JPH06314604A - 薄膜ハイブリッド抵抗製作方法 - Google Patents
薄膜ハイブリッド抵抗製作方法Info
- Publication number
- JPH06314604A JPH06314604A JP5125204A JP12520493A JPH06314604A JP H06314604 A JPH06314604 A JP H06314604A JP 5125204 A JP5125204 A JP 5125204A JP 12520493 A JP12520493 A JP 12520493A JP H06314604 A JPH06314604 A JP H06314604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- resistance
- photomask
- pattern
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、薄膜ハイブリッドの抵抗製作にお
いて、フォトマスク精度やサイドエッチング量のばらつ
きを特別高度に管理することなく、高価な後処理を必要
とせず、目標とする精度の抵抗を安価に確実に製作する
ことである。 【構成】 抵抗パターンをフォトマスクに面付けする
際、抵抗長または幅を標準値寸法と標準値寸法から少し
づつ増減した抵抗パターンを同一フォトマスク内に形成
する。この後の行程にサイドエッチングなどの誤差要因
があるため、実際の抵抗長および抵抗幅は抵抗パターン
と違った値になるが、その違いの傾向は、一回の作製で
は同じになる。このため、抵抗値としては、目的とする
精度の抵抗値になる抵抗パターンが存在し、結果的に、
目的とする精度の抵抗を確実に製作することができる。
いて、フォトマスク精度やサイドエッチング量のばらつ
きを特別高度に管理することなく、高価な後処理を必要
とせず、目標とする精度の抵抗を安価に確実に製作する
ことである。 【構成】 抵抗パターンをフォトマスクに面付けする
際、抵抗長または幅を標準値寸法と標準値寸法から少し
づつ増減した抵抗パターンを同一フォトマスク内に形成
する。この後の行程にサイドエッチングなどの誤差要因
があるため、実際の抵抗長および抵抗幅は抵抗パターン
と違った値になるが、その違いの傾向は、一回の作製で
は同じになる。このため、抵抗値としては、目的とする
精度の抵抗値になる抵抗パターンが存在し、結果的に、
目的とする精度の抵抗を確実に製作することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、目的とする精度の抵
抗を安価に確実に製作するための薄膜ハイブリッド抵抗
製作方法に関するものである。
抗を安価に確実に製作するための薄膜ハイブリッド抵抗
製作方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】薄膜ハイブリットICにおいてサイズの
小さい長さ100ミクロン以下の抵抗を作成する場合、
抵抗を作る際のフォトマスク精度やサイドエッチング量
のばらつきが抵抗値精度に大きな影響を及ぼし、その値
は+/−30%程度のばらつきを示す。さらに、一回の
製作では、フォトマスク全体に渡って同じ方向のばらつ
きを示す。
小さい長さ100ミクロン以下の抵抗を作成する場合、
抵抗を作る際のフォトマスク精度やサイドエッチング量
のばらつきが抵抗値精度に大きな影響を及ぼし、その値
は+/−30%程度のばらつきを示す。さらに、一回の
製作では、フォトマスク全体に渡って同じ方向のばらつ
きを示す。
【0003】このため、一種類の抵抗パターンで抵抗を
製作すると、例えば、全ての抵抗が−30%程度の抵抗
値を示したり、全ての抵抗が+20%程度の抵抗値を示
すことになる。目的とする抵抗が+/−15%の抵抗で
ある場合、必要な抵抗を製作できなかったことになる。
製作すると、例えば、全ての抵抗が−30%程度の抵抗
値を示したり、全ての抵抗が+20%程度の抵抗値を示
すことになる。目的とする抵抗が+/−15%の抵抗で
ある場合、必要な抵抗を製作できなかったことになる。
【0004】一般的に、後行程で抵抗値を補正するため
にはレーザー等を用いてトリミングする方法があるが、
この方法は高価な設備と時間を必要とする。
にはレーザー等を用いてトリミングする方法があるが、
この方法は高価な設備と時間を必要とする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、フォトマスク精度やサイドエッチング量の
ばらつきを特別高度に管理することなく、高価な後処理
を必要とせず、目標とする精度の抵抗を安価に確実に製
作することである。
する課題は、フォトマスク精度やサイドエッチング量の
ばらつきを特別高度に管理することなく、高価な後処理
を必要とせず、目標とする精度の抵抗を安価に確実に製
作することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】一枚のフォトマスクに、
目的とする精度の抵抗値を得るため、抵抗パターンの抵
抗長または抵抗幅を標準の寸法と標準寸法より増加・減
少した値で面付けする。
目的とする精度の抵抗値を得るため、抵抗パターンの抵
抗長または抵抗幅を標準の寸法と標準寸法より増加・減
少した値で面付けする。
【0007】
【作用】抵抗を作る行程で、サイドエッチングなどの誤
差要因により実際の抵抗長および抵抗幅が変化する。し
かし、標準寸法または標準寸法を増減した抵抗パターン
を一枚のフォトマスク上に面付けするため、標準寸法ま
たは標準寸法を増減した中に目的とする精度の抵抗値の
ものを作ることができる。
差要因により実際の抵抗長および抵抗幅が変化する。し
かし、標準寸法または標準寸法を増減した抵抗パターン
を一枚のフォトマスク上に面付けするため、標準寸法ま
たは標準寸法を増減した中に目的とする精度の抵抗値の
ものを作ることができる。
【0008】
【実施例】薄膜抵抗パターンを図1(a)に示す。抵抗
値は抵抗体の材料が一定の場合、長さと断面積で決定さ
れるが、その中で抵抗パターンで制御できるのは抵抗体
の長さと幅である。抵抗パターンをフォトマスクに面付
けする際、抵抗長または抵抗幅を標準寸法と標準寸法を
増減した抵抗パターンとして同一フォトマスク内に形成
する。
値は抵抗体の材料が一定の場合、長さと断面積で決定さ
れるが、その中で抵抗パターンで制御できるのは抵抗体
の長さと幅である。抵抗パターンをフォトマスクに面付
けする際、抵抗長または抵抗幅を標準寸法と標準寸法を
増減した抵抗パターンとして同一フォトマスク内に形成
する。
【0009】この後の工程にサイドエッチングなどの誤
差要因があるため、実際の抵抗長および抵抗幅は抵抗パ
ターンと違った値になるが、その違いの傾向は、一回の
製作では同じになる。つまり、ある場合には全体として
抵抗値が増加傾向を示し、ある場合には全体として抵抗
値が減少傾向を示す。
差要因があるため、実際の抵抗長および抵抗幅は抵抗パ
ターンと違った値になるが、その違いの傾向は、一回の
製作では同じになる。つまり、ある場合には全体として
抵抗値が増加傾向を示し、ある場合には全体として抵抗
値が減少傾向を示す。
【0010】このため、抵抗値としては、目的とする精
度の抵抗値になる抵抗パターンが存在し、結果的に、目
的とする精度の、例えば、+/−15%の精度の抵抗を
確実に製作することができる。
度の抵抗値になる抵抗パターンが存在し、結果的に、目
的とする精度の、例えば、+/−15%の精度の抵抗を
確実に製作することができる。
【0011】
【発明の効果】抵抗長・抵抗幅の違った抵抗パターンを
同一フォトマスク内に面付けすることで、目的とする精
度の抵抗値をもった抵抗を確実に製作することができ
る。
同一フォトマスク内に面付けすることで、目的とする精
度の抵抗値をもった抵抗を確実に製作することができ
る。
【図1】抵抗パターンの上面図および面付けされたフォ
トマスクである。
トマスクである。
1 抵抗長 2 抵抗幅 3 抵抗体 4 抵抗パターン 5 パッド 6 フォトマスク
Claims (2)
- 【請求項1】 薄膜ハイブリッドの抵抗製作において、
目的とする精度の抵抗値を得るために、抵抗長(1)に
対して寸法の標準値および標準寸法を増加・減少した寸
法値の抵抗パターン(4)を一枚のフォトマスク(6)
に面付けし、目的とする精度の抵抗を確実に製作する薄
膜ハイブリッド抵抗製作方法。 - 【請求項2】 請求項1において、抵抗幅(2)に対し
て寸法の標準値および標準寸法を増加・減少した寸法値
の抵抗パターン(4)を一枚のフォトマスク(6)に面
付けし、目的とする精度の抵抗を確実に製作する薄膜ハ
イブリッド抵抗製作方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5125204A JPH06314604A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 薄膜ハイブリッド抵抗製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5125204A JPH06314604A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 薄膜ハイブリッド抵抗製作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06314604A true JPH06314604A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14904483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5125204A Withdrawn JPH06314604A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 薄膜ハイブリッド抵抗製作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06314604A (ja) |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP5125204A patent/JPH06314604A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |