JP3271291B2 - 面発光型半導体レーザ - Google Patents
面発光型半導体レーザInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面発光型半導体レーザ
すなわち垂直共振器構造を有し垂直方向にレーザ光を出
射させる半導体レーザに係わる。
すなわち垂直共振器構造を有し垂直方向にレーザ光を出
射させる半導体レーザに係わる。
【０００２】
【従来の技術】垂直共振構造を有する面発光半導体レー
ザは、近年急速に発展を遂げ、その優れた低しきい値特
性、高周波特性等が注目され次世代ＯＥＩＣ（光電気集
積回路）用光源等への応用が期待されている。
ザは、近年急速に発展を遂げ、その優れた低しきい値特
性、高周波特性等が注目され次世代ＯＥＩＣ（光電気集
積回路）用光源等への応用が期待されている。
【０００３】その典型的な構造は、図７に示すように基
体１上に、バッファ層２、第１の多層反射膜３、第１の
クラッド層４、活性層５、第２のクラッド層６、第２の
多層反射膜７を順次連続エピタキシャル成長し、第２の
多層反射膜７から第１の多層反射膜３に至る深さに例え
ば円柱状に中央部を残してその周辺をエッチング除去
し、この円柱状部分を囲むようにその周側面に接してす
なわちこの円柱状部を埋め込むように絶縁性平坦化膜８
例えばポリイミドを塗布し、これの上に第２の多層反射
膜７上を覆って一方の電極９をオーミックに被着する構
成が採られる。
体１上に、バッファ層２、第１の多層反射膜３、第１の
クラッド層４、活性層５、第２のクラッド層６、第２の
多層反射膜７を順次連続エピタキシャル成長し、第２の
多層反射膜７から第１の多層反射膜３に至る深さに例え
ば円柱状に中央部を残してその周辺をエッチング除去
し、この円柱状部分を囲むようにその周側面に接してす
なわちこの円柱状部を埋め込むように絶縁性平坦化膜８
例えばポリイミドを塗布し、これの上に第２の多層反射
膜７上を覆って一方の電極９をオーミックに被着する構
成が採られる。
【０００４】今、ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸（発振波長λ
≒０．９８μｍ）の垂直共振器による面発光半導体レー
ザについて説明すると、基体１は例えばｎ型のＧａＡｓ
サブストレイトよりなり、同様にバッファ層２はｎ型の
ＧａＡｓよりなり、第１の多層反射膜３はそれぞれｎ型
のＡｌＡｓ膜とＧａＡｓ膜の繰り返し積層膜をもってλ
／４周期の多層膜構造として形成される。
≒０．９８μｍ）の垂直共振器による面発光半導体レー
ザについて説明すると、基体１は例えばｎ型のＧａＡｓ
サブストレイトよりなり、同様にバッファ層２はｎ型の
ＧａＡｓよりなり、第１の多層反射膜３はそれぞれｎ型
のＡｌＡｓ膜とＧａＡｓ膜の繰り返し積層膜をもってλ
／４周期の多層膜構造として形成される。
【０００５】第１のクラッド層４は、ｎ型のＧａＡｓよ
りなり、活性層はＩｎ0.2 Ｇａ0.8Ａｓよりなり、第２
のクラッド層６はｐ型のＧａＡｓよりなり、第２の多層
反射膜７はそれぞれｐ型のＡｌＡｓ及びＧａＡｓの繰り
返し積層膜の同様にλ／４周期の多層膜によって形成し
得る。
りなり、活性層はＩｎ0.2 Ｇａ0.8Ａｓよりなり、第２
のクラッド層６はｐ型のＧａＡｓよりなり、第２の多層
反射膜７はそれぞれｐ型のＡｌＡｓ及びＧａＡｓの繰り
返し積層膜の同様にλ／４周期の多層膜によって形成し
得る。
【０００６】また、電極９は例えばＡｕＺｎ金属電極に
よって構成される。
よって構成される。
【０００７】このようにして第１及び第２の多層反射膜
３及び７間に垂直共振器が構成され、電極９及び基体１
間に動作電源Ｖが接続されることによって両第１及び第
２の多層反射膜３及び７を通じて活性層５に電流の注入
がなされて垂直共振器によって増幅される波長のレーザ
光を発振するようになされている。
３及び７間に垂直共振器が構成され、電極９及び基体１
間に動作電源Ｖが接続されることによって両第１及び第
２の多層反射膜３及び７を通じて活性層５に電流の注入
がなされて垂直共振器によって増幅される波長のレーザ
光を発振するようになされている。
【０００８】このような構成による垂直共振構造を有す
る面発光半導体レーザは、多層反射膜を用いることで極
めて高い反射率のミラーが構成されることから光閉じ込
め係数を大きくすることができること、また共振器長を
波長と等価にすることで極低しきい値化、光のライフタ
イムの低減が達成される。また、多層膜反射鏡（以下Ｄ
ＢＲ反射鏡（Distributed Brugg Reflection Mirror ）
という）が用いられることによって光の出射条件が、ブ
ラッグ反射条件を満足される光に限られること、さらに
多層反射膜に垂直の方向に関してのみ所定の波長の発振
光が得られることから、狭出射角、単一モードの半導体
レーザが構成される。
る面発光半導体レーザは、多層反射膜を用いることで極
めて高い反射率のミラーが構成されることから光閉じ込
め係数を大きくすることができること、また共振器長を
波長と等価にすることで極低しきい値化、光のライフタ
イムの低減が達成される。また、多層膜反射鏡（以下Ｄ
ＢＲ反射鏡（Distributed Brugg Reflection Mirror ）
という）が用いられることによって光の出射条件が、ブ
ラッグ反射条件を満足される光に限られること、さらに
多層反射膜に垂直の方向に関してのみ所定の波長の発振
光が得られることから、狭出射角、単一モードの半導体
レーザが構成される。
【０００９】この種の垂直共振器構造による面発光半導
体レーザにおいては、そのＤＢＲ反射鏡を通じて通電が
なされることと、その一方を通じて光の導出を行うこと
から、その多層反射膜は、前述した半導体の積層による
ＤＢＲ反射鏡が用いられるものであり、このＤＢＲ反射
鏡は特にキャリアの移動度の低いｐ側のＤＢＲにおいて
直列抵抗の増大が問題となる。
体レーザにおいては、そのＤＢＲ反射鏡を通じて通電が
なされることと、その一方を通じて光の導出を行うこと
から、その多層反射膜は、前述した半導体の積層による
ＤＢＲ反射鏡が用いられるものであり、このＤＢＲ反射
鏡は特にキャリアの移動度の低いｐ側のＤＢＲにおいて
直列抵抗の増大が問題となる。
【００１０】すなわち、ホールの移動度は、電子のそれ
に比し１／１０以下であることから、特にｐ側のＤＢＲ
反射鏡、上述の例においては、第２の多層反射膜７側に
おける直列抵抗が問題となって、これが熱抵抗の増大を
来す。
に比し１／１０以下であることから、特にｐ側のＤＢＲ
反射鏡、上述の例においては、第２の多層反射膜７側に
おける直列抵抗が問題となって、これが熱抵抗の増大を
来す。
【００１１】この抵抗は、高濃度ドーピングによりある
程度低めることが可能ではあるが、この場合にはフリー
キャリアによる光吸収（プラズモン吸収）が効率的発振
の障害となるため、通常５×１０ 18 ｃｍ-3以上の不純物
ドーピングは避けられるものであり、このため、このｐ
側において充分なオン抵抗の低減化をはかることができ
ず、このため高電流注入時に熱抵抗の増大が生じ、大出
力化が困難であることが問題となってきている。
程度低めることが可能ではあるが、この場合にはフリー
キャリアによる光吸収（プラズモン吸収）が効率的発振
の障害となるため、通常５×１０ 18 ｃｍ-3以上の不純物
ドーピングは避けられるものであり、このため、このｐ
側において充分なオン抵抗の低減化をはかることができ
ず、このため高電流注入時に熱抵抗の増大が生じ、大出
力化が困難であることが問題となってきている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うに特に半導体多層膜反射鏡による垂直共振器面発光半
導体レーザにおけるオン抵抗の増大による高電流注入時
の熱抵抗の増大、大出力化の阻害の問題を解決するもの
である。
うに特に半導体多層膜反射鏡による垂直共振器面発光半
導体レーザにおけるオン抵抗の増大による高電流注入時
の熱抵抗の増大、大出力化の阻害の問題を解決するもの
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例の略線的拡大断面図を示し、図２にその略線的平面図
を示すように、多層膜反射鏡（ＤＢＲ反射鏡）１１及び
１２を有する垂直共振器構造を有する面発光半導体レー
ザにおいて、少なくとも一方の電極１３が対応する側の
多層膜反射鏡１２に対し、この多層膜反射鏡１２の多層
膜積層側面を横切って接触するヒートシンク機能を有す
る電極とする。
例の略線的拡大断面図を示し、図２にその略線的平面図
を示すように、多層膜反射鏡（ＤＢＲ反射鏡）１１及び
１２を有する垂直共振器構造を有する面発光半導体レー
ザにおいて、少なくとも一方の電極１３が対応する側の
多層膜反射鏡１２に対し、この多層膜反射鏡１２の多層
膜積層側面を横切って接触するヒートシンク機能を有す
る電極とする。
【００１４】
【作用】上述したように本発明においては、少なくとも
一方の多層膜反射鏡の側面にヒートシンク効果を有する
電極が被着されていることによって半導体多層膜反射鏡
で問題となる抵抗熱抵抗の減少化がはかられ大出力化が
可能となる。
一方の多層膜反射鏡の側面にヒートシンク効果を有する
電極が被着されていることによって半導体多層膜反射鏡
で問題となる抵抗熱抵抗の減少化がはかられ大出力化が
可能となる。
【００１５】
【実施例】本発明による面発光型半導体レーザの実施例
を図面を参照して説明するに、その理解を容易にするた
めに図３〜図６を参照してその製造方法の一例と共に詳
細に説明する。
を図面を参照して説明するに、その理解を容易にするた
めに図３〜図６を参照してその製造方法の一例と共に詳
細に説明する。
【００１６】図３Ａに示すように、例えばｎ型のＧａＡ
ｓサブストレイトよりなる半導体基体１４上に、ＭＯＣ
ＶＤ（有機金属化学的気相成長法）あるいはＭＢＥ（分
子線エピタキシー法）等によって必要に応じてｎ型のＧ
ａＡｓ等のバッファ層１５を介して、ｎ型の第１のＤＢ
Ｒ反射鏡１１、ｎ型のＧａＡｓより成る第１のクラッド
層１５、ＩｎＧａＡｓより成る活性層１６、ｐ型のＧａ
Ａｓより成る第２のクラッド層１７、ｐ型の第２のＤＢ
Ｒ反射鏡１２を順次エピタキシャル成長する。
ｓサブストレイトよりなる半導体基体１４上に、ＭＯＣ
ＶＤ（有機金属化学的気相成長法）あるいはＭＢＥ（分
子線エピタキシー法）等によって必要に応じてｎ型のＧ
ａＡｓ等のバッファ層１５を介して、ｎ型の第１のＤＢ
Ｒ反射鏡１１、ｎ型のＧａＡｓより成る第１のクラッド
層１５、ＩｎＧａＡｓより成る活性層１６、ｐ型のＧａ
Ａｓより成る第２のクラッド層１７、ｐ型の第２のＤＢ
Ｒ反射鏡１２を順次エピタキシャル成長する。
【００１７】第１及び第２のＤＢＲ反射鏡１１及び１２
は、例えばそれぞれｎ型及びｐ型のＡｌＡｓ、ＧａＡｓ
の繰り返し積層とし、発光レーザ光の波長に対する反射
率がＲ1 及びＲ2 とされ、｛（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）／２｝＞９
０％で、例えばＲ2 ＜Ｒ1 とする。次いで、第２のＤＢ
Ｒ反射鏡層１２上に、例えばＳｉＯ2 マスク層１８とＳ
ｉ3 Ｎ4 マスク層１９の２層構造のマスク層２０を例え
ばプラズマＣＶＤ法によって形成する。
は、例えばそれぞれｎ型及びｐ型のＡｌＡｓ、ＧａＡｓ
の繰り返し積層とし、発光レーザ光の波長に対する反射
率がＲ1 及びＲ2 とされ、｛（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）／２｝＞９
０％で、例えばＲ2 ＜Ｒ1 とする。次いで、第２のＤＢ
Ｒ反射鏡層１２上に、例えばＳｉＯ2 マスク層１８とＳ
ｉ3 Ｎ4 マスク層１９の２層構造のマスク層２０を例え
ばプラズマＣＶＤ法によって形成する。
【００１８】そして、これの上に周知のフォトグラフィ
によるフォトレジスト層２１を最終的に垂直共振器を形
成する部分に例えば円形パターンに形成する。
によるフォトレジスト層２１を最終的に垂直共振器を形
成する部分に例えば円形パターンに形成する。
【００１９】次に、図３Ｂに示すように、このフォトレ
ジスト層２１をマスクとして、まず上層のＳｉ3 Ｎ4 マ
スク層１９のエッチングレジスト層２１の被着部以外を
エッチング除去し、さらにこれをマスクとしてこれの下
のＳｉＯ2 マスク層１８をエッチングする。そして、こ
れらマスク層１８及び１９によるマスク２０をエッチン
グマスクとして、これの下を柱状部２２として残して第
２のＤＢＲ反射鏡１２と、クラッド層１７と活性層１６
を横切る深さに、例えばＣｌ2 等のハロゲン系のガスを
用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、あるいはＥ
ＣＲ−ＲＩＥ（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス−ＲＩＥ）等の垂直方向の異方性ドライエッチング
を行って円柱状部２２の周辺をエッチング除去する。そ
の後、残ったフォトレジスト層２１をアッシング等によ
って取り去る。
ジスト層２１をマスクとして、まず上層のＳｉ3 Ｎ4 マ
スク層１９のエッチングレジスト層２１の被着部以外を
エッチング除去し、さらにこれをマスクとしてこれの下
のＳｉＯ2 マスク層１８をエッチングする。そして、こ
れらマスク層１８及び１９によるマスク２０をエッチン
グマスクとして、これの下を柱状部２２として残して第
２のＤＢＲ反射鏡１２と、クラッド層１７と活性層１６
を横切る深さに、例えばＣｌ2 等のハロゲン系のガスを
用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、あるいはＥ
ＣＲ−ＲＩＥ（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス−ＲＩＥ）等の垂直方向の異方性ドライエッチング
を行って円柱状部２２の周辺をエッチング除去する。そ
の後、残ったフォトレジスト層２１をアッシング等によ
って取り去る。
【００２０】図３Ｃに示すように、そのエッチングによ
って残された柱状部２２の周面を含んで全表面に絶縁層
２３例えばＳｉ3 Ｎ4 膜をプラズマＣＶＤによって被着
する。
って残された柱状部２２の周面を含んで全表面に絶縁層
２３例えばＳｉ3 Ｎ4 膜をプラズマＣＶＤによって被着
する。
【００２１】図４Ａに示すように、円柱部２２の基部側
を埋め込むように、ポリイミドあるいはＳＯＧ（スピン
・オン・グラス（低融点ガラス））等の塗布型の絶縁材
２４を円柱部２２の活性層１６の周端面と対向する部分
を覆ってコーティングする。
を埋め込むように、ポリイミドあるいはＳＯＧ（スピン
・オン・グラス（低融点ガラス））等の塗布型の絶縁材
２４を円柱部２２の活性層１６の周端面と対向する部分
を覆ってコーティングする。
【００２２】次に、図４Ｂに示すように等方性エッチン
グによって絶縁材２４をエッチングマスクとしてこれに
よって覆われていない円柱部２２の上部周囲の絶縁層２
３をエッチバックし第２のクラッド層１７の一部と第２
のＤＢＲ反射鏡１２の周側面を露出させる。その後、Ｚ
ｎ等の第２のクラッド層１７及び第２のＤＢＲ反射鏡１
２と同導電型のｐ型のドーパントを円柱部２２の外部に
露出した周面に拡散して高不純物濃度層２５を形成す
る。
グによって絶縁材２４をエッチングマスクとしてこれに
よって覆われていない円柱部２２の上部周囲の絶縁層２
３をエッチバックし第２のクラッド層１７の一部と第２
のＤＢＲ反射鏡１２の周側面を露出させる。その後、Ｚ
ｎ等の第２のクラッド層１７及び第２のＤＢＲ反射鏡１
２と同導電型のｐ型のドーパントを円柱部２２の外部に
露出した周面に拡散して高不純物濃度層２５を形成す
る。
【００２３】図４Ｃに示すように、高不純物濃度層２５
を含んで全面的に例えばＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ等のｐ型コン
タクト用金属電極１３を蒸着する。
を含んで全面的に例えばＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ等のｐ型コン
タクト用金属電極１３を蒸着する。
【００２４】次に、図５Ａに示すように、さらに例えば
フォトレジストによるメッキレジスト層２５を円柱部２
２より所要の間隔を保持して例えばリング状に形成し、
メッキレジスト層２５によって覆われていない部分にＡ
ｕメッキ等の良熱伝導性を有するヒートシンク機能を有
する金属部２６をメッキする。
フォトレジストによるメッキレジスト層２５を円柱部２
２より所要の間隔を保持して例えばリング状に形成し、
メッキレジスト層２５によって覆われていない部分にＡ
ｕメッキ等の良熱伝導性を有するヒートシンク機能を有
する金属部２６をメッキする。
【００２５】次に図５Ｂに示すように、第２のＤＢＲ反
射鏡１２上のマスク層２０等を除去し、全面的にポリイ
ミド等の塗布型の平坦化膜２７を塗布し、その後エッチ
バックを施して平坦化を行う。
射鏡１２上のマスク層２０等を除去し、全面的にポリイ
ミド等の塗布型の平坦化膜２７を塗布し、その後エッチ
バックを施して平坦化を行う。
【００２６】次に、このポリイミド等よりなる平坦化膜
２７の一部に電極窓開けを行って図１及び図２に示すよ
うに、Ａｕ／Ｇｅ等の他方の電極２８を第１のクラッド
層に対してオーミックにコンタクトする。１３Ａ及び２
８Ａは、電極１３及び２８から延長して設けられた外部
リード接続等のコンタクト部を示す。
２７の一部に電極窓開けを行って図１及び図２に示すよ
うに、Ａｕ／Ｇｅ等の他方の電極２８を第１のクラッド
層に対してオーミックにコンタクトする。１３Ａ及び２
８Ａは、電極１３及び２８から延長して設けられた外部
リード接続等のコンタクト部を示す。
【００２７】そして、この電極１３及び２８間に動作電
源を接続して第１及び第２のＤＢＲ反射鏡１１及び１２
間の共振器部において発振を生じさせ、図においては第
２のＤＢＲ反射膜１２側を通じてレーザ光を取出す。
源を接続して第１及び第２のＤＢＲ反射鏡１１及び１２
間の共振器部において発振を生じさせ、図においては第
２のＤＢＲ反射膜１２側を通じてレーザ光を取出す。
【００２８】尚、図示の例においては、柱状部２２が円
柱状とされた場合であるが、角柱状等任意のパターンと
することができる。
柱状とされた場合であるが、角柱状等任意のパターンと
することができる。
【００２９】また、図示の例では、図３Ｂの工程におけ
るエッチングの深さをｐ型の第２のクラッド層１５の位
置に止めた場合で、前述したように特に抵抗が問題とな
るｐ型の第２のＤＢＲ膜１２の側面、即ち、その多層膜
の積層方向を横切って電極１３が設けられているので、
抵抗の問題が改善され、しかもヒートシンク効果を有す
る金属部２６が設けられていることから放熱効果にもす
ぐれ、熱抵抗の改善がはかられる。
るエッチングの深さをｐ型の第２のクラッド層１５の位
置に止めた場合で、前述したように特に抵抗が問題とな
るｐ型の第２のＤＢＲ膜１２の側面、即ち、その多層膜
の積層方向を横切って電極１３が設けられているので、
抵抗の問題が改善され、しかもヒートシンク効果を有す
る金属部２６が設けられていることから放熱効果にもす
ぐれ、熱抵抗の改善がはかられる。
【００３０】しかしながら図６に示すように、図４Ｂで
説明したエッチングの深さを、第１のＤＢＲ反射鏡１１
を横切る深さとして金属部２６がこれの近傍に絶縁層２
３を介して入り込むようにして、この第１のＤＢＲ反射
鏡１１における熱抵抗の低減化をはかることができる。
図６において図１と対応する部分に同一符号を付して重
複説明を省略する。
説明したエッチングの深さを、第１のＤＢＲ反射鏡１１
を横切る深さとして金属部２６がこれの近傍に絶縁層２
３を介して入り込むようにして、この第１のＤＢＲ反射
鏡１１における熱抵抗の低減化をはかることができる。
図６において図１と対応する部分に同一符号を付して重
複説明を省略する。
【００３１】更に、上述した例では、第２のＤＢＲ反射
鏡１２側からレーザ光の導出を行うようにした場合であ
るが、基体１４の第１のＤＢＲ反射鏡１１側をエッチン
グして窓を形成し（図示せず）、これよりレーザ光の導
出を行うべくＲ1 ＜Ｒ2 とすることもできる。
鏡１２側からレーザ光の導出を行うようにした場合であ
るが、基体１４の第１のＤＢＲ反射鏡１１側をエッチン
グして窓を形成し（図示せず）、これよりレーザ光の導
出を行うべくＲ1 ＜Ｒ2 とすることもできる。
【００３２】また、各部の導電型を図示とは逆の導電型
に選択できるなど上述の例に限らず種々の変型変更を行
うことができる。
に選択できるなど上述の例に限らず種々の変型変更を行
うことができる。
【００３３】そして、上述の構成によれば垂直共振器を
構成する柱状部２２の外周が金属部２６、平坦化膜２７
等によって埋込まれて全体として平坦に形成されている
のでＯＥＩＣへの適用に有利となる。
構成する柱状部２２の外周が金属部２６、平坦化膜２７
等によって埋込まれて全体として平坦に形成されている
のでＯＥＩＣへの適用に有利となる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の、少なくとも一方の多層膜反射
鏡の側面に電極と良熱伝導性の金属部を設けた構成によ
る面発光型半導体レーザとする構成では、すぐれたヒー
トシンク効果が得られ、多層膜反射鏡による共振器構成
で問題となる抵抗、熱抵抗の低減化が図られ、大出力、
長寿命面発光型半導体レーザが構成されることになる。
鏡の側面に電極と良熱伝導性の金属部を設けた構成によ
る面発光型半導体レーザとする構成では、すぐれたヒー
トシンク効果が得られ、多層膜反射鏡による共振器構成
で問題となる抵抗、熱抵抗の低減化が図られ、大出力、
長寿命面発光型半導体レーザが構成されることになる。
【図１】本発明による面発光半導体レーザの一例の略線
的拡大断面図である。
的拡大断面図である。
【図２】本発明による面発光半導体レーザの略線的拡大
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明による面発光半導体レーザの一例の製造
工程図（その１）である。
工程図（その１）である。
【図４】本発明による面発光半導体レーザの一例の製造
工程図（その２）である。
工程図（その２）である。
【図５】本発明による面発光半導体レーザの一例の製造
工程図（その３）である。
工程図（その３）である。
【図６】本発明の他の例の略線的断面図である。
【図７】従来の面発光半導体レーザの略線的断面図であ
る。
る。
１１ 第１の多層膜反射鏡 １５ 第１のクラッド層 １６ 活性層 １７ 第２のクラッド層 １２ 第２の多層膜反射鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも第１のクラッド層と、活性層
と、第２のクラッド層とを有し、両端面に多層膜反射鏡
を有する垂直共振器構造が形成された面発光型半導体レ
ーザであって、 上記半導体レーザの少なくとも一方の電極が、一方の多
層膜反射鏡の上記多層膜積層側面を横切って接触して形
成され、 該電極と接して該電極に比し良熱伝導性を有するヒート
シンク機能を有する金属部が形成されて成ることを特徴
とする面発光型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07797692A JP3271291B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 面発光型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07797692A JP3271291B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 面発光型半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283796A JPH05283796A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3271291B2 true JP3271291B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=13648930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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