JPH06317786A - プラズマ・アドレス装置 - Google Patents
プラズマ・アドレス装置Info
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- JPH06317786A JPH06317786A JP6064463A JP6446394A JPH06317786A JP H06317786 A JPH06317786 A JP H06317786A JP 6064463 A JP6064463 A JP 6064463A JP 6446394 A JP6446394 A JP 6446394A JP H06317786 A JPH06317786 A JP H06317786A
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- electrodes
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- thin film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13334—Plasma addressed liquid crystal cells [PALC]
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- G—PHYSICS
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/26—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using discharge tubes
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- H01J11/32—Disposition of the electrodes
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- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/38—Dielectric or insulating layers
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】所望の機械的、熱的、光学的、電気的特性を持
った柔軟な誘電体層を備えたプラズマ・アドレス装置を
提供すること。 【構成】第１電極１８を主面上に設けた第１基板２２
と、イオン化可能ガス媒体を封入したチャネル２０を主
面上に設け、上記チャネル内に第２電極４８及び基準電
極４６を設けた第２基板２４と、上記第１及び第２基板
の間に配置され、上記第１電極と上記チャネルに挟まれ
た部分でデータ蓄積エレメントを形成する電気光学材料
層３２と、上記第１電極に第１信号を供給する第１手段
５８と、上記第２電極に第２信号を供給する第２手段６
４とを有し、上記チャネル内のイオン化可能ガス媒体を
上記第２電極と上記基準電極間で選択的に放電させ、上
記第２電極と上記基準電極との間を選択的に導電状態と
することにより上記データ蓄積エレメントをアドレスす
るものであって、上記電気光学材料層３２と上記第２基
板２４との間にポリマー薄膜で形成した柔軟な誘電体材
料層２６を設けたことを特徴とする。
った柔軟な誘電体層を備えたプラズマ・アドレス装置を
提供すること。 【構成】第１電極１８を主面上に設けた第１基板２２
と、イオン化可能ガス媒体を封入したチャネル２０を主
面上に設け、上記チャネル内に第２電極４８及び基準電
極４６を設けた第２基板２４と、上記第１及び第２基板
の間に配置され、上記第１電極と上記チャネルに挟まれ
た部分でデータ蓄積エレメントを形成する電気光学材料
層３２と、上記第１電極に第１信号を供給する第１手段
５８と、上記第２電極に第２信号を供給する第２手段６
４とを有し、上記チャネル内のイオン化可能ガス媒体を
上記第２電極と上記基準電極間で選択的に放電させ、上
記第２電極と上記基準電極との間を選択的に導電状態と
することにより上記データ蓄積エレメントをアドレスす
るものであって、上記電気光学材料層３２と上記第２基
板２４との間にポリマー薄膜で形成した柔軟な誘電体材
料層２６を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン化可能ガス媒体
を用いてデータ蓄積エレメントのアドレスを行うプラズ
マ・アドレス装置に関する。
を用いてデータ蓄積エレメントのアドレスを行うプラズ
マ・アドレス装置に関する。
【０００２】
【従来技術】プラズマ・アドレス装置には種々の応用例
がある。例えば、ビデオ・カメラ、メモリ装置、液晶表
示装置を含むフラット・パネル表示装置等である。この
ようなプラズマ・アドレス装置は、ブザク（Buzak）等
の米国特許第４８９６１４９号及び米国特許第５０７７
５５３号（対応日本出願：特開平１−２１７３９６号）
に記載されている。
がある。例えば、ビデオ・カメラ、メモリ装置、液晶表
示装置を含むフラット・パネル表示装置等である。この
ようなプラズマ・アドレス装置は、ブザク（Buzak）等
の米国特許第４８９６１４９号及び米国特許第５０７７
５５３号（対応日本出願：特開平１−２１７３９６号）
に記載されている。
【０００３】従来のプラズマ・アドレス装置の一実施例
では、第１及び第２ガラス基板を主面を互いに離間させ
て対向配置し、例えば液晶材料のような層と誘電体層と
をこれら第１及び第２基板の間に設けている。第１基板
の内側表面上に複数の平行導電体を設け、列電極を形成
する。これら列電極にはデータ信号が供給されるように
なっている。第２基板の内側表面には複数の平行チャネ
ル（溝）が形成されている。これらの平行チャネルの方
向は、第１基板の列電極の方向と略垂直に交差する方向
であり、第１基板の列電極と第２基板のチャネルとは、
所謂ねじれの位置関係にある。
では、第１及び第２ガラス基板を主面を互いに離間させ
て対向配置し、例えば液晶材料のような層と誘電体層と
をこれら第１及び第２基板の間に設けている。第１基板
の内側表面上に複数の平行導電体を設け、列電極を形成
する。これら列電極にはデータ信号が供給されるように
なっている。第２基板の内側表面には複数の平行チャネ
ル（溝）が形成されている。これらの平行チャネルの方
向は、第１基板の列電極の方向と略垂直に交差する方向
であり、第１基板の列電極と第２基板のチャネルとは、
所謂ねじれの位置関係にある。
【０００４】これらのチャネル内にはイオン化可能ガス
が封入される。各チャネル内の長手方向に沿って設けら
れた基準電極（アノード）及びカソード電極を含む放電
機構によりガスが放電される。各チャネル内のガスが選
択的に放電され、チャネルに沿ったデータ蓄積エレメン
トをアドレスする。これらアドレス可能なエレメント
は、液晶材料のような電気光学特性を有する一連の表示
エレメントであり、第１基板の内面と誘電体層との間の
領域に設けられる。
が封入される。各チャネル内の長手方向に沿って設けら
れた基準電極（アノード）及びカソード電極を含む放電
機構によりガスが放電される。各チャネル内のガスが選
択的に放電され、チャネルに沿ったデータ蓄積エレメン
トをアドレスする。これらアドレス可能なエレメント
は、液晶材料のような電気光学特性を有する一連の表示
エレメントであり、第１基板の内面と誘電体層との間の
領域に設けられる。
【０００５】第２基板の隣合うチャネル間の側壁により
複数の支持構体が形成され、これらの複数の側壁の上端
面により誘電体層が支持される。この誘電体層は、イオ
ン化可能ガスが封入されたチャネルと液晶材料層との間
の隔離壁として機能する。この誘電体層は、液晶材料が
チャネル内に流れ込んだり、イオン化可能ガスが液晶材
料中に入り込むのを防止している。
複数の支持構体が形成され、これらの複数の側壁の上端
面により誘電体層が支持される。この誘電体層は、イオ
ン化可能ガスが封入されたチャネルと液晶材料層との間
の隔離壁として機能する。この誘電体層は、液晶材料が
チャネル内に流れ込んだり、イオン化可能ガスが液晶材
料中に入り込むのを防止している。
【０００６】第１基板、第２基板及び誘電体層は、周囲
の境界領域に沿ってガラス・フリットにより接着される
のが普通である。このフリット接着のプロセスは、普通
は窒素又は酸素の雰囲気中で高温のオーブンの中で行
う。窒素又は酸素の雰囲気中で高温に加熱することによ
り、メモリ装置、表示スクリーンその他のプラズマ・ア
ドレス装置から水蒸気を追い出すことができる。水分や
他の揮発性成分があると、プラズマ・アドレス装置の使
用耐用年数が短くなると考えられる。
の境界領域に沿ってガラス・フリットにより接着される
のが普通である。このフリット接着のプロセスは、普通
は窒素又は酸素の雰囲気中で高温のオーブンの中で行
う。窒素又は酸素の雰囲気中で高温に加熱することによ
り、メモリ装置、表示スクリーンその他のプラズマ・ア
ドレス装置から水蒸気を追い出すことができる。水分や
他の揮発性成分があると、プラズマ・アドレス装置の使
用耐用年数が短くなると考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】電気的及び光学的な所
望の性能を維持するためには、誘電体層を極めて薄く形
成する必要がある。誘電体層は、種々の材料、例えば、
ガラス、マイカ（雲母）、熱可塑性材料等により形成さ
れていた。これらの材料には厳しい制限があって、目的
によっては満足できる性質を得られないことが判った。
このような材料を基板に接着させるのも深刻な問題を提
起することとなった。
望の性能を維持するためには、誘電体層を極めて薄く形
成する必要がある。誘電体層は、種々の材料、例えば、
ガラス、マイカ（雲母）、熱可塑性材料等により形成さ
れていた。これらの材料には厳しい制限があって、目的
によっては満足できる性質を得られないことが判った。
このような材料を基板に接着させるのも深刻な問題を提
起することとなった。
【０００８】従来、極めて薄いガラスシートをプラズマ
・アドレス表示スクリーンの誘電体層として使用してい
た。一例は、スコット（Schott：登録商標）Ｄ２６３ガ
ラスシートで、深さ（厚さ）が０．０５ｍｍで光学的に
透明、熱的に安定、耐久性があり、化学的に略純粋なも
のである。このような薄いガラスシートは、プラズマ・
アドレス装置の誘電体層として使用するのに電気的、物
理的、光学的品質に関して最も満足できる特性を持って
いると考えられる。しかし、このような薄いガラスシー
トと第１ガラス基板及び第２ガラス基板とを良好に合わ
せるのは困難であることが判明している。
・アドレス表示スクリーンの誘電体層として使用してい
た。一例は、スコット（Schott：登録商標）Ｄ２６３ガ
ラスシートで、深さ（厚さ）が０．０５ｍｍで光学的に
透明、熱的に安定、耐久性があり、化学的に略純粋なも
のである。このような薄いガラスシートは、プラズマ・
アドレス装置の誘電体層として使用するのに電気的、物
理的、光学的品質に関して最も満足できる特性を持って
いると考えられる。しかし、このような薄いガラスシー
トと第１ガラス基板及び第２ガラス基板とを良好に合わ
せるのは困難であることが判明している。
【０００９】すなわち、薄いガラスシートは、極めて脆
く、壊れ易いので取り扱いが難しい。薄いガラスシート
上又はチャネルの側壁の上端面上にガラス・フリットや
他の粒状の汚染物の凹凸が存在すると、ガラスシートと
基板とを接着した時にガラスシートが変形を受ける結果
となる。このため、粒状汚染物等を除去するように最大
限の注意が不可欠となる。マイカの薄いシートの場合
は、これらと同様の問題が生じる上にガラスシートほど
光学的特性が良好ではない。
く、壊れ易いので取り扱いが難しい。薄いガラスシート
上又はチャネルの側壁の上端面上にガラス・フリットや
他の粒状の汚染物の凹凸が存在すると、ガラスシートと
基板とを接着した時にガラスシートが変形を受ける結果
となる。このため、粒状汚染物等を除去するように最大
限の注意が不可欠となる。マイカの薄いシートの場合
は、これらと同様の問題が生じる上にガラスシートほど
光学的特性が良好ではない。
【００１０】更に、このようなガラスシート及びマイカ
シートを入手するには、これらの製造元の数が限られ、
シートのサイズも限られている。また、このような薄い
ガラスシートやマイカシートは極めて高価という問題も
ある。スクリーンの大きなフラット・パネル表示装置を
作るのに必要な大きなガラスシートは入手できないので
ある。従って、入手可能な誘電体シートの大きさによっ
て、製造可能な表示装置のスクリーンの大きさの上限が
決まってしまうのである。
シートを入手するには、これらの製造元の数が限られ、
シートのサイズも限られている。また、このような薄い
ガラスシートやマイカシートは極めて高価という問題も
ある。スクリーンの大きなフラット・パネル表示装置を
作るのに必要な大きなガラスシートは入手できないので
ある。従って、入手可能な誘電体シートの大きさによっ
て、製造可能な表示装置のスクリーンの大きさの上限が
決まってしまうのである。
【００１１】熱可塑性材料は、押し出し成形するのが普
通である。熱可塑性材料は、ひび割れが生じたりスクラ
ッチが生じたりし易いので、十分に薄く且つ一様なシー
ト状に成形するのは困難である。また、誘電体層は、チ
ャネルの側壁の上端面にのみ接着され、チャネルの内に
入り込まないようにすることが望ましい。熱可塑性材料
は、低い温度で軟化したり溶けたりし易いので、熱可塑
性シートは変形してチャネル内に許容範囲を超えて入り
込み易く、チャネルの側壁の上端間で比較的平坦且つ堅
い状態を維持することが出来なくなる。その上、熱可塑
性材料の多くは熱的に安定ではなく、高温の接着作業中
に変色する等の許容出来ない障害を生じることがある。
従って、熱可塑性材料は、プラズマ・アドレス装置用の
誘電体層の材料としては採用されなかったのである。
通である。熱可塑性材料は、ひび割れが生じたりスクラ
ッチが生じたりし易いので、十分に薄く且つ一様なシー
ト状に成形するのは困難である。また、誘電体層は、チ
ャネルの側壁の上端面にのみ接着され、チャネルの内に
入り込まないようにすることが望ましい。熱可塑性材料
は、低い温度で軟化したり溶けたりし易いので、熱可塑
性シートは変形してチャネル内に許容範囲を超えて入り
込み易く、チャネルの側壁の上端間で比較的平坦且つ堅
い状態を維持することが出来なくなる。その上、熱可塑
性材料の多くは熱的に安定ではなく、高温の接着作業中
に変色する等の許容出来ない障害を生じることがある。
従って、熱可塑性材料は、プラズマ・アドレス装置用の
誘電体層の材料としては採用されなかったのである。
【００１２】本発明の目的は、所望の機械的、熱的、光
学的、電気的特性を持った柔軟な誘電体層を備えたプラ
ズマ・アドレス装置を提供することである。
学的、電気的特性を持った柔軟な誘電体層を備えたプラ
ズマ・アドレス装置を提供することである。
【００１３】本発明の他の目的は、比較的大型の装置に
好適な大型の柔軟な誘電体層を備えたプラズマ・アドレ
ス装置を提供することである。
好適な大型の柔軟な誘電体層を備えたプラズマ・アドレ
ス装置を提供することである。
【００１４】本発明の更に他の目的は、従来の薄いガラ
ス製シートに比較しても熱的、光学的、電気的に優れた
特性の柔軟な誘電体層を備えたプラズマ・アドレス装置
を提供することである。
ス製シートに比較しても熱的、光学的、電気的に優れた
特性の柔軟な誘電体層を備えたプラズマ・アドレス装置
を提供することである。
【００１５】
【課題を解決する為の手段】本発明のプラズマ・アドレ
ス装置は、第１電極１８を主面上に設けた第１基板２２
と、イオン化可能ガス媒体を封入したチャネル２０を主
面上に設け、上記チャネル内に第２電極４８及び基準電
極４６を設けた第２基板２４と、上記第１及び第２基板
の間に配置され、上記第１電極と上記チャネルに挟まれ
た部分でデータ蓄積エレメントを形成する電気光学材料
層３２と、上記第１電極に第１信号を供給する第１手段
５８と、上記第２電極に第２信号を供給する第２手段６
４とを有し、上記チャネル内のイオン化可能ガス媒体を
上記第２電極と上記基準電極間で選択的に放電させ、上
記第２電極と上記基準電極との間を選択的に導電状態と
することにより上記データ蓄積エレメントをアドレスす
るものであって、上記電気光学材料層３２と上記第２基
板２４との間に柔軟な誘電体材料層２６を設けたことを
特徴とする。
ス装置は、第１電極１８を主面上に設けた第１基板２２
と、イオン化可能ガス媒体を封入したチャネル２０を主
面上に設け、上記チャネル内に第２電極４８及び基準電
極４６を設けた第２基板２４と、上記第１及び第２基板
の間に配置され、上記第１電極と上記チャネルに挟まれ
た部分でデータ蓄積エレメントを形成する電気光学材料
層３２と、上記第１電極に第１信号を供給する第１手段
５８と、上記第２電極に第２信号を供給する第２手段６
４とを有し、上記チャネル内のイオン化可能ガス媒体を
上記第２電極と上記基準電極間で選択的に放電させ、上
記第２電極と上記基準電極との間を選択的に導電状態と
することにより上記データ蓄積エレメントをアドレスす
るものであって、上記電気光学材料層３２と上記第２基
板２４との間に柔軟な誘電体材料層２６を設けたことを
特徴とする。
【００１６】上記柔軟な誘電体材料層は、ポリ（エーテ
ル・ケトン）、ポリイミド、ポリアミド、ポリ（イミド
−アミド）、芳香族ポリエーテル、又はこれらのフッ素
系誘導体から選択されたポリマーの薄膜で形成されるこ
とを特徴とする。
ル・ケトン）、ポリイミド、ポリアミド、ポリ（イミド
−アミド）、芳香族ポリエーテル、又はこれらのフッ素
系誘導体から選択されたポリマーの薄膜で形成されるこ
とを特徴とする。
【００１７】上記柔軟な誘電体材料層は、フッ化ポリ
（フェニレン・エーテル・ケトン）の系列のポリマーの
薄膜で形成されることを特徴とする。
（フェニレン・エーテル・ケトン）の系列のポリマーの
薄膜で形成されることを特徴とする。
【００１８】
【実施例】図１〜図４を参照して、本発明の実施例であ
るプラズマ・アドレス型フラット・パネル表示装置１０
の構成を説明する。この装置１０の表示パネル１２は、
表示面１４を有する。表示面１４は、所定の間隔で矩形
平面配列された蓄積エレメント又は表示エレメント（画
素）１６のパターンを含んでいる。この配列の各表示エ
レメント１６は、縦の列に沿って配列された薄くて細い
列電極１８と横方向の行に配列された細長いチャネル２
０との交差部分となる。各チャネル２０に含まれる複数
の表示エレメント１６は表示データの１行を表す。
るプラズマ・アドレス型フラット・パネル表示装置１０
の構成を説明する。この装置１０の表示パネル１２は、
表示面１４を有する。表示面１４は、所定の間隔で矩形
平面配列された蓄積エレメント又は表示エレメント（画
素）１６のパターンを含んでいる。この配列の各表示エ
レメント１６は、縦の列に沿って配列された薄くて細い
列電極１８と横方向の行に配列された細長いチャネル２
０との交差部分となる。各チャネル２０に含まれる複数
の表示エレメント１６は表示データの１行を表す。
【００１９】列電極１８の幅とチャネル２０の幅は、保
護矩形の表示エレメント１６の大きさを決定する。列電
極１８は、非導電性の第１透明基板２２の主面上に配置
され、チャネル２０は、非導電性の第２透明基板２４の
主面上に刻まれている。これら第１基板及び第２基板
は、本発明に係るポリマーの薄膜を含む非導電性で、透
明且つ柔軟な誘電体層２６により隔離されている。
護矩形の表示エレメント１６の大きさを決定する。列電
極１８は、非導電性の第１透明基板２２の主面上に配置
され、チャネル２０は、非導電性の第２透明基板２４の
主面上に刻まれている。これら第１基板及び第２基板
は、本発明に係るポリマーの薄膜を含む非導電性で、透
明且つ柔軟な誘電体層２６により隔離されている。
【００２０】表示パネル１２に設けられたアドレス手段
は、ネマチック液晶の如き電気光学材料層３２と、柔軟
な誘電体材料層２６とによって隔てられた略平行な１対
の電極構体２８及び３０を含んでいる。電極構体２８は
ガラス製の誘電体基板２２を含み、この上に列電極１８
が内側表面３４上に形成されている。これらは透明なス
トリップ・パターンを形成している。隣り合う列電極１
８は間隔３６だけ離間しており、この間隔により、行上
の隣接する表示エレメント１６間の水平間隔が決まる。
は、ネマチック液晶の如き電気光学材料層３２と、柔軟
な誘電体材料層２６とによって隔てられた略平行な１対
の電極構体２８及び３０を含んでいる。電極構体２８は
ガラス製の誘電体基板２２を含み、この上に列電極１８
が内側表面３４上に形成されている。これらは透明なス
トリップ・パターンを形成している。隣り合う列電極１
８は間隔３６だけ離間しており、この間隔により、行上
の隣接する表示エレメント１６間の水平間隔が決まる。
【００２１】電極構体３０は、ガラス製の誘電体基板２
４を有し、その上端表面３７がある。この基板２４に
は、複数のチャネル（溝）２０が刻まれ、チャネルとチ
ャネルの間の側壁部の上端面３８がある。チャネル２０
の深さ４０は、上端表面３７又は３８から底面４２まで
測定したものである。チャネル２０の各々は、内側側壁
４４に沿って１対の細長い電極４６及び４８を有する。
隣合うチャネル２０間の側壁４４による複数の支持構体
５０が形成され、これら支持構体５０の上端面３８によ
り柔軟な誘電体層２６が支持される。隣合うチャネル２
０は、支持構体５０の上端面３８の幅５２だけ離れてい
る。この幅５２は、１つの列の隣合う表示エレメント１
６間の垂直離間距離である。各チャネル２０内には通常
ヘリウム等のイオン化可能ガスが封入される。チャネル
２０に沿った表示エレメント１６をアドレスするには、
チャネル２０内の電極４６及び４８を含むガス放電機構
によりガスを選択的に放電させる。
４を有し、その上端表面３７がある。この基板２４に
は、複数のチャネル（溝）２０が刻まれ、チャネルとチ
ャネルの間の側壁部の上端面３８がある。チャネル２０
の深さ４０は、上端表面３７又は３８から底面４２まで
測定したものである。チャネル２０の各々は、内側側壁
４４に沿って１対の細長い電極４６及び４８を有する。
隣合うチャネル２０間の側壁４４による複数の支持構体
５０が形成され、これら支持構体５０の上端面３８によ
り柔軟な誘電体層２６が支持される。隣合うチャネル２
０は、支持構体５０の上端面３８の幅５２だけ離れてい
る。この幅５２は、１つの列の隣合う表示エレメント１
６間の垂直離間距離である。各チャネル２０内には通常
ヘリウム等のイオン化可能ガスが封入される。チャネル
２０に沿った表示エレメント１６をアドレスするには、
チャネル２０内の電極４６及び４８を含むガス放電機構
によりガスを選択的に放電させる。
【００２２】列電極１８は、データ・ドライバ５８の異
なる出力増幅器５６から平行出力導体に供給されるデー
タ信号を受ける。チャネル２０内の電極４８は、ストロ
ーブ発生器６４の異なる出力増幅器６２から平行出力導
体６０に供給されるストローブ信号を受ける。このスト
ローブ信号により、チャネル２０内の電極４６及び４８
の間でガスを放電させる。表示面１４の略全部の領域で
画像を合成する為には、走査制御回路６６により、デー
タ・ドライバ５８とストローブ発生器６４の動作を調整
し、表示パネル１２の全ての列の表示エレメント１６を
１行毎に走査してアドレスをする。
なる出力増幅器５６から平行出力導体に供給されるデー
タ信号を受ける。チャネル２０内の電極４８は、ストロ
ーブ発生器６４の異なる出力増幅器６２から平行出力導
体６０に供給されるストローブ信号を受ける。このスト
ローブ信号により、チャネル２０内の電極４６及び４８
の間でガスを放電させる。表示面１４の略全部の領域で
画像を合成する為には、走査制御回路６６により、デー
タ・ドライバ５８とストローブ発生器６４の動作を調整
し、表示パネル１２の全ての列の表示エレメント１６を
１行毎に走査してアドレスをする。
【００２３】各チャネル２０内に封入されたイオン化可
能ガス媒体は、電子スイッチとして機能する。この「ス
イッチ」は、ストローブ信号によってガスが放電した時
に基準電極４６と液晶材料層３２とを電気的に接続す
る。電極構体２８の下側のチャネル内のイオン化可能ガ
スは、誘電体層２６と基準電極４６との間の容量性導電
路を形成する。この容量性導電路が形成されることによ
り、液晶材料層３２の電気光学的特性が列電極１８のデ
ータ信号によって制御される。
能ガス媒体は、電子スイッチとして機能する。この「ス
イッチ」は、ストローブ信号によってガスが放電した時
に基準電極４６と液晶材料層３２とを電気的に接続す
る。電極構体２８の下側のチャネル内のイオン化可能ガ
スは、誘電体層２６と基準電極４６との間の容量性導電
路を形成する。この容量性導電路が形成されることによ
り、液晶材料層３２の電気光学的特性が列電極１８のデ
ータ信号によって制御される。
【００２４】柔軟な誘電体層２６は、ネマチック液晶の
ようなアドレス可能材料層３２とチャネル２０内のイオ
ン化可能ガスとの隔離障壁として機能する。この誘電体
層２６又は別の同様な障壁が存在しないと、液晶材料が
チャネル２０内に流れ込んだり、ガスが液晶材料を汚染
する等の問題が生じ得る。
ようなアドレス可能材料層３２とチャネル２０内のイオ
ン化可能ガスとの隔離障壁として機能する。この誘電体
層２６又は別の同様な障壁が存在しないと、液晶材料が
チャネル２０内に流れ込んだり、ガスが液晶材料を汚染
する等の問題が生じ得る。
【００２５】柔軟な誘電体層２６は、ポリマー（重合
体）で形成するのが好適である。合成ポリマーの誘電体
は、例えば、キャパシタ又はコンデンサの材料等として
広く使用されている。このようなポリマーは、薄膜状に
容易に成形することが可能である。周知の合成ポリマー
の誘電体材料としては、ポリエチレン（polyethylen
e）、ポリフッ化ビニリデン（polyvinylidene fluorid
e）、ポリエチレンテレフタレート（plyethylene terep
hthalate）、ポリスチレン（plystyrene）等がある。本
発明者は、本実施例の表示パネル１２に使用する為の種
々のポリマー材料を特定してきた。例えば、ポリエーテ
ル（polyethers）、ポリ（エーテル・ケトン）（poly(e
ther ketones)）、ポリイミド（polyimides）、ポリア
ミド（polyamides）、ポリ（イミド−アミド）（poly(i
mide-amides)）、芳香族ポリエーテル（polyaromatic e
thers）、又はこれらのフッ素系誘導体（fluorinated d
erivatives）等である。
体）で形成するのが好適である。合成ポリマーの誘電体
は、例えば、キャパシタ又はコンデンサの材料等として
広く使用されている。このようなポリマーは、薄膜状に
容易に成形することが可能である。周知の合成ポリマー
の誘電体材料としては、ポリエチレン（polyethylen
e）、ポリフッ化ビニリデン（polyvinylidene fluorid
e）、ポリエチレンテレフタレート（plyethylene terep
hthalate）、ポリスチレン（plystyrene）等がある。本
発明者は、本実施例の表示パネル１２に使用する為の種
々のポリマー材料を特定してきた。例えば、ポリエーテ
ル（polyethers）、ポリ（エーテル・ケトン）（poly(e
ther ketones)）、ポリイミド（polyimides）、ポリア
ミド（polyamides）、ポリ（イミド−アミド）（poly(i
mide-amides)）、芳香族ポリエーテル（polyaromatic e
thers）、又はこれらのフッ素系誘導体（fluorinated d
erivatives）等である。
【００２６】芳香族ポリエーテルで形成した薄い誘電体
薄膜は、熱的安定性及び化学的安定性の両方で満足でき
る特性を有する。好適な１クラスのポリマーとしては、
フッ化ポリ（フェニレン・エーテル・ケトン）（fluori
nated poly(phenylene etherketone)）があり、特に、
フッ化ポリ（フェニレン・エーテル・ケトン）の系列で
ある「１２Ｆ−ＰＥＫ」は、ビスフェノールＡＦ（bisp
henol AF）と１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−ビス［４−（４−ハロベンゾイル）フェニ
ル］プロパン（1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis[4-(4-
halobenzoyl)phenyl]propane）との重合体である。この
化学構造を有する１２Ｆ−ＰＥＫのポリマーは、カシデ
ィ（Cassidy）等の米国特許第４９０２７６９号に記載
された方法で生産される。
薄膜は、熱的安定性及び化学的安定性の両方で満足でき
る特性を有する。好適な１クラスのポリマーとしては、
フッ化ポリ（フェニレン・エーテル・ケトン）（fluori
nated poly(phenylene etherketone)）があり、特に、
フッ化ポリ（フェニレン・エーテル・ケトン）の系列で
ある「１２Ｆ−ＰＥＫ」は、ビスフェノールＡＦ（bisp
henol AF）と１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−ビス［４−（４−ハロベンゾイル）フェニ
ル］プロパン（1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis[4-(4-
halobenzoyl)phenyl]propane）との重合体である。この
化学構造を有する１２Ｆ−ＰＥＫのポリマーは、カシデ
ィ（Cassidy）等の米国特許第４９０２７６９号に記載
された方法で生産される。
【００２７】誘電体層２６として使用するのに好適なポ
リマーは、厚さが約０．０１２５ｍｍ〜０．０７５ｍｍ
程度の薄膜状に成形出来る。このような使用可能な薄膜
を形成するには、厚さが一様で穴等が生じないような連
続薄膜を形成する方法ならばどのような標準的な方法を
用いても良い。このような標準的な方法としては、スプ
レー・コーティング法、ペインティング法、キャスティ
ング（鋳造）法等がある。厚さが約０．０１２５〜０．
０７５ｍｍの範囲内の一様な薄膜は、薄膜形成ポリマー
を適当な高級の溶媒中で広げて溶解させることにより、
容易に形成出来る。
リマーは、厚さが約０．０１２５ｍｍ〜０．０７５ｍｍ
程度の薄膜状に成形出来る。このような使用可能な薄膜
を形成するには、厚さが一様で穴等が生じないような連
続薄膜を形成する方法ならばどのような標準的な方法を
用いても良い。このような標準的な方法としては、スプ
レー・コーティング法、ペインティング法、キャスティ
ング（鋳造）法等がある。厚さが約０．０１２５〜０．
０７５ｍｍの範囲内の一様な薄膜は、薄膜形成ポリマー
を適当な高級の溶媒中で広げて溶解させることにより、
容易に形成出来る。
【００２８】洗浄したポリマー・サンプルを適当な高級
溶媒中で溶解させ、体積対重量比で約２〜１０％（ｗ／
ｖ）の溶液が得られる。この結果得られた溶液をフィル
タ処理し、任意の大きさの清浄なガラス・キャスティン
グ・プレート上に略一様な厚さで塗布する。この薄膜の
厚さは、その溶液の塗布の厚さや溶液の濃度を調整する
だけで簡単に制御出来る。このガラス・プレート及びキ
ャスティング・ポリマー・シートの厚さは、プラズマ・
アドレス装置で使用され、現在入手可能なガラス・シー
トの厚さ０．０５ｍｍを超えていても良い。このガラス
・キャスティング・プレートを無イオン洗剤、超音波振
動、二重蒸留水等により洗浄するのが望ましい。その
後、この薄膜を空気フィルタ内の清浄環境中で約２４時
間かけてゆっくりと乾燥させ、その後、更に、高温中で
短時間で乾燥させても良い。最初の期間中の溶媒の低速
の蒸発工程により、薄膜表面上に不都合な変形等が発生
するのを防止している。この乾燥させた薄膜を無イオン
水の中に浸してキャスティング・プレートから取り外
す。
溶媒中で溶解させ、体積対重量比で約２〜１０％（ｗ／
ｖ）の溶液が得られる。この結果得られた溶液をフィル
タ処理し、任意の大きさの清浄なガラス・キャスティン
グ・プレート上に略一様な厚さで塗布する。この薄膜の
厚さは、その溶液の塗布の厚さや溶液の濃度を調整する
だけで簡単に制御出来る。このガラス・プレート及びキ
ャスティング・ポリマー・シートの厚さは、プラズマ・
アドレス装置で使用され、現在入手可能なガラス・シー
トの厚さ０．０５ｍｍを超えていても良い。このガラス
・キャスティング・プレートを無イオン洗剤、超音波振
動、二重蒸留水等により洗浄するのが望ましい。その
後、この薄膜を空気フィルタ内の清浄環境中で約２４時
間かけてゆっくりと乾燥させ、その後、更に、高温中で
短時間で乾燥させても良い。最初の期間中の溶媒の低速
の蒸発工程により、薄膜表面上に不都合な変形等が発生
するのを防止している。この乾燥させた薄膜を無イオン
水の中に浸してキャスティング・プレートから取り外
す。
【００２９】誘電体層２６の実施例において、乾燥及び
洗浄した約５グラムの１２Ｆ−ＰＥＫを約１００ミリリ
ットルの高級トルエン中に溶解させ、５％（ｗ／ｖ）の
溶液を作る。他の使用可能な溶液としては、メチル・エ
チル・ケトン、クロロホルム、塩化メチレン等がある。
この溶液をフィルタ処理し、平らな表面に置かれた１５
ｃｍ×３０ｃｍの清浄で乾燥したガラス・キャスティン
グ・プレート上に載せ、清浄なガラス棒を用いて薄く延
ばす。この薄膜を清浄な環境の中で約２４時間かけてゆ
っくりと乾燥させる。乾燥させた薄膜を無イオン水の中
でプレートから取り外す。このようにして得られる薄膜
は、厚さが略０．０２５ｍｍの略一様なものであり、問
題となるような穴や欠陥の無いものである。
洗浄した約５グラムの１２Ｆ−ＰＥＫを約１００ミリリ
ットルの高級トルエン中に溶解させ、５％（ｗ／ｖ）の
溶液を作る。他の使用可能な溶液としては、メチル・エ
チル・ケトン、クロロホルム、塩化メチレン等がある。
この溶液をフィルタ処理し、平らな表面に置かれた１５
ｃｍ×３０ｃｍの清浄で乾燥したガラス・キャスティン
グ・プレート上に載せ、清浄なガラス棒を用いて薄く延
ばす。この薄膜を清浄な環境の中で約２４時間かけてゆ
っくりと乾燥させる。乾燥させた薄膜を無イオン水の中
でプレートから取り外す。このようにして得られる薄膜
は、厚さが略０．０２５ｍｍの略一様なものであり、問
題となるような穴や欠陥の無いものである。
【００３０】この１２Ｆ−ＰＥＫのポリマーは、満足で
きる熱的安定性を示す。好適なポリマー材料の熱重量分
析（ＴＧＡ）の結果は４５０℃以上（すなわち、約２０
℃／分の加熱速度で４５０℃における重量の損失割合が
１０％以下）であり、高温度の熱サイクルにも十分に耐
えられるものと考えられる。上述の１２Ｆ−ＰＥＫポリ
マー系列の熱質量分析（ＴＧＡ）の結果は、酸素中又は
窒素中において、約４８５℃〜約５５０℃程度である。
厚さ約０．０２５ｍｍの１２Ｆ−ＰＥＫの薄膜をガラス
・フリットを用いてガラス基板上に高温サイクル中に接
続した場合でも、すなわち、４３５℃の高温で６０分の
接着処理を行った後でも損傷や変色等の問題は全く見ら
れなかった。厚さ０．０２５ｍｍの１２Ｆ−ＰＥＫポリ
マーの薄膜は、ガラス・フリットを使用せずにガラス基
板上に接着させても良い。この１２Ｆ−ＰＥＫポリマー
系列の薄膜は、光学的歪及び可視スペクトル領域での透
明性の両方に関して満足できる特性が得られる。０．０
２５ｍｍの厚さの薄膜の透過効率は、波長４００ｎｍ〜
７５０ｎｍの範囲内の全ての光に関して約８５％を超え
ている。この１２Ｆ−ＰＥＫの０．０２５ｍｍ厚の薄膜
は、窒素雰囲気中で３７５℃でフリット接着させた後で
も同じ波長領域の光に対して透過効率は７５％を超えて
いる。普通の空気中で高温処理する場合よりも、高温の
窒素雰囲気中で処理した方が薄膜の変色等の影響は低減
される。
きる熱的安定性を示す。好適なポリマー材料の熱重量分
析（ＴＧＡ）の結果は４５０℃以上（すなわち、約２０
℃／分の加熱速度で４５０℃における重量の損失割合が
１０％以下）であり、高温度の熱サイクルにも十分に耐
えられるものと考えられる。上述の１２Ｆ−ＰＥＫポリ
マー系列の熱質量分析（ＴＧＡ）の結果は、酸素中又は
窒素中において、約４８５℃〜約５５０℃程度である。
厚さ約０．０２５ｍｍの１２Ｆ−ＰＥＫの薄膜をガラス
・フリットを用いてガラス基板上に高温サイクル中に接
続した場合でも、すなわち、４３５℃の高温で６０分の
接着処理を行った後でも損傷や変色等の問題は全く見ら
れなかった。厚さ０．０２５ｍｍの１２Ｆ−ＰＥＫポリ
マーの薄膜は、ガラス・フリットを使用せずにガラス基
板上に接着させても良い。この１２Ｆ−ＰＥＫポリマー
系列の薄膜は、光学的歪及び可視スペクトル領域での透
明性の両方に関して満足できる特性が得られる。０．０
２５ｍｍの厚さの薄膜の透過効率は、波長４００ｎｍ〜
７５０ｎｍの範囲内の全ての光に関して約８５％を超え
ている。この１２Ｆ−ＰＥＫの０．０２５ｍｍ厚の薄膜
は、窒素雰囲気中で３７５℃でフリット接着させた後で
も同じ波長領域の光に対して透過効率は７５％を超えて
いる。普通の空気中で高温処理する場合よりも、高温の
窒素雰囲気中で処理した方が薄膜の変色等の影響は低減
される。
【００３１】１２Ｆ−ＰＥＫの０．０２５ｍｍ厚の薄膜
の誘電率は、１０ＧＨｚで約２．４であり、１平方セン
チメートル当たり１５５Ｖ（１平方インチ当たり約１０
００Ｖ）をかけても絶縁破壊を起こさなかった。この薄
膜は、電気抵抗についても満足できる高い値（少なくと
も約１０＊＊１４Ωｃｍ）を示した。記号「＊＊」は累
乗を表す。
の誘電率は、１０ＧＨｚで約２．４であり、１平方セン
チメートル当たり１５５Ｖ（１平方インチ当たり約１０
００Ｖ）をかけても絶縁破壊を起こさなかった。この薄
膜は、電気抵抗についても満足できる高い値（少なくと
も約１０＊＊１４Ωｃｍ）を示した。記号「＊＊」は累
乗を表す。
【００３２】この１２Ｆ−ＰＥＫポリマー系列は、殆ど
の一般の有機溶媒中で容易に溶解するので、薄膜を形成
するのも容易である。このポリマー系列は、薄膜状に形
成した時、化学的に不活性でもある。この１２Ｆ−ＰＥ
Ｋ薄膜は、水分の吸着性が殆ど無く、液晶材料とも反応
性が無い。この１２Ｆ−ＰＥＫのヘリウム浸透率は既知
で、３５℃において約３１．８×１０＊＊−１１（ｃｍ
＊＊３ｃｍ／ｃｍ＊＊２・ｓ・ｃｍＨｇ）である。この
薄膜の引張強度は、約３６００（ｋｇ／ｃｍ＊＊２）
（約１０６００ポンド／平方インチ）である。また、弾
性係数は、約５．５×１０＊＊９（Ｎ／ｍ＊＊２）であ
る。
の一般の有機溶媒中で容易に溶解するので、薄膜を形成
するのも容易である。このポリマー系列は、薄膜状に形
成した時、化学的に不活性でもある。この１２Ｆ−ＰＥ
Ｋ薄膜は、水分の吸着性が殆ど無く、液晶材料とも反応
性が無い。この１２Ｆ−ＰＥＫのヘリウム浸透率は既知
で、３５℃において約３１．８×１０＊＊−１１（ｃｍ
＊＊３ｃｍ／ｃｍ＊＊２・ｓ・ｃｍＨｇ）である。この
薄膜の引張強度は、約３６００（ｋｇ／ｃｍ＊＊２）
（約１０６００ポンド／平方インチ）である。また、弾
性係数は、約５．５×１０＊＊９（Ｎ／ｍ＊＊２）であ
る。
【００３３】市販されているポリイミド、特に、芳香族
ポリイミドもパネル表示装置１２の誘電体層２６として
使用するのに好適な熱的性質及び電気的安定性を有して
いる。ポリイミド薄膜の多くは、十分に化学的に不活性
であると考えられる。ポリイミドのポリマーの熱重量分
析値は、通常４５０℃を超えている。このようなポリイ
ミドの薄膜は、室温で７０％以上伸張可能で、引張強度
も室温で約６８００（Ｋｇ／ｃｍ＊＊２）を超えてい
る。また、誘電率も約３．０以上である。
ポリイミドもパネル表示装置１２の誘電体層２６として
使用するのに好適な熱的性質及び電気的安定性を有して
いる。ポリイミド薄膜の多くは、十分に化学的に不活性
であると考えられる。ポリイミドのポリマーの熱重量分
析値は、通常４５０℃を超えている。このようなポリイ
ミドの薄膜は、室温で７０％以上伸張可能で、引張強度
も室温で約６８００（Ｋｇ／ｃｍ＊＊２）を超えてい
る。また、誘電率も約３．０以上である。
【００３４】デュポン社からキャプトン（Ｋａｐｔｏ
ｎ：登録商標）という名称で販売されているポリイミド
薄膜は、無水ピロメリト酸（pyromelittic anhydride）
と４，４′ジアミノ・フェニル・エーテル（ビス（４低
アミノフェニル）エーテル）との反応による重合体であ
る。この０．０２５ｍｍ厚のキャプトン薄膜は、液晶材
料とは殆ど反応せず、ヘリウム、空気、水蒸気等を殆ど
浸透させない。この０．０２５ｍｍ厚のキャプトン薄膜
をガラス基板に高温中で接着させた時、４３５℃の高温
度で６０分間の処理後でも殆ど損傷は生じなかった。
ｎ：登録商標）という名称で販売されているポリイミド
薄膜は、無水ピロメリト酸（pyromelittic anhydride）
と４，４′ジアミノ・フェニル・エーテル（ビス（４低
アミノフェニル）エーテル）との反応による重合体であ
る。この０．０２５ｍｍ厚のキャプトン薄膜は、液晶材
料とは殆ど反応せず、ヘリウム、空気、水蒸気等を殆ど
浸透させない。この０．０２５ｍｍ厚のキャプトン薄膜
をガラス基板に高温中で接着させた時、４３５℃の高温
度で６０分間の処理後でも殆ど損傷は生じなかった。
【００３５】この０．０２５ｍｍ厚のキャプトン薄膜の
誘電率は、約３．１以上（１０ＧＨｚにおいて）であ
り、更に１平方センチメートル当たり１５５Ｖ（１平方
インチ当たり約１０００Ｖ）をかけても絶縁破壊を起こ
さなかった。この薄膜は、電気抵抗についても満足でき
る高い値（少なくとも約１０＊＊１４Ωｃｍ）を示し
た。このように多くの所望の特性を有しながらも、キャ
プトン薄膜は、柔軟な誘電体層２６を形成するのに理想
的な材料というわけではない。このキャプトン薄膜は、
琥珀色をしており、可視スペクトラム領域の光に対して
透明ではないからである。
誘電率は、約３．１以上（１０ＧＨｚにおいて）であ
り、更に１平方センチメートル当たり１５５Ｖ（１平方
インチ当たり約１０００Ｖ）をかけても絶縁破壊を起こ
さなかった。この薄膜は、電気抵抗についても満足でき
る高い値（少なくとも約１０＊＊１４Ωｃｍ）を示し
た。このように多くの所望の特性を有しながらも、キャ
プトン薄膜は、柔軟な誘電体層２６を形成するのに理想
的な材料というわけではない。このキャプトン薄膜は、
琥珀色をしており、可視スペクトラム領域の光に対して
透明ではないからである。
【００３６】プラズマ・アドレス表示装置１２の誘電体
層２６として好適な材料は、実質的に透明であり、薄膜
を形成する際に歪まないことが望ましい。好適な材料
は、波長が約４００ｎｍ〜７５０ｎｍまでの可視スペク
トラム領域の光を殆ど吸収せず、入射光に対して光透過
率が約８０％以上あることが望ましい。そのような材料
の薄膜は、複屈折を殆ど起こさず、光を分散させること
も殆どない。また、そのような好適な材料は、４００ｎ
ｍ以上の波長の光に当てても殆ど変色を起こさないもの
である。
層２６として好適な材料は、実質的に透明であり、薄膜
を形成する際に歪まないことが望ましい。好適な材料
は、波長が約４００ｎｍ〜７５０ｎｍまでの可視スペク
トラム領域の光を殆ど吸収せず、入射光に対して光透過
率が約８０％以上あることが望ましい。そのような材料
の薄膜は、複屈折を殆ど起こさず、光を分散させること
も殆どない。また、そのような好適な材料は、４００ｎ
ｍ以上の波長の光に当てても殆ど変色を起こさないもの
である。
【００３７】約０．０１２５ｍｍ〜０．０７５ｍｍの範
囲内の厚さの薄膜を作成する時に、誘電体層２６の厚さ
は、略一様で且つ穴等の損傷がないことが望ましい。好
適なポリマーの薄膜では、その厚さは、総合平均値の約
１０％以内のばらつきしかない。
囲内の厚さの薄膜を作成する時に、誘電体層２６の厚さ
は、略一様で且つ穴等の損傷がないことが望ましい。好
適なポリマーの薄膜では、その厚さは、総合平均値の約
１０％以内のばらつきしかない。
【００３８】また、薄膜を形成する際に、誘電体層２６
に使用するのに好適な材料は、優れた機械的特性、即
ち、高い弾性係数及び高い引張強度を有することが望ま
しい。更に、熱膨張係数もプラズマ・ガラス（plasma g
lass）に匹敵する程度であることが望ましい。
に使用するのに好適な材料は、優れた機械的特性、即
ち、高い弾性係数及び高い引張強度を有することが望ま
しい。更に、熱膨張係数もプラズマ・ガラス（plasma g
lass）に匹敵する程度であることが望ましい。
【００３９】柔軟な誘電体層２６として使用するのに好
適な材料は、優れた誘電性を示すべきである。厚さが
０．０１２５〜０．０７５ｍｍの薄膜として、誘電体層
２６の誘電率は、約２以上であることが望ましい。誘電
率は、１０以上もの値があっても良い。電気抵抗率も１
０＊＊１４Ωｃｍ以上の値があり、１平方ｃｍ当たり１
５５Ｖの電圧にも絶縁破壊しない性能があることが望ま
しい。
適な材料は、優れた誘電性を示すべきである。厚さが
０．０１２５〜０．０７５ｍｍの薄膜として、誘電体層
２６の誘電率は、約２以上であることが望ましい。誘電
率は、１０以上もの値があっても良い。電気抵抗率も１
０＊＊１４Ωｃｍ以上の値があり、１平方ｃｍ当たり１
５５Ｖの電圧にも絶縁破壊しない性能があることが望ま
しい。
【００４０】更に、この誘電体層２６の好適な材料は、
その誘電体層に接している液晶材料の方向を揃える機能
をも有することが望ましい。
その誘電体層に接している液晶材料の方向を揃える機能
をも有することが望ましい。
【００４１】以上本発明の好適実施例について説明した
が、本発明はここに説明した実施例のみに限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱することなく必要に応
じて種々の変形及び変更を実施し得ることは当業者には
明らかである。
が、本発明はここに説明した実施例のみに限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱することなく必要に応
じて種々の変形及び変更を実施し得ることは当業者には
明らかである。
【００４２】
【発明の効果】本発明のプラズマ・アドレス装置は、液
晶等の電気光学材料層とチャネルを形成した第２基板と
の間に柔軟な誘電体材料の層を設けたので、誘電体層と
して従来のように壊れ易いガラス等を使用する必要がな
くなり、取扱いが容易で且つ大型の装置を容易に製造可
能となり、コストの低減、信頼性の向上、歩留まりの向
上等の顕著な効果を達成出来る。また、使用するポリマ
ーの柔軟な誘電体材料は、熱的、光学的、電気的及び機
械的な特性に関しても優れており、性能の劣化を招来す
ることはない。
晶等の電気光学材料層とチャネルを形成した第２基板と
の間に柔軟な誘電体材料の層を設けたので、誘電体層と
して従来のように壊れ易いガラス等を使用する必要がな
くなり、取扱いが容易で且つ大型の装置を容易に製造可
能となり、コストの低減、信頼性の向上、歩留まりの向
上等の顕著な効果を達成出来る。また、使用するポリマ
ーの柔軟な誘電体材料は、熱的、光学的、電気的及び機
械的な特性に関しても優れており、性能の劣化を招来す
ることはない。
【図１】本発明の一実施例の一部分の分解斜視図であ
る。
る。
【図２】図１の装置の全体の構成を簡略に示すブロック
図である。
図である。
【図３】図１の装置を直線３−３で切断した部分を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】図１の装置を直線４−４で切断した部分を示す
断面図である。
断面図である。
１６ データ蓄積エレメント（画素） １８ 第１電極（列電極） ２０ チャネル（溝） ２２ 第１基板 ２４ 第２基板 ２６ 柔軟な誘電体材料層 ３２ 電気光学材料層（液晶材料層） ４６ 基準電極 ４８ 第２電極（行電極） ５８ 第１手段（データ・ドライバ） ６４ 第２手段（ストローブ発生器）
Claims (3)
- 【請求項１】 第１電極を主面上に設けた第１基板と、 イオン化可能ガス媒体を封入したチャネルを主面上に設
け、上記チャネル内に第２電極及び基準電極を設けた第
２基板と、 上記第１及び第２基板の間に配置され、上記第１電極と
上記チャネルに挟まれた部分でデータ蓄積エレメントを
形成する電気光学材料層と、 上記第１電極に第１信号を供給する第１手段と、 上記第２電極に第２信号を供給する第２手段とを有し、 上記チャネル内のイオン化可能ガス媒体を上記第２電極
と上記基準電極間で選択的に放電させ、上記第２電極と
上記基準電極との間を選択的に導電状態とすることによ
り上記データ蓄積エレメントをアドレスするプラズマ・
アドレス表示装置において、 上記電気光学材料層と上記第２基板との間に柔軟な誘電
体材料層を設けたことを特徴とするプラズマ・アドレス
装置。 - 【請求項２】 上記柔軟な誘電体材料層は、ポリ（エー
テル・ケトン）、ポリイミド、ポリアミド、ポリ（イミ
ド−アミド）、芳香族ポリエーテル、又はこれらのフッ
素系誘導体から選択されたポリマーの薄膜で形成される
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ・アドレス装
置。 - 【請求項３】 上記柔軟な誘電体材料層は、フッ化ポリ
（フェニレン・エーテル・ケトン）の系列のポリマーの
薄膜で形成されることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマ・アドレス装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/027,964 US5461395A (en) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | Plasma addressing structure having a pliant dielectric layer |
| US08/027964 | 1993-03-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317786A true JPH06317786A (ja) | 1994-11-15 |
| JP2893237B2 JP2893237B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=21840802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6064463A Expired - Lifetime JP2893237B2 (ja) | 1993-03-08 | 1994-03-08 | プラズマ・アドレス装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5461395A (ja) |
| EP (1) | EP0615248A3 (ja) |
| JP (1) | JP2893237B2 (ja) |
| KR (1) | KR940022634A (ja) |
| CN (1) | CN1098536A (ja) |
| TW (1) | TW233375B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100730170B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
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-
1994
- 1994-02-22 TW TW083101515A patent/TW233375B/zh active
- 1994-03-02 EP EP19940301522 patent/EP0615248A3/en not_active Withdrawn
- 1994-03-07 KR KR1019940004351A patent/KR940022634A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-03-08 JP JP6064463A patent/JP2893237B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-08 CN CN94103294A patent/CN1098536A/zh active Pending
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| US5461395A (en) | 1995-10-24 |
| JP2893237B2 (ja) | 1999-05-17 |
| EP0615248A2 (en) | 1994-09-14 |
| EP0615248A3 (en) | 1994-11-23 |
| KR940022634A (ko) | 1994-10-21 |
| TW233375B (ja) | 1994-11-01 |
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