JPH06315641A - 排ガス浄化用触媒皮膜の形成法 - Google Patents
排ガス浄化用触媒皮膜の形成法Info
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- JPH06315641A JPH06315641A JP5128194A JP12819493A JPH06315641A JP H06315641 A JPH06315641 A JP H06315641A JP 5128194 A JP5128194 A JP 5128194A JP 12819493 A JP12819493 A JP 12819493A JP H06315641 A JPH06315641 A JP H06315641A
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Landscapes
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- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 自動車等の燃焼排ガスを浄化するための排ガ
ス浄化触媒の皮膜形成法の提供。 【構成】 この皮膜形成法は、金属基体表面に形成した
セラミック担体に気相法により排ガス浄化用触媒を被着
することを特徴とする。 【効果】 乾式であるので作業環境をクリーンに維持で
きると共に、廃液処理の必要がない。また複雑な形状の
セラミック担体に対しても、均一で安定に触媒の皮膜を
形成することができる。
ス浄化触媒の皮膜形成法の提供。 【構成】 この皮膜形成法は、金属基体表面に形成した
セラミック担体に気相法により排ガス浄化用触媒を被着
することを特徴とする。 【効果】 乾式であるので作業環境をクリーンに維持で
きると共に、廃液処理の必要がない。また複雑な形状の
セラミック担体に対しても、均一で安定に触媒の皮膜を
形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は自動車等の燃焼排ガスを
浄化するための排ガス浄化用触媒の皮膜形成法に関する
ものである。
浄化するための排ガス浄化用触媒の皮膜形成法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から自動車や産業用燃焼装置から排
出される燃焼排ガスを浄化するため、金属基体上に形成
されたセラミック担体に、白金、パラジウムまたはロジ
ウム等の貴金属の排ガス浄化用触媒を被着した触媒装置
が使用されている。通常から排ガス浄化用触媒をセラミ
ック担体に被着し皮膜形成する方法として湿式法が採用
されている。この方法は触媒化合物を溶解または分散さ
せた溶液をセラミック担体上に塗布し、次いでこれを乾
燥させた後、焼成および水素による活性化等の工程を経
て触媒膜形成を行っている。
出される燃焼排ガスを浄化するため、金属基体上に形成
されたセラミック担体に、白金、パラジウムまたはロジ
ウム等の貴金属の排ガス浄化用触媒を被着した触媒装置
が使用されている。通常から排ガス浄化用触媒をセラミ
ック担体に被着し皮膜形成する方法として湿式法が採用
されている。この方法は触媒化合物を溶解または分散さ
せた溶液をセラミック担体上に塗布し、次いでこれを乾
燥させた後、焼成および水素による活性化等の工程を経
て触媒膜形成を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の湿
式法による排ガス浄化用触媒の膜形成法は次のような問
題があった。すなわち、 （１） 触媒原料の塗布および乾燥工程に手間がかかる
上に、触媒層の厚みを調整したり均一な厚さの膜を形成
することが難しい。 （２） 湿式であるため作業環境が悪く、廃液処理を必
要とする。 （３） セラミック担体が複雑な形状の場合において
は、排ガス浄化用触媒の被膜形成が困難である。 そこで本発明は、かかる従来の排ガス浄化用触媒の被膜
形成法における問題の解決を課題とするものである。
式法による排ガス浄化用触媒の膜形成法は次のような問
題があった。すなわち、 （１） 触媒原料の塗布および乾燥工程に手間がかかる
上に、触媒層の厚みを調整したり均一な厚さの膜を形成
することが難しい。 （２） 湿式であるため作業環境が悪く、廃液処理を必
要とする。 （３） セラミック担体が複雑な形状の場合において
は、排ガス浄化用触媒の被膜形成が困難である。 そこで本発明は、かかる従来の排ガス浄化用触媒の被膜
形成法における問題の解決を課題とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の排ガス浄化用触媒の膜形成法は、金属基体表面に形
成したセラミック担体に気相法により排ガス浄化用触媒
を被着することを特徴とするものである。本発明の好ま
しい実施態様においては、凹凸加工された薄い金属帯を
巻回した金属基体の表面にセラミック担体が形成された
ものを使用する。この場合凹凸加工された金属帯の巻回
層間が排ガスの流通路となり、その流通路壁面に排ガス
浄化用触媒の膜形成がなされる。
明の排ガス浄化用触媒の膜形成法は、金属基体表面に形
成したセラミック担体に気相法により排ガス浄化用触媒
を被着することを特徴とするものである。本発明の好ま
しい実施態様においては、凹凸加工された薄い金属帯を
巻回した金属基体の表面にセラミック担体が形成された
ものを使用する。この場合凹凸加工された金属帯の巻回
層間が排ガスの流通路となり、その流通路壁面に排ガス
浄化用触媒の膜形成がなされる。
【０００５】次に本発明を詳細に説明する。本発明に使
用する金属基体は、ステンレス薄鋼板のような排ガス雰
囲気中において耐久性を有する薄い金属板から作られ
る。また特開昭５９−９６７２６号公報に記載のアルミ
ニウム含有フェライトステンレス鋼のようなステンレス
合金の薄板を使用することもできる。このような金属板
の厚さは、加工性および形状保持性を有する範囲で適宜
選択されるが、通常０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度の範
囲のものが使用される。金属基体は、通常その基体間に
排ガスの流通路を形成するように波形に曲折された金属
板と、平坦な金属板とが重ね合わされ、それらが巻回加
工されて渦巻き状にされたたものが使用される。
用する金属基体は、ステンレス薄鋼板のような排ガス雰
囲気中において耐久性を有する薄い金属板から作られ
る。また特開昭５９−９６７２６号公報に記載のアルミ
ニウム含有フェライトステンレス鋼のようなステンレス
合金の薄板を使用することもできる。このような金属板
の厚さは、加工性および形状保持性を有する範囲で適宜
選択されるが、通常０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度の範
囲のものが使用される。金属基体は、通常その基体間に
排ガスの流通路を形成するように波形に曲折された金属
板と、平坦な金属板とが重ね合わされ、それらが巻回加
工されて渦巻き状にされたたものが使用される。
【０００６】金属基体の表面に被着されるセラミック担
体の原料としては、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、ジ
ルコニア、マグネシア、ゼオライト等のセラミック微粉
を使用することができる。これらセラミック微粉の平均
粒径は１００オングストローム〜０．５ミクロン程度の
範囲が好ましい。セラミック担体を金属基体の表面に被
着するには、湿式法、または気相法のいずれかの方法が
使用できる。本発明の方法においてゼオライト微粉を使
用する場合は、従来から採用されている湿式法、すなわ
ちゼオライト微粉を水に分散させてスラリー状とし、そ
れをスプレーまたは刷毛塗り等により金属基体上に塗布
し、乾燥した後、加熱して焼き付ける方法によりセラミ
ック担体を被着させることができる。また、ゼオライト
を超微粉化し、静電塗装方式等による乾式方法で金属基
体上に被着させることもできる。
体の原料としては、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、ジ
ルコニア、マグネシア、ゼオライト等のセラミック微粉
を使用することができる。これらセラミック微粉の平均
粒径は１００オングストローム〜０．５ミクロン程度の
範囲が好ましい。セラミック担体を金属基体の表面に被
着するには、湿式法、または気相法のいずれかの方法が
使用できる。本発明の方法においてゼオライト微粉を使
用する場合は、従来から採用されている湿式法、すなわ
ちゼオライト微粉を水に分散させてスラリー状とし、そ
れをスプレーまたは刷毛塗り等により金属基体上に塗布
し、乾燥した後、加熱して焼き付ける方法によりセラミ
ック担体を被着させることができる。また、ゼオライト
を超微粉化し、静電塗装方式等による乾式方法で金属基
体上に被着させることもできる。
【０００７】アルミナ、ジルコニア、マグネシア等のセ
ラミック微粉を使用する場合においては、湿式法によっ
ても金属基体に被着することができるが、ＰＶＤ法（フ
ィジカル ベーパー デポジション法）またはＣＶＤ法
（ケミカル ベーパー デポジション法）等の気相法を
採用することが好ましい。ＰＶＤ法としては真空蒸着法
やイオンプレーティング法があり、アルミナ、ジルコニ
ア、マグネシア等を被着する場合に適している。またＣ
ＶＤ法はアルミナの被着にも採用できる。これらの方法
による被着は、これら材料の被着に際して通常採用され
ている条件で行うことができる。
ラミック微粉を使用する場合においては、湿式法によっ
ても金属基体に被着することができるが、ＰＶＤ法（フ
ィジカル ベーパー デポジション法）またはＣＶＤ法
（ケミカル ベーパー デポジション法）等の気相法を
採用することが好ましい。ＰＶＤ法としては真空蒸着法
やイオンプレーティング法があり、アルミナ、ジルコニ
ア、マグネシア等を被着する場合に適している。またＣ
ＶＤ法はアルミナの被着にも採用できる。これらの方法
による被着は、これら材料の被着に際して通常採用され
ている条件で行うことができる。
【０００８】気相法によれば金属基体表面へのセラミッ
クの効果的な被着を行うことができる。例えば真空蒸着
法によりアルミナを被着する場合、１０-3〜１０-5Ｔｏ
ｒｒの真空度範囲で金属基体上に緻密で比較的強く接合
されたセラミックの第一段階被着を行い、次いで第一段
階被着より低い１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒの真空度範囲
で、その上からポーラスなセラミックの第二段階被着を
行うことができる。このような方法によれば、金属基体
表面に強固に被着され且つ比表面積が著しく増大された
セラミック担体層を形成することができる。
クの効果的な被着を行うことができる。例えば真空蒸着
法によりアルミナを被着する場合、１０-3〜１０-5Ｔｏ
ｒｒの真空度範囲で金属基体上に緻密で比較的強く接合
されたセラミックの第一段階被着を行い、次いで第一段
階被着より低い１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒの真空度範囲
で、その上からポーラスなセラミックの第二段階被着を
行うことができる。このような方法によれば、金属基体
表面に強固に被着され且つ比表面積が著しく増大された
セラミック担体層を形成することができる。
【０００９】セラミック被着を気相法で行う場合は、複
雑な形状を有する金属基体であっても均一に且つ効率良
く被着することができる。例えば前述のように自動車用
の排ガス浄化触媒装置は排気管に取り付けられるような
筒状とされる。従って装置の筒状ケース内に触媒部をコ
ンパクトに収容するため、通常細長い金属板をコルゲー
ト加工した後、平坦な金属板を介して渦巻き状に密に巻
回した金属基体が使用される。そして排ガス流通路とさ
れたその巻回壁面間の片面もしくは両面に、セラミック
担体および触媒被膜が形成される。気相法によればこの
ような複雑な形状および配置関係を有する金属基体両面
に同時にセラミック担体を均一に被着させることができ
る。
雑な形状を有する金属基体であっても均一に且つ効率良
く被着することができる。例えば前述のように自動車用
の排ガス浄化触媒装置は排気管に取り付けられるような
筒状とされる。従って装置の筒状ケース内に触媒部をコ
ンパクトに収容するため、通常細長い金属板をコルゲー
ト加工した後、平坦な金属板を介して渦巻き状に密に巻
回した金属基体が使用される。そして排ガス流通路とさ
れたその巻回壁面間の片面もしくは両面に、セラミック
担体および触媒被膜が形成される。気相法によればこの
ような複雑な形状および配置関係を有する金属基体両面
に同時にセラミック担体を均一に被着させることができ
る。
【００１０】また真空蒸着法等のＰＶＤ法によりアルミ
ナを金属基体表面に被着した後、さらにその上にＣＶＤ
法によるアルミナ被着を行うこともできる。このＣＶＤ
法は例えば原料ガスとして塩化アルミニウムガスを使用
し、６５０℃程度の温度で６〜２０時間被着操作を行
う。同様な方法はジルコニアやマグネシアを使用する場
合にも、それらの塩化物である塩化ジルコニアや塩化マ
グネシアを原料ガスとして採用することができる。この
ようにＰＶＤ法による被膜表面にさらにＣＶＤ法による
被膜を形成してもよい。この場合には、ＰＶＤによる緻
密で金属基体とアルミナ被膜との密着性を良好に確保し
た後、その上層にＣＶＤによるポーラス状で比表面積を
増加した被膜を形成することが出来ると共に、その膜厚
等を自由にコントロールし、排気ガス浄化能力の高いも
のを提供できるという効果がある。
ナを金属基体表面に被着した後、さらにその上にＣＶＤ
法によるアルミナ被着を行うこともできる。このＣＶＤ
法は例えば原料ガスとして塩化アルミニウムガスを使用
し、６５０℃程度の温度で６〜２０時間被着操作を行
う。同様な方法はジルコニアやマグネシアを使用する場
合にも、それらの塩化物である塩化ジルコニアや塩化マ
グネシアを原料ガスとして採用することができる。この
ようにＰＶＤ法による被膜表面にさらにＣＶＤ法による
被膜を形成してもよい。この場合には、ＰＶＤによる緻
密で金属基体とアルミナ被膜との密着性を良好に確保し
た後、その上層にＣＶＤによるポーラス状で比表面積を
増加した被膜を形成することが出来ると共に、その膜厚
等を自由にコントロールし、排気ガス浄化能力の高いも
のを提供できるという効果がある。
【００１１】次に、排ガス浄化用触媒としては従来使用
されている白金、パラジウムまたはロジウム等の貴金属
触媒を使用することができる。本発明においてはこれら
排ガス浄化用触媒を気相、すなわちＰＶＤ法やＣＶＤ法
等によって前記セラミック担体へ被着させることに特徴
がある。排ガス浄化用触媒を気相法で被着すると、均一
で綺麗な皮膜を安定に形成することができる。特に前記
セラミック担体の被着の場合と同様に、コルゲート加工
された金属板を巻回して筒状とした金属基体の両面に被
着されるセラミック担体のように、複雑な形状と配置関
係を有する被着面であっても、それに排ガス浄化用触媒
を均一且つ効率良く被着させることができる。
されている白金、パラジウムまたはロジウム等の貴金属
触媒を使用することができる。本発明においてはこれら
排ガス浄化用触媒を気相、すなわちＰＶＤ法やＣＶＤ法
等によって前記セラミック担体へ被着させることに特徴
がある。排ガス浄化用触媒を気相法で被着すると、均一
で綺麗な皮膜を安定に形成することができる。特に前記
セラミック担体の被着の場合と同様に、コルゲート加工
された金属板を巻回して筒状とした金属基体の両面に被
着されるセラミック担体のように、複雑な形状と配置関
係を有する被着面であっても、それに排ガス浄化用触媒
を均一且つ効率良く被着させることができる。
【００１２】セラミック担体への白金、パラジウムまた
はロジウム等の被着条件は、通常この種の金属被着に採
用されている条件を使用すればよい。例えば白金をイオ
ンプレーティング法で被着させる場合には、１０-3〜１
０-5Ｔｏｒｒの真空度中において金属基体に電圧を印加
した状態で、常温〜３００℃の範囲の温度で数分〜１０
分程度被着操作して２００〜３００オングストローム程
度の厚さに皮膜形成する。
はロジウム等の被着条件は、通常この種の金属被着に採
用されている条件を使用すればよい。例えば白金をイオ
ンプレーティング法で被着させる場合には、１０-3〜１
０-5Ｔｏｒｒの真空度中において金属基体に電圧を印加
した状態で、常温〜３００℃の範囲の温度で数分〜１０
分程度被着操作して２００〜３００オングストローム程
度の厚さに皮膜形成する。
【００１３】本発明においては、上記したイオンプレー
ティング法のようなＰＶＤ法により貴金属触媒層を形成
した後、さらにその上にＣＶＤ法による同種もしくは異
種の貴金属を被着させてもよい。例えば白金をＣＶＤ法
より被着する場合は、原料ガスとして白金の塩化物を使
用し、常温〜３００℃の範囲で５〜２０分程度で行う。
ポーラス状な形態を有するセラミック担体を使用する場
合、このようにＣＶＤ法よる被着を行うことによりセラ
ミック担体内部まで排ガス浄化用触媒の皮膜を形成する
ことが容易である。本発明においては、排ガス浄化用触
媒をセラミック担体に被着させた後、必要により水素ガ
ス中において熱処理して触媒の活性をより高めることが
できる。例えば白金を被着した場合、１００℃〜３００
℃の温度で１〜３時間程度で熱処理することが好まし
い。次に、本発明の実施例を説明する。
ティング法のようなＰＶＤ法により貴金属触媒層を形成
した後、さらにその上にＣＶＤ法による同種もしくは異
種の貴金属を被着させてもよい。例えば白金をＣＶＤ法
より被着する場合は、原料ガスとして白金の塩化物を使
用し、常温〜３００℃の範囲で５〜２０分程度で行う。
ポーラス状な形態を有するセラミック担体を使用する場
合、このようにＣＶＤ法よる被着を行うことによりセラ
ミック担体内部まで排ガス浄化用触媒の皮膜を形成する
ことが容易である。本発明においては、排ガス浄化用触
媒をセラミック担体に被着させた後、必要により水素ガ
ス中において熱処理して触媒の活性をより高めることが
できる。例えば白金を被着した場合、１００℃〜３００
℃の温度で１〜３時間程度で熱処理することが好まし
い。次に、本発明の実施例を説明する。
【００１４】
【実施例１】ロール状に巻かれた厚さ０．１ｍｍ、幅２
０ｃｍの細長いステンレス薄帯を一対の加工ロール間に
通してコルゲート加工した。コルゲート加工形状は振幅
が、２．５ｍｍ、ピッチ５ｍｍである。次いでコルゲー
ト加工されたステンレス薄帯を、出入口を真空シールし
た連続イオンプレーティング装置を通過させ、その上に
アルミナの膜を被着した。被着条件は真空度１０-4Ｔｏ
ｒｒの第一段階、真空度１０-3Ｔｏｒｒの第二段階と
し、その間の被着部通過時間をそれぞれ５分と１２０分
とした。被着されたアルミナ担体はポーラス状に表面積
が増大された厚さ２０μm の均一な膜であった。次にこ
のアルミナ担体が被着されたステンレス薄帯を、出入口
を真空シールした連続真空蒸着装置を通過させ、その上
に白金触媒皮膜を蒸着した。蒸着条件は真空度１０-4Ｔ
ｏｒｒ、蒸着部通過時間を５分とした。その結果表面が
綺麗な厚さ１００オングストロームの均一で安定した白
金触媒層が被着された。この白金触媒層を被着したステ
ンレス薄帯は巻回して筒状の触媒部に形成することがで
きる。
０ｃｍの細長いステンレス薄帯を一対の加工ロール間に
通してコルゲート加工した。コルゲート加工形状は振幅
が、２．５ｍｍ、ピッチ５ｍｍである。次いでコルゲー
ト加工されたステンレス薄帯を、出入口を真空シールし
た連続イオンプレーティング装置を通過させ、その上に
アルミナの膜を被着した。被着条件は真空度１０-4Ｔｏ
ｒｒの第一段階、真空度１０-3Ｔｏｒｒの第二段階と
し、その間の被着部通過時間をそれぞれ５分と１２０分
とした。被着されたアルミナ担体はポーラス状に表面積
が増大された厚さ２０μm の均一な膜であった。次にこ
のアルミナ担体が被着されたステンレス薄帯を、出入口
を真空シールした連続真空蒸着装置を通過させ、その上
に白金触媒皮膜を蒸着した。蒸着条件は真空度１０-4Ｔ
ｏｒｒ、蒸着部通過時間を５分とした。その結果表面が
綺麗な厚さ１００オングストロームの均一で安定した白
金触媒層が被着された。この白金触媒層を被着したステ
ンレス薄帯は巻回して筒状の触媒部に形成することがで
きる。
【００１５】
【実施例２】実施例１と同様にコルゲート加工した細長
いステンレス薄帯を巻回して、直径１０００ｍｍ、幅２
５０ｍｍの筒体を作った。この筒体をＣＶＤ装置に入れ
て塩化アルミニウムガスを巻層間に流通させて流しなが
ら、真空度１０-2Ｔｏｒｒ、温度６５０℃で６時間処理
した。その結果巻回壁面に厚さ５０μm の均一なアルミ
ナ担体層が形成された。次に真空蒸着装置でこのアルミ
ナ担体が被着されたステンレス薄帯の上に白金触媒皮膜
を蒸着した。蒸着条件は真空度１０-2Ｔｏｒｒ、蒸着時
間を１０分とした。次いで水素ガス中で加熱処理し原料
ガス中のＣｌ成分をＨＣｌとして外部に取出し、その結
果表面が綺麗な厚さ８０オングストロームの均一で安定
した白金触媒層が被着された。
いステンレス薄帯を巻回して、直径１０００ｍｍ、幅２
５０ｍｍの筒体を作った。この筒体をＣＶＤ装置に入れ
て塩化アルミニウムガスを巻層間に流通させて流しなが
ら、真空度１０-2Ｔｏｒｒ、温度６５０℃で６時間処理
した。その結果巻回壁面に厚さ５０μm の均一なアルミ
ナ担体層が形成された。次に真空蒸着装置でこのアルミ
ナ担体が被着されたステンレス薄帯の上に白金触媒皮膜
を蒸着した。蒸着条件は真空度１０-2Ｔｏｒｒ、蒸着時
間を１０分とした。次いで水素ガス中で加熱処理し原料
ガス中のＣｌ成分をＨＣｌとして外部に取出し、その結
果表面が綺麗な厚さ８０オングストロームの均一で安定
した白金触媒層が被着された。
【００１６】
【発明の効果】以上のような構成からなる本発明は、以
下のような効果を奏する。 （１） セラミック担体層に排ガス浄化用触媒を迅速且
つ容易に被着させることができる。 （２） 被着される排ガス浄化用触媒の厚み調整が容易
である。 （３） 乾式であるため作業環境が良く、廃液処理の問
題がない。 （４） セラミック担体が複雑な形状の場合にも排ガス
浄化用触媒被膜の形成が容易である。
下のような効果を奏する。 （１） セラミック担体層に排ガス浄化用触媒を迅速且
つ容易に被着させることができる。 （２） 被着される排ガス浄化用触媒の厚み調整が容易
である。 （３） 乾式であるため作業環境が良く、廃液処理の問
題がない。 （４） セラミック担体が複雑な形状の場合にも排ガス
浄化用触媒被膜の形成が容易である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 37/02 ＺＡＢ 8017−4Ｇ ３０１ Ｆ 8017−4Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 金属基体表面に形成したセラミック担体
に気相法により排ガス浄化用触媒を被着することを特徴
とする排ガス浄化用触媒皮膜の形成法。 - 【請求項２】 セラミック担体が凹凸加工された薄い金
属帯を巻回した金属基体表面に形成されたものである請
求項１の排ガス浄化用触媒皮膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12819493A JP3277261B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 排ガス浄化用触媒皮膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12819493A JP3277261B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 排ガス浄化用触媒皮膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06315641A true JPH06315641A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3277261B2 JP3277261B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=14978784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12819493A Expired - Lifetime JP3277261B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 排ガス浄化用触媒皮膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277261B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004509740A (ja) * | 2000-09-29 | 2004-04-02 | オーエムゲー アクチエンゲゼルシャフト ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 触媒すすフィルターおよびリーン排気ガスの処理おけるその使用 |
| WO2005054538A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Sandvik Intellectual Property Ab | A steel strip coated with zirconia |
| JP2015147202A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 金属ハニカム触媒装置の製造方法および金属ハニカム触媒装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1993006347A1 (en) * | 1988-11-18 | 1993-04-01 | Pfefferle William C | Catalytic reactor and method of controlling emissions |
| JPH05154381A (ja) * | 1991-04-26 | 1993-06-22 | Nippon Steel Corp | 排気ガス浄化触媒形成方法 |
-
1993
- 1993-05-01 JP JP12819493A patent/JP3277261B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7875360B2 (en) | 2003-12-05 | 2011-01-25 | Sandvik Intellectual Property Ab | Steel strip coated with zirconia |
| JP2015147202A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 金属ハニカム触媒装置の製造方法および金属ハニカム触媒装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3277261B2 (ja) | 2002-04-22 |
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