JPH06308240A - 広角レーザレーダ装置 - Google Patents
広角レーザレーダ装置Info
- Publication number
- JPH06308240A JPH06308240A JP9435393A JP9435393A JPH06308240A JP H06308240 A JPH06308240 A JP H06308240A JP 9435393 A JP9435393 A JP 9435393A JP 9435393 A JP9435393 A JP 9435393A JP H06308240 A JPH06308240 A JP H06308240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- circuit
- receiving element
- signal current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光素子の信号電流取り出しの切り換えを確
実に行なうことができる広角レーザレーダ装置を得る。 【構成】 広角レーザレーダ装置において、複数の受光
素子を選択して駆動するとともに、受光素子１０の信号
電流ＩS の取り出しを制御する制御回路における、信号
電流の取り出し回路を、電圧制御型の可変抵抗素子２０
で構成する。
実に行なうことができる広角レーザレーダ装置を得る。 【構成】 広角レーザレーダ装置において、複数の受光
素子を選択して駆動するとともに、受光素子１０の信号
電流ＩS の取り出しを制御する制御回路における、信号
電流の取り出し回路を、電圧制御型の可変抵抗素子２０
で構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパルスレーザ光を用いて
反射体までの距離、方向等を測定する広角レーザレーダ
装置、特にその受光素子の信号電流の取り出し回路に関
するものである。
反射体までの距離、方向等を測定する広角レーザレーダ
装置、特にその受光素子の信号電流の取り出し回路に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置として例えば、特開
昭５９−１９８３７８号公報に示す光レーダ装置があっ
た。図１６はこのような光レーダ装置を示す構成図であ
る。図１６において、１は信号光としてパルスレーザ光
を送出する送光器、２はパルスレーザ光が反射物体３に
あたってかえってきた反射光を受光する受光器、４は受
光された反射光を電気信号に変換する複数の受光素子
（ホトダイオード）で、マトリクス状に配列されてい
る。５は形状検出手段であり、マトリクス状に配列され
たこれら受光素子のうち、反射光を受光した受光素子の
相互の位置的関係に基づいて上記反射物体３の形状を検
出する。６は方位検出手段であり、マトリクス状に配列
されたこれら受光素子のうち、反射光を受光した受光素
子の位置から上記反射物体２の存在する方位を検出す
る。７は距離検出手段であり、上記信号光が送出されて
から受光素子４で反射光が受光されるまでの信号光の伝
搬遅延時間に基づいて上記反射物体２までの距離を検出
する。
昭５９−１９８３７８号公報に示す光レーダ装置があっ
た。図１６はこのような光レーダ装置を示す構成図であ
る。図１６において、１は信号光としてパルスレーザ光
を送出する送光器、２はパルスレーザ光が反射物体３に
あたってかえってきた反射光を受光する受光器、４は受
光された反射光を電気信号に変換する複数の受光素子
（ホトダイオード）で、マトリクス状に配列されてい
る。５は形状検出手段であり、マトリクス状に配列され
たこれら受光素子のうち、反射光を受光した受光素子の
相互の位置的関係に基づいて上記反射物体３の形状を検
出する。６は方位検出手段であり、マトリクス状に配列
されたこれら受光素子のうち、反射光を受光した受光素
子の位置から上記反射物体２の存在する方位を検出す
る。７は距離検出手段であり、上記信号光が送出されて
から受光素子４で反射光が受光されるまでの信号光の伝
搬遅延時間に基づいて上記反射物体２までの距離を検出
する。
【０００３】図１７はマトリクス状の受光素子と、これ
ら受光素子を選択して駆動するとともに、受光素子の信
号電流の取り出しを制御する制御回路を示す回路構成図
である。図において、４０は各受光素子、ＳＡ、ＳＢは
マトリクス状の受光素子を選択して駆動するとともに、
受光素子の信号電流の取り出しを制御するアナログスイ
ッチ回路であり、スイッチ回路ＳＡはゲート信号ｇ1 〜
ｇ15に対応してバイアス電圧Ｖb を各列毎に受光素子
（ホトダイオード）４０のカソード端子へ印加するもの
であり、スイッチ回路ＳＢはゲート信号ｇ21〜ｇ30に応
答して各行毎に受光素子（ホトダイオード）４０のアノ
ード端子を接地させるものである。従って、行側のゲー
ト信号と列側のゲート信号との組合せによって、所望の
受光素子４０をオン状態にすることができる。なお、Ｒ
は負荷抵抗、Ｖ0 は出力である。
ら受光素子を選択して駆動するとともに、受光素子の信
号電流の取り出しを制御する制御回路を示す回路構成図
である。図において、４０は各受光素子、ＳＡ、ＳＢは
マトリクス状の受光素子を選択して駆動するとともに、
受光素子の信号電流の取り出しを制御するアナログスイ
ッチ回路であり、スイッチ回路ＳＡはゲート信号ｇ1 〜
ｇ15に対応してバイアス電圧Ｖb を各列毎に受光素子
（ホトダイオード）４０のカソード端子へ印加するもの
であり、スイッチ回路ＳＢはゲート信号ｇ21〜ｇ30に応
答して各行毎に受光素子（ホトダイオード）４０のアノ
ード端子を接地させるものである。従って、行側のゲー
ト信号と列側のゲート信号との組合せによって、所望の
受光素子４０をオン状態にすることができる。なお、Ｒ
は負荷抵抗、Ｖ0 は出力である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の広角レーザレー
ダ装置は以上のように構成されており、受光素子の切り
換え手段として、受光素子（ホトダイオード）のカソー
ドとバイアス電源の間、及びアノードと負荷抵抗の間
に、アナログスイッチ回路ＳＡ、ＳＢを挿入し、このア
ナログスイッチ回路をオン、オフして受光素子（ホトダ
イオード）を選択するようにしていた。図１８にオン時
における基本回路を示す。また、図１９は上記基本回路
をパルス信号に対して書き換えた等価回路である。各図
において、ＰＤは受光素子（ホトダイオード）、ＩS は
反射光により光電変換された受光素子のパルス信号電
流、Ｃj は受光素子の接合容量である。図１９におい
て、Ｃj は直流バイアス電圧Ｖb が大きいときは小さく
なる。パルス信号電流に対する負荷は負荷抵抗Ｒとコン
デンサＣj との並列負荷になるので、応答性はＣj が小
さいほど早くなって感度が上がる。一方、直流バイアス
電圧Ｖb が小さい時はＣj が大きくなる。パルス信号電
流に対する応答性はＣj が大きいほど悪くなって感度が
下がる（図２０）。
ダ装置は以上のように構成されており、受光素子の切り
換え手段として、受光素子（ホトダイオード）のカソー
ドとバイアス電源の間、及びアノードと負荷抵抗の間
に、アナログスイッチ回路ＳＡ、ＳＢを挿入し、このア
ナログスイッチ回路をオン、オフして受光素子（ホトダ
イオード）を選択するようにしていた。図１８にオン時
における基本回路を示す。また、図１９は上記基本回路
をパルス信号に対して書き換えた等価回路である。各図
において、ＰＤは受光素子（ホトダイオード）、ＩS は
反射光により光電変換された受光素子のパルス信号電
流、Ｃj は受光素子の接合容量である。図１９におい
て、Ｃj は直流バイアス電圧Ｖb が大きいときは小さく
なる。パルス信号電流に対する負荷は負荷抵抗Ｒとコン
デンサＣj との並列負荷になるので、応答性はＣj が小
さいほど早くなって感度が上がる。一方、直流バイアス
電圧Ｖb が小さい時はＣj が大きくなる。パルス信号電
流に対する応答性はＣj が大きいほど悪くなって感度が
下がる（図２０）。
【０００５】ここで直流バイアス電源と受光素子の間に
スイッチ回路ＳＡを挿入して、バイアス電圧をスイッチ
回路で０Ｖと、大きなＶb とにオン、オフすることは、
図２０の感度特性からわかるように、感度をオン、オフ
することになり、パルス信号電流の取り出しがオン、オ
フできる。しかしながら、そのオフ時の感度は完全には
０にならない。一方、受光素子と負荷抵抗の間にスイッ
チ回路ＳＢを挿入しても、一定バイアス電圧の時は、パ
ルス信号に対する信号電流ＩS 及び接合容量Ｃj は変化
しないので、負荷抵抗に流れる信号電流は変化しない。
即ち、信号電流ＩS はスイッチ回路と負荷抵抗に直列に
流れることになる。このような構成の場合、スイッチ回
路がオンの時は、信号電流ＩS が負荷抵抗Ｒに流れて
（Ｃj の影響が小さい場合はＲのみで考えてよい）、出
力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｒとなり、信号電流を電圧で取り出
せる。しかしながら、いずれのスイッチ回路においても
オフの時は、理想的には無限大の抵抗値の場合、信号電
流は発生しないが、現実にはそのようにならず、スイッ
チ回路のオフ抵抗値はパルス信号に対しては無限大では
なく、有限の値を持つため、信号電流が発生する。即
ち、信号の遮断が十分にできず、負荷抵抗Ｒに信号電流
が流れて、出力電圧が発生してしまうという問題があっ
た。
スイッチ回路ＳＡを挿入して、バイアス電圧をスイッチ
回路で０Ｖと、大きなＶb とにオン、オフすることは、
図２０の感度特性からわかるように、感度をオン、オフ
することになり、パルス信号電流の取り出しがオン、オ
フできる。しかしながら、そのオフ時の感度は完全には
０にならない。一方、受光素子と負荷抵抗の間にスイッ
チ回路ＳＢを挿入しても、一定バイアス電圧の時は、パ
ルス信号に対する信号電流ＩS 及び接合容量Ｃj は変化
しないので、負荷抵抗に流れる信号電流は変化しない。
即ち、信号電流ＩS はスイッチ回路と負荷抵抗に直列に
流れることになる。このような構成の場合、スイッチ回
路がオンの時は、信号電流ＩS が負荷抵抗Ｒに流れて
（Ｃj の影響が小さい場合はＲのみで考えてよい）、出
力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｒとなり、信号電流を電圧で取り出
せる。しかしながら、いずれのスイッチ回路においても
オフの時は、理想的には無限大の抵抗値の場合、信号電
流は発生しないが、現実にはそのようにならず、スイッ
チ回路のオフ抵抗値はパルス信号に対しては無限大では
なく、有限の値を持つため、信号電流が発生する。即
ち、信号の遮断が十分にできず、負荷抵抗Ｒに信号電流
が流れて、出力電圧が発生してしまうという問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えを確実に行なうことができる広角レーザレーダ装
置を得ることを目的とする。
めになされたもので、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えを確実に行なうことができる広角レーザレーダ装
置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る広角レーザ
レーダ装置は、複数の受光素子を選択して駆動するとと
もに受光素子の信号電流の取り出しを制御する制御回路
における、信号電流の取り出し回路を、電圧制御型の可
変抵抗素子で構成したものである。
レーダ装置は、複数の受光素子を選択して駆動するとと
もに受光素子の信号電流の取り出しを制御する制御回路
における、信号電流の取り出し回路を、電圧制御型の可
変抵抗素子で構成したものである。
【０００８】本発明の第２の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、電流制御型の可変抵抗素子で構成したもの
である。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、電流制御型の可変抵抗素子で構成したもの
である。
【０００９】本発明の第３の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、取り出したい信号の周波数帯域でインピー
ダンスが高くできるようにした共振回路で構成したもの
である。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、取り出したい信号の周波数帯域でインピー
ダンスが高くできるようにした共振回路で構成したもの
である。
【００１０】本発明の第４の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に強制光を発して上記
受光素子を飽和させる発光手段を有する回路で構成した
ものである。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に強制光を発して上記
受光素子を飽和させる発光手段を有する回路で構成した
ものである。
【００１１】本発明の第５の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に上記受光素子に強制
電流を流し、上記受光素子を飽和させる回路で構成した
ものである。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に上記受光素子に強制
電流を流し、上記受光素子を飽和させる回路で構成した
ものである。
【００１２】
【作用】本発明の制御回路は、受光素子の信号電流の取
り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ回路を用
いないで、電圧制御型の可変抵抗素子で構成し、信号の
取り出しをこの可変抵抗素子と受光素子の間から出力電
圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力電圧が大き
く変化し、その結果、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えが確実に行なえる。
り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ回路を用
いないで、電圧制御型の可変抵抗素子で構成し、信号の
取り出しをこの可変抵抗素子と受光素子の間から出力電
圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力電圧が大き
く変化し、その結果、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えが確実に行なえる。
【００１３】本発明の第２の発明における制御回路は、
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、電流制御型の可変抵
抗素子で構成し、信号の取り出しをこの可変抵抗素子と
受光素子の間から出力電圧の形で取り出すので、オン、
オフ時の出力電圧が大きく変化し、その結果、受光素子
の信号電流取り出しの切り換えが確実に行なえる。
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、電流制御型の可変抵
抗素子で構成し、信号の取り出しをこの可変抵抗素子と
受光素子の間から出力電圧の形で取り出すので、オン、
オフ時の出力電圧が大きく変化し、その結果、受光素子
の信号電流取り出しの切り換えが確実に行なえる。
【００１４】本発明の第３の発明における制御回路は、
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、取り出したい信号の
周波数帯域でインピーダンスが高くできるようにした共
振回路で構成し、信号の取り出しをこの共振回路と受光
素子の間から出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ
時の出力電圧が大きく変化し、その結果、受光素子の信
号電流取り出しの切り換えが確実に行なえる。
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、取り出したい信号の
周波数帯域でインピーダンスが高くできるようにした共
振回路で構成し、信号の取り出しをこの共振回路と受光
素子の間から出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ
時の出力電圧が大きく変化し、その結果、受光素子の信
号電流取り出しの切り換えが確実に行なえる。
【００１５】本発明の第４の発明における制御回路は、
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、受光素子に強制光を
入力し、受光素子の電流感度を切り換え、オン、オフ時
の出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えを確実に行なう。
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、受光素子に強制光を
入力し、受光素子の電流感度を切り換え、オン、オフ時
の出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えを確実に行なう。
【００１６】本発明の第５の発明における制御回路は、
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、受光素子に強制電流
を流し、受光素子の電流感度を切り換え、オン、オフ時
の出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えを確実に行なう。
受光素子の信号電流の取り出し回路を、従来のようなア
ナログスイッチ回路を用いないで、受光素子に強制電流
を流し、受光素子の電流感度を切り換え、オン、オフ時
の出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えを確実に行なう。
【００１７】
実施例１．図１は本発明の一実施例による広角レーザレ
ーダ装置における制御回路の内、受光素子の信号電流の
取り出し回路を示す回路構成図であり、１０はホトダイ
オード、アバランシェホトダイオード等の受光素子、２
０は受光素子１０に発生した電流を流すためのＦＥＴを
利用した可変抵抗器で、Ｄはドレイン、Ｓはソース、Ｇ
はゲートである。３０は抵抗である。
ーダ装置における制御回路の内、受光素子の信号電流の
取り出し回路を示す回路構成図であり、１０はホトダイ
オード、アバランシェホトダイオード等の受光素子、２
０は受光素子１０に発生した電流を流すためのＦＥＴを
利用した可変抵抗器で、Ｄはドレイン、Ｓはソース、Ｇ
はゲートである。３０は抵抗である。
【００１８】次に動作について説明する。受光素子１０
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は可変抵抗
器であるＦＥＴ２０に流れる。可変抵抗の値はＦＥＴの
ドレイン・ソース間抵抗ＲDSであるので、ＩS ＲDSなる
出力Ｖ0 が発生する。可変抵抗器２０は制御電圧ＶCに
よってＦＥＴのドレインとソースの間の抵抗値ＲDSが変
化するもので、図１ではＮチャンネル接合型ＦＥＴの例
を示した。制御電圧ＶC がＶC ＝０（Ｖ）の時、ＦＥＴ
のドレイン・ソース間抵抗ＲDSは最小値ＲDSmin とな
る。一方、ＶC に負電圧（例えば−ＶL ）を与えると、
ＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗ＲDSは大きくなり、Ｒ
L となる。従って、図２に示すように、パルス信号電流
ＩS を出力として取り出したいオン時には、負荷抵抗が
ＲL になるような制御電圧ＶC ＝−ＶL にする。この
時、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS ＲL となって、信号検出のス
レショールド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パ
ルス信号電流ＩS を出力として取り出さないように遮断
したいオフ時には、負荷抵抗が最小抵抗ＲDSmin になる
ように、制御電圧をＶC ＝０とする。このとき、Ｖ0 ＝
ＩS ＲDSmin となって、これは信号検出のスレショール
ド電圧Ｖthより小さくすることが可能となる。
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は可変抵抗
器であるＦＥＴ２０に流れる。可変抵抗の値はＦＥＴの
ドレイン・ソース間抵抗ＲDSであるので、ＩS ＲDSなる
出力Ｖ0 が発生する。可変抵抗器２０は制御電圧ＶCに
よってＦＥＴのドレインとソースの間の抵抗値ＲDSが変
化するもので、図１ではＮチャンネル接合型ＦＥＴの例
を示した。制御電圧ＶC がＶC ＝０（Ｖ）の時、ＦＥＴ
のドレイン・ソース間抵抗ＲDSは最小値ＲDSmin とな
る。一方、ＶC に負電圧（例えば−ＶL ）を与えると、
ＦＥＴのドレイン・ソース間抵抗ＲDSは大きくなり、Ｒ
L となる。従って、図２に示すように、パルス信号電流
ＩS を出力として取り出したいオン時には、負荷抵抗が
ＲL になるような制御電圧ＶC ＝−ＶL にする。この
時、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS ＲL となって、信号検出のス
レショールド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パ
ルス信号電流ＩS を出力として取り出さないように遮断
したいオフ時には、負荷抵抗が最小抵抗ＲDSmin になる
ように、制御電圧をＶC ＝０とする。このとき、Ｖ0 ＝
ＩS ＲDSmin となって、これは信号検出のスレショール
ド電圧Ｖthより小さくすることが可能となる。
【００１９】このように、本実施例では受光素子の信号
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、電圧制御型の可変抵抗素子で構成
し、信号の取り出しをこの可変抵抗素子と受光素子の間
から出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力
電圧が大きく変化し、その結果、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えが確実に行なえる。
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、電圧制御型の可変抵抗素子で構成
し、信号の取り出しをこの可変抵抗素子と受光素子の間
から出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力
電圧が大きく変化し、その結果、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えが確実に行なえる。
【００２０】実施例２．図３は本発明の第２の発明に係
わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受光
素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、４０は受光素子１０に発生した信号電流を流すため
のカレントミラー回路、４１は第１のトランジスタであ
り、可変抵抗器である。４２は第２のトランジスタであ
り、第１のトランジスタと特性の揃ったものである。各
トランジスタにおいて、Ｃはコレクタ、Ｅはエミッタ、
Ｂはベースである。４３は抵抗であり、４１、４２、４
３によりカレントミラー回路４０を構成する。
わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受光
素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、４０は受光素子１０に発生した信号電流を流すため
のカレントミラー回路、４１は第１のトランジスタであ
り、可変抵抗器である。４２は第２のトランジスタであ
り、第１のトランジスタと特性の揃ったものである。各
トランジスタにおいて、Ｃはコレクタ、Ｅはエミッタ、
Ｂはベースである。４３は抵抗であり、４１、４２、４
３によりカレントミラー回路４０を構成する。
【００２１】次に動作について説明する。受光素子１０
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は可変抵抗
器であるカレントミラー回路４０の第１のトランジスタ
４１に流れる。可変抵抗の値は第１のトランジスタ４１
のコレクタ・エミッタ間抵抗ＲCEであるので、ＩS ＲCE
なる出力Ｖ0 が発生する。可変抵抗器４１は制御電流Ｉ
C によって第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間
抵抗ＲCEが変化するもので、図３ではＮＰＮトランジス
タの例を示した。カレントミラー回路というのは、２つ
のトランジスタのコレクタ電流が鏡に写したように等し
く流れる回路で、一方のトランジスタのコレクタ電流を
制御電流にすることにより、他方のトランジスタのコレ
クタ電流を等しく流すようなコレクタ・エミッタ間抵抗
ＲCEを作り出す作用をする。制御電流ＩC を大きくする
（例えばＩCmax）と、第１のトランジスタ４１のコレク
タ・エミッタ間抵抗ＲCEは最小値ＲCEmin となる。一
方、ＩC に正電流（例えばＩL ＜ＩCmax）を与えると、
コレクタ・エミッタ間抵抗ＲCEは大きくなり、ＲL とな
る。従って、図４に示すように、パルス信号電流ＩS を
出力として取り出したいオン時には、第１のトランジス
タ４１のコレクタ・エミッタ間抵抗ＲCEがＲL になるよ
うに、制御電流ＩC をＩC ＝ＩL とする。この時、出力
Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS ＲL となって、信号検出のスレショー
ルド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス信号
電流ＩS を出力として取り出さないように遮断したいオ
フ時には、第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間
抵抗ＲCEが最小抵抗ＲCEmin になるように、制御電流Ｉ
C をＩCmaxとする。このとき、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｒ
CEmin となって、これは信号検出のスレショールド電圧
Ｖthより小さくすることが可能となる。
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は可変抵抗
器であるカレントミラー回路４０の第１のトランジスタ
４１に流れる。可変抵抗の値は第１のトランジスタ４１
のコレクタ・エミッタ間抵抗ＲCEであるので、ＩS ＲCE
なる出力Ｖ0 が発生する。可変抵抗器４１は制御電流Ｉ
C によって第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間
抵抗ＲCEが変化するもので、図３ではＮＰＮトランジス
タの例を示した。カレントミラー回路というのは、２つ
のトランジスタのコレクタ電流が鏡に写したように等し
く流れる回路で、一方のトランジスタのコレクタ電流を
制御電流にすることにより、他方のトランジスタのコレ
クタ電流を等しく流すようなコレクタ・エミッタ間抵抗
ＲCEを作り出す作用をする。制御電流ＩC を大きくする
（例えばＩCmax）と、第１のトランジスタ４１のコレク
タ・エミッタ間抵抗ＲCEは最小値ＲCEmin となる。一
方、ＩC に正電流（例えばＩL ＜ＩCmax）を与えると、
コレクタ・エミッタ間抵抗ＲCEは大きくなり、ＲL とな
る。従って、図４に示すように、パルス信号電流ＩS を
出力として取り出したいオン時には、第１のトランジス
タ４１のコレクタ・エミッタ間抵抗ＲCEがＲL になるよ
うに、制御電流ＩC をＩC ＝ＩL とする。この時、出力
Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS ＲL となって、信号検出のスレショー
ルド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス信号
電流ＩS を出力として取り出さないように遮断したいオ
フ時には、第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間
抵抗ＲCEが最小抵抗ＲCEmin になるように、制御電流Ｉ
C をＩCmaxとする。このとき、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｒ
CEmin となって、これは信号検出のスレショールド電圧
Ｖthより小さくすることが可能となる。
【００２２】このように、本実施例では受光素子の信号
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、電流制御型の可変抵抗素子で構成
し、信号の取り出しをこの可変抵抗素子と受光素子の間
から出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力
電圧が大きく変化し、その結果、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えが確実に行なえる。
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、電流制御型の可変抵抗素子で構成
し、信号の取り出しをこの可変抵抗素子と受光素子の間
から出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力
電圧が大きく変化し、その結果、受光素子の信号電流取
り出しの切り換えが確実に行なえる。
【００２３】実施例３．図５は本発明の第３の発明に係
わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受光
素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、５０はコイル、５１は直流遮断用のコンデンサ、５
２はバイアス電圧によって容量が変化する可変容量ダイ
オード、５３は抵抗である。
わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受光
素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、５０はコイル、５１は直流遮断用のコンデンサ、５
２はバイアス電圧によって容量が変化する可変容量ダイ
オード、５３は抵抗である。
【００２４】次に動作について説明する。受光素子１０
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS はコイル５
０と可変容量ダイオード５２の並列回路に流れる。この
並列回路のインピーダンスをＺ0 とすると、Ｖ0 ＝ＩS
Ｚ0 なる出力Ｖ0 が発生する。但し、抵抗５３（Ｒ）は
高抵抗、コンデンサ５１（Ｃ）も可変容量ダイオードＶ
Ｃの容量値より大きくなるような値にする。このように
すると、パルス信号電流に対しては抵抗５３は開放、コ
ンデンサ５１は短絡とみなせ、可変容量ダイオード５２
とコイル５０の並列負荷のみ考えればよくなる。
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS はコイル５
０と可変容量ダイオード５２の並列回路に流れる。この
並列回路のインピーダンスをＺ0 とすると、Ｖ0 ＝ＩS
Ｚ0 なる出力Ｖ0 が発生する。但し、抵抗５３（Ｒ）は
高抵抗、コンデンサ５１（Ｃ）も可変容量ダイオードＶ
Ｃの容量値より大きくなるような値にする。このように
すると、パルス信号電流に対しては抵抗５３は開放、コ
ンデンサ５１は短絡とみなせ、可変容量ダイオード５２
とコイル５０の並列負荷のみ考えればよくなる。
【００２５】ここで、コイル５０と可変容量ダイオード
５２は並列共振回路を形成しており、そのインピーダン
ス特性は図６に示すようになる。そして可変容量ダイオ
ード５２はバイアス電圧ＶR の大きさによって容量値が
変化するもので、図７のような特性を持っている。従っ
て、可変容量ダイオード５２の容量値をバイアス電圧Ｖ
R によって変化させることによって、コイル５０との並
列共振周波数特性を変化させることができる。即ち、図
７において、バイアス電圧ＶR が正電圧、例えばＶL の
時、可変容量ダイオード５２の容量値はＣ0 となり、コ
イル５０との共振周波数帯域Ｆ0 を持つ。このＦ0 はパ
ルス信号の周波数帯域と重なるように設定するものとす
る。すると、パルス信号に対しては並列インピーダンス
は大きくなり、Ｚ0 となる。一方、バイアス電圧ＶR ＝
０（Ｖ）のときは、可変容量ダイオード５２の容量値は
最大値Ｃ0maxとなって、インピーダンスの周波数特性が
変わり、パルス信号の周波数帯域に対してはインピーダ
ンスは小さくなり、Ｚ0minとなる。その様子を図８に示
す。図８において、曲線ＡはＶR ＝ＶL の時の負荷イン
ピーダンス、曲線ＢはＶR ＝０の時の負荷インピーダン
スである。
５２は並列共振回路を形成しており、そのインピーダン
ス特性は図６に示すようになる。そして可変容量ダイオ
ード５２はバイアス電圧ＶR の大きさによって容量値が
変化するもので、図７のような特性を持っている。従っ
て、可変容量ダイオード５２の容量値をバイアス電圧Ｖ
R によって変化させることによって、コイル５０との並
列共振周波数特性を変化させることができる。即ち、図
７において、バイアス電圧ＶR が正電圧、例えばＶL の
時、可変容量ダイオード５２の容量値はＣ0 となり、コ
イル５０との共振周波数帯域Ｆ0 を持つ。このＦ0 はパ
ルス信号の周波数帯域と重なるように設定するものとす
る。すると、パルス信号に対しては並列インピーダンス
は大きくなり、Ｚ0 となる。一方、バイアス電圧ＶR ＝
０（Ｖ）のときは、可変容量ダイオード５２の容量値は
最大値Ｃ0maxとなって、インピーダンスの周波数特性が
変わり、パルス信号の周波数帯域に対してはインピーダ
ンスは小さくなり、Ｚ0minとなる。その様子を図８に示
す。図８において、曲線ＡはＶR ＝ＶL の時の負荷イン
ピーダンス、曲線ＢはＶR ＝０の時の負荷インピーダン
スである。
【００２６】従って、図９に示すように、パルス信号電
流ＩS を出力として取り出したいオン時には、バイアス
電圧ＶR をパルス信号の周波数帯域に共振周波数Ｆ0 が
くるような値ＶR ＝ＶL とする。この時、出力Ｖ0 はＶ
0 ＝ＩS Ｚ0 となって、信号検出のスレショールド電圧
Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス信号電流ＩS
を出力として取り出さないように遮断したいオフ時に
は、バイアス電圧ＶR をパルス信号の周波数帯域以外に
共振周波数がくるように、例えばＶR ＝０とする。この
とき、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｚ0minとなって、これは信
号検出のスレショールド電圧Ｖthより小さくすることが
可能となる。
流ＩS を出力として取り出したいオン時には、バイアス
電圧ＶR をパルス信号の周波数帯域に共振周波数Ｆ0 が
くるような値ＶR ＝ＶL とする。この時、出力Ｖ0 はＶ
0 ＝ＩS Ｚ0 となって、信号検出のスレショールド電圧
Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス信号電流ＩS
を出力として取り出さないように遮断したいオフ時に
は、バイアス電圧ＶR をパルス信号の周波数帯域以外に
共振周波数がくるように、例えばＶR ＝０とする。この
とき、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｚ0minとなって、これは信
号検出のスレショールド電圧Ｖthより小さくすることが
可能となる。
【００２７】なお、上記実施例は並列共振回路の共振周
波数特性を変化させるのに、可変容量ダイオード５２の
容量値を変化するようにしたが、コイル５０のインダク
タンスを変化させるようにしてもよい。
波数特性を変化させるのに、可変容量ダイオード５２の
容量値を変化するようにしたが、コイル５０のインダク
タンスを変化させるようにしてもよい。
【００２８】このように、本実施例では受光素子の信号
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、取り出したい信号の周波数帯域でイ
ンピーダンスが高くできるようにした共振回路で構成
し、信号の取り出しをこの共振回路と受光素子の間から
出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力電圧
が大きく変化し、その結果、受光素子の信号電流取り出
しの切り換えが確実に行なえる。
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、取り出したい信号の周波数帯域でイ
ンピーダンスが高くできるようにした共振回路で構成
し、信号の取り出しをこの共振回路と受光素子の間から
出力電圧の形で取り出すので、オン、オフ時の出力電圧
が大きく変化し、その結果、受光素子の信号電流取り出
しの切り換えが確実に行なえる。
【００２９】実施例４．図１０は本発明の第４の発明に
係わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受
光素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、６０は受光素子１０の負荷抵抗（Ｒ）、６１は抵
抗、６２は受光素子１０が感度を持つ波長領域の発光素
子（例えば、受光素子１０がＰＩＮホトダイオードで、
発光素子６２が赤外ＬＥＤ）である。６３はスイッチン
グ用のトランジスタ、６４は抵抗である。
係わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受
光素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、６０は受光素子１０の負荷抵抗（Ｒ）、６１は抵
抗、６２は受光素子１０が感度を持つ波長領域の発光素
子（例えば、受光素子１０がＰＩＮホトダイオードで、
発光素子６２が赤外ＬＥＤ）である。６３はスイッチン
グ用のトランジスタ、６４は抵抗である。
【００３０】次に動作について説明する。受光素子１０
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は負荷抵抗
６０に流れ、ＩS Ｒなる出力Ｖ0 が発生する。ここで、
抵抗６１、発光素子６２、トランジスタ６３、抵抗６４
からなる回路は、制御電圧ＶC によって、発光素子６２
の発光のオン、オフを制御するものである。制御電圧Ｖ
C がＶC ＝ＶH （スイッチングトランジスタ６３がオン
となる電圧）の時、トランジスタ６３はオンとなり、発
光素子６２に駆動電流が流れて発光する。制御電圧ＶC
がＶC ＝ＶL （スイッチングトランジスタ６３がオフと
なる電圧）の時、トランジスタ６３はオフとなり、発光
素子６２は発光を停止する。この発光素子６２の定常光
を受光素子１０に入射するようにすれば、受光素子のパ
ルス信号光に対する感度特性が図１１の曲線Ｃから曲線
Ｄのように変化する。即ち定常光の入っていない通常の
状態（曲線Ｃ）においては、入力パルス光電力Ｐに対す
るパルス信号電流ＩS の感度は大きく、例えば最大値Ｉ
Smaxになる。一方、定常光が入射されて受光素子が飽和
状態（曲線Ｄ）になると、感度は小さくなり、例えば最
小値ＩSminになる。
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は負荷抵抗
６０に流れ、ＩS Ｒなる出力Ｖ0 が発生する。ここで、
抵抗６１、発光素子６２、トランジスタ６３、抵抗６４
からなる回路は、制御電圧ＶC によって、発光素子６２
の発光のオン、オフを制御するものである。制御電圧Ｖ
C がＶC ＝ＶH （スイッチングトランジスタ６３がオン
となる電圧）の時、トランジスタ６３はオンとなり、発
光素子６２に駆動電流が流れて発光する。制御電圧ＶC
がＶC ＝ＶL （スイッチングトランジスタ６３がオフと
なる電圧）の時、トランジスタ６３はオフとなり、発光
素子６２は発光を停止する。この発光素子６２の定常光
を受光素子１０に入射するようにすれば、受光素子のパ
ルス信号光に対する感度特性が図１１の曲線Ｃから曲線
Ｄのように変化する。即ち定常光の入っていない通常の
状態（曲線Ｃ）においては、入力パルス光電力Ｐに対す
るパルス信号電流ＩS の感度は大きく、例えば最大値Ｉ
Smaxになる。一方、定常光が入射されて受光素子が飽和
状態（曲線Ｄ）になると、感度は小さくなり、例えば最
小値ＩSminになる。
【００３１】従って、図１２に示すように、パルス信号
電流ＩS を出力として取り出したいオン時には、制御電
圧ＶC を受光素子感度が最大となるように、発光素子６
２を発光停止状態にさせるＶC ＝ＶL とする。この時、
出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩSmaxＲとなって、信号検出のスレシ
ョールド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス
信号電流ＩS を出力として取り出さないように遮断した
いオフ時には、制御電圧ＶC を受光素子感度が最小とな
るように、受光素子１０が飽和状態となるＶC＝ＶH と
する。このとき、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩSminＲとなって、
これは信号検出のスレショールド電圧Ｖthより小さくす
ることが可能となる。
電流ＩS を出力として取り出したいオン時には、制御電
圧ＶC を受光素子感度が最大となるように、発光素子６
２を発光停止状態にさせるＶC ＝ＶL とする。この時、
出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩSmaxＲとなって、信号検出のスレシ
ョールド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス
信号電流ＩS を出力として取り出さないように遮断した
いオフ時には、制御電圧ＶC を受光素子感度が最小とな
るように、受光素子１０が飽和状態となるＶC＝ＶH と
する。このとき、出力Ｖ0 はＶ0 ＝ＩSminＲとなって、
これは信号検出のスレショールド電圧Ｖthより小さくす
ることが可能となる。
【００３２】図１３には発光素子６２からの光を受光素
子１０に入射する具体的構成を示す。図１３ではｎ個の
受光素子に関して示す。ＬＥＤ１〜ＬＥＤｎで発光した
光が各々受光素子面ＰＤ１〜ＰＤｎを照射するように、
光ファイバｆ１〜ｆｎを個々の受光素子に対応して設置
する。なお、Ｖb1〜Ｖb2は各受光素子への直流バイアス
電圧、Ｒ1 〜Ｒn は各受光素子の負荷抵抗、Ｖ01〜Ｖ0n
は各受光素子の出力である。このように細い光ファイバ
を使用することによって、入射信号光を遮断することな
く、面積の小さい受光素子面に効率よく照射することが
可能である。
子１０に入射する具体的構成を示す。図１３ではｎ個の
受光素子に関して示す。ＬＥＤ１〜ＬＥＤｎで発光した
光が各々受光素子面ＰＤ１〜ＰＤｎを照射するように、
光ファイバｆ１〜ｆｎを個々の受光素子に対応して設置
する。なお、Ｖb1〜Ｖb2は各受光素子への直流バイアス
電圧、Ｒ1 〜Ｒn は各受光素子の負荷抵抗、Ｖ01〜Ｖ0n
は各受光素子の出力である。このように細い光ファイバ
を使用することによって、入射信号光を遮断することな
く、面積の小さい受光素子面に効率よく照射することが
可能である。
【００３３】このように、本実施例では受光素子の信号
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、ホトダイオードに強制光を入力し、
ホトダイオードの電流感度を切り換え、オン、オフ時の
出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取り
出しの切り換えを確実に行なう。
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、ホトダイオードに強制光を入力し、
ホトダイオードの電流感度を切り換え、オン、オフ時の
出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取り
出しの切り換えを確実に行なう。
【００３４】実施例５．図１４は本発明の第５の発明に
係わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受
光素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、７０は受光素子１０の負荷抵抗（Ｒ）、７１はＭＯ
Ｓ型ＦＥＴ、７２は抵抗である。
係わる広角レーザレーダ装置における制御回路の内、受
光素子の信号電流の取り出し回路を示す回路構成図であ
り、７０は受光素子１０の負荷抵抗（Ｒ）、７１はＭＯ
Ｓ型ＦＥＴ、７２は抵抗である。
【００３５】次に動作について説明する。受光素子１０
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は負荷抵抗
７０に流れ、ＩS Ｒなる出力Ｖ0 が発生する。ここでＭ
ＯＳ型ＦＥＴ７１、抵抗７２の回路は制御電圧ＶC によ
って受光素子１０の両端を短絡させるものである。な
お、図１４ではＮチャンネルＭＯＳ型ＦＥＴの例を示し
た。
はパルス光が入射されると、光電変換によってパルス信
号電流ＩS が発生する。パルス信号電流ＩS は負荷抵抗
７０に流れ、ＩS Ｒなる出力Ｖ0 が発生する。ここでＭ
ＯＳ型ＦＥＴ７１、抵抗７２の回路は制御電圧ＶC によ
って受光素子１０の両端を短絡させるものである。な
お、図１４ではＮチャンネルＭＯＳ型ＦＥＴの例を示し
た。
【００３６】制御電圧ＶC がＶC ＝ＶH （ＭＯＳ型ＦＥ
Ｔがオンとなる電圧）の時、ＭＯＳ型ＦＥＴはオンとな
り、ドレイン・ソース間抵抗ＲDSは最小値ＲDSmin とな
る。一方、ＶC ＝ＶL （ＭＯＳ型ＦＥＴがオフとなる電
圧）の時、ＭＯＳ型ＦＥＴはオフとなり、ドレイン・ソ
ース間抵抗ＲDSは大きくなり、ＲDSmax となる。これに
よって受光素子１０のパルス信号に対する等価負荷抵抗
値が変化することになる（ＲDSとＲの並列抵抗）。従っ
て、図１５に示すように、パルス信号電流ＩSを出力と
して取り出したいオン時には、制御電圧ＶC を受光素子
の等価負荷抵抗値がＲになるように、ＭＯＳ型ＦＥＴが
オフ状態となるようなＶC ＝ＶL にする。この時、出力
Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｒとなって、信号検出のスレショール
ド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス信号電
流ＩS を出力として取り出さないように遮断したいオフ
時には、制御電圧ＶC を受光素子の等価負荷抵抗値がＲ
DSmin になるように、ＭＯＳ型ＦＥＴがオン状態となる
ようなＶC ＝ＶH とする。このとき、Ｖ0 ＝ＩS ＲDSmi
n となって、これは信号検出のスレショールド電圧Ｖth
より小さくすることが可能となる。
Ｔがオンとなる電圧）の時、ＭＯＳ型ＦＥＴはオンとな
り、ドレイン・ソース間抵抗ＲDSは最小値ＲDSmin とな
る。一方、ＶC ＝ＶL （ＭＯＳ型ＦＥＴがオフとなる電
圧）の時、ＭＯＳ型ＦＥＴはオフとなり、ドレイン・ソ
ース間抵抗ＲDSは大きくなり、ＲDSmax となる。これに
よって受光素子１０のパルス信号に対する等価負荷抵抗
値が変化することになる（ＲDSとＲの並列抵抗）。従っ
て、図１５に示すように、パルス信号電流ＩSを出力と
して取り出したいオン時には、制御電圧ＶC を受光素子
の等価負荷抵抗値がＲになるように、ＭＯＳ型ＦＥＴが
オフ状態となるようなＶC ＝ＶL にする。この時、出力
Ｖ0 はＶ0 ＝ＩS Ｒとなって、信号検出のスレショール
ド電圧Ｖth以上の電圧が得られる。また、パルス信号電
流ＩS を出力として取り出さないように遮断したいオフ
時には、制御電圧ＶC を受光素子の等価負荷抵抗値がＲ
DSmin になるように、ＭＯＳ型ＦＥＴがオン状態となる
ようなＶC ＝ＶH とする。このとき、Ｖ0 ＝ＩS ＲDSmi
n となって、これは信号検出のスレショールド電圧Ｖth
より小さくすることが可能となる。
【００３７】なお、上記信号の遮断方法では、抵抗Ｒに
流れる直流電流によって受光素子のバイアス電圧が下が
り、その分感度が落ちる効果が加わり、さらに遮断特性
が良くなるという効果もある。
流れる直流電流によって受光素子のバイアス電圧が下が
り、その分感度が落ちる効果が加わり、さらに遮断特性
が良くなるという効果もある。
【００３８】このように、本実施例では受光素子の信号
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、ホトダイオードに強制電流を流し、
ホトダイオードの電流感度を切り換え、オン、オフ時の
出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取り
出しの切り換えを確実に行なう。
電流の取り出し回路を、従来のようなアナログスイッチ
回路を用いないで、ホトダイオードに強制電流を流し、
ホトダイオードの電流感度を切り換え、オン、オフ時の
出力電圧を大きく変化させて、受光素子の信号電流取り
出しの切り換えを確実に行なう。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係る広角レーザレーダ装置は、
複数の受光素子を選択して駆動するとともに受光素子の
信号電流の取り出しを制御する制御回路における、信号
電流の取り出し回路を、電圧制御型の可変抵抗素子で構
成したので、受光素子の信号電流取り出しの切り換えが
確実に行なえる効果がある。
複数の受光素子を選択して駆動するとともに受光素子の
信号電流の取り出しを制御する制御回路における、信号
電流の取り出し回路を、電圧制御型の可変抵抗素子で構
成したので、受光素子の信号電流取り出しの切り換えが
確実に行なえる効果がある。
【００４０】本発明の第２の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、電流制御型の可変抵抗素子で構成したの
で、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えが確実に行なえる効果がある。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、電流制御型の可変抵抗素子で構成したの
で、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えが確実に行なえる効果がある。
【００４１】本発明の第３の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、取り出したい信号の周波数帯域でインピー
ダンスが高くできるようにした共振回路で構成したの
で、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えが確実に行なえる効果がある。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、取り出したい信号の周波数帯域でインピー
ダンスが高くできるようにした共振回路で構成したの
で、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの切
り換えが確実に行なえる効果がある。
【００４２】本発明の第４の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に強制光を発して上記
受光素子を飽和させる発光手段を有する回路で構成した
ので、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの
切り換えが確実に行なえる効果がある。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に強制光を発して上記
受光素子を飽和させる発光手段を有する回路で構成した
ので、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの
切り換えが確実に行なえる効果がある。
【００４３】本発明の第５の発明に係る広角レーザレー
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に上記受光素子に強制
電流を流し、上記受光素子を飽和させる回路で構成した
ので、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの
切り換えが確実に行なえる効果がある。
ダ装置は、制御回路における受光素子の信号電流の取り
出し回路を、受光素子の非選択時に上記受光素子に強制
電流を流し、上記受光素子を飽和させる回路で構成した
ので、上記発明と同様、受光素子の信号電流取り出しの
切り換えが確実に行なえる効果がある。
【図１】本発明の実施例１に係わる、受光素子の信号電
流の取り出し回路を示す回路構成図である。
流の取り出し回路を示す回路構成図である。
【図２】本発明の実施例１に係わる制御回路の波形を示
す波形図である。
す波形図である。
【図３】本発明の実施例２に係わる、受光素子の信号電
流の取り出し回路を示す回路構成図である。
流の取り出し回路を示す回路構成図である。
【図４】本発明の実施例２に係わる制御回路の波形を示
す波形図である。
す波形図である。
【図５】本発明の実施例３に係わる、受光素子の信号電
流の取り出し回路を示す回路構成図である。
流の取り出し回路を示す回路構成図である。
【図６】本発明の実施例３に係わる制御回路の動作を説
明する説明図である。
明する説明図である。
【図７】本発明の実施例３に係わる制御回路の動作を説
明する説明図である。
明する説明図である。
【図８】本発明の実施例３に係わる制御回路の動作を説
明する説明図である。
明する説明図である。
【図９】本発明の実施例３に係わる制御回路の波形を示
す波形図である。
す波形図である。
【図１０】本発明の実施例４に係わる、受光素子の信号
電流の取り出し回路を示す回路構成図である。
電流の取り出し回路を示す回路構成図である。
【図１１】本発明の実施例４に係わる制御回路の動作を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図１２】本発明の実施例４に係わる制御回路の波形を
示す波形図である。
示す波形図である。
【図１３】本発明の実施例４に係わる制御回路の具体的
構成の一部分を示す構成図である。
構成の一部分を示す構成図である。
【図１４】本発明の実施例５に係わる、受光素子の信号
電流の取り出し回路を示す回路構成図である。
電流の取り出し回路を示す回路構成図である。
【図１５】本発明の実施例５に係わる制御回路の波形を
示す波形図である。
示す波形図である。
【図１６】光レーダ装置を示す構成図である。
【図１７】従来の広角レーザレーダ装置における制御回
路を示す回路構成図である。
路を示す回路構成図である。
【図１８】従来の広角レーザレーダ装置における制御回
路の動作を説明する説明図である。
路の動作を説明する説明図である。
【図１９】従来の広角レーザレーダ装置における制御回
路の動作を説明する説明図である。
路の動作を説明する説明図である。
【図２０】従来の広角レーザレーダ装置における制御回
路の動作を説明する説明図である。
路の動作を説明する説明図である。
１ 送光器 ２ 受光器 ３ 反射物体 ４ マトリクス状受光素子 ５ 形状検出手段 ６ 方位検出手段 ７ 距離検出手段 １０ 受光素子 ２０ 可変抵抗器 ４０ カレントミラー回路 ４１ 第１のトランジスタ ４２ 第２のトランジスタ ４３ 抵抗 ５０ コイル ５２ 可変容量ダイオード ６２ 発光素子 ６３ トランジスタ ７１ ＭＯＳ型ＦＥＴ
Claims (5)
- 【請求項１】 パルスレーザ光を送出する送光部、上記
パルスレーザ光が反射体にあたってかえってきた反射光
を受光する受光用光学系、受光された反射光を電気信号
に変換する複数の受光素子、これら受光素子を選択して
駆動するとともに、受光素子の信号電流の取り出しを制
御する制御回路、及び取り出された信号を処理して上記
反射体の情報を得る信号処理回路を備えた広角レーザレ
ーダ装置において、上記制御回路における、上記信号電
流の取り出し回路を電圧制御型の可変抵抗素子で構成し
たことを特徴とする広角レーザレーダ装置。 - 【請求項２】 パルスレーザ光を送出する送光部、上記
パルスレーザ光が反射体にあたってかえってきた反射光
を受光する受光用光学系、受光された反射光を電気信号
に変換する複数の受光素子、これら受光素子を選択して
駆動するとともに、受光素子の信号電流の取り出しを制
御する制御回路、及び取り出された信号を処理して上記
反射体の情報を得る信号処理回路を備えた広角レーザレ
ーダ装置において、上記制御回路における、上記信号電
流の取り出し回路を電流制御型の可変抵抗素子で構成し
たことを特徴とする広角レーザレーダ装置。 - 【請求項３】 パルスレーザ光を送出する送光部、上記
パルスレーザ光が反射体にあたってかえってきた反射光
を受光する受光用光学系、受光された反射光を電気信号
に変換する複数の受光素子、これら受光素子を選択して
駆動するとともに、受光素子の信号電流の取り出しを制
御する制御回路、及び取り出された信号を処理して上記
反射体の情報を得る信号処理回路を備えた広角レーザレ
ーダ装置において、上記制御回路における、上記信号電
流の取り出し回路を、取り出したい信号の周波数帯域で
インピーダンスが高くできるようにした共振回路で構成
したことを特徴とする広角レーザレーダ装置。 - 【請求項４】 パルスレーザ光を送出する送光部、上記
パルスレーザ光が反射体にあたってかえってきた反射光
を受光する受光用光学系、受光された反射光を電気信号
に変換する複数の受光素子、これら受光素子を選択して
駆動するとともに、受光素子の信号電流の取り出しを制
御する制御回路、及び取り出された信号を処理して上記
反射体の情報を得る信号処理回路を備えた広角レーザレ
ーダ装置において、上記制御回路における、上記信号電
流の取り出し回路を、上記受光素子の非選択時に強制光
を発して上記受光素子を飽和させる発光手段を有する回
路で構成したことを特徴とする広角レーザレーダ装置。 - 【請求項５】 パルスレーザ光を送出する送光部、上記
パルスレーザ光が反射体にあたってかえってきた反射光
を受光する受光用光学系、受光された反射光を電気信号
に変換する複数の受光素子、これら受光素子を選択して
駆動するとともに、受光素子の信号電流の取り出しを制
御する制御回路、及び取り出された信号を処理して上記
反射体の情報を得る信号処理回路を備えた広角レーザレ
ーダ装置において、上記制御回路における、上記信号電
流の取り出し回路を、上記受光素子の非選択時に上記受
光素子に強制電流を流し、上記受光素子を飽和させる回
路で構成したことを特徴とする広角レーザレーダ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9435393A JPH06308240A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 広角レーザレーダ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9435393A JPH06308240A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 広角レーザレーダ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06308240A true JPH06308240A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14107928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9435393A Pending JPH06308240A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 広角レーザレーダ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06308240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001194458A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-07-19 | Denso Corp | 受光素子、距離測定装置及び距離・画像測定装置 |
| WO2020149173A1 (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光装置および測距装置 |
| WO2020189137A1 (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電流生成回路および測距システム |
-
1993
- 1993-04-21 JP JP9435393A patent/JPH06308240A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001194458A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-07-19 | Denso Corp | 受光素子、距離測定装置及び距離・画像測定装置 |
| WO2020149173A1 (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光装置および測距装置 |
| WO2020189137A1 (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電流生成回路および測距システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11965988B2 (en) | Multiplexed multichannel photodetector | |
| US3999060A (en) | Device for receiver for optical signals | |
| US7763838B2 (en) | Photodetecting circuit having adder for photodetection | |
| KR930001442B1 (ko) | 반도체 릴레이 회로 | |
| US4241456A (en) | Remote-controlled receiver | |
| US8238395B2 (en) | Automatic power control (APC) loop for adjusting the bias current of a laser diode | |
| US4851689A (en) | Photodetecting circuit | |
| CA1123064A (en) | Optically coupled field effect transistor switch | |
| JPH06308240A (ja) | 広角レーザレーダ装置 | |
| JPH06177418A (ja) | ホトカプラ装置 | |
| KR940022929A (ko) | 광 결합기 장치 | |
| US8227739B2 (en) | Photodetector amplifier circuit for controlling an on state or an off state of an output transistor | |
| EP0446908B1 (en) | High speed opto-electronic crossbar switch | |
| US20040089791A1 (en) | Photoelectric sensor | |
| JP3837372B2 (ja) | 半導体リレー | |
| CN114152337B (zh) | 光检测装置及系统 | |
| JP2004304708A (ja) | 光電流・電圧変換回路 | |
| KR820002285B1 (ko) | 원격조작 수신기 | |
| JPH0832525A (ja) | 光受信回路 | |
| JPH0799433A (ja) | 光半導体リレー装置及びその駆動方法 | |
| JP2001308396A (ja) | ペルチェ素子駆動回路 | |
| US7807956B2 (en) | Current detection circuit | |
| JP3374945B2 (ja) | 光送受信回路 | |
| JPH01215072A (ja) | 高速光半導体リレー | |
| JP2757438B2 (ja) | 光結合型リレー回路 |