JPH06306161A - ポリカーボネートおよびポリエステルカーボネートの精製方法 - Google Patents
ポリカーボネートおよびポリエステルカーボネートの精製方法Info
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- JPH06306161A JPH06306161A JP6095452A JP9545294A JPH06306161A JP H06306161 A JPH06306161 A JP H06306161A JP 6095452 A JP6095452 A JP 6095452A JP 9545294 A JP9545294 A JP 9545294A JP H06306161 A JPH06306161 A JP H06306161A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
- C08G63/88—Post-polymerisation treatment
- C08G63/90—Purification; Drying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
- C08G64/40—Post-polymerisation treatment
- C08G64/406—Purifying; Drying
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- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 有機溶剤中の芳香族ポリカーボネートおよび
/または芳香族ポリエステルカーボネートの溶液をアル
ミノシリケートとともに撹拌するか、あるいはアルミノ
シリケートの層に通過させ、引き続いてアルミノシリケ
ートを分離し、次いでポリカーボネートおよび/または
ポリエステルカーボネートを既知の方法により単離する
ことを特徴とする、低分子量の有機構成成分から芳香族
ポリカーボネートおよび/または芳香族ポリエステルカ
ーボネートの溶液を精製する方法が提供される。 【効果】 本発明の精製方法によると、熱可塑性芳香族
ポリカーボネートおよび/またはポリエステルカーボネ
ートの中の低分子量物質の存在を減少または排除するこ
とができる。
/または芳香族ポリエステルカーボネートの溶液をアル
ミノシリケートとともに撹拌するか、あるいはアルミノ
シリケートの層に通過させ、引き続いてアルミノシリケ
ートを分離し、次いでポリカーボネートおよび/または
ポリエステルカーボネートを既知の方法により単離する
ことを特徴とする、低分子量の有機構成成分から芳香族
ポリカーボネートおよび/または芳香族ポリエステルカ
ーボネートの溶液を精製する方法が提供される。 【効果】 本発明の精製方法によると、熱可塑性芳香族
ポリカーボネートおよび/またはポリエステルカーボネ
ートの中の低分子量物質の存在を減少または排除するこ
とができる。
Description
【0001】本発明は、有機溶剤中の芳香族ポリカーボ
ネートおよび/または芳香族ポリエステルカーボネート
をアルミノシリケートとともに撹拌するか、あるいはア
ルミノシリケートの層に通過させ、引き続いてアルミノ
シリケートを分離し、次いでポリカーボネートおよび/
またはポリエステルカーボネートを既知の方法により、
好ましくは溶剤の分離によるか、あるいは非溶剤による
沈澱により単離することを特徴とする、低分子量の有機
構成成分から芳香族ポリカーボネートおよび/または芳
香族ポリエステルカーボネートの溶液を精製する方法を
提供する。
ネートおよび/または芳香族ポリエステルカーボネート
をアルミノシリケートとともに撹拌するか、あるいはア
ルミノシリケートの層に通過させ、引き続いてアルミノ
シリケートを分離し、次いでポリカーボネートおよび/
またはポリエステルカーボネートを既知の方法により、
好ましくは溶剤の分離によるか、あるいは非溶剤による
沈澱により単離することを特徴とする、低分子量の有機
構成成分から芳香族ポリカーボネートおよび/または芳
香族ポリエステルカーボネートの溶液を精製する方法を
提供する。
【0002】本発明は、また、本発明の方法により得る
ことができるポリカーボネート、ポリエステルカーボネ
ートおよびそれらの混合物を提供する。
ことができるポリカーボネート、ポリエステルカーボネ
ートおよびそれらの混合物を提供する。
【0003】ポリカーボネートまたはコポリカーボネー
トである芳香族ポリカーボネート、および/または芳香
族ポリエステルカーボネートの製造において、合成の低
分子量の構成ブロックおよび低分子量の合成生成物なら
びに各場合において使用する分子量調節剤、ビスフェノ
ール、分子量調節剤の有機カーボネートおよび各場合に
おいて使用するビスフェノールの低分子量有機カーボネ
ートが化学的に結合しないポリ縮合マトリックスの中に
しばしば残る。
トである芳香族ポリカーボネート、および/または芳香
族ポリエステルカーボネートの製造において、合成の低
分子量の構成ブロックおよび低分子量の合成生成物なら
びに各場合において使用する分子量調節剤、ビスフェノ
ール、分子量調節剤の有機カーボネートおよび各場合に
おいて使用するビスフェノールの低分子量有機カーボネ
ートが化学的に結合しないポリ縮合マトリックスの中に
しばしば残る。
【0004】芳香族ポリカーボネートおよび/またはポ
リエステルカーボネートの熱可塑性加工において、前述
の種類の低分子量材料は射出成形または押出装置の中に
使用する道具の上に望ましくなくかつ混乱させるコーテ
ィングの形成を引き起こす。この方法により製造される
成形部品において表面の欠陥はしばしば生ずる。このよ
うな場合において、廃棄する製造材料および道具を清浄
するための機械の停止を回避することができず、そして
製造コストが増加する。
リエステルカーボネートの熱可塑性加工において、前述
の種類の低分子量材料は射出成形または押出装置の中に
使用する道具の上に望ましくなくかつ混乱させるコーテ
ィングの形成を引き起こす。この方法により製造される
成形部品において表面の欠陥はしばしば生ずる。このよ
うな場合において、廃棄する製造材料および道具を清浄
するための機械の停止を回避することができず、そして
製造コストが増加する。
【0005】さらに、これらの低分子量の物質はポリカ
ーボネートのわずかの変色をしばしば引き起こし、その
発生は加工および老化のための安定剤をさらに使用する
ことによってのみ防止できる。
ーボネートのわずかの変色をしばしば引き起こし、その
発生は加工および老化のための安定剤をさらに使用する
ことによってのみ防止できる。
【0006】したがって、前述の技術的および品質的欠
点を排除するために、熱可塑性芳香族ポリカーボネート
および/またはポリエステルカーボネートの中の低分子
量物質の存在を減少または排除することが極めて重要で
ある。
点を排除するために、熱可塑性芳香族ポリカーボネート
および/またはポリエステルカーボネートの中の低分子
量物質の存在を減少または排除することが極めて重要で
ある。
【0007】驚くべきことには、合成のための低分子量
の構成ブロックおよび低分子量の合成生成物は、ポリ縮
合物、例えば、芳香族ポリカーボネートおよび/または
芳香族ポリエステルカーボネートの溶液から、アルミノ
シリケート、例えば、ゼオライトで処理することによっ
て分離できることが発見された。
の構成ブロックおよび低分子量の合成生成物は、ポリ縮
合物、例えば、芳香族ポリカーボネートおよび/または
芳香族ポリエステルカーボネートの溶液から、アルミノ
シリケート、例えば、ゼオライトで処理することによっ
て分離できることが発見された。
【0008】溶剤およびガスを乾燥するためのゼオライ
トの使用は、例えば、「オルガニクム、基本的有機化学
の実験室のコース(Organikum,Basic
Organic Chemical Laborato
ry Course]」、第16改訂版、VEB De
utscher Verlag der Wissen
shaften、ベルリン 1986、p.650に記
載されている。
トの使用は、例えば、「オルガニクム、基本的有機化学
の実験室のコース(Organikum,Basic
Organic Chemical Laborato
ry Course]」、第16改訂版、VEB De
utscher Verlag der Wissen
shaften、ベルリン 1986、p.650に記
載されている。
【0009】他方において、合成のための低分子量の構
成ブロックおよび低分子量の合成生成物からポリ縮合物
の溶液をゼオライトで分離することができることは新規
である。なぜなら、とくに、低い粘度の純粋な溶液と比
較して高度に粘性であるポリ縮合物の溶液が、ゼオライ
トの失活に必然的に導くゼオライトの孔の遮断を予期せ
ざることには引き起こさないからである。
成ブロックおよび低分子量の合成生成物からポリ縮合物
の溶液をゼオライトで分離することができることは新規
である。なぜなら、とくに、低い粘度の純粋な溶液と比
較して高度に粘性であるポリ縮合物の溶液が、ゼオライ
トの失活に必然的に導くゼオライトの孔の遮断を予期せ
ざることには引き起こさないからである。
【0010】日本特許出願第61−210,057号に
従うと、エチレン系不飽和基をもつ低分子量カーボネー
トは無機吸収剤、例えば、ゼオライトで精製される。
従うと、エチレン系不飽和基をもつ低分子量カーボネー
トは無機吸収剤、例えば、ゼオライトで精製される。
【0011】したがって、この場合において、低分子量
カーボネートではなく、存在する不純物のみがゼオライ
トにより濾過される。したがって、本発明による方法の
場合において、低分子量カーボネートが同様に濾過され
ないことが期待されるであろう。
カーボネートではなく、存在する不純物のみがゼオライ
トにより濾過される。したがって、本発明による方法の
場合において、低分子量カーボネートが同様に濾過され
ないことが期待されるであろう。
【0012】精製すべきポリカーボネートは、界面手順
に従うか、あるいは溶液手順、例えば、いわゆるピリジ
ン法に従うよく知られた手順で得られるものである。そ
れらは10,000〜200,000、好ましくは1
8,000〜100,000の重量平均分子量Mw(光
散乱の測定によるか、あるいは相対粘度の測定により既
知の方法で決定される)をもつポリカーボネートであ
る。
に従うか、あるいは溶液手順、例えば、いわゆるピリジ
ン法に従うよく知られた手順で得られるものである。そ
れらは10,000〜200,000、好ましくは1
8,000〜100,000の重量平均分子量Mw(光
散乱の測定によるか、あるいは相対粘度の測定により既
知の方法で決定される)をもつポリカーボネートであ
る。
【0013】精製すべきポリエステルカーボネートは、
既知の方法で界面手順に従い芳香族ジカルボン酸ジクロ
ライド、ホスゲンおよびジフェノールから製造される
か、あるいは有機溶液中の溶液手順に従いちょうどこれ
らの成分から製造されるものである。それらは10,0
00〜200,000、好ましくは18,000〜10
0,000の重量平均分子量Mw(光散乱の測定による
か、あるいは相対粘度の測定により既知の方法で決定さ
れる)をもつポリエステルカーボネートである。このよ
うなポリカーボネートまたはポリエステルカーボネート
は、ある種の分子量分布を有する、したがって、ある含
量のオリゴカーボネートを有するばかりでなく、かつま
たある含量のモノマーの構成ブロックを有する。
既知の方法で界面手順に従い芳香族ジカルボン酸ジクロ
ライド、ホスゲンおよびジフェノールから製造される
か、あるいは有機溶液中の溶液手順に従いちょうどこれ
らの成分から製造されるものである。それらは10,0
00〜200,000、好ましくは18,000〜10
0,000の重量平均分子量Mw(光散乱の測定による
か、あるいは相対粘度の測定により既知の方法で決定さ
れる)をもつポリエステルカーボネートである。このよ
うなポリカーボネートまたはポリエステルカーボネート
は、ある種の分子量分布を有する、したがって、ある含
量のオリゴカーボネートを有するばかりでなく、かつま
たある含量のモノマーの構成ブロックを有する。
【0014】これらのポリカーボネートまたはこれらの
ポリエステルカーボネートは、前述の製造において有機
溶剤中の溶液として得られる。中性洗浄および乾燥後、
これらの溶液を本発明に従う精製に直接使用することが
できる。
ポリエステルカーボネートは、前述の製造において有機
溶剤中の溶液として得られる。中性洗浄および乾燥後、
これらの溶液を本発明に従う精製に直接使用することが
できる。
【0015】溶液中のポリカーボネートまたはポリエス
テルカーボネートの濃度は、1〜30重量%、好ましく
は5〜20重量%でなくてはならない。ポリカーボネー
トまたはポリエステルカーボネートの合成の間に得られ
る溶液の低い嵩への蒸発または希釈により、これらの濃
度に、必要に応じて到達させることができる。
テルカーボネートの濃度は、1〜30重量%、好ましく
は5〜20重量%でなくてはならない。ポリカーボネー
トまたはポリエステルカーボネートの合成の間に得られ
る溶液の低い嵩への蒸発または希釈により、これらの濃
度に、必要に応じて到達させることができる。
【0016】ポリカーボネートおよびポリエステルカー
ボネートは、また、既知の方法で溶融物または固相のエ
ステル交換により製造することができる。このような方
法において製造されるポリカーボネートまたはポリエス
テルカーボネートは、同様に、本発明の精製法に従い、
ポリカーボネートまたはポリエステルカーボネートを有
機溶剤中に溶解し、そしてこれらの溶液を本発明の方法
に従い精製することによって精製することができる。な
ぜなら、エステル交換に従い製造された生成物は、ま
た、低分子量の有機構成成分、例えば、フェノールまた
はジフェニルカーボネートを含有することがあるからで
ある。
ボネートは、また、既知の方法で溶融物または固相のエ
ステル交換により製造することができる。このような方
法において製造されるポリカーボネートまたはポリエス
テルカーボネートは、同様に、本発明の精製法に従い、
ポリカーボネートまたはポリエステルカーボネートを有
機溶剤中に溶解し、そしてこれらの溶液を本発明の方法
に従い精製することによって精製することができる。な
ぜなら、エステル交換に従い製造された生成物は、ま
た、低分子量の有機構成成分、例えば、フェノールまた
はジフェニルカーボネートを含有することがあるからで
ある。
【0017】本発明による精製方法は、10〜110
℃、好ましくは15〜90℃の温度において実施され
る。
℃、好ましくは15〜90℃の温度において実施され
る。
【0018】この方法は圧力を使用しないで、あるいは
10バールまでの圧力において実施される。
10バールまでの圧力において実施される。
【0019】反応時間は使用するアルミノシリケートの
性質および量に従い3〜60分である。
性質および量に従い3〜60分である。
【0020】本発明の目的に対して精製すべきポリカー
ボネートは、溶液法に従い製造する場合、ジフェノール
およびホスゲン、必要に応じて連鎖停止剤および必要に
応じて枝分かれ剤に基づくか、あるいはエステル交換法
に従い製造する場合、ジフェノール、ジアリールカーボ
ネートおよび必要に応じて枝分かれ剤に基づくものであ
る。
ボネートは、溶液法に従い製造する場合、ジフェノール
およびホスゲン、必要に応じて連鎖停止剤および必要に
応じて枝分かれ剤に基づくか、あるいはエステル交換法
に従い製造する場合、ジフェノール、ジアリールカーボ
ネートおよび必要に応じて枝分かれ剤に基づくものであ
る。
【0021】適当なジフェノールは、式Iのものであ
る: HO−Z−OH (I) 式中Zは6〜30個の炭素原子を有するアリーレン基で
あり、前記アリーレン基は1または多核であることがで
きそして芳香族核は架橋型の架橋、例えば、アルキレ
ン、アルキリデン、シクロアルキレン、シクロアルキリ
デン、−O−、−S−、−S−S−、−CO−、−SO
2−または単結合により結合されていることができる。
る: HO−Z−OH (I) 式中Zは6〜30個の炭素原子を有するアリーレン基で
あり、前記アリーレン基は1または多核であることがで
きそして芳香族核は架橋型の架橋、例えば、アルキレ
ン、アルキリデン、シクロアルキレン、シクロアルキリ
デン、−O−、−S−、−S−S−、−CO−、−SO
2−または単結合により結合されていることができる。
【0022】アリーレン基はさらにアルキルまたはハロ
ゲンにより置換されることができる。
ゲンにより置換されることができる。
【0023】適当なジフェノールの例は、次の通りであ
る:ハイドロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシフ
ェノール、ビス(ヒドロキシフェニル)アルカン、ビス
(ヒドロキシフェニル)シクロアルカン、ビス(ヒドロ
キシフェニル)サルファイド、ビス(ヒドロキシフェニ
ル)エーテル、ビス(ヒドロキシフェニル)ケトン、ビ
ス(ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(ヒドロキシ
フェニル)スルホキシド、α,α’−ビス(ヒドロキシ
フェニル)ジイソプロピルベンゼン、ならびにそれらの
環アルキル化および環ハロゲン化化合物。
る:ハイドロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシフ
ェノール、ビス(ヒドロキシフェニル)アルカン、ビス
(ヒドロキシフェニル)シクロアルカン、ビス(ヒドロ
キシフェニル)サルファイド、ビス(ヒドロキシフェニ
ル)エーテル、ビス(ヒドロキシフェニル)ケトン、ビ
ス(ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(ヒドロキシ
フェニル)スルホキシド、α,α’−ビス(ヒドロキシ
フェニル)ジイソプロピルベンゼン、ならびにそれらの
環アルキル化および環ハロゲン化化合物。
【0024】好ましいジフェノールは、次の通りであ
る:4,4’−ジヒドロキシジフェニル、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルブタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−p−ジイソプロ
ピルベンゼン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホ
ン、2,4−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)−2−メチルブタン、1,1−ビス(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−p−ジイソプ
ロピルベンゼン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,
5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンおよ
び1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,
5−トリメチルシクロヘキサン。
る:4,4’−ジヒドロキシジフェニル、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルブタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−p−ジイソプロ
ピルベンゼン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホ
ン、2,4−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)−2−メチルブタン、1,1−ビス(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−p−ジイソプ
ロピルベンゼン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,
5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンおよ
び1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,
5−トリメチルシクロヘキサン。
【0025】とくに好ましいジフェノールは、次の通り
である:2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジクロ
ロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサンおよび1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン。
である:2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジクロ
ロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサンおよび1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン。
【0026】ジフェノールは文献から知られているか、
あるいは既知の方法により製造することができる。
あるいは既知の方法により製造することができる。
【0027】適当な連鎖停止剤は好ましくはモノフェノ
ールであるか、あるいはそれらのクロロホルメートエス
テル、例えば、次の式(IIa)および(IIb)のも
のである:
ールであるか、あるいはそれらのクロロホルメートエス
テル、例えば、次の式(IIa)および(IIb)のも
のである:
【0028】
【化1】
【0029】式中、R1〜R5は同一であるか、あるいは
異なり、そしてH、F、Cl、Br、CH3、C2H5、
イソプロピル、t−ブチル、シクロヘキシルまたはアリ
ールである。連鎖停止剤は文献から知られているか、あ
るいは文献から知られている方法により製造することが
できる。
異なり、そしてH、F、Cl、Br、CH3、C2H5、
イソプロピル、t−ブチル、シクロヘキシルまたはアリ
ールである。連鎖停止剤は文献から知られているか、あ
るいは文献から知られている方法により製造することが
できる。
【0030】好ましい連鎖停止剤(IIa)または分子
量調節剤の例は、次の通りである:p−t−ブチルフェ
ノール、p−クロロフェノール、2,4,6−トリブロ
モフェノール、ノニルフェノール、イソオクチルフェノ
ール、メチルフェノールおよびフェノールそれ自体。
量調節剤の例は、次の通りである:p−t−ブチルフェ
ノール、p−クロロフェノール、2,4,6−トリブロ
モフェノール、ノニルフェノール、イソオクチルフェノ
ール、メチルフェノールおよびフェノールそれ自体。
【0031】適当な枝分かれ剤は、使用するジフェノー
ルに関して0.05〜2.0モル%の量で使用し、3官
能性またはそれより高い官能性であり、とくに3または
それ以上のフェノールのOH基をもつものである。3ま
たはそれ以上のフェノールのOH基をもつ枝分かれ剤の
いくつかの例は、次の通りである:フロログルシノー
ル、4,6−ジメチル−2,4,6−トリ(4−ヒドロ
キシフェニル)ヘプテン−2、4,6−ジメチル−2,
4,6−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、
1,3,5−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼ
ン、1,1,1−トリ(4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン、トリ(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、
2,2−ビス[4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキシル]プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル−イソプロピル)フェノール、2,2
−ビス(2−ヒドロキシ−5’−メチル−ベンジル)−
4−メチルフェノール、2−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパ
ン、ヘキサ(4−(4−ヒドロキシフェニル−イソプロ
ピル)−フェニル)オルトテレフタレート、テトラ(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、テトラ(4−(4−ヒ
ドロキシフェニル−イソプロピル)フェノキシ)メタン
および1,4−ビス(4’4”−ジヒドロキシトリフェ
ニル)メチル)ベンゼン。
ルに関して0.05〜2.0モル%の量で使用し、3官
能性またはそれより高い官能性であり、とくに3または
それ以上のフェノールのOH基をもつものである。3ま
たはそれ以上のフェノールのOH基をもつ枝分かれ剤の
いくつかの例は、次の通りである:フロログルシノー
ル、4,6−ジメチル−2,4,6−トリ(4−ヒドロ
キシフェニル)ヘプテン−2、4,6−ジメチル−2,
4,6−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、
1,3,5−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼ
ン、1,1,1−トリ(4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン、トリ(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、
2,2−ビス[4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキシル]プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル−イソプロピル)フェノール、2,2
−ビス(2−ヒドロキシ−5’−メチル−ベンジル)−
4−メチルフェノール、2−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパ
ン、ヘキサ(4−(4−ヒドロキシフェニル−イソプロ
ピル)−フェニル)オルトテレフタレート、テトラ(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、テトラ(4−(4−ヒ
ドロキシフェニル−イソプロピル)フェノキシ)メタン
および1,4−ビス(4’4”−ジヒドロキシトリフェ
ニル)メチル)ベンゼン。
【0032】他の枝分かれ剤は、2,4−ジヒドロキシ
安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸クロライドおよび
3,3−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)
−2−オキソ−2,3−ジヒドロインドールである。
安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸クロライドおよび
3,3−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)
−2−オキソ−2,3−ジヒドロインドールである。
【0033】枝分かれ剤は、文献から知られているか、
あるいは文献から知られている方法により製造すること
ができる。
あるいは文献から知られている方法により製造すること
ができる。
【0034】適当なジアリールカーボネートは、次の式
(III)のものである:
(III)のものである:
【0035】
【化2】
【0036】式中、R1〜R5は式(IIa)および(I
Ib)について示した意味を有する。
Ib)について示した意味を有する。
【0037】ジアリールカーボネートは、文献から知ら
れているか、あるいは文献から知られている方法により
製造することができる。
れているか、あるいは文献から知られている方法により
製造することができる。
【0038】とくに好ましいジアリールカーボネート
(III)は、次のものから選択される:p−t−ブチ
ルフェノールおよび/またはp−クロロフェノールおよ
び/または2,4,6−トリブロモフェノールおよび/
またはトリブロモフェノールおよび/またはノニルフェ
ノールおよび/またはオクチルフェノールおよび/また
はイソオクチルフェノールおよび/またはメチルフェノ
ールおよび/またはフェノールそれ自体。
(III)は、次のものから選択される:p−t−ブチ
ルフェノールおよび/またはp−クロロフェノールおよ
び/または2,4,6−トリブロモフェノールおよび/
またはトリブロモフェノールおよび/またはノニルフェ
ノールおよび/またはオクチルフェノールおよび/また
はイソオクチルフェノールおよび/またはメチルフェノ
ールおよび/またはフェノールそれ自体。
【0039】本発明の目的の精製のためのポリエステル
カーボネートは、溶液法に従い製造する場合、ジフェノ
ール、ホスゲンおよび芳香族ジカルボン酸ジハライド、
必要に応じて連鎖停止剤およびおよび枝分かれ剤に基づ
くものであるか、あるいはエステル交換法に従い製造す
る場合、ジフェノール、ジアリールカーボネート、ジカ
ルボン酸エステルおよび必要に応じて枝分かれ剤に基づ
くものである。
カーボネートは、溶液法に従い製造する場合、ジフェノ
ール、ホスゲンおよび芳香族ジカルボン酸ジハライド、
必要に応じて連鎖停止剤およびおよび枝分かれ剤に基づ
くものであるか、あるいはエステル交換法に従い製造す
る場合、ジフェノール、ジアリールカーボネート、ジカ
ルボン酸エステルおよび必要に応じて枝分かれ剤に基づ
くものである。
【0040】適当なジフェノールは、再び、式(I)に
基づくものである。
基づくものである。
【0041】ジカルボン酸ジハライドに適当なジカルボ
ン酸は、次の式(IV)に基づくものである: HOOC−Ar−COOH (IV) 式中、Arは芳香族1核または2核の基であり、融合ま
たは架橋しているすることができそして6〜18個の炭
素原子を有することができる。Ar基は、また、アルキ
ルまたはハロゲンにより、とくにCH3、ClまたはB
rにより置換されることができる。
ン酸は、次の式(IV)に基づくものである: HOOC−Ar−COOH (IV) 式中、Arは芳香族1核または2核の基であり、融合ま
たは架橋しているすることができそして6〜18個の炭
素原子を有することができる。Ar基は、また、アルキ
ルまたはハロゲンにより、とくにCH3、ClまたはB
rにより置換されることができる。
【0042】適当な芳香族ジカルボン酸の例は、次の通
りである:オルトフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸、t−ブチルイソフタル酸、3,3’−ジフェニルジ
カルボン酸、4,4’−ジフェニルジカルボン酸、4,
4’−ベンゾフェノンジカルボン酸、3,4’−ベンゾ
フェノンジカルボン酸、4,4’−ジフェニレンエーテ
ルジカルボン酸、4,4’−ジフェニルスルホンジカル
ボン酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)プロ
パン、トリメチル−3−フェニルインダン−4,5’−
ジカルボン酸。
りである:オルトフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸、t−ブチルイソフタル酸、3,3’−ジフェニルジ
カルボン酸、4,4’−ジフェニルジカルボン酸、4,
4’−ベンゾフェノンジカルボン酸、3,4’−ベンゾ
フェノンジカルボン酸、4,4’−ジフェニレンエーテ
ルジカルボン酸、4,4’−ジフェニルスルホンジカル
ボン酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)プロ
パン、トリメチル−3−フェニルインダン−4,5’−
ジカルボン酸。
【0043】好ましいジカルボン酸はテレフタル酸およ
びイソフタル酸およびそれらの混合物である。ジハライ
ドは既知の方法でジカルボン酸(IV)から得ることが
できる。好ましいジハライドはジクロライドである。
びイソフタル酸およびそれらの混合物である。ジハライ
ドは既知の方法でジカルボン酸(IV)から得ることが
できる。好ましいジハライドはジクロライドである。
【0044】適当な連鎖停止剤は再び式(IIa)およ
び(IIb)のものである。
び(IIb)のものである。
【0045】適当な枝分かれ剤は同様にポリカーボネー
トの製造について既に列挙したものでありそして、それ
らを越えて、とくに芳香族トリカルボン酸および芳香族
テトラカルボン酸である。
トの製造について既に列挙したものでありそして、それ
らを越えて、とくに芳香族トリカルボン酸および芳香族
テトラカルボン酸である。
【0046】適当なジアリールカーボネートは再び式
(III)のものである。
(III)のものである。
【0047】適当なジカルボン酸ジエステルはジカルボ
ン酸(IV)のジアルキルエステル、とくに次の式
(V)のものである: 式中、−Ar−は式(IV)について記載した意味を有
し、そしてC1−C4アルキルはとくにCH3、C2H5、
n−C3H7およびn−C4H9である。
ン酸(IV)のジアルキルエステル、とくに次の式
(V)のものである: 式中、−Ar−は式(IV)について記載した意味を有
し、そしてC1−C4アルキルはとくにCH3、C2H5、
n−C3H7およびn−C4H9である。
【0048】本発明に従い適当なアルミノシリケート
は、ゼオライトおよびシート状シリケート(また、柱状
粘土)である。
は、ゼオライトおよびシート状シリケート(また、柱状
粘土)である。
【0049】本発明による方法において使用すべきゼオ
ライトは、結晶質アルミノシリケート、合成または天然
に見いだされる、3次元のネットワーク構造をもつもの
である(参照、D.W.Breck、「ゼオライトのモ
レキュラーシーブ(Zeolite Molecula
r Sieves)」、Wiley Intersci
ence、1974、pp.133−180;ウルマン
の工業科学百科辞典(Ullmann’s Encyc
lopedia of IndustrialChem
istry)、第4版、Vol.17、pp.9−1
8、Verlag Chemie、ワインヘイム、ニュ
ーヨーク)。
ライトは、結晶質アルミノシリケート、合成または天然
に見いだされる、3次元のネットワーク構造をもつもの
である(参照、D.W.Breck、「ゼオライトのモ
レキュラーシーブ(Zeolite Molecula
r Sieves)」、Wiley Intersci
ence、1974、pp.133−180;ウルマン
の工業科学百科辞典(Ullmann’s Encyc
lopedia of IndustrialChem
istry)、第4版、Vol.17、pp.9−1
8、Verlag Chemie、ワインヘイム、ニュ
ーヨーク)。
【0050】適当なゼオライトはとくに次の一般式の化
合物である M2/nO・Al2O3・xSiO2・yH2O 式中、Mはプロトンまたは第Ia、IIa、IIIa、
IVa、Va、VIa、VIIa、VIIIa、Ib、
IIb、IIIbおよびIVb族の金属カチオン、好ま
しくはプロトンまたは第Ia、IIa、IIb、III
b、VIaおよびIVb族の金属カチオン、とくに好ま
しくはプロトンまたは第Ia、IIa、IIbおよびI
IIb、ことに好ましくはプロトンまたはNa+、K+、
Cs+、Ca2+、Mg2+、Zn2+、La3+、Pr3+およ
びCe3+であり、nはカチオンの原子価であり、xはモ
ル比SiO2/Al2O3であり、ここでxは1.0〜5
0.0、好ましくは2.0〜25.0の数であり、そし
てyは0〜9である。
合物である M2/nO・Al2O3・xSiO2・yH2O 式中、Mはプロトンまたは第Ia、IIa、IIIa、
IVa、Va、VIa、VIIa、VIIIa、Ib、
IIb、IIIbおよびIVb族の金属カチオン、好ま
しくはプロトンまたは第Ia、IIa、IIb、III
b、VIaおよびIVb族の金属カチオン、とくに好ま
しくはプロトンまたは第Ia、IIa、IIbおよびI
IIb、ことに好ましくはプロトンまたはNa+、K+、
Cs+、Ca2+、Mg2+、Zn2+、La3+、Pr3+およ
びCe3+であり、nはカチオンの原子価であり、xはモ
ル比SiO2/Al2O3であり、ここでxは1.0〜5
0.0、好ましくは2.0〜25.0の数であり、そし
てyは0〜9である。
【0051】本発明による方法に適当な材料は、構造
A、X、Y(ファウジャサイト型)、L、ZSM 5、
11、22、23、モルデナイト、オフレタイト、フィ
リプサイト、ソダライト、オメガおよびゼオライト様材
料、例えば、ALPOおよびSAPOのゼオライトであ
る;とくに適当な材料は、構造A、X、Y(ファウジャ
サイト型)、L、ZSM 5、11、モルデナイト、オ
フレタイト、オメガおよびSAPO 5および11のゼ
オライトである;ことに適当な材料は、構造A、X、Y
(ファウジャサイト型)、ZSM 5およびモルデナイ
トである。
A、X、Y(ファウジャサイト型)、L、ZSM 5、
11、22、23、モルデナイト、オフレタイト、フィ
リプサイト、ソダライト、オメガおよびゼオライト様材
料、例えば、ALPOおよびSAPOのゼオライトであ
る;とくに適当な材料は、構造A、X、Y(ファウジャ
サイト型)、L、ZSM 5、11、モルデナイト、オ
フレタイト、オメガおよびSAPO 5および11のゼ
オライトである;ことに適当な材料は、構造A、X、Y
(ファウジャサイト型)、ZSM 5およびモルデナイ
トである。
【0052】本発明に従い使用すべきシート状シリケー
トはそれ自体文献から知られている、参照、Kirk−
Othmer、「化学技術の百科辞典(Encyclo
pedia of Chemical Technol
ogy)」、第2版、1964、Vol.5、pp.5
41−561。
トはそれ自体文献から知られている、参照、Kirk−
Othmer、「化学技術の百科辞典(Encyclo
pedia of Chemical Technol
ogy)」、第2版、1964、Vol.5、pp.5
41−561。
【0053】本発明による方法に適当な適当な材料は、
述べた文献において分類されているように、例えば、カ
オリン型、例えば、カオリナイト、ディクナイト、ンナ
クライト(すべてAl2O3×2SiO2×2H2O)ま
たはアナウクサイト(Al2O3×3SiO2×2H
2O)またはハロイサイト(Al2O3×2SiO2×2
H2O)またはエンデライト(Al2O3×2SiO2×
4H2O)ならびに加熱によりカオリン型から製造され
たスピネル型である。
述べた文献において分類されているように、例えば、カ
オリン型、例えば、カオリナイト、ディクナイト、ンナ
クライト(すべてAl2O3×2SiO2×2H2O)ま
たはアナウクサイト(Al2O3×3SiO2×2H
2O)またはハロイサイト(Al2O3×2SiO2×2
H2O)またはエンデライト(Al2O3×2SiO2×
4H2O)ならびに加熱によりカオリン型から製造され
たスピネル型である。
【0054】さらに、サーペンタイン型(Mg3Si3O
5(OH)4)ここでカオリン型から出発し、3Mgイオ
ンは2つのAlイオンを置換している。さらに、サーペ
ンタイン型は次のものを包含する:アメサイト(-(M
g2Al)(SiAl)O5(OH)4)およびクロンス
テダイト(Fe2 2+Fe3+)(SiFe3+)O5(OH)
4ならびにチャモサイト(Fe2+,Mg)2.3(Fe3+A
l)0.7(Si1.14Al0.66)O5(OH)4ならびにニ
ッケルまたはコバルトの種、それらのいくつかは合成的
に入手可能である。
5(OH)4)ここでカオリン型から出発し、3Mgイオ
ンは2つのAlイオンを置換している。さらに、サーペ
ンタイン型は次のものを包含する:アメサイト(-(M
g2Al)(SiAl)O5(OH)4)およびクロンス
テダイト(Fe2 2+Fe3+)(SiFe3+)O5(OH)
4ならびにチャモサイト(Fe2+,Mg)2.3(Fe3+A
l)0.7(Si1.14Al0.66)O5(OH)4ならびにニ
ッケルまたはコバルトの種、それらのいくつかは合成的
に入手可能である。
【0055】さらに、モントモリロナイト型のアルミノ
シリケートを使用することができ、それらの例は次の通
りである: モントモリロナイト [Al1.67Mg0.33(Na0.33)]Si4
O10(OH)2 ベイデライト Al2.17[Al0.33(Na0.33)Si
3.17]O10(OH)2 ノントロナイト Fe3+[Al0.33(Na0.33)Si3.67]
O10(OH)2 ヘクトライト Mg2.67Li0.33(Na0.33)Si4O
10(OH,F)2 サポナイト Mg3.0[Al0.33(Na0.33)S
i3.67]O10(OH)2 サウコナイト [Zn1.48Mg0.14Al0.74Fe3+]
[Al0.99Si3.01]O10(OH)2X0.33 (X=ハロゲン)ならびにCu2+、Co2+またはNi2+
を含有する型、例えば、ボルコンスコイテ、メドモンタ
イトまたはピメライト。
シリケートを使用することができ、それらの例は次の通
りである: モントモリロナイト [Al1.67Mg0.33(Na0.33)]Si4
O10(OH)2 ベイデライト Al2.17[Al0.33(Na0.33)Si
3.17]O10(OH)2 ノントロナイト Fe3+[Al0.33(Na0.33)Si3.67]
O10(OH)2 ヘクトライト Mg2.67Li0.33(Na0.33)Si4O
10(OH,F)2 サポナイト Mg3.0[Al0.33(Na0.33)S
i3.67]O10(OH)2 サウコナイト [Zn1.48Mg0.14Al0.74Fe3+]
[Al0.99Si3.01]O10(OH)2X0.33 (X=ハロゲン)ならびにCu2+、Co2+またはNi2+
を含有する型、例えば、ボルコンスコイテ、メドモンタ
イトまたはピメライト。
【0056】このようなシート状シリケートは個々にま
たは2またはそれ以上のシリケートの混合物として使用
することができ、そして、例えば、ベントナイトにおい
て通常ののように、これらの天然の生成物について通常
の不純物を含有することができる(=微量の長石、石英
などをもつモントモリロナイト)。
たは2またはそれ以上のシリケートの混合物として使用
することができ、そして、例えば、ベントナイトにおい
て通常ののように、これらの天然の生成物について通常
の不純物を含有することができる(=微量の長石、石英
などをもつモントモリロナイト)。
【0057】「モントモリロナイト型」として記載する
シート状シリケートは好ましく、そしてモントモリロナ
イトそれ自体はとくに好ましい。アルミノシリケート種
は天然の形態、部分的に乾燥した状態または必要に応じ
てまた活性化した形態で使用することができる。酸の活
性化は酸、好ましくは鉱酸で処理することによって実施
される。
シート状シリケートは好ましく、そしてモントモリロナ
イトそれ自体はとくに好ましい。アルミノシリケート種
は天然の形態、部分的に乾燥した状態または必要に応じ
てまた活性化した形態で使用することができる。酸の活
性化は酸、好ましくは鉱酸で処理することによって実施
される。
【0058】前述のゼオライトおよび/またはシート状
シリケートの任意の混合物をまた使用することができ
る。
シリケートの任意の混合物をまた使用することができ
る。
【0059】本発明に従い有用なアルミノシリケートの
層は、カラム、管または他の容器であり、これらは本発
明に従い使用すべきアルミノシリケートとともに提供す
ることができる。
層は、カラム、管または他の容器であり、これらは本発
明に従い使用すべきアルミノシリケートとともに提供す
ることができる。
【0060】ポリカーボネート溶液およびポリエステル
カーボネート溶液の1リットル当たりのアルミノシリケ
ートの量は、0.1〜100g、好ましくは1〜20g
である。
カーボネート溶液の1リットル当たりのアルミノシリケ
ートの量は、0.1〜100g、好ましくは1〜20g
である。
【0061】ポリカーボネートまたはポリエステルカー
ボネートの溶液に適当な溶剤は、ポリカーボネートまた
はポリエステルカーボネートの製造において使用される
すべての溶剤の最初のものであり、こうして好ましくは
CH2Cl2、クロロベンゼンおよびそれらの混合物であ
る。
ボネートの溶液に適当な溶剤は、ポリカーボネートまた
はポリエステルカーボネートの製造において使用される
すべての溶剤の最初のものであり、こうして好ましくは
CH2Cl2、クロロベンゼンおよびそれらの混合物であ
る。
【0062】他の適当な溶剤は、エーテル、例えば、テ
トラヒドロフランである。
トラヒドロフランである。
【0063】ポリカーボネートまたはポリエステルカー
ボネートの沈澱に適当な非溶剤は、アルコール、例え
ば、メタノール、エタノール、プロパノールまたはイソ
プロパノールまたはアルカン、例えば、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、イソオクタンまたはシクロ
ヘキサンである。
ボネートの沈澱に適当な非溶剤は、アルコール、例え
ば、メタノール、エタノール、プロパノールまたはイソ
プロパノールまたはアルカン、例えば、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、イソオクタンまたはシクロ
ヘキサンである。
【0064】溶剤は既知の方法で蒸発押出機により60
〜300℃の温度において蒸発させることができる。
〜300℃の温度において蒸発させることができる。
【0065】本発明に従い精製されたポリカーボネート
またはポリエステルカーボネートは、溶液の蒸発後に、
溶融物を経て、そして引き続いて造粒によるか、あるい
は溶液から沈澱後に、よく知られた装置において濾過お
よび乾燥により単離される。しかしながら、前以て、精
製のために使用するアルミノシリケートは、既知の方法
で、精製されたポリカーボネート溶液またはポリエステ
ルカーボネート溶液から濾過により除去される。
またはポリエステルカーボネートは、溶液の蒸発後に、
溶融物を経て、そして引き続いて造粒によるか、あるい
は溶液から沈澱後に、よく知られた装置において濾過お
よび乾燥により単離される。しかしながら、前以て、精
製のために使用するアルミノシリケートは、既知の方法
で、精製されたポリカーボネート溶液またはポリエステ
ルカーボネート溶液から濾過により除去される。
【0066】本発明による方法に従い精製されたポリカ
ーボネートは低分子量の有機化合物を含有しないか、あ
るいはいずれの場合においても下記の量でそれらを有す
る: ジフェノール: <5ppm 連鎖停止剤: <10ppm 枝分かれ剤: <10ppm ビスジフェノールモノカーボネート: <10ppm ビスアリールモノカーボネート: <10ppm 2〜6の重合度をもつジフェノールのオリゴカーボネート: 各場合において <10ppm 本発明による方法に従い精製されたポリエステルカーボ
ネートは同様に低分子量の有機化合物を含有しないか、
あるいはいずれの場合においても下記の量でそれらを有
する: ジフェノール: <5ppm 芳香族ジカルボン酸 <10ppm 連鎖停止剤: <10ppm 枝分かれ剤: <10ppm ビスジフェノールモノカーボネート: <10ppm ビスアリールモノカーボネート: <10ppm ジカルボン酸モノおよびビスアリールエステル: <10ppm ジカルボン酸ビスジフェノールエステル: <10ppm ジカルボン酸モノおよびビスアルキルエステル: <10ppm 2〜6の重合度をもつジフェノールのオリゴカーボネート: 各場合において <10ppm 2〜6の重合度をもつジカルボン酸とジフェノールとのオリゴカーボネート: 各場合において <10ppm 本発明による方法に従い精製および単離されたポリカー
ボネートまたはポリエステルは極めて低い含量の低分子
量構成成分を有するばかりでなく、かつまた結局高分子
量の均一性を有する。したがって、それらは均一な、す
ぐれた性質プロフィルおよび極端に高い温度における、
必要に応じて真空を適用する、微細な列理の成形物体へ
の加工を必要とする、あらゆる場合において有利に使用
することができる。したがって、それらはとくにエレク
トロニクスおよびオプチックスの分野において使用する
ことができる。
ーボネートは低分子量の有機化合物を含有しないか、あ
るいはいずれの場合においても下記の量でそれらを有す
る: ジフェノール: <5ppm 連鎖停止剤: <10ppm 枝分かれ剤: <10ppm ビスジフェノールモノカーボネート: <10ppm ビスアリールモノカーボネート: <10ppm 2〜6の重合度をもつジフェノールのオリゴカーボネート: 各場合において <10ppm 本発明による方法に従い精製されたポリエステルカーボ
ネートは同様に低分子量の有機化合物を含有しないか、
あるいはいずれの場合においても下記の量でそれらを有
する: ジフェノール: <5ppm 芳香族ジカルボン酸 <10ppm 連鎖停止剤: <10ppm 枝分かれ剤: <10ppm ビスジフェノールモノカーボネート: <10ppm ビスアリールモノカーボネート: <10ppm ジカルボン酸モノおよびビスアリールエステル: <10ppm ジカルボン酸ビスジフェノールエステル: <10ppm ジカルボン酸モノおよびビスアルキルエステル: <10ppm 2〜6の重合度をもつジフェノールのオリゴカーボネート: 各場合において <10ppm 2〜6の重合度をもつジカルボン酸とジフェノールとのオリゴカーボネート: 各場合において <10ppm 本発明による方法に従い精製および単離されたポリカー
ボネートまたはポリエステルは極めて低い含量の低分子
量構成成分を有するばかりでなく、かつまた結局高分子
量の均一性を有する。したがって、それらは均一な、す
ぐれた性質プロフィルおよび極端に高い温度における、
必要に応じて真空を適用する、微細な列理の成形物体へ
の加工を必要とする、あらゆる場合において有利に使用
することができる。したがって、それらはとくにエレク
トロニクスおよびオプチックスの分野において使用する
ことができる。
【0067】本発明による方法に従い精製されたポリカ
ーボネートおよびポリエステルカーボネートは、既にア
ルミノシリケートを分離された後であるが、なお単離前
に、ポリカーボネートまたはポリエステルカーボネート
のための通常の添加剤、例えば、安定剤、離型剤、静電
防止剤、防炎剤および/または色コンセントレートを通
常の量で含有することができる。しかしながら、これら
の添加剤は、また、成形物体の製造過程において単離後
に、ポリカーボネートおよびポリエステルカーボネート
に添加することができる。
ーボネートおよびポリエステルカーボネートは、既にア
ルミノシリケートを分離された後であるが、なお単離前
に、ポリカーボネートまたはポリエステルカーボネート
のための通常の添加剤、例えば、安定剤、離型剤、静電
防止剤、防炎剤および/または色コンセントレートを通
常の量で含有することができる。しかしながら、これら
の添加剤は、また、成形物体の製造過程において単離後
に、ポリカーボネートおよびポリエステルカーボネート
に添加することができる。
【0068】これは既知の方法でよく知られた機械によ
り、例えば、200〜360℃の温度において、内部の
ニーダー、押出機または二軸スクリュー押出機の中で溶
融配合または溶融押出により実施される。
り、例えば、200〜360℃の温度において、内部の
ニーダー、押出機または二軸スクリュー押出機の中で溶
融配合または溶融押出により実施される。
【0069】添加剤は既知の方法で連続的にかつ同時に
室温においておよび高温において混合することができ
る。
室温においておよび高温において混合することができ
る。
【0070】本発明に従い得ることができるポリカーボ
ネートおよびポリエステルカーボネートは、既に述べた
ようにエレクトロニクスおよびオプチックスの分野にお
いてばかりでなく、かつまた家庭用品の技術の分野にお
いて、建築部門、例えば、造園において、そして医学的
部門、例えば、注射器および透析器において、任意の成
形物体に加工することができる。この加工は既知の方法
で普通の機械により実施することができる。
ネートおよびポリエステルカーボネートは、既に述べた
ようにエレクトロニクスおよびオプチックスの分野にお
いてばかりでなく、かつまた家庭用品の技術の分野にお
いて、建築部門、例えば、造園において、そして医学的
部門、例えば、注射器および透析器において、任意の成
形物体に加工することができる。この加工は既知の方法
で普通の機械により実施することができる。
【0071】
【実施例】以下の実施例において、1.288の相対溶
液粘度(ηrel.)(0.5g、100mlのジクロロ
メタン中、25℃)をもつビスフェノールAに基づくポ
リカーボネートを使用する。
液粘度(ηrel.)(0.5g、100mlのジクロロ
メタン中、25℃)をもつビスフェノールAに基づくポ
リカーボネートを使用する。
【0072】実施例1:ポリカーボネートの14%のク
ロロベンゼン溶液を80℃において10重量%のNaゼ
オライトX(ポリカーボネートについて計算する)とと
もに8時間撹拌し、次いでジクロロメタンで希釈し、そ
して120℃において水噴射ポンプの真空下に乾燥す
る。
ロロベンゼン溶液を80℃において10重量%のNaゼ
オライトX(ポリカーボネートについて計算する)とと
もに8時間撹拌し、次いでジクロロメタンで希釈し、そ
して120℃において水噴射ポンプの真空下に乾燥す
る。
【0073】実施例2:実施例1と同様であるが、Na
ゼオライトYを使用する。
ゼオライトYを使用する。
【0074】実施例3:実施例1と同様であるが、Hモ
ルデナイトを使用する。
ルデナイトを使用する。
【0075】実施例4:実施例1と同様であるが、Hモ
ルデナイトおよび実施例3から得られた生成物を使用す
る;これは実施例3に従い既に精製された生成物をもう
一度精製したことを意味する。
ルデナイトおよび実施例3から得られた生成物を使用す
る;これは実施例3に従い既に精製された生成物をもう
一度精製したことを意味する。
【0076】
【表1】
【0077】本発明の主な特徴および態様は、次の通り
である。
である。
【0078】1.有機溶剤中の芳香族ポリカーボネート
および/または芳香族ポリエステルカーボネートの溶液
をアルミノシリケートとともに撹拌するか、あるいはア
ルミノシリケートの層に通過させ、引き続いてアルミノ
シリケートを分離し、次いでポリカーボネートおよび/
またはポリエステルカーボネートを既知の方法により単
離することを特徴とする、低分子量の有機構成成分から
芳香族ポリカーボネートおよび/または芳香族ポリエス
テルカーボネートの溶液を精製する方法。
および/または芳香族ポリエステルカーボネートの溶液
をアルミノシリケートとともに撹拌するか、あるいはア
ルミノシリケートの層に通過させ、引き続いてアルミノ
シリケートを分離し、次いでポリカーボネートおよび/
またはポリエステルカーボネートを既知の方法により単
離することを特徴とする、低分子量の有機構成成分から
芳香族ポリカーボネートおよび/または芳香族ポリエス
テルカーボネートの溶液を精製する方法。
【0079】2.上記第1項記載の方法に従い得ること
ができるポリカーボネート。
ができるポリカーボネート。
【0080】3.上記第1項記載の方法に従い得ること
ができるポリエステルカーボネート。
ができるポリエステルカーボネート。
【0081】4.上記第1項記載の方法に従い得ること
ができるポリカーボネートとポリエステルカーボネート
との混合物。
ができるポリカーボネートとポリエステルカーボネート
との混合物。
【0082】5.前記アルミノシリケートがゼオライト
である、上記第1項記載の方法。
である、上記第1項記載の方法。
【0083】6.前記アルミノシリケートがシート状シ
リケートまたは柱状粘土である、上記第1項記載の方
法。
リケートまたは柱状粘土である、上記第1項記載の方
法。
【0084】7.前記アルミノシリケートがカオリン
型、蛇紋石型およびモントモリロナイト型から選択され
る構成員である、上記第1項記載の方法。
型、蛇紋石型およびモントモリロナイト型から選択され
る構成員である、上記第1項記載の方法。
【0085】8.前記アルミノシリケートがポリカーボ
ネート溶液の1リットル当たり約0.1〜100gの量
で存在する、上記第1項記載の方法。
ネート溶液の1リットル当たり約0.1〜100gの量
で存在する、上記第1項記載の方法。
【0086】9.前記アルミノシリケートがポリカーボ
ネート溶液の1リットル当たり約1〜20gの量で存在
する、上記第1項記載の方法。
ネート溶液の1リットル当たり約1〜20gの量で存在
する、上記第1項記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス−ヨゼフ・ブイシユ ドイツ47809クレーフエルト・ブランデン ブルガーシユトラーセ28 (72)発明者 ラルフ・パクル ドイツ50765ケルン・アムブラウンザツカ ー80
Claims (5)
- 【請求項1】 有機溶剤中の芳香族ポリカーボネートお
よび/または芳香族ポリエステルカーボネートの溶液を
アルミノシリケートとともに撹拌するか、あるいはアル
ミノシリケートの層に通過させ、引き続いてアルミノシ
リケートを分離し、次いでポリカーボネートおよび/ま
たはポリエステルカーボネートを既知の方法により単離
することを特徴とする、低分子量の有機構成成分から芳
香族ポリカーボネートおよび/または芳香族ポリエステ
ルカーボネートの溶液を精製する方法。 - 【請求項2】 前記アルミノシリケートがゼオライトで
ある請求項1の方法。 - 【請求項3】 前記アルミノシリケートがシート状シリ
ケートまたは柱状粘土である請求項1の方法。 - 【請求項4】 前記アルミノシリケートがカオリン型、
蛇紋石型およびモントモリロナイト型から選択される構
成員である請求項1の方法。 - 【請求項5】 前記アルミノシリケートがポリカーボネ
ート溶液の1リットル当たり約0.1〜100gの量で
存在する請求項1の方法。
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---|---|---|---|
DE4312391A DE4312391A1 (de) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | Verfahren zum Reinigen von Polycarbonat- und Polyestercarbonatlösungen |
DE4312391.0 | 1993-04-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06306161A true JPH06306161A (ja) | 1994-11-01 |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JPH06306161A (ja) |
BE (1) | BE1008857A5 (ja) |
DE (1) | DE4312391A1 (ja) |
IT (1) | IT1272202B (ja) |
NL (1) | NL9400603A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000011086A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Teijin Chemicals, Ltd. | Matiere de moulage en resine de polycarbonate optique et substrat de disque optique |
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DE102007007462A1 (de) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Bayer Materialscience Ag | Verwendung von Alumosilikaten zur Entfernung bzw. Reduzierung von fluoreszierenden Partikeln in Polycarbonat |
EP2342258B1 (en) * | 2008-09-17 | 2015-11-11 | Novomer, Inc. | Purification of polycarbonates |
US8492501B2 (en) * | 2011-05-17 | 2013-07-23 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Polycarbonate recovery from polymer blends by liquid chromatography |
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DE2350327C3 (de) * | 1973-10-06 | 1982-02-25 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zum Reinigen von Polycarbonatlösungen |
US4177343A (en) * | 1977-12-19 | 1979-12-04 | The Dow Chemical Company | Purification of polymer solution |
JPS61210057A (ja) * | 1985-12-24 | 1986-09-18 | Tokuyama Soda Co Ltd | カ−ボネ−ト化合物の精製方法 |
US4891421A (en) * | 1987-06-22 | 1990-01-02 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Processes for producing polycarbonate polyols |
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- 1993-04-16 DE DE4312391A patent/DE4312391A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-04-07 US US08/224,455 patent/US5420241A/en not_active Ceased
- 1994-04-11 JP JP6095452A patent/JPH06306161A/ja active Pending
- 1994-04-13 BE BE9400380A patent/BE1008857A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1994-04-13 IT ITRM940210A patent/IT1272202B/it active IP Right Grant
- 1994-04-15 NL NL9400603A patent/NL9400603A/nl active Search and Examination
-
1997
- 1997-05-15 US US08/856,830 patent/USRE36432E/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000011086A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Teijin Chemicals, Ltd. | Matiere de moulage en resine de polycarbonate optique et substrat de disque optique |
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DE4312391A1 (de) | 1994-10-20 |
ITRM940210A1 (it) | 1994-10-17 |
BE1008857A5 (fr) | 1996-08-06 |
US5420241A (en) | 1995-05-30 |
ITRM940210A0 (it) | 1994-04-13 |
USRE36432E (en) | 1999-12-07 |
IT1272202B (it) | 1997-06-16 |
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