JPH06314672A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH06314672A JPH06314672A JP12526593A JP12526593A JPH06314672A JP H06314672 A JPH06314672 A JP H06314672A JP 12526593 A JP12526593 A JP 12526593A JP 12526593 A JP12526593 A JP 12526593A JP H06314672 A JPH06314672 A JP H06314672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- wafer
- tungsten
- hole
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング室の内壁に付着した反応生成物が
離脱してウエハーに付着し、エッチングレートが低下す
るのを防止することによって安定したエッチングが得ら
れるようにする。 【構成】 コンタクトホールやスルーホール等として形
成されたホールを有するウエハーの全面に、このウエハ
ーとの密着性を促進するための密着層となる膜を介して
タングステンの膜を形成し、その後エッチバックして前
記ホール内をタングステンで埋め込むプロセスにおい
て、前記ウエハーのエッチングを行うエッチング室１内
にエッチバック終了後に酸素ガスを流して放電し、前記
エッチング室１内に付着した反応生成物（WFX やTiC
lX ）を酸化させて安定した化合物（WOXや TiOX ）に代
えるためのステップを加えた。
離脱してウエハーに付着し、エッチングレートが低下す
るのを防止することによって安定したエッチングが得ら
れるようにする。 【構成】 コンタクトホールやスルーホール等として形
成されたホールを有するウエハーの全面に、このウエハ
ーとの密着性を促進するための密着層となる膜を介して
タングステンの膜を形成し、その後エッチバックして前
記ホール内をタングステンで埋め込むプロセスにおい
て、前記ウエハーのエッチングを行うエッチング室１内
にエッチバック終了後に酸素ガスを流して放電し、前記
エッチング室１内に付着した反応生成物（WFX やTiC
lX ）を酸化させて安定した化合物（WOXや TiOX ）に代
えるためのステップを加えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス製造プ
ロセスにおけるドライエッチング方法に関するものであ
る。
ロセスにおけるドライエッチング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれ、コンタクトホールやスルーホール（以下、単に
「ホール」と言う）のアスペクト比が高くなってきてい
る。このため、デバイスの動作に必要な配線抵抗や信頼
性を得るのに、ホール内に金属導体を埋め込むような方
法が採られている。
につれ、コンタクトホールやスルーホール（以下、単に
「ホール」と言う）のアスペクト比が高くなってきてい
る。このため、デバイスの動作に必要な配線抵抗や信頼
性を得るのに、ホール内に金属導体を埋め込むような方
法が採られている。
【０００３】その一つとして、まずホール内がタングス
テン（Ｗ）膜で完全に埋まるようにして化学的気相析出
法（以下、「ＣＶＤ法」と言う）でウエハーの全面にタ
ングステン膜を形成し、次いでホール内のタングステン
をそのまま残して全面エッチバックして、このタングス
テンをホール内に埋め込むようにするドライエッチング
方法がある。
テン（Ｗ）膜で完全に埋まるようにして化学的気相析出
法（以下、「ＣＶＤ法」と言う）でウエハーの全面にタ
ングステン膜を形成し、次いでホール内のタングステン
をそのまま残して全面エッチバックして、このタングス
テンをホール内に埋め込むようにするドライエッチング
方法がある。
【０００４】このドライエッチング方法では、図４に示
すようにエッチング室（反応室）５１内に配設されたウ
エハー支持台５２上にウエハー５３を載置した後、この
エッチング室５１内に薄膜形成用の原料ガスを導入しウ
エハー５３上で反応させて膜を生成する装置が使用され
る。
すようにエッチング室（反応室）５１内に配設されたウ
エハー支持台５２上にウエハー５３を載置した後、この
エッチング室５１内に薄膜形成用の原料ガスを導入しウ
エハー５３上で反応させて膜を生成する装置が使用され
る。
【０００５】また、原料ガスとしては、薄膜としてタン
グステンの膜を生成させる場合は弗素系のガス（例えば
SF6,CF4 等）を使用し、チタン系の膜を生成させる場合
は素系のガス（例えばCl2 等）を使用してエッチングを
行う。
グステンの膜を生成させる場合は弗素系のガス（例えば
SF6,CF4 等）を使用し、チタン系の膜を生成させる場合
は素系のガス（例えばCl2 等）を使用してエッチングを
行う。
【０００６】さらに、ウエハー５３上にタングステンの
膜を生成する場合、このタングステン膜はウエハー５３
上に作られている下地となる酸化膜に対して密着性が悪
く剥離を引き起こし易いことから、通常はタングステン
の膜を生成する前に例えば窒化チタン、チタンタングス
テン、スパッタタングステン等の密着層を形成するよう
にしている。したがって、窒化チタンやチタンタングス
テンを用いたとき、その被エッチング膜は膜質の異なる
２層構造となり、エッチングもそれぞれ異なった条件で
行う必要が生じる。
膜を生成する場合、このタングステン膜はウエハー５３
上に作られている下地となる酸化膜に対して密着性が悪
く剥離を引き起こし易いことから、通常はタングステン
の膜を生成する前に例えば窒化チタン、チタンタングス
テン、スパッタタングステン等の密着層を形成するよう
にしている。したがって、窒化チタンやチタンタングス
テンを用いたとき、その被エッチング膜は膜質の異なる
２層構造となり、エッチングもそれぞれ異なった条件で
行う必要が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記密
着層を形成する場合に、その密着層にチタン系の膜を用
いてウエハー５３を連続して処理すると、エッチングに
よって単位時間当りに溶解する被膜等の厚さ、すなわち
エッチングレートの均一性が悪化する。このため、エッ
チング残りが発生したり、逆に過度なエッチングが行わ
れてホール内のタングステンが無くなると言う問題点が
あった。また、エッチングの終点をプラズマの発光強度
の変化で判定する場合では、エッチングレートの均一性
が悪化すると終点付近での発光強度の変化量が小さくな
り、終点判定がしにくくなって判定精度が低下すると言
う問題点もあった。
着層を形成する場合に、その密着層にチタン系の膜を用
いてウエハー５３を連続して処理すると、エッチングに
よって単位時間当りに溶解する被膜等の厚さ、すなわち
エッチングレートの均一性が悪化する。このため、エッ
チング残りが発生したり、逆に過度なエッチングが行わ
れてホール内のタングステンが無くなると言う問題点が
あった。また、エッチングの終点をプラズマの発光強度
の変化で判定する場合では、エッチングレートの均一性
が悪化すると終点付近での発光強度の変化量が小さくな
り、終点判定がしにくくなって判定精度が低下すると言
う問題点もあった。
【０００８】そこで、連続処理を行うことによってエッ
チングレートの均一性が悪化する原因を調べると、その
理由として以下のことが考えられる。まず、エッチング
中に生成される反応生成物は、（１）タングステン膜を
ウエハー５３上に生成させるエッチングのときはWFX 、
チタン系膜をウエハー５３上に生成させるエッチングの
ときはTiClX と考えられる。そして、これらの反応生成
物（WFX 、TiClX ）は比較的蒸気圧が低いため、エッチ
ング処理が進行して行くのに伴って図４に示すようにエ
ッチング室５１の内壁に序々に付着し、エッチバックが
終了した頃にはかなりの量になることが判る。
チングレートの均一性が悪化する原因を調べると、その
理由として以下のことが考えられる。まず、エッチング
中に生成される反応生成物は、（１）タングステン膜を
ウエハー５３上に生成させるエッチングのときはWFX 、
チタン系膜をウエハー５３上に生成させるエッチングの
ときはTiClX と考えられる。そして、これらの反応生成
物（WFX 、TiClX ）は比較的蒸気圧が低いため、エッチ
ング処理が進行して行くのに伴って図４に示すようにエ
ッチング室５１の内壁に序々に付着し、エッチバックが
終了した頃にはかなりの量になることが判る。
【０００９】また、このようにエッチング室５１の内壁
に付着した反応生成物（WFX 、TiClX ）は、次のウエハ
ー５３をエッチングするときに、この反応生成物にイオ
ンが衝突するとエッチング室５１の内壁から離脱し、こ
の離脱した反応生成物がウエハー５３上に付着すること
になる。図５は、このようにエッチング室５１の内壁に
付着していた反応生成物が離脱し、ウエハー５３上に付
着して行く様子を示している。
に付着した反応生成物（WFX 、TiClX ）は、次のウエハ
ー５３をエッチングするときに、この反応生成物にイオ
ンが衝突するとエッチング室５１の内壁から離脱し、こ
の離脱した反応生成物がウエハー５３上に付着すること
になる。図５は、このようにエッチング室５１の内壁に
付着していた反応生成物が離脱し、ウエハー５３上に付
着して行く様子を示している。
【００１０】すなわち、エッチングレートの均一性が悪
化する原因としては、エッチング室５１の内壁に付着し
た反応生成物が次のウエハー５３をエッチングするとき
に離脱し、このウエハー５３上に付着することが考えら
れる。そして、このエッチング室５１の内壁から離脱
し、これがウエハー５３に付着する反応生成物の量はウ
エハーの温度が低いときほど吸着確率が高く、また多く
なることも知られている。
化する原因としては、エッチング室５１の内壁に付着し
た反応生成物が次のウエハー５３をエッチングするとき
に離脱し、このウエハー５３上に付着することが考えら
れる。そして、このエッチング室５１の内壁から離脱
し、これがウエハー５３に付着する反応生成物の量はウ
エハーの温度が低いときほど吸着確率が高く、また多く
なることも知られている。
【００１１】したがって、タングステンを用いたエッチ
ングを行う場合では、ウエハー５３上に成膜されるタン
グステン膜の表面にはTiClX が付着することになるが、
このTiClX は弗素系のエッチング種によるエッチング反
応がタングステンに比べて低い。このため、これがタン
グステンエッチング中にマスクとなりエッチング反応を
抑制し、結果的にエッチングレートの低下を引き起こす
ことになる。
ングを行う場合では、ウエハー５３上に成膜されるタン
グステン膜の表面にはTiClX が付着することになるが、
このTiClX は弗素系のエッチング種によるエッチング反
応がタングステンに比べて低い。このため、これがタン
グステンエッチング中にマスクとなりエッチング反応を
抑制し、結果的にエッチングレートの低下を引き起こす
ことになる。
【００１２】また、タングステン膜を形成したウエハー
５３はタングステン膜のストレスによって反りが発生す
る。このため、エッチング中にウエハー５３の温度を均
一に保つことが困難になり、ウエハー５３の温度が場所
によって異なってしまうことがある。そして、この反応
生成物（TiClX ）は温度が低い方より多く付着するた
め、ウエハー５３の温度が低い領域では反応生成物の付
着量が多く、エッチングレートの低下も大きくなり、こ
のエッチングレートの均一性が悪化すると言う問題点が
あった。
５３はタングステン膜のストレスによって反りが発生す
る。このため、エッチング中にウエハー５３の温度を均
一に保つことが困難になり、ウエハー５３の温度が場所
によって異なってしまうことがある。そして、この反応
生成物（TiClX ）は温度が低い方より多く付着するた
め、ウエハー５３の温度が低い領域では反応生成物の付
着量が多く、エッチングレートの低下も大きくなり、こ
のエッチングレートの均一性が悪化すると言う問題点が
あった。
【００１３】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はエッチング室の内壁に付着した反
応生成物が離脱してウエハーに付着し、エッチングレー
トが低下するのを防止することによって安定したエッチ
ングを得ることができるようにしたエッチング方法を提
供することにある。
のであり、その目的はエッチング室の内壁に付着した反
応生成物が離脱してウエハーに付着し、エッチングレー
トが低下するのを防止することによって安定したエッチ
ングを得ることができるようにしたエッチング方法を提
供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、コンタクトホールやスルーホール等として形
成されたホールを有するウエハーの全面に、このウエハ
ーとの密着性を促進するための密着層となる膜を介して
タングステンの膜を生成し、その後エッチバックして前
記ホール内をタングステンで埋め込むプロセスのドライ
エッチング方法であって、前記ウエハーのエッチングを
行うエッチング室内にエッチバック終了後に酸素ガスを
流して放電し、前記エッチング室内に付着した反応生成
物を酸化させるためのステップを加えたものである。
本発明は、コンタクトホールやスルーホール等として形
成されたホールを有するウエハーの全面に、このウエハ
ーとの密着性を促進するための密着層となる膜を介して
タングステンの膜を生成し、その後エッチバックして前
記ホール内をタングステンで埋め込むプロセスのドライ
エッチング方法であって、前記ウエハーのエッチングを
行うエッチング室内にエッチバック終了後に酸素ガスを
流して放電し、前記エッチング室内に付着した反応生成
物を酸化させるためのステップを加えたものである。
【００１５】
【作用】この方法によれば、エッチング終了後に酸素ガ
スを用いてエッチング室内を放電することにより、エッ
チング室内壁に付着している反応生成物を酸化させて次
のウエハー処理時に影響を与えることのないようにする
ことができるので、連続して安定したエッチング処理が
可能となる。
スを用いてエッチング室内を放電することにより、エッ
チング室内壁に付着している反応生成物を酸化させて次
のウエハー処理時に影響を与えることのないようにする
ことができるので、連続して安定したエッチング処理が
可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。先
ず、本発明のドライエッチング方法では、図１乃至図３
に示すようにエッチング室（反応室）１内に配設されて
いるウエハー支持台２上に、コンタクトホールやスルー
ホールとして形成されたホールを有するウエハー３を載
置し、このエッチング室１内に薄膜形成用の原料ガスを
導入してウエハー３上で反応させて膜を生成する装置が
使用される。
ず、本発明のドライエッチング方法では、図１乃至図３
に示すようにエッチング室（反応室）１内に配設されて
いるウエハー支持台２上に、コンタクトホールやスルー
ホールとして形成されたホールを有するウエハー３を載
置し、このエッチング室１内に薄膜形成用の原料ガスを
導入してウエハー３上で反応させて膜を生成する装置が
使用される。
【００１７】そして、ドライエッチング処理では、先
ず、ウエハー３上の酸化膜とタングステンとの密着性を
向上させるのに、ウエハー３上に密着層として窒化チタ
ンを１０００Å形成する。次いで、その上からウエハー
３の全面にＣＶＤ法により８０００Åのタングステンを
形成し、この後からウエハー３を有磁場マイクロ波プラ
ズマエッチング装置を用いてエッチバックを行う手順に
従って概略処理されることになる。
ず、ウエハー３上の酸化膜とタングステンとの密着性を
向上させるのに、ウエハー３上に密着層として窒化チタ
ンを１０００Å形成する。次いで、その上からウエハー
３の全面にＣＶＤ法により８０００Åのタングステンを
形成し、この後からウエハー３を有磁場マイクロ波プラ
ズマエッチング装置を用いてエッチバックを行う手順に
従って概略処理されることになる。
【００１８】次に、このドライエッチング処理の具体的
な一例を図１乃至図３を用いてさらに説明する。先ず、
タングステンのエッチングにはSF6 ガスを用い、窒化チ
タンのエッチングにはCl2 ガスを用いる。また、オーバ
ーエッチング時のエッチングレートの増加によるホール
内のタングステン量の減少を抑制するため、ウエハー３
の温度を−３０℃に冷却してエッチングを行う。さら
に、タングステンのエッチングではSF6 ガスを１００ｓ
ｕμ流し、エッチング圧力１０ｍTorr、マイクロ波パワ
ー５００ｗ、ＲＦ（高周波）パワー５０ｗの条件でエッ
チングする。
な一例を図１乃至図３を用いてさらに説明する。先ず、
タングステンのエッチングにはSF6 ガスを用い、窒化チ
タンのエッチングにはCl2 ガスを用いる。また、オーバ
ーエッチング時のエッチングレートの増加によるホール
内のタングステン量の減少を抑制するため、ウエハー３
の温度を−３０℃に冷却してエッチングを行う。さら
に、タングステンのエッチングではSF6 ガスを１００ｓ
ｕμ流し、エッチング圧力１０ｍTorr、マイクロ波パワ
ー５００ｗ、ＲＦ（高周波）パワー５０ｗの条件でエッ
チングする。
【００１９】そして、この処理の場合では、エッチング
終了後、エッチング室１の内壁には反応生成物WFX 、Ti
ClX 等が付着することになる。図１は、エッチバック迄
の処理が終了して、エッチング室１の内壁に反応生成物
WFX 、TiClX 等が付着している様子を示している。
終了後、エッチング室１の内壁には反応生成物WFX 、Ti
ClX 等が付着することになる。図１は、エッチバック迄
の処理が終了して、エッチング室１の内壁に反応生成物
WFX 、TiClX 等が付着している様子を示している。
【００２０】そこで、本発明に従う実施例では、エッチ
ング室１を約１０秒間排気した後、このエッチング室１
内に酸素（Ｏ2 ）ガスを２００ｓｕμ流し、圧力１０ｍ
Torr、マイクロ波パワー５００ｗ、ＲＦパワー印加なし
の条件で２０秒間放電を行う。すると、この放電によっ
て、エッチング室１の内壁に付着した反応生成物WFXやT
iClX は酸化され、これがWOX や TiOX と言った安定し
た化合物となる。図２は、エッチング終了後に酸素を流
し、かつ放電させてプラズマ処理することによってエッ
チング室１の内壁に付着していた反応生成物WFX やTiCl
X が酸化され、これがWOX や TiOX と言った安定した化
合物となって付着している様子を示している。
ング室１を約１０秒間排気した後、このエッチング室１
内に酸素（Ｏ2 ）ガスを２００ｓｕμ流し、圧力１０ｍ
Torr、マイクロ波パワー５００ｗ、ＲＦパワー印加なし
の条件で２０秒間放電を行う。すると、この放電によっ
て、エッチング室１の内壁に付着した反応生成物WFXやT
iClX は酸化され、これがWOX や TiOX と言った安定し
た化合物となる。図２は、エッチング終了後に酸素を流
し、かつ放電させてプラズマ処理することによってエッ
チング室１の内壁に付着していた反応生成物WFX やTiCl
X が酸化され、これがWOX や TiOX と言った安定した化
合物となって付着している様子を示している。
【００２１】放電終了後、ウエハー３をエッチング室１
から取り出し、次のウエハー３の処理を開始する。この
とき、反応生成物の酸化物WOX や TiOX は蒸気圧が非常
に低く、エッチング室１の内壁から離脱してウエハー３
に再付着する量が減るためエッチングに影響を及ぼすこ
とがなくなる。そして、エッチング中に生成した反応生
成物が新たにエッチング室１に付着することになるが、
エッチバック終了後にこの処理を繰り返すことによって
次のウエハー３に対するエッチングの影響がなくなる。
図３は、次のウエハー３に対するエッチングが行われ、
エッチング室１の内壁に前に酸化されたWOX や TiOX と
言った安定した化合物に加えて、今回発生した反応生成
物WFX やTiClX が新たに付着した様子を示している。
から取り出し、次のウエハー３の処理を開始する。この
とき、反応生成物の酸化物WOX や TiOX は蒸気圧が非常
に低く、エッチング室１の内壁から離脱してウエハー３
に再付着する量が減るためエッチングに影響を及ぼすこ
とがなくなる。そして、エッチング中に生成した反応生
成物が新たにエッチング室１に付着することになるが、
エッチバック終了後にこの処理を繰り返すことによって
次のウエハー３に対するエッチングの影響がなくなる。
図３は、次のウエハー３に対するエッチングが行われ、
エッチング室１の内壁に前に酸化されたWOX や TiOX と
言った安定した化合物に加えて、今回発生した反応生成
物WFX やTiClX が新たに付着した様子を示している。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るドラ
イエッチング方法によれば、エッチング終了後に酸素ガ
スを用いてエッチング室内を放電することにより、エッ
チング室内壁に付着している反応生成物を酸化させて次
のウエハー処理時に影響を与えることのない安定した化
合物に代えて、反応生成物がウエハー上に付着するのを
防止することができるので、連続して安定したエッチン
グ処理が可能となる。
イエッチング方法によれば、エッチング終了後に酸素ガ
スを用いてエッチング室内を放電することにより、エッ
チング室内壁に付着している反応生成物を酸化させて次
のウエハー処理時に影響を与えることのない安定した化
合物に代えて、反応生成物がウエハー上に付着するのを
防止することができるので、連続して安定したエッチン
グ処理が可能となる。
【図１】本発明の方法を用いたエッチング装置の模式図
である。
である。
【図２】本発明の方法を用いたエッチング装置の模式図
である。
である。
【図３】本発明の方法を用いたエッチング装置の模式図
である。
である。
【図４】従来方法を用いたエッチング装置の模式図であ
る。
る。
【図５】従来方法の問題点を説明するための模式図であ
る。
る。
１ エッチング室 ２ ウエハー支持台 ３ ウエハー
Claims (1)
- 【請求項１】 コンタクトホールやスルーホール等とし
て形成されたホールを有するウエハーの全面に、このウ
エハーとの密着性を促進するための密着層となる膜を介
してタングステンの膜を生成し、その後エッチバックし
て前記ホール内をタングステンで埋め込むプロセスのド
ライエッチング方法において、 前記ウエハーのエッチングを行うエッチング室内にエッ
チバック終了後に酸素ガスを流して放電し、前記エッチ
ング室内に付着した反応生成物を酸化させるためのステ
ップを加えたことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12526593A JPH06314672A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12526593A JPH06314672A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314672A true JPH06314672A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14905805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12526593A Pending JPH06314672A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015076550A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP12526593A patent/JPH06314672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015076550A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5416048A (en) | Method to slope conductor profile prior to dielectric deposition to improve dielectric step-coverage | |
| JPH10223608A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07153704A (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| US6727182B2 (en) | Process for the production of semiconductor device | |
| JP2891952B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5855689A (en) | Method for etching inside of tungsten CVD reaction room | |
| EP1207550B1 (en) | Method of etching and method of plasma treatment | |
| JPH0878397A (ja) | 高融点金属含有膜のエッチング方法及び薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JP2006294848A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2002299315A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06314672A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH07321068A (ja) | 金属配線形成方法及びこれに使用されるスパッタリング装置 | |
| US6329294B1 (en) | Method for removing photoresist mask used for etching of metal layer and other etching by-products | |
| JP2005064017A (ja) | プラズマ処理方法及び成膜方法 | |
| US7517802B2 (en) | Method for reducing foreign material concentrations in etch chambers | |
| JP2001077193A (ja) | コンタクトの形成方法 | |
| JP3780204B2 (ja) | バリアメタル膜又は密着層形成方法及び配線形成方法 | |
| JP3475666B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05347270A (ja) | 金属プラグの形成方法及びこれに用いるウェハ処理装置 | |
| JPH0963988A (ja) | 高融点金属含有膜のエッチング方法並びにそれを用いた半導体装置およびその製造方法 | |
| US6309963B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2000156367A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| WO1999035675A1 (fr) | Procede pour former un film de titane par d.c.p.v. | |
| JP2000150471A (ja) | エッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP4650440B2 (ja) | 成膜方法 |