JPH06316483A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH06316483A JPH06316483A JP12527193A JP12527193A JPH06316483A JP H06316483 A JPH06316483 A JP H06316483A JP 12527193 A JP12527193 A JP 12527193A JP 12527193 A JP12527193 A JP 12527193A JP H06316483 A JPH06316483 A JP H06316483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- pulling
- growth
- silicon single
- lifting speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 27
- 239000012768 molten material Substances 0.000 abstract 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 面内酸素濃度の均一なウェーハを得ることが
できるようなシリコン単結晶の製造方法を提供する。 【構成】 融液に種子結晶を浸漬し、ネック、ショルダ
形成後のボデイの形成に当たり、単結晶引き上げ速度を
所定の範囲内で変動させる。すなわち、通常の引き上げ
速度ａｍｍ／分に対して上下にそれぞれ（ａ＋ｂ）ｍｍ
／分および（ａ−ｂ）ｍｍ／分（ただしａ＞ｂ）なる引
き上げ速度を設定し、これらの引き上げ速度の持続時間
をボデイ直径精度に影響しない範囲に設定した上、引き
上げ速度の交互切り換えを行う。これにより、結晶成長
界面近傍の成長速度変化を小さくすることができるとと
もに、融液の対流によって生じる酸素濃度の不均一を小
さくすることができ、酸素濃度不均一による成長方向で
の成長縞が分散されるので、面内酸素の均一なウェーハ
が得られる。
できるようなシリコン単結晶の製造方法を提供する。 【構成】 融液に種子結晶を浸漬し、ネック、ショルダ
形成後のボデイの形成に当たり、単結晶引き上げ速度を
所定の範囲内で変動させる。すなわち、通常の引き上げ
速度ａｍｍ／分に対して上下にそれぞれ（ａ＋ｂ）ｍｍ
／分および（ａ−ｂ）ｍｍ／分（ただしａ＞ｂ）なる引
き上げ速度を設定し、これらの引き上げ速度の持続時間
をボデイ直径精度に影響しない範囲に設定した上、引き
上げ速度の交互切り換えを行う。これにより、結晶成長
界面近傍の成長速度変化を小さくすることができるとと
もに、融液の対流によって生じる酸素濃度の不均一を小
さくすることができ、酸素濃度不均一による成長方向で
の成長縞が分散されるので、面内酸素の均一なウェーハ
が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＺ法によるシリコン
単結晶の製造方法に関する。
単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の基本材料であるシリコ
ン単結晶は、主としてＣＺ法により製造されている。Ｃ
Ｚ法においては図２に示すように、単結晶製造装置のメ
インチャンバ１内に設置した石英るつぼ２に高純度の多
結晶シリコンを充填し、前記るつぼ２を取り巻くように
設けた黒鉛ヒータ３によって多結晶シリコンを加熱溶解
した上、種子結晶保持器４に取り付けた種子結晶を融液
５に浸漬し、種子結晶保持器４および石英るつぼ２を互
いに同方向または逆方向に回転しつつ種子結晶保持器４
を引き上げてシリコン単結晶６を成長させ、プルチャン
バ７内に引き上げる。シリコン単結晶６の引き上げに当
たり、種子結晶保持器４の引き上げ速度および融液温度
を制御して、引き上げ単結晶の直径を設定値に近づけ
る。なお、８は黒鉛るつぼ、９はるつぼ軸、１０は断熱
筒である。
ン単結晶は、主としてＣＺ法により製造されている。Ｃ
Ｚ法においては図２に示すように、単結晶製造装置のメ
インチャンバ１内に設置した石英るつぼ２に高純度の多
結晶シリコンを充填し、前記るつぼ２を取り巻くように
設けた黒鉛ヒータ３によって多結晶シリコンを加熱溶解
した上、種子結晶保持器４に取り付けた種子結晶を融液
５に浸漬し、種子結晶保持器４および石英るつぼ２を互
いに同方向または逆方向に回転しつつ種子結晶保持器４
を引き上げてシリコン単結晶６を成長させ、プルチャン
バ７内に引き上げる。シリコン単結晶６の引き上げに当
たり、種子結晶保持器４の引き上げ速度および融液温度
を制御して、引き上げ単結晶の直径を設定値に近づけ
る。なお、８は黒鉛るつぼ、９はるつぼ軸、１０は断熱
筒である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の単結晶製造
方法により単結晶を引き上げる場合、固液界面近傍にお
ける結晶成長条件のほぼ周期的な変動により結晶に溶け
込む酸素濃度が不均一となり、成長方向での酸素濃度む
らによる成長縞が形成される。この成長縞は、引き上げ
単結晶がウェーハとして作成されたとき、ウェーハ面内
の酸素濃度不均一化を招き、ひいてはデバイスの歩留り
を低下させる要因の一つとなっている。本発明は上記従
来の問題点に着目してなされたもので、面内酸素濃度の
均一なウェーハを得ることができるようなシリコン単結
晶の製造方法を提供することを目的としている。
方法により単結晶を引き上げる場合、固液界面近傍にお
ける結晶成長条件のほぼ周期的な変動により結晶に溶け
込む酸素濃度が不均一となり、成長方向での酸素濃度む
らによる成長縞が形成される。この成長縞は、引き上げ
単結晶がウェーハとして作成されたとき、ウェーハ面内
の酸素濃度不均一化を招き、ひいてはデバイスの歩留り
を低下させる要因の一つとなっている。本発明は上記従
来の問題点に着目してなされたもので、面内酸素濃度の
均一なウェーハを得ることができるようなシリコン単結
晶の製造方法を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るシリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法
によるシリコン単結晶の引き上げにおいて、前記単結晶
のボデイ形成時の単結晶引き上げ速度を、単結晶の直径
精度に影響を与えない時間間隔で変動させるものとし、
前記単結晶引き上げ速度を、通常の引き上げ速度を中央
値として上下に同じ幅で変動させることとした。
め、本発明に係るシリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法
によるシリコン単結晶の引き上げにおいて、前記単結晶
のボデイ形成時の単結晶引き上げ速度を、単結晶の直径
精度に影響を与えない時間間隔で変動させるものとし、
前記単結晶引き上げ速度を、通常の引き上げ速度を中央
値として上下に同じ幅で変動させることとした。
【０００５】
【作用】上記構成によれば、ＣＺ法によるシリコン単結
晶の引き上げにおいて、前記単結晶のボデイ形成時の単
結晶引き上げ速度を、通常の引き上げ速度を中央値とし
て上下に同じ幅で変動させることにしたので、 （１）拡散境界層の厚さを随時変化させることができ
る。 （２）引き上げ単結晶の回転によって作られる成長界面
近傍の成長速度変化を小さくすることができる。 （３）融液の対流によって生じる酸素濃度の不均一を、
成長界面近傍で小さくすることができる。 これらのことから、酸素濃度不均一によって生じる成長
縞を分散させることができ、面内酸素の均一なウェーハ
を得ることができるようなシリコン単結晶の引き上げが
可能となる。また、同一引き上げ速度の持続時間を単結
晶の直径精度に影響を及ぼさない時間範囲に限定したの
で、ボデイの寸法精度を低下させることはない。
晶の引き上げにおいて、前記単結晶のボデイ形成時の単
結晶引き上げ速度を、通常の引き上げ速度を中央値とし
て上下に同じ幅で変動させることにしたので、 （１）拡散境界層の厚さを随時変化させることができ
る。 （２）引き上げ単結晶の回転によって作られる成長界面
近傍の成長速度変化を小さくすることができる。 （３）融液の対流によって生じる酸素濃度の不均一を、
成長界面近傍で小さくすることができる。 これらのことから、酸素濃度不均一によって生じる成長
縞を分散させることができ、面内酸素の均一なウェーハ
を得ることができるようなシリコン単結晶の引き上げが
可能となる。また、同一引き上げ速度の持続時間を単結
晶の直径精度に影響を及ぼさない時間範囲に限定したの
で、ボデイの寸法精度を低下させることはない。
【０００６】
【実施例】以下に本発明に係るシリコン単結晶の製造方
法の実施例について、図面を参照して説明する。図１
は、ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ時におけるボ
デイの引き上げ速度の変化を時系列的に示す図である。
融液に種子結晶を浸漬し、ネック、ショルダを形成した
後ボデイを形成するが、ボデイ形成開始後引き上げ速度
を所定の範囲内で変動させる。すなわち、通常の引き上
げ速度ａｍｍ／分に対して上下にそれぞれ（ａ＋ｂ）ｍ
ｍ／分および（ａ−ｂ）ｍｍ／分（ただしａ＞ｂ）なる
引き上げ速度を設定し、これらの引き上げ速度の持続時
間をボデイ直径精度に影響しない範囲に設定した上、引
き上げ速度の交互切り換えを行う。本実施例では、ボデ
イ形成開始直後の引き上げ速度を０．５ｍｍ／分とし、
その後０．８〜０．２ｍｍ／分の範囲で２〜３分ごとに
引き上げ速度を切り換えた。変動時の引き上げ速度は
０．８ｍｍ／分と０．２ｍｍ／分の２種類とし、これら
の値の中間の引き上げ速度は用いない。
法の実施例について、図面を参照して説明する。図１
は、ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ時におけるボ
デイの引き上げ速度の変化を時系列的に示す図である。
融液に種子結晶を浸漬し、ネック、ショルダを形成した
後ボデイを形成するが、ボデイ形成開始後引き上げ速度
を所定の範囲内で変動させる。すなわち、通常の引き上
げ速度ａｍｍ／分に対して上下にそれぞれ（ａ＋ｂ）ｍ
ｍ／分および（ａ−ｂ）ｍｍ／分（ただしａ＞ｂ）なる
引き上げ速度を設定し、これらの引き上げ速度の持続時
間をボデイ直径精度に影響しない範囲に設定した上、引
き上げ速度の交互切り換えを行う。本実施例では、ボデ
イ形成開始直後の引き上げ速度を０．５ｍｍ／分とし、
その後０．８〜０．２ｍｍ／分の範囲で２〜３分ごとに
引き上げ速度を切り換えた。変動時の引き上げ速度は
０．８ｍｍ／分と０．２ｍｍ／分の２種類とし、これら
の値の中間の引き上げ速度は用いない。
【０００７】従来の引き上げ速度たとえば０．５ｍｍ／
分で製造した場合、単結晶中に含まれる酸素濃度分布の
不均一によって生じる成長縞が明瞭に現れるが、本実施
例のように引き上げ速度を意識的に変動させて得られた
シリコン単結晶は、前記成長縞が不明瞭になっており、
酸素濃度分布がより均一化していることが判明した。
分で製造した場合、単結晶中に含まれる酸素濃度分布の
不均一によって生じる成長縞が明瞭に現れるが、本実施
例のように引き上げ速度を意識的に変動させて得られた
シリコン単結晶は、前記成長縞が不明瞭になっており、
酸素濃度分布がより均一化していることが判明した。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコン単結晶の製造に当たり、単結晶引き上げ速度を所
定の範囲で、かつ単結晶の直径精度に影響を与えない時
間間隔で意識的に変動させることにしたので、単結晶中
に含まれる酸素濃度分布を従来に比べてより均一化させ
ることができるようになる。従って、面内酸素濃度の均
一なウェーハを得ることが可能となり、デバイスの歩留
りを著しく向上させることができる。
リコン単結晶の製造に当たり、単結晶引き上げ速度を所
定の範囲で、かつ単結晶の直径精度に影響を与えない時
間間隔で意識的に変動させることにしたので、単結晶中
に含まれる酸素濃度分布を従来に比べてより均一化させ
ることができるようになる。従って、面内酸素濃度の均
一なウェーハを得ることが可能となり、デバイスの歩留
りを著しく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ時におけ
るボデイの引き上げ速度の変化を時系列的に示す図であ
る。
るボデイの引き上げ速度の変化を時系列的に示す図であ
る。
【図２】ＣＺ法によるシリコン単結晶製造装置の概略構
成を模式的に示す図である。
成を模式的に示す図である。
【符号の説明】 １ メインチャンバ ２ 石英るつぼ ３ 黒鉛ヒータ ５ 融液 ６ シリコン単結晶 ７ プルチャンバ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【作用】上記構成によれば、ＣＺ法によるシリコン単結
晶の引き上げにおいて、前記単結晶のボデイ形成時の単
結晶引き上げ速度を、通常の引き上げ速度を中央値とし
て上下に同じ幅で変動させることにしたので、 （１）拡散境界層の厚さを随時変化させることができ
る。 （２）引き上げ単結晶の回転によって作られる成長界面
近傍の成長速度変化を小さくすることができる。 （３）融液の対流によって生じる酸素濃度の不均一を、
成長界面近傍で小さくすることができる。（４）引上げ速度を変動させることにより、酸素濃度不
均一によって成長縞を分散させることができ、面内酸素
の均一なウェーハを得ることができる。 これらのことから、酸素濃度不均一によって生じる成長
縞を分散させることができ、面内酸素の均一なウェーハ
を得ることができるようなシリコン単結晶の引き上げが
可能となる。また、同一引き上げ速度の持続時間を単結
晶の直径精度に影響を及ぼさない時間範囲に限定したの
で、ボデイの寸法精度を低下させることはない。
晶の引き上げにおいて、前記単結晶のボデイ形成時の単
結晶引き上げ速度を、通常の引き上げ速度を中央値とし
て上下に同じ幅で変動させることにしたので、 （１）拡散境界層の厚さを随時変化させることができ
る。 （２）引き上げ単結晶の回転によって作られる成長界面
近傍の成長速度変化を小さくすることができる。 （３）融液の対流によって生じる酸素濃度の不均一を、
成長界面近傍で小さくすることができる。（４）引上げ速度を変動させることにより、酸素濃度不
均一によって成長縞を分散させることができ、面内酸素
の均一なウェーハを得ることができる。 これらのことから、酸素濃度不均一によって生じる成長
縞を分散させることができ、面内酸素の均一なウェーハ
を得ることができるようなシリコン単結晶の引き上げが
可能となる。また、同一引き上げ速度の持続時間を単結
晶の直径精度に影響を及ぼさない時間範囲に限定したの
で、ボデイの寸法精度を低下させることはない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【実施例】以下に本発明に係るシリコン単結晶の製造方
法の実施例について、図面を参照して説明する。図１
は、ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ時におけるボ
デイの引き上げ速度の変化を時系列的に示す図である。
融液に種子結晶を浸漬し、ネック、ショルダを形成した
後ボデイを形成するが、ボデイ形成開始後引き上げ速度
を所定の範囲内で変動させる。すなわち、通常の引き上
げ速度ａｍｍ／分に対して上下にそれぞれ（ａ＋ｂ）ｍ
ｍ／分および（ａ−ｂ）ｍｍ／分（ただしａ＞ｂ）なる
引き上げ速度を設定し、これらの引き上げ速度の持続時
間をボデイ直径精度に影響しない範囲に設定した上、引
き上げ速度の交互切り換えを行う。本実施例では、ボデ
イ形成開始直後の引き上げ速度を０．５ｍｍ／分とし、
その後０．８〜０．２ｍｍ／分の範囲で２〜３分ごとに
引き上げ速度を切り換えた。変動時の引き上げ速度は
０．８ｍｍ／分と０．２ｍｍ／分の２種類とし、これら
の値の中間の引き上げ速度は用いない。また、別の確認
として、一つとして、（１）引き上げ速度ａｍｍ／分＝
１．０で、引き上げ速度の変動幅ｂｍｍ／分＝０．３
で、また、二つ目として、（２）引き上げ速度ａｍｍ／
分＝１．０で、引き上げ速度の変動幅ｂｍｍ／分＝０．
５で、１分と５分との別々に引き上げ速度を切り換え、
４種類の確認を行った。この結果、ボデイ直径精度に影
響がないことが確認されるとともに、前記と同様な均一
化された酸素濃度分布が得られた。
法の実施例について、図面を参照して説明する。図１
は、ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ時におけるボ
デイの引き上げ速度の変化を時系列的に示す図である。
融液に種子結晶を浸漬し、ネック、ショルダを形成した
後ボデイを形成するが、ボデイ形成開始後引き上げ速度
を所定の範囲内で変動させる。すなわち、通常の引き上
げ速度ａｍｍ／分に対して上下にそれぞれ（ａ＋ｂ）ｍ
ｍ／分および（ａ−ｂ）ｍｍ／分（ただしａ＞ｂ）なる
引き上げ速度を設定し、これらの引き上げ速度の持続時
間をボデイ直径精度に影響しない範囲に設定した上、引
き上げ速度の交互切り換えを行う。本実施例では、ボデ
イ形成開始直後の引き上げ速度を０．５ｍｍ／分とし、
その後０．８〜０．２ｍｍ／分の範囲で２〜３分ごとに
引き上げ速度を切り換えた。変動時の引き上げ速度は
０．８ｍｍ／分と０．２ｍｍ／分の２種類とし、これら
の値の中間の引き上げ速度は用いない。また、別の確認
として、一つとして、（１）引き上げ速度ａｍｍ／分＝
１．０で、引き上げ速度の変動幅ｂｍｍ／分＝０．３
で、また、二つ目として、（２）引き上げ速度ａｍｍ／
分＝１．０で、引き上げ速度の変動幅ｂｍｍ／分＝０．
５で、１分と５分との別々に引き上げ速度を切り換え、
４種類の確認を行った。この結果、ボデイ直径精度に影
響がないことが確認されるとともに、前記と同様な均一
化された酸素濃度分布が得られた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコン単結晶の製造に当たり、単結晶引き上げ速度を所
定の範囲で、かつ単結晶の直径精度に影響を与えない時
間間隔で意識的に変動させることにしたので、単結晶中
に含まれる酸素濃度分布を従来に比べてより均一化させ
ることができるようになる。従って、面内酸素濃度の均
一なウェーハを得ることが可能となり、デバイスの歩留
りを著しく向上させることができる。また、本発明によ
る成長縞の検証としては、熱処理によって酸素析出を行
った資料をＸ線トポグラフで観察し、酸素析出縞が薄く
なっていることを確認でき、また、育成方向でのＳＲ
（抵抗率）プロフアイルをとりドーパント濃度分布を見
ると微小な領域でその分布が均一になっていることを確
認した。その結果、本発明の引上げ品のＳＲプロフアイ
ルを図３に示し、従来の引上げ品のＳＲプロフアイルを
図４に示す。また、図５では、赤外強度によるインゴッ
ト育成方向での酸素濃度分布での本発明法と従来法の比
較を行った。この結果、本発明法は従来法よりバラツキ
が少なく、しかも育成初期から最後まで安定して育成す
ることができる。
リコン単結晶の製造に当たり、単結晶引き上げ速度を所
定の範囲で、かつ単結晶の直径精度に影響を与えない時
間間隔で意識的に変動させることにしたので、単結晶中
に含まれる酸素濃度分布を従来に比べてより均一化させ
ることができるようになる。従って、面内酸素濃度の均
一なウェーハを得ることが可能となり、デバイスの歩留
りを著しく向上させることができる。また、本発明によ
る成長縞の検証としては、熱処理によって酸素析出を行
った資料をＸ線トポグラフで観察し、酸素析出縞が薄く
なっていることを確認でき、また、育成方向でのＳＲ
（抵抗率）プロフアイルをとりドーパント濃度分布を見
ると微小な領域でその分布が均一になっていることを確
認した。その結果、本発明の引上げ品のＳＲプロフアイ
ルを図３に示し、従来の引上げ品のＳＲプロフアイルを
図４に示す。また、図５では、赤外強度によるインゴッ
ト育成方向での酸素濃度分布での本発明法と従来法の比
較を行った。この結果、本発明法は従来法よりバラツキ
が少なく、しかも育成初期から最後まで安定して育成す
ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】追加
【補正内容】
【図３】本発明の引上げ品のＳＲプロフアイルを示す図
である。
である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】追加
【補正内容】
【図４】従来の引上げ品のＳＲプロフアイルを示す図で
ある。
ある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正内容】
【図５】従来品と本発明品の比較によるインゴット育成
方向での酸素濃度分布（μ−ＦＴＩＲによる）を示す図
である。
方向での酸素濃度分布（μ−ＦＴＩＲによる）を示す図
である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】追加
【補正内容】
【図３】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】追加
【補正内容】
【図４】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正内容】
【図５】
フロントページの続き (72)発明者 鴨川 誠 神奈川県平塚市四之宮2612 コマツ電子金 属株式会社内 (72)発明者 福田 信幸 神奈川県平塚市四之宮2612 コマツ電子金 属株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣＺ法によるシリコン単結晶の引き上げ
において、前記単結晶のボデイ形成時の単結晶引き上げ
速度を、単結晶の直径精度に影響を与えない時間間隔で
変動させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方
法。 - 【請求項２】 単結晶引き上げ速度を、通常の引き上げ
速度を中央値として上下に同じ幅で変動させることを特
徴とする請求項１のシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12527193A JPH06316483A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12527193A JPH06316483A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06316483A true JPH06316483A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14905953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12527193A Pending JPH06316483A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06316483A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010037191A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Phoenix Corp | 単結晶シリコンインゴットの成長方法および成長用装置 |
| WO2013065204A1 (ja) | 2011-10-31 | 2013-05-10 | トヨタ自動車株式会社 | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| CN110629283A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种硅单晶的生长方法 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP12527193A patent/JPH06316483A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010037191A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Phoenix Corp | 単結晶シリコンインゴットの成長方法および成長用装置 |
| WO2013065204A1 (ja) | 2011-10-31 | 2013-05-10 | トヨタ自動車株式会社 | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| US9624599B2 (en) | 2011-10-31 | 2017-04-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | SiC single crystal manufacturing method using alternating states of supersaturation |
| CN110629283A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种硅单晶的生长方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5152867A (en) | Apparatus and method for producing silicon single crystal | |
| US5260037A (en) | Apparatus for producing silicon single crystal | |
| JP3086850B2 (ja) | 単結晶の成長方法及び装置 | |
| US5840116A (en) | Method of growing crystals | |
| JPH06316483A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPS6033291A (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
| JP4484540B2 (ja) | 単結晶半導体の製造方法 | |
| JPH07277875A (ja) | 結晶成長方法 | |
| WO2021095324A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPS6027684A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPH07300388A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPS59203798A (ja) | 帯状シリコン結晶製造装置 | |
| JP2000313699A (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JPS62182190A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS59102891A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| CN1029327C (zh) | 金红石单晶生长工艺 | |
| JPH04357191A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPS59131597A (ja) | 高品質ガリウム砒素単結晶の製造方法 | |
| JPH07277891A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH0692776A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| JP2000264785A (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびその製造装置 | |
| JPH07206578A (ja) | 不純物を添加する半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3584497B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS6033297A (ja) | 単結晶半導体引上装置 | |
| JPH06239693A (ja) | 単結晶成長方法 |