JPH06310804A - 面発光レーザ素子 - Google Patents
面発光レーザ素子Info
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
- H01S5/426—Vertically stacked cavities
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の異なる波長の光を同一の反射鏡から発
光する面発光レーザ素子を提供する。 【構成】 第２の多層膜反射鏡２１と第３の多層膜反射
鏡８との間に第２の活性層１１が形成され、波長λ2 の
光を第２の多層膜反射鏡２１側から発光する。また、第
１の多層膜反射鏡３と第３の多層膜反射鏡８との間に第
１の活性層５が形成され、波長λ1 の光を第３の多層膜
反射鏡８から第２の活性層１１側へ発振する。第１の活
性層５のＡｌ組成は第２の活性層１１よりも小さなＡｌ
組成で形成されているので、第１の活性層５からの光の
波長λ1 は第２の活性層１１からの光の波長λ2 よりも
長く、第１の活性層５からの光は、第２の活性層１１で
吸収されることなく透過され、第２の多層膜反射鏡２１
側から発光する。
光する面発光レーザ素子を提供する。 【構成】 第２の多層膜反射鏡２１と第３の多層膜反射
鏡８との間に第２の活性層１１が形成され、波長λ2 の
光を第２の多層膜反射鏡２１側から発光する。また、第
１の多層膜反射鏡３と第３の多層膜反射鏡８との間に第
１の活性層５が形成され、波長λ1 の光を第３の多層膜
反射鏡８から第２の活性層１１側へ発振する。第１の活
性層５のＡｌ組成は第２の活性層１１よりも小さなＡｌ
組成で形成されているので、第１の活性層５からの光の
波長λ1 は第２の活性層１１からの光の波長λ2 よりも
長く、第１の活性層５からの光は、第２の活性層１１で
吸収されることなく透過され、第２の多層膜反射鏡２１
側から発光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面発光レーザ素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の面発光レーザ素子の構造
を示す模式的断面図である。このような面発光レーザ素
子は以下のように製造される。ｎ型のＧａＡｓからなる
基板５１上に、例えば金属有機気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）により、ｎ型のクラッド層５２，ｐ型の活性層５
３，ｐ型のクラッド層５４，ｐ型のキャップ層５５，及
びＧａＡｌＡｓからなる図示しないマスク層がこの順に
形成される。そして、エッチングにより、クラッド層５
２の中央にダブルヘテロ構造の被埋込み部を残存させて
周囲を除去する。次に、被埋込み部の周囲の露出された
クラッド層５２上に、例えば液相成長法（ＬＰＥ法）に
より、ｐ型の電流ブロック層５７，ｎ型の電流ブロック
層５８及びｐ型の電流ブロック層５９が、この順にエピ
タキシャル成長されて埋込み部が形成され、マスク層が
除去される。
を示す模式的断面図である。このような面発光レーザ素
子は以下のように製造される。ｎ型のＧａＡｓからなる
基板５１上に、例えば金属有機気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）により、ｎ型のクラッド層５２，ｐ型の活性層５
３，ｐ型のクラッド層５４，ｐ型のキャップ層５５，及
びＧａＡｌＡｓからなる図示しないマスク層がこの順に
形成される。そして、エッチングにより、クラッド層５
２の中央にダブルヘテロ構造の被埋込み部を残存させて
周囲を除去する。次に、被埋込み部の周囲の露出された
クラッド層５２上に、例えば液相成長法（ＬＰＥ法）に
より、ｐ型の電流ブロック層５７，ｎ型の電流ブロック
層５８及びｐ型の電流ブロック層５９が、この順にエピ
タキシャル成長されて埋込み部が形成され、マスク層が
除去される。
【０００３】以上のような製造方法を、本発明者らは特
開平２−177489号公報において提案している。そして、
キャップ層５５及び電流ブロック層５９上に、コンタク
ト層６０を積層し、コンタクト層６０上の中央に誘電体
多層膜６１を、コンタクト層６０上にｐ側の電極６２
を、基板５１の下面にｎ側の電極６３を形成することに
より、面発光レーザ素子を完成させる。
開平２−177489号公報において提案している。そして、
キャップ層５５及び電流ブロック層５９上に、コンタク
ト層６０を積層し、コンタクト層６０上の中央に誘電体
多層膜６１を、コンタクト層６０上にｐ側の電極６２
を、基板５１の下面にｎ側の電極６３を形成することに
より、面発光レーザ素子を完成させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の構造の面発光レ
ーザ素子は、電極６２及び電極６３に電流を注入する
と、活性層５３へキャリアが移動し、電流ブロック層５
７，５８，５９により電流狭窄されて、誘電体多層膜６
１側から光を発する。このとき発光する光の波長λ 1 は
活性層５３の組成により決定される。このように面発光
レーザ素子は、１つの素子から１種類の波長の光を発す
るので、２種類の波長の光が必要な場合は、活性層のＡ
ｌ組成が異なる２個の面発光レーザ素子が必要となり、
複数種類の光が必要な場合に複数の素子を配置するため
の、それだけ余分な面積を要するという問題があった。
ーザ素子は、電極６２及び電極６３に電流を注入する
と、活性層５３へキャリアが移動し、電流ブロック層５
７，５８，５９により電流狭窄されて、誘電体多層膜６
１側から光を発する。このとき発光する光の波長λ 1 は
活性層５３の組成により決定される。このように面発光
レーザ素子は、１つの素子から１種類の波長の光を発す
るので、２種類の波長の光が必要な場合は、活性層のＡ
ｌ組成が異なる２個の面発光レーザ素子が必要となり、
複数種類の光が必要な場合に複数の素子を配置するため
の、それだけ余分な面積を要するという問題があった。
【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、第３の反射鏡を介して組成が異なる複数の活
性層を備えることにより、複数の異なる波長の光を同一
の反射鏡から発光する面発光レーザ素子を提供すること
を目的とする。
のであり、第３の反射鏡を介して組成が異なる複数の活
性層を備えることにより、複数の異なる波長の光を同一
の反射鏡から発光する面発光レーザ素子を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る面発光レー
ザ素子は、活性層を挟んで積層方向の両側に第１，第２
の反射鏡を備える面発光レーザ素子において、積層方向
に、組成が異なる複数の前記活性層と、これらの間に積
層される第３の反射鏡とを備えることを特徴とする。
ザ素子は、活性層を挟んで積層方向の両側に第１，第２
の反射鏡を備える面発光レーザ素子において、積層方向
に、組成が異なる複数の前記活性層と、これらの間に積
層される第３の反射鏡とを備えることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明の面発光レーザ素子では、組成が異なる
複数の活性層を積層方向に備え、これらの間に形成した
第３の反射鏡によって、夫々の活性層を電気的に分離し
ている。本素子の複数の活性層から発振される複数種類
の光のうち、短い波長λ 2 の光を発振する活性層を、発
光スポットとなる第２（第１）の反射鏡側に形成し、長
い波長λ1 の光を発振する活性層を、発光スポットから
遠い第１（第２）の反射鏡側に形成した場合に、短い波
長λ2 の光は第２（第１）の反射鏡及び第３の反射鏡間
で共振されて発光スポットから発光され、長い波長λ1
の光は第１（第２）の反射鏡及び第３の反射鏡間で共振
され、短い波長λ2 の光を発振する活性層を、吸収され
ることなく透過して同一の発光スポットから発光され
る。
複数の活性層を積層方向に備え、これらの間に形成した
第３の反射鏡によって、夫々の活性層を電気的に分離し
ている。本素子の複数の活性層から発振される複数種類
の光のうち、短い波長λ 2 の光を発振する活性層を、発
光スポットとなる第２（第１）の反射鏡側に形成し、長
い波長λ1 の光を発振する活性層を、発光スポットから
遠い第１（第２）の反射鏡側に形成した場合に、短い波
長λ2 の光は第２（第１）の反射鏡及び第３の反射鏡間
で共振されて発光スポットから発光され、長い波長λ1
の光は第１（第２）の反射鏡及び第３の反射鏡間で共振
され、短い波長λ2 の光を発振する活性層を、吸収され
ることなく透過して同一の発光スポットから発光され
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、本発明の面発光レーザ素
子の構造を示す模式的断面図である。図中１は、ｎ−Ｇ
ａＡｓからなる基板であり、基板１上にｎ−ＧａＡｓか
らなるバッファ層２，ｎ型半導体多層膜からなる第１の
多層膜反射鏡３及びｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ 0.4 Ａｓからなる
第１のクラッド層４が、この順に積層されている。第１
のクラッド層４の中央にはｐ−ＧａＡｓからなる第１の
活性層５，ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0. 4 Ａｓからなる第２のク
ラッド層６，ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる第１の
キャップ層７，アンドープ半導体多層膜からなる第３の
多層膜反射鏡８，ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる第
２のキャップ層９，ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる
第３のクラッド層１０，ｐ−Ｇａ0.87Ａｌ0.13Ａｓから
なる第２の活性層１１，ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓから
なる第４のクラッド層１２，及びｎ−Ｇａ 0.8 Ａｌ0.2
Ａｓからなる第３のキャップ層１３が、被埋込み部とな
って形成されている。
き具体的に説明する。図１は、本発明の面発光レーザ素
子の構造を示す模式的断面図である。図中１は、ｎ−Ｇ
ａＡｓからなる基板であり、基板１上にｎ−ＧａＡｓか
らなるバッファ層２，ｎ型半導体多層膜からなる第１の
多層膜反射鏡３及びｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ 0.4 Ａｓからなる
第１のクラッド層４が、この順に積層されている。第１
のクラッド層４の中央にはｐ−ＧａＡｓからなる第１の
活性層５，ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0. 4 Ａｓからなる第２のク
ラッド層６，ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる第１の
キャップ層７，アンドープ半導体多層膜からなる第３の
多層膜反射鏡８，ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる第
２のキャップ層９，ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる
第３のクラッド層１０，ｐ−Ｇａ0.87Ａｌ0.13Ａｓから
なる第２の活性層１１，ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓから
なる第４のクラッド層１２，及びｎ−Ｇａ 0.8 Ａｌ0.2
Ａｓからなる第３のキャップ層１３が、被埋込み部とな
って形成されている。
【０００９】そして、被埋込み部を埋込む態様にて、第
１クラッド層４上に、ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓからな
る第１のｐ型電流ブロック層１５，ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ
0.3 Ａｓからなる第１のｎ型電流ブロック層１６，及び
ｐ−ＧａＡｓからなる第１のコンタクト層１７が積層さ
れている。そして、第１のコンタクト層１７上面端部の
所定面積を露出させて、被埋込み部を埋込む態様にて、
第１のコンタクト層１７上にｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 Ａｓ
からなる第２のｎ型電流ブロック層１８，ｐ−Ｇａ0.55
Ａｌ0.45Ａｓからなる第２のｐ型電流ブロック層１９，
及びｎ−ＧａＡｓからなる第３のコンタクト層２０を積
層されている。コンタクト層２０は上面を第３のキャッ
プ層１３の上面とほぼ面一に形成されており、キャップ
層１３上にはＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の誘電体からなる第２
の多層膜反射鏡２１が形成されている。
１クラッド層４上に、ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓからな
る第１のｐ型電流ブロック層１５，ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ
0.3 Ａｓからなる第１のｎ型電流ブロック層１６，及び
ｐ−ＧａＡｓからなる第１のコンタクト層１７が積層さ
れている。そして、第１のコンタクト層１７上面端部の
所定面積を露出させて、被埋込み部を埋込む態様にて、
第１のコンタクト層１７上にｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 Ａｓ
からなる第２のｎ型電流ブロック層１８，ｐ−Ｇａ0.55
Ａｌ0.45Ａｓからなる第２のｐ型電流ブロック層１９，
及びｎ−ＧａＡｓからなる第３のコンタクト層２０を積
層されている。コンタクト層２０は上面を第３のキャッ
プ層１３の上面とほぼ面一に形成されており、キャップ
層１３上にはＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の誘電体からなる第２
の多層膜反射鏡２１が形成されている。
【００１０】そして、基板１の下面に第１のｎ側電極２
２が形成され、第３のキャップ層１３上に第２のｎ側電
極２３が形成され、第１のコンタクト層１７の露出させ
た表面上にｐ側共通電極２４が形成されている。
２が形成され、第３のキャップ層１３上に第２のｎ側電
極２３が形成され、第１のコンタクト層１７の露出させ
た表面上にｐ側共通電極２４が形成されている。
【００１１】以上のような構造の面発光レーザ素子にお
いては、第２の多層膜反射鏡２１と第３の多層膜反射鏡
８との間が波長λ2 の光の利得部となり、ｐ側共通電極
２４から第２のｎ側電極２３へ電流を注入した場合は、
第２の活性層１１からの波長λ2 の光を第２の多層膜反
射鏡２１側から発光する。また、第１の多層膜反射鏡３
と第３の多層膜反射鏡８との間が波長λ1 の光の利得部
となり、ｐ側共通電極２４から第１のｎ側電極２２へ電
流を注入した場合は、第１の活性層５からの波長λ1 の
光を、第３の多層膜反射鏡８から波長λ2 の光の利得部
側へ発振する。第１の活性層５のＡｌ組成は第２の活性
層１１よりも小さなＡｌ組成で形成されているので、第
１の活性層５からの光の波長λ1 は第２の活性層１１か
らの光の波長λ2 よりも長い（λ1 ＞λ2 ）。これによ
り、第１の活性層５からの光は、波長λ2 の光の利得部
で吸収されることなく、第２の多層膜反射鏡２１側から
発光する。
いては、第２の多層膜反射鏡２１と第３の多層膜反射鏡
８との間が波長λ2 の光の利得部となり、ｐ側共通電極
２４から第２のｎ側電極２３へ電流を注入した場合は、
第２の活性層１１からの波長λ2 の光を第２の多層膜反
射鏡２１側から発光する。また、第１の多層膜反射鏡３
と第３の多層膜反射鏡８との間が波長λ1 の光の利得部
となり、ｐ側共通電極２４から第１のｎ側電極２２へ電
流を注入した場合は、第１の活性層５からの波長λ1 の
光を、第３の多層膜反射鏡８から波長λ2 の光の利得部
側へ発振する。第１の活性層５のＡｌ組成は第２の活性
層１１よりも小さなＡｌ組成で形成されているので、第
１の活性層５からの光の波長λ1 は第２の活性層１１か
らの光の波長λ2 よりも長い（λ1 ＞λ2 ）。これによ
り、第１の活性層５からの光は、波長λ2 の光の利得部
で吸収されることなく、第２の多層膜反射鏡２１側から
発光する。
【００１２】また、ｐ側共通電極２４から第２のｎ側電
極２３及び第１のｎ側電極２２の双方へ電流を供給した
場合は、波長λ1 ，λ2 の２種類の波長の光が同時に第
２の多層膜反射鏡２１側から発光する。
極２３及び第１のｎ側電極２２の双方へ電流を供給した
場合は、波長λ1 ，λ2 の２種類の波長の光が同時に第
２の多層膜反射鏡２１側から発光する。
【００１３】このような半導体レーザ装置を製造する過
程を以下に説明する。図２〜図４は、この半導体レーザ
装置を製造する過程を示した模式的断面図である。図２
に示すように、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１上に、Ｍ
ＯＣＶＤ成長法を用いて、以下に示す半導体層を順次積
層する。 バッファ層２：ｎ−ＧａＡｓ，１μｍ 第１の多層膜反射鏡３：ｎ−ＡｌＡｓ／ｎ−Ｇａ0.9 Ａ
ｌ0.1 Ａｓ（75nm/ 63nm），25ぺア 第１のクラッド層４：ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5
μｍ 第１の活性層５：ｐ−ＧａＡｓ，２μｍ 第２のクラッド層６：ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5
μｍ 第１のキャップ層７：ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ，１μ
ｍ 第３の多層膜反射鏡８：Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ／Ｇａ
0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ（70.9nm／63.2nm），25ぺア Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ，70.9nm Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ（56.5nm
／62.1nm），25ぺア 第２のキャップ層９：ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ，１μ
ｍ 第３のクラッド層１０：ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ，
0.5μｍ 第２の活性層１１：ｐ−Ｇａ0.87Ａｌ0.13Ａｓ，２μｍ 第４のクラッド層１２：ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ，
0.5μｍ 第３のキャップ層１３：ｎ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ，１
μｍ マスク層１４：Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ， 0.3μｍ なお、第３の多層膜反射鏡８は、25ペアのＧａ0.3 Ａｌ
0.7 Ａｓ／Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ上に70.9nmのＧａ0.3
Ａｌ0.7 Ａｓが積層され、その上に25ぺアのＧａ0.8 Ａ
ｌ0.2 Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓが積層された構造で
ある。
程を以下に説明する。図２〜図４は、この半導体レーザ
装置を製造する過程を示した模式的断面図である。図２
に示すように、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１上に、Ｍ
ＯＣＶＤ成長法を用いて、以下に示す半導体層を順次積
層する。 バッファ層２：ｎ−ＧａＡｓ，１μｍ 第１の多層膜反射鏡３：ｎ−ＡｌＡｓ／ｎ−Ｇａ0.9 Ａ
ｌ0.1 Ａｓ（75nm/ 63nm），25ぺア 第１のクラッド層４：ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5
μｍ 第１の活性層５：ｐ−ＧａＡｓ，２μｍ 第２のクラッド層６：ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5
μｍ 第１のキャップ層７：ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ，１μ
ｍ 第３の多層膜反射鏡８：Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ／Ｇａ
0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ（70.9nm／63.2nm），25ぺア Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ，70.9nm Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ（56.5nm
／62.1nm），25ぺア 第２のキャップ層９：ｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ，１μ
ｍ 第３のクラッド層１０：ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ，
0.5μｍ 第２の活性層１１：ｐ−Ｇａ0.87Ａｌ0.13Ａｓ，２μｍ 第４のクラッド層１２：ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ，
0.5μｍ 第３のキャップ層１３：ｎ−Ｇａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ，１
μｍ マスク層１４：Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ， 0.3μｍ なお、第３の多層膜反射鏡８は、25ペアのＧａ0.3 Ａｌ
0.7 Ａｓ／Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ上に70.9nmのＧａ0.3
Ａｌ0.7 Ａｓが積層され、その上に25ぺアのＧａ0.8 Ａ
ｌ0.2 Ａｓ／Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓが積層された構造で
ある。
【００１４】次に、フォトリソグラフィにより、マスク
層１４上の図示しないレジストをパターニングして、図
３に示すように、第１の活性層５の厚みの略３分の１に
達する深さまでのエッチングを行い、第１の活性層５中
央部分に被埋込み部を形成する。そして、レジスト層を
除去し、メルトバック法により被埋込み部の周囲に残存
する第１の活性層５を除去して、図４に示すように、選
択ＬＰＥ法により、露出した第１のクラッド層４上に、
被埋込み部の第３キャップ層１３の上面までを埋込む態
様にて以下に示す半導体層を積層し、埋込み部を形成す
る。
層１４上の図示しないレジストをパターニングして、図
３に示すように、第１の活性層５の厚みの略３分の１に
達する深さまでのエッチングを行い、第１の活性層５中
央部分に被埋込み部を形成する。そして、レジスト層を
除去し、メルトバック法により被埋込み部の周囲に残存
する第１の活性層５を除去して、図４に示すように、選
択ＬＰＥ法により、露出した第１のクラッド層４上に、
被埋込み部の第３キャップ層１３の上面までを埋込む態
様にて以下に示す半導体層を積層し、埋込み部を形成す
る。
【００１５】 第１のｐ型電流ブロック層１５：ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45
Ａｓ，〜 1.5μｍ 第１のｎ型電流ブロック層１６：ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3
Ａｓ，〜 0.5μｍ 第１のコンタクト層１７：ｐ−ＧａＡｓ，〜 7.4μｍ 第２のｎ型電流ブロック層１８：ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3
Ａｓ，〜 0.5μｍ 第２のｐ型電流ブロック層１９：ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45
Ａｓ，〜２μｍ 第３のコンタクト層２０：ｎ−ＧａＡｓ，〜３μｍ
Ａｓ，〜 1.5μｍ 第１のｎ型電流ブロック層１６：ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3
Ａｓ，〜 0.5μｍ 第１のコンタクト層１７：ｐ−ＧａＡｓ，〜 7.4μｍ 第２のｎ型電流ブロック層１８：ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3
Ａｓ，〜 0.5μｍ 第２のｐ型電流ブロック層１９：ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45
Ａｓ，〜２μｍ 第３のコンタクト層２０：ｎ−ＧａＡｓ，〜３μｍ
【００１６】そして、マスク層１４を除去し、第３のコ
ンタクト層２０上の一端部に図示しないレジストを形成
し、第１のコンタクト層１７に達する深さまでのエッチ
ングを行って、図１に示すように、第１のコンタクト層
１７の所定面積を露出させる。そして、基板１の下面に
第１のｎ側電極２２が形成され、第３のコンタクト層２
０上に第２のｎ側電極２３が形成され、露出させた第１
のコンタクト層１７上にｐ側共通電極２４が形成され、
第３キャップ層１３上にＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の４ペアの
誘電体からなる第２の多層膜反射鏡２１を形成する。
ンタクト層２０上の一端部に図示しないレジストを形成
し、第１のコンタクト層１７に達する深さまでのエッチ
ングを行って、図１に示すように、第１のコンタクト層
１７の所定面積を露出させる。そして、基板１の下面に
第１のｎ側電極２２が形成され、第３のコンタクト層２
０上に第２のｎ側電極２３が形成され、露出させた第１
のコンタクト層１７上にｐ側共通電極２４が形成され、
第３キャップ層１３上にＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の４ペアの
誘電体からなる第２の多層膜反射鏡２１を形成する。
【００１７】なお、上述の実施例では、ＧａＡｌＡｓ系
の半導体層を積層して形成しているが、これに限るもの
ではなく、ＩｎＰ系又はＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を
用いて形成しても良い。また、上述の実施例では、ｎ型
の導電型で形成しているがｐ型を用いても良い。
の半導体層を積層して形成しているが、これに限るもの
ではなく、ＩｎＰ系又はＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を
用いて形成しても良い。また、上述の実施例では、ｎ型
の導電型で形成しているがｐ型を用いても良い。
【００１８】また、本実施例では組成が異なる２種類の
活性層を備えた場合を説明しているが、これに限るもの
ではなく、３種類以上の活性層を備えていても良い。こ
の場合は、活性層間夫々に第３の反射鏡を備える。
活性層を備えた場合を説明しているが、これに限るもの
ではなく、３種類以上の活性層を備えていても良い。こ
の場合は、活性層間夫々に第３の反射鏡を備える。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、第
１，第２の反射鏡の間に組成が異なる複数の活性層を備
え、これら活性層の電気的分離を第３の反射鏡により行
うので、夫々の活性層から発振される複数種類の波長の
光を同一の反射鏡から発光させることができ、１素子分
の面積で複数種類の光を得ることができる等、本発明は
優れた効果を奏するものである。
１，第２の反射鏡の間に組成が異なる複数の活性層を備
え、これら活性層の電気的分離を第３の反射鏡により行
うので、夫々の活性層から発振される複数種類の波長の
光を同一の反射鏡から発光させることができ、１素子分
の面積で複数種類の光を得ることができる等、本発明は
優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の面発光レーザ素子の構造を示す模式的
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の半導体レーザ装置を製造する過程を示
した模式的断面図である。
した模式的断面図である。
【図３】本発明の半導体レーザ装置を製造する過程を示
した模式的断面図である。
した模式的断面図である。
【図４】本発明の半導体レーザ装置を製造する過程を示
した模式的断面図である。
した模式的断面図である。
【図５】従来の面発光レーザ素子の構造を示す模式的断
面図である。
面図である。
１ 基板 ３ 第１の多層膜反射鏡 ５ 第１の活性層 ８ 第３の多層膜反射鏡 １１ 第２の活性層 ２１ 第２の多層膜反射鏡 ２２，２３ ｎ側電極 ２４ ｐ側共通電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古沢 浩太郎 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 活性層を挟んで積層方向の両側に第１，
第２の反射鏡を備える面発光レーザ素子において、積層
方向に、組成が異なる複数の前記活性層と、これらの間
に積層される第３の反射鏡とを備えることを特徴とする
面発光レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303293A JPH06310804A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 面発光レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303293A JPH06310804A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 面発光レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310804A true JPH06310804A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14071163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9303293A Pending JPH06310804A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 面発光レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310804A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082084A3 (en) * | 2003-03-11 | 2004-11-04 | Orlee Light Innovations | Multi-color semiconductor lasers |
| JP2006245473A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光スイッチング方法および光送信モジュールおよび光伝送装置 |
| WO2009002911A1 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Motorola, Inc. | Hybrid vertical cavity of multiple wavelength leds |
| US7881357B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-02-01 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method |
| CN108831972A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-16 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | GaAs基生长制备复合多量子阱结构的倒装LED方法 |
| CN114175281A (zh) * | 2019-07-30 | 2022-03-11 | 佳能株式会社 | 发光元件和发光元件的制造方法 |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP9303293A patent/JPH06310804A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082084A3 (en) * | 2003-03-11 | 2004-11-04 | Orlee Light Innovations | Multi-color semiconductor lasers |
| US7881357B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-02-01 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method |
| JP2006245473A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光スイッチング方法および光送信モジュールおよび光伝送装置 |
| WO2009002911A1 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Motorola, Inc. | Hybrid vertical cavity of multiple wavelength leds |
| CN108831972A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-16 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | GaAs基生长制备复合多量子阱结构的倒装LED方法 |
| CN114175281A (zh) * | 2019-07-30 | 2022-03-11 | 佳能株式会社 | 发光元件和发光元件的制造方法 |
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