
された。

【００８８】（実施例６４）さらに、１価銅イオンの錯
化剤を添加しない場合の皮膜中の銅純度を測定した。本
実施例では、下記組成の化学銅めっき液を用いて、ＳＵ
Ｓ板上にめっきを行い、めっき速度、および、得られた
皮膜中のホウ素含有量を測定した。

【００８９】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ トリエチレンテトラミン６酢酸：０．２ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．３ｍｏｌ／ｌ 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 リポノックスＮＣ−１２０ ：０．１ｇ／ｌ 蒸留水 ：液量を１リットルとす
る量 まず、めっき液を調整した。還元剤（ジメチルアミンボ
ラン）を除く組成を混合して得られるめっき液１リット
ルをビーカーにいれ、孔眼寸法５μｍのフィルタを通し
た空気によって撹拌しながらウォーターバス中で液温を
６０℃に上げた後、所定量の還元剤を添加してめっき液
を得た。このめっき液中に、通常のパラジウム−スズ活
性化によって表面を処理したＳＵＳ板を浸漬し、めっき
を行い、ＳＵＳ板の重量を３０分ごとに測定することに
より、めっき速度を求めた。めっき速度は、３．６μｍ
／ｈであり、測定中、液の分解は起こらなかった。ま
た、得られた皮膜中のホウ素含有量を分析したところ、
０．０１％以下であった。このことから、本実施例のめ
っき液を用いれば、高純度の銅によるめっき皮膜が得ら
れることが確認された。

【００９０】（実施例６５）本実施例６５では、下記組
成の化学銅めっき液を用いて、図１に示すパートリアデ
ィティブ法によりプリント回路板を作成した。

【００９１】 硫酸銅 ：０．０５ｍｏｌ／ｌ トリエチレンテトラミン６酢酸 ：０．２ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ：０．３ｍｏｌ／ｌ 水酸化ナトリウム ：ｐＨ８とする量 ポリエチレングリコール・モノステアレート：０．１ｇ／ｌ ２−アミノエタンスルホン酸 ：１０^−５ｍｏｌ／ｌ 蒸留水 ：液量を１リットルとする量 (１)まず、図１（ａ）に示すように、エポキシ樹脂より
なる基板１の表裏に銅箔２を張って銅張積層板を作製し
た。なお、基板は、フェノール樹脂等、他の材質のもの
であってもよい。 （２）つぎに、図１（ｂ）に示すように、銅張積層板の
所定位置に貫通孔９をあけ、穴あき銅張積層板とした。 （３）図１（ｃ）に示すように、ランド部と配線回路部
とにエッチングレジスト３を形成した。 （４）図１（ｄ）に示すように、エッチングレジストに
より保護されていない、銅箔２の不要部分をエッチング
により除去したのち、エッチングレジストを除去した。 （５）さらに、図１（ｅ）に示すように、貫通孔９の内
壁およびランド部以外の配線回路部の表面に、耐めっき
ソルダレジストを付着させた。 （６）最後に、図１（ｆ）に示すように、貫通孔９の内
壁およびランド部の銅箔２表面に上記の組成の化学銅め
っき液を用いて化学銅めっきを施して銅めっき皮膜５を
形成した。 得られたプリント回路板は、スルーホール内への銅の析
出の均一性に優れ、かつ、非触媒面上への銅析出の無い
良好な基板であった。

【００９２】（実施例６６）本実施例６６では、実施例
６５に示す組成の化学銅めっき液を用いて、図２に示す
ように、フルアディティブ法によりプリント回路板を作
製した。 （１）まず、図２（ａ）に示す基板１の表裏両面に接着
剤を塗布し、図２（ｂ）に示す接着剤層１０を備えた基
板１とした。 （２）この接着剤層１０を備えた基板１の所定位置に、
図２（ｃ）に示すように貫通孔９をあけ、穴あき基板と
した。 （３）つぎに、図２（ｄ）に示すように、この穴あき基
板のランド部と配線回路部とを除く部分に、耐めっきレ
ジスト６を付着させ、図２（ｅ）に示すように、耐めっ
きレジスト６の付着していない部分、すなわち、貫通孔
９の内壁、ランド部および配線回路部の、接着剤層１０
の表面に、実施例６５と同様の化学銅めっき液を用いて
化学銅めっきを施し、銅めっき皮膜５を形成た。 （４）最後に、図２（ｆ）に示すように、貫通孔９の内
壁およびランド部の銅めっき皮膜以外の部分の表面に、
ソルダレジスト７を付着させた。得られたプリント回路
板は、スルーホール内への銅の析出の均一性に優れ、か
つ、非触媒面上への銅析出の無い良好な基板であった。

【００９３】（実施例６７）本実施例６７では、実施例
６５に示す組成の化学銅めっき液を用いて、図３に示す
ように、サブトラクト法によりプリント回路板を作成し
た。 （１）まず、図３（ａ）に示すように表裏両面に銅箔２
を張った基板１の所定位置に、図３（ｂ）に示すように
貫通孔９をあけ、穴あき銅張積層板とした。 （２）この穴あき銅張積層板の表面および貫通孔の内壁
に、図３（ｃ）に示すように、実施例６５と同様の化学
銅めっき液を用いて化学銅めっきを施して銅めっき皮膜
５を形成した。 （３）つぎに、図３（ｄ）に示すように、ランド部と配
線回路部とをエッチングレジスト３で覆い、図３（ｅ）
に示すように、エッチングレジストにより保護されてい
ない、銅箔２および銅めっき皮膜５の不要部分をエッチ
ングにより除去したのち、エッチングレジストを除去し
た。 （４）最後に、図１（ｆ）に示すように、貫通孔９の内
壁およびランド部以外の基板および配線回路部の表面
に、耐めっきソルダレジスト７を付着させた。得られた
プリント回路板は、スルーホール内への銅の析出の均一
性に優れ、かつ、非触媒面上への銅析出の無い良好な基
板であった。

【００９４】（実施例６８）本実施例６８では、実施例
６５に示す組成の化学銅めっき液を用いて、図４に示す
ように、セラミック基板を用いた多層板プロセスにより
プリント回路板を作製した。 （１）まず、図４（ａ）に示すセラミック基板８の表面
を、図４（ｂ）に示すようにめっきレジスト６で覆い、
図４（ｃ）に示すように、所定の位置のレジスト６を取
り除くことにより、レジストパターンを形成した。 （２）このレジスト６を取り除いた部分に、実施例６５
と同様の化学銅めっき液を用いて化学銅めっきを施し、
図４（ｄ）に示すように銅めっき皮膜による配線１１を
有する配線層を形成した。 （３）さらに、（２）において形成した配線層の上に、
図４（ｅ）に示すように、めっきレジスト層６を形成
し、ビアホールとするべき所定の位置のレジスト６を取
り除いて、図４（ｆ）に示すようにビアパターンを形成
した。 （４）このビアホールの部分に、実施例６５と同様の化
学銅めっき液を用いて化学銅めっきを施し、めっき皮膜
によるビアホール１２を有するビアホール層を形成し
た。 得られたプリント回路板は、配線、ビアホール内への銅
の析出の均一性に優れ、かつ、非触媒面上への銅析出の
無い良好な基板であった。また、めっき後セラミック基
板の損傷は全く見られなかった。

【００９５】

【発明の効果】本発明によれば、有毒なホルムアルデヒ
ドを使用せずに、化学銅めっきにより良好な物性を備え
るめっき皮膜を析出させる。

【００９６】また、本発明の化学銅めっき液は中性領域
で使用可能なため、アルカリに侵食されるポリイミド、
多くのポジ形フォトレジスト、セラミック等の基材上に
めっきを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】パートリーアディティブ法によるプリント回路
板の製造工程を示す説明図である。

【図２】フルアディティブ法によるプリント回路板の製
造工程を示す説明図である。

【図３】サブトラクト法によるプリント回路板の製造工
程を示す説明図である。

【図４】セラミック基板を用いた多層基板の製造工程を
示す説明図である。

【符号の説明】

１…基材、２…銅箔、３…エッチングレジスト、４…耐
めっきソルダレジスト、５…銅めっき皮膜、６…耐めっ
きレジスト、７…ソルダレジスト、８…セラミック基
板、９…貫通孔、１０…接着剤、１１…配線、１２…ス
ルーホール。

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】水溶性の２価銅化合物と、２価銅イオンの
   錯化剤と、還元剤とを含む化学銅めっき液において、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 上記２価銅イオンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン
   ６酢酸およびトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩の
   うちの少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする
   化学銅めっき液。
2. 【請求項２】水溶性の２価銅化合物と、２価銅イオンの
   錯化剤と、還元剤とを含む化学銅めっき液において、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに界面活性剤を含み、 上記界面活性剤は、ポリオキシエチレン系非イオン性界
   面活性剤であることを特徴とする化学銅めっき液。
3. 【請求項３】請求項２において、 前記界面活性剤の濃度は、０．０１〜１０ｇ／ｌである
   ことを特徴とする化学銅めっき液。
4. 【請求項４】請求項２において、 前記ポリオキシエチレン系非イオン性界面活性剤は、ポ
   リエチレングリコールモノステアレートであることを特
   徴とする化学銅めっき液。
5. 【請求項５】水溶性の２価銅化合物と、２価銅イオンの
   錯化剤と、還元剤とを含む化学銅めっき液において、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに１価銅イオンの錯化剤を含み、 上記１価銅イオンの錯化剤は、アミノアルキルスルホン
   酸であることを特徴とする化学銅めっき液。
6. 【請求項６】請求項５において、 前記１価銅イオンの錯化剤の濃度は、１０^-6〜１０^-3ｍ
   ｏｌ／ｌであることを特徴とする化学銅めっき液。
7. 【請求項７】請求項５において、 前記１価銅イオンの錯化剤は、アミノエタンスルホン酸
   であることを特徴とする化学銅めっき液。
8. 【請求項８】水溶性の２価銅化合物と、２価銅イオンの
   錯化剤と、還元剤とを含む化学銅めっき液において、 界面活性剤と、１価銅イオンの錯化剤とをさらに含み、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 上記２価銅イオンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン
   ６酢酸およびトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩の
   うちの少なくともいずれか一方であり、 上記界面活性剤は、ポリオキシエチレン系非イオン性界
   面活性剤であり、 上記１価銅イオンの錯化剤は、アミノアルキルスルホン
   酸であることを特徴とする化学銅めっき液。
9. 【請求項９】請求項１、２、５または８において、 前記水溶性の２価銅化合物の濃度は、０．００５〜０．
   ５ｍｏｌ／ｌであることを特徴とする化学銅めっき液。
10. 【請求項１０】請求項１、２、５または８において、 前記２価銅イオンの錯化剤の濃度は、銅イオン濃度の
    １．２〜６倍であることを特徴とする化学銅めっき液。
11. 【請求項１１】請求項１、２、５または８において、 前記還元剤の濃度は、銅イオン濃度の２〜１０倍である
    ことを特徴とする化学銅めっき液。
12. 【請求項１２】請求項１、２、５または８において、 前記還元剤は、アミンボランであることを特徴とする化
    学銅めっき液。
13. 【請求項１３】請求項１２において、 前記還元剤は、ジメチルアミンボランであることを特徴
    とする化学銅めっき液。
14. 【請求項１４】少なくとも、水溶性の２価銅化合物と、
    トリエチレンテトラミン６酢酸およびトリエチレンテト
    ラミン６酢酸の金属塩のうちの少なくともいずれか一方
    とを含む混合液を用意する混合液準備工程と、 上記混合液に、還元剤としてボラン化合物を添加して化
    学銅めっき液を調製する化学銅めっき液調製工程と、 上記化学銅めっき液に浸漬することによりめっきを行な
    うめっき工程とを有する化学銅めっき方法。
15. 【請求項１５】少なくとも、水溶性の２価銅化合物と、
    ２価銅イオンの錯化剤と、ポリオキシエチレン系非イオ
    ン性界面活性剤とを含む混合液を用意する混合液準備工
    程と、 上記混合液に、還元剤としてボラン化合物を添加して化
    学銅めっき液を調製する化学銅めっき液調製工程と、 上記化学銅めっき液に浸漬することによりめっきを行な
    うめっき工程とを有する化学銅めっき方法。
16. 【請求項１６】少なくとも、水溶性の２価銅化合物と、
    ２価銅イオンの錯化剤と、アミノアルキルスルホン酸と
    を含む混合液を用意する混合液準備工程と、 上記混合液に、還元剤としてボラン化合物を添加して化
    学銅めっき液を調製する化学銅めっき液調製工程と、 上記化学銅めっき液に浸漬することによりめっきを行な
    うめっき工程とを有する化学銅めっき方法。
17. 【請求項１７】少なくとも、水溶性の２価銅化合物と、
    トリエチレンテトラミン６酢酸およびトリエチレンテト
    ラミン６酢酸の金属塩のうちの少なくともいずれか一方
    と、ポリオキシエチレン系非イオン性界面活性剤と、ア
    ミノアルキルスルホン酸とを含む混合液を用意する混合
    液準備工程と、 上記混合液に、還元剤としてボラン化合物を添加して化
    学銅めっき液を調製する化学銅めっき液調製工程と、 上記化学銅めっき液に浸漬することによりめっきを行な
    うめっき工程とを有する化学銅めっき方法。
18. 【請求項１８】請求項１４または１６において、 前記めっき工程は、４５〜７０℃の前記化学銅めっき液
    に浸漬することによりめっきを行なう工程であることを
    特徴とする化学銅めっき方法。
19. 【請求項１９】請求項１５または１８において、 前記めっき工程は、４５〜９０℃の前記化学銅めっき液
    に浸漬することによりめっきを行なう工程であることを
    特徴とする化学銅めっき方法。
20. 【請求項２０】請求項１４〜１８において、 前記混合液準備工程は、混合液をｐＨ６〜１０に調製す
    る処理を含むことを特徴とする化学銅めっき方法。
21. 【請求項２１】基板表面に銅箔を備える銅張積層板の所
    定位置に貫通孔をあける工程と、 上記銅張積層板の表面の銅箔の、あらかじめ定められた
    部分をエッチングにより除去する工程と、 上記銅張積層板の表面のあらかじめ定められた部分に耐
    めっきソルダレジストを付着させる工程と、 上記銅箔表面に、水溶性の２価銅化合物、２価銅イオン
    の錯化剤、および還元剤を含む化学銅めっき液を用いて
    化学銅めっきを施す工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 上記２価銅イオンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン
    ６酢酸およびトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩の
    うちの少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする
    配線基板の製造方法。
22. 【請求項２２】基板表面に銅箔を備える銅張積層板の所
    定位置に貫通孔をあける工程と、 上記銅張積層板の表面の銅箔の、あらかじめ定められた
    部分をエッチングにより除去する工程と、 上記銅張積層板の表面のあらかじめ定められた部分に耐
    めっきソルダレジストを付着させる工程と、 上記銅箔表面に、水溶性の２価銅化合物、２価銅イオン
    の錯化剤、および還元剤を含む化学銅めっき液を用いて
    化学銅めっきを施す工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに界面活性剤を含み、 上記界面活性剤は、ポリオキシエチレン系非イオン性界
    面活性剤であることを特徴とする配線基板の製造方法。
23. 【請求項２３】基板表面に銅箔を備える銅張積層板の所
    定位置に貫通孔をあける工程と、 上記銅張積層板の表面の銅箔の、あらかじめ定められた
    部分をエッチングにより除去する工程と、 上記銅張積層板の表面のあらかじめ定められた部分に耐
    めっきソルダレジストを付着させる工程と、 上記銅箔表面に、水溶性の２価銅化合物、２価銅イオン
    の錯化剤、および還元剤を含む化学銅めっき液を用いて
    化学銅めっきを施す工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに１価銅イオンの錯化剤を含み、 上記１価銅イオンの錯化剤は、アミノアルキルスルホン
    酸であることを特徴とする配線基板の製造方法。
24. 【請求項２４】基板表面に接着剤を塗布し、基板の所定
    位置に貫通孔をあける工程と、 上記接着剤を塗布した基板の表面のあらかじめ定められ
    た部分に耐めっきレジストを付着させる工程と、 上記基板表面の耐めっきレジストに覆われていない部分
    に、水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオンの錯化剤、
    および還元剤を含む化学銅めっき液を用いて化学銅めっ
    きを施す工程と、 上記基板表面のあらかじめ定められた部分にソルダレジ
    ストを付着させる工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 上記２価銅イオンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン
    ６酢酸およびトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩の
    うちの少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする
    配線基板の製造方法。
25. 【請求項２５】基板表面に接着剤を塗布し、基板の所定
    位置に貫通孔をあける工程と、 上記接着剤を塗布した基板の表面のあらかじめ定められ
    た部分に耐めっきレジストを付着させる工程と、 上記基板表面の耐めっきレジストに覆われていない部分
    に、水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオンの錯化剤、
    および還元剤を含む化学銅めっき液を用いて化学銅めっ
    きを施す工程と、 上記基板表面のあらかじめ定められた部分にソルダレジ
    ストを付着させる工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに界面活性剤を含み、 上記界面活性剤は、ポリオキシエチレン系非イオン性界
    面活性剤であることを特徴とする配線基板の製造方法。
26. 【請求項２６】基板表面に接着剤を塗布し、基板の所定
    位置に貫通孔をあける工程と、 上記接着剤を塗布した基板の表面のあらかじめ定められ
    た部分に耐めっきレジストを付着させる工程と、 上記基板表面の耐めっきレジストに覆われていない部分
    に、水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオンの錯化剤、
    および還元剤を含む化学銅めっき液を用いて化学銅めっ
    きを施す工程と、 上記基板表面のあらかじめ定められた部分にソルダレジ
    ストを付着させる工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに１価銅イオンの錯化剤を含み、 上記１価銅イオンの錯化剤は、アミノアルキルスルホン
    酸であることを特徴とする配線基板の製造方法。
27. 【請求項２７】基板表面に銅箔を備える銅張積層板の所
    定位置に貫通孔をあける工程と、 上記積層板の表面および貫通孔の内壁に水溶性の２価の
    銅化合物、２価銅イオンの錯化剤、および還元剤を含有
    する化学銅めっき液を用いて化学銅めっきを施し、銅め
    っき皮膜を形成する工程と、 上記銅めっき皮膜のあらかじめ定められた部分をエッチ
    ングにより除去する工程と、 上記基板表面のあらかじめ定められた部分にソルダレジ
    ストを付着させる工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 上記２価銅イオンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン
    ６酢酸およびトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩の
    うちの少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする
    配線基板の製造方法。
28. 【請求項２８】基板表面に銅箔を備える銅張積層板の所
    定位置に貫通孔をあける工程と、 上記積層板の表面および貫通孔の内壁に水溶性の２価の
    銅化合物、２価銅イオンの錯化剤、および還元剤を含有
    する化学銅めっき液を用いて化学銅めっきを施し、銅め
    っき皮膜を形成する工程と、 上記銅めっき皮膜のあらかじめ定められた部分をエッチ
    ングにより除去する工程と、 上記基板表面のあらかじめ定められた部分にソルダレジ
    ストを付着させる工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに界面活性剤を含み、 上記界面活性剤は、ポリオキシエチレン系非イオン性界
    面活性剤であることを特徴とする配線基板の製造方法。
29. 【請求項２９】基板表面に銅箔を備える銅張積層板の所
    定位置に貫通孔をあける工程と、 上記積層板の表面および貫通孔の内壁に水溶性の２価の
    銅化合物、２価銅イオンの錯化剤、および還元剤を含有
    する化学銅めっき液を用いて化学銅めっきを施し、銅め
    っき皮膜を形成する工程と、 上記銅めっき皮膜のあらかじめ定められた部分をエッチ
    ングにより除去する工程と、 上記基板表面のあらかじめ定められた部分にソルダレジ
    ストを付着させる工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに１価銅イオンの錯化剤を含み、 上記１価銅イオンの錯化剤は、アミノアルキルスルホン
    酸であることを特徴とする配線基板の製造方法。
30. 【請求項３０】基板の表面のあらかじめ定められた位置
    をめっきレジストで被覆し、該めっきレジストに覆われ
    ていない部分を水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオン
    の錯化剤、および還元剤を含有する化学銅めっき液を用
    いて化学銅めっきを施し、銅めっき皮膜による配線を形
    成する配線層形成工程と、 上記配線層の表面のあらかじめ定められた位置をめっき
    レジストで被覆し、該めっきレジストに覆われていない
    部分に水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオンの錯化
    剤、および還元剤を含有する化学銅めっき液を用いて化
    学銅めっきを施し、銅めっき皮膜によるビアホールを形
    成するビアホール層形成工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 上記２価銅イオンの錯化剤は、トリエチレンテトラミン
    ６酢酸およびトリエチレンテトラミン６酢酸の金属塩の
    うちの少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする
    配線基板の製造方法。
31. 【請求項３１】基板の表面のあらかじめ定められた位置
    をめっきレジストで被覆し、該めっきレジストに覆われ
    ていない部分を水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオン
    の錯化剤、および還元剤を含有する化学銅めっき液を用
    いて化学銅めっきを施し、銅めっき皮膜による配線を形
    成する配線層形成工程と、 上記配線層の表面のあらかじめ定められた位置をめっき
    レジストで被覆し、該めっきレジストに覆われていない
    部分に水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオンの錯化
    剤、および還元剤を含有する化学銅めっき液を用いて化
    学銅めっきを施し、銅めっき皮膜によるビアホールを形
    成するビアホール層形成工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに界面活性剤を含み、 上記界面活性剤は、ポリオキシエチレン系非イオン性界
    面活性剤であることを特徴とする配線基板の製造方法。
32. 【請求項３２】基板の表面のあらかじめ定められた位置
    をめっきレジストで被覆し、該めっきレジストに覆われ
    ていない部分を水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオン
    の錯化剤、および還元剤を含有する化学銅めっき液を用
    いて化学銅めっきを施し、銅めっき皮膜による配線を形
    成する配線層形成工程と、 上記配線層の表面のあらかじめ定められた位置をめっき
    レジストで被覆し、該めっきレジストに覆われていない
    部分に水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオンの錯化
    剤、および還元剤を含有する化学銅めっき液を用いて化
    学銅めっきを施し、銅めっき皮膜によるビアホールを形
    成するビアホール層形成工程とをこの順に有し、 上記還元剤は、ボラン化合物であり、 さらに１価銅イオンの錯化剤を含み、 上記１価銅イオンの錯化剤は、アミノアルキルスルホン
    酸であることを特徴とする配線基板の製造方法。