JPH06302588A - 高周波放電電極およびその発振方法ならびにそれを用いた半導体製造装置 - Google Patents
高周波放電電極およびその発振方法ならびにそれを用いた半導体製造装置Info
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- JPH06302588A JPH06302588A JP9024693A JP9024693A JPH06302588A JP H06302588 A JPH06302588 A JP H06302588A JP 9024693 A JP9024693 A JP 9024693A JP 9024693 A JP9024693 A JP 9024693A JP H06302588 A JPH06302588 A JP H06302588A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各プロセス時のＲＦ放電パターンの変化によ
ってプロセス終了後の膜特性の均一化および最適化を図
ることができるＲＦ放電電極およびその発振方法ならび
にそれを用いた半導体製造装置を提供する。 【構成】 対向する電極を備えたＲＦ放電電極であっ
て、対向する電極１，２がそれぞれ絶縁物３，４により
仕切られて同心円状に２つの分割電極１ａ，１ｂ、２
ａ，２ｂに分割され、電極１，２の対向面にそれぞれ処
理対象物であるウェハ５，６が保持されて薄膜形成処理
が行われる構造となっている。そして、分割されたそれ
ぞれの電極１，２間の放電パターンが、電極１，２の組
合せ、組合せの順番、発振周波数および放電時間などの
膜特性の均一化を図るための要因が自由に変更されて調
整されるようになっている。
ってプロセス終了後の膜特性の均一化および最適化を図
ることができるＲＦ放電電極およびその発振方法ならび
にそれを用いた半導体製造装置を提供する。 【構成】 対向する電極を備えたＲＦ放電電極であっ
て、対向する電極１，２がそれぞれ絶縁物３，４により
仕切られて同心円状に２つの分割電極１ａ，１ｂ、２
ａ，２ｂに分割され、電極１，２の対向面にそれぞれ処
理対象物であるウェハ５，６が保持されて薄膜形成処理
が行われる構造となっている。そして、分割されたそれ
ぞれの電極１，２間の放電パターンが、電極１，２の組
合せ、組合せの順番、発振周波数および放電時間などの
膜特性の均一化を図るための要因が自由に変更されて調
整されるようになっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波（ＲＦ： Radio
Frequency）放電電極の発振技術に関し、特にプラズマ
ＣＶＤ装置、ＲＦエッチング装置などの半導体製造装置
において、プロセス終了後の膜特性の均一化および最適
化が可能とされるＲＦ放電電極およびその発振方法なら
びにそれを用いた半導体製造装置に適用して有効な技術
に関する。
Frequency）放電電極の発振技術に関し、特にプラズマ
ＣＶＤ装置、ＲＦエッチング装置などの半導体製造装置
において、プロセス終了後の膜特性の均一化および最適
化が可能とされるＲＦ放電電極およびその発振方法なら
びにそれを用いた半導体製造装置に適用して有効な技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体集積回路装置の製造工
程において、薄膜形成法のうちＣＶＤ技術にプラズマ化
学を導入したプラズマＣＶＤと呼ばれる方法が採用さ
れ、特にデバイスの第二次パッシベーション用の窒化シ
リコン膜を低温で形成する装置としてプラズマＣＶＤ装
置が用いられている。
程において、薄膜形成法のうちＣＶＤ技術にプラズマ化
学を導入したプラズマＣＶＤと呼ばれる方法が採用さ
れ、特にデバイスの第二次パッシベーション用の窒化シ
リコン膜を低温で形成する装置としてプラズマＣＶＤ装
置が用いられている。
【０００３】このプラズマＣＶＤ装置は、プラズマ発生
部、ガス導入部、真空排気系、電気・制御系などから構
成され、各プロセスでのウェハの膜特性の均一化を図る
ために、たとえばＲＦの電極面積、周波数、パワー、ｏ
ｎ／ｏｆｆ・ｔｉｍｅおよびガス流量などの適正化によ
り最適化を図っている。
部、ガス導入部、真空排気系、電気・制御系などから構
成され、各プロセスでのウェハの膜特性の均一化を図る
ために、たとえばＲＦの電極面積、周波数、パワー、ｏ
ｎ／ｏｆｆ・ｔｉｍｅおよびガス流量などの適正化によ
り最適化を図っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、ＲＦ電極が１片であるために電
極面積が固定化され、また周波数なども１片の電極にお
いてそれぞれ変更するなど、ＲＦ放電パターンに大きな
変化が望めないという問題がある。
な従来技術においては、ＲＦ電極が１片であるために電
極面積が固定化され、また周波数なども１片の電極にお
いてそれぞれ変更するなど、ＲＦ放電パターンに大きな
変化が望めないという問題がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、各プロセス時の
ＲＦ放電パターンの変化によってプロセス終了後の膜特
性の均一化および最適化を図ることができるＲＦ放電電
極およびその発振方法ならびにそれを用いた半導体製造
装置を提供することにある。
ＲＦ放電パターンの変化によってプロセス終了後の膜特
性の均一化および最適化を図ることができるＲＦ放電電
極およびその発振方法ならびにそれを用いた半導体製造
装置を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００８】すなわち、本発明のＲＦ放電電極は、対向
する電極を備えたＲＦ放電電極であって、対向する電極
のうち少なくとも一方を絶縁物により仕切り、２つ以上
に分割するものである。
する電極を備えたＲＦ放電電極であって、対向する電極
のうち少なくとも一方を絶縁物により仕切り、２つ以上
に分割するものである。
【０００９】この場合に、前記電極を同心円状に分割す
るようにしたものである。
るようにしたものである。
【００１０】また、本発明のＲＦ放電電極の発振方法
は、前記分割された電極において、発振の順番、発振の
組合せ、発振周波数および放電時間のうち少なくとも１
つ以上を調整可能としたものである。
は、前記分割された電極において、発振の順番、発振の
組合せ、発振周波数および放電時間のうち少なくとも１
つ以上を調整可能としたものである。
【００１１】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
ＲＦ放電電極の発振方法を用い、半導体集積回路装置の
製造工程において、ＲＦを用いて処理対象物に対して成
膜処理を行うものである。
ＲＦ放電電極の発振方法を用い、半導体集積回路装置の
製造工程において、ＲＦを用いて処理対象物に対して成
膜処理を行うものである。
【００１２】
【作用】前記したＲＦ放電電極によれば、電極が絶縁物
により２つ以上に分割されることにより、ＲＦ放電電極
の面積を簡便に変更することができる。たとえば、同心
円状に分割される場合には、処理対象物のサイズなどに
応じて適切な電極面積を設定することができる。これに
より、特に同心円状における膜特性ばらつきの調整を容
易に行うことができる。
により２つ以上に分割されることにより、ＲＦ放電電極
の面積を簡便に変更することができる。たとえば、同心
円状に分割される場合には、処理対象物のサイズなどに
応じて適切な電極面積を設定することができる。これに
より、特に同心円状における膜特性ばらつきの調整を容
易に行うことができる。
【００１３】また、前記したＲＦ放電電極の発振方法に
よれば、発振の順番、発振の組合せ、発振周波数および
放電時間が調整可能とされることにより、膜特性の均一
化を図るための要因を自由に変更することができる。こ
れにより、ＲＦ放電パターンの多様化を図ることができ
る。
よれば、発振の順番、発振の組合せ、発振周波数および
放電時間が調整可能とされることにより、膜特性の均一
化を図るための要因を自由に変更することができる。こ
れにより、ＲＦ放電パターンの多様化を図ることができ
る。
【００１４】さらに、前記した半導体製造装置によれ
ば、ＲＦを用いた半導体集積回路装置の成膜処理におい
て、プロセス終了後の処理対象物の膜特性の均一化およ
び最適化を図ることができる。
ば、ＲＦを用いた半導体集積回路装置の成膜処理におい
て、プロセス終了後の処理対象物の膜特性の均一化およ
び最適化を図ることができる。
【００１５】
【実施例１】図１は本発明の一実施例であるＲＦ放電電
極を示す概略構成図、図２は本実施例のＲＦ放電電極を
示す正面図、図３および図４は本実施例のＲＦ放電電極
を用いた半導体製造装置の要部を示す概略構成図、図５
〜図８は本実施例において、膜特性に影響される要素変
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
極を示す概略構成図、図２は本実施例のＲＦ放電電極を
示す正面図、図３および図４は本実施例のＲＦ放電電極
を用いた半導体製造装置の要部を示す概略構成図、図５
〜図８は本実施例において、膜特性に影響される要素変
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
【００１６】まず、図１および図２により本実施例のＲ
Ｆ放電電極の構成を説明する。
Ｆ放電電極の構成を説明する。
【００１７】本実施例のＲＦ放電電極は、たとえば対向
する電極を備えたＲＦ放電電極とされ、対向する電極
１，２がそれぞれ絶縁物３，４により仕切られて同心円
状に２つの分割電極１ａ，１ｂ、２ａ，２ｂに分割さ
れ、電極１，２の対向面にそれぞれウェハ（処理対象
物）５，６が保持されて薄膜形成処理が行われる構造と
なっている。
する電極を備えたＲＦ放電電極とされ、対向する電極
１，２がそれぞれ絶縁物３，４により仕切られて同心円
状に２つの分割電極１ａ，１ｂ、２ａ，２ｂに分割さ
れ、電極１，２の対向面にそれぞれウェハ（処理対象
物）５，６が保持されて薄膜形成処理が行われる構造と
なっている。
【００１８】そして、それぞれの対向する電極１，２の
間には、たとえば１3.５６ＭＨｚのＲＦ電源７または５
０ｋＨｚのＲＦ電源８による電圧が印加され、電極１，
２間においてＲＦの放電パターンが発生されるようにな
っている。
間には、たとえば１3.５６ＭＨｚのＲＦ電源７または５
０ｋＨｚのＲＦ電源８による電圧が印加され、電極１，
２間においてＲＦの放電パターンが発生されるようにな
っている。
【００１９】以上のような構成は、たとえば図３に示す
ようなプラズマＣＶＤ装置に用いられ、基本的には１組
の分割された電極１，２のＮ倍の電極構造９を備え、同
時にＮ倍のウェハの薄膜形成処理が可能となる。この場
合には、これらの電極構造９を分割した数だけ高周波電
源を取るための引出し１０が増えることになる。
ようなプラズマＣＶＤ装置に用いられ、基本的には１組
の分割された電極１，２のＮ倍の電極構造９を備え、同
時にＮ倍のウェハの薄膜形成処理が可能となる。この場
合には、これらの電極構造９を分割した数だけ高周波電
源を取るための引出し１０が増えることになる。
【００２０】また、図４のような枚葉式平行平板型の電
極構造１１のタイプは、ＣＶＤ装置、エッチング装置に
使用され、たとえば上部はガスを出すための穴があいた
シャワー型の分割された電極１１ａになっており、電源
を取るための引出し（図示せず）は電極構造１１の裏側
から取るような構造となっている。
極構造１１のタイプは、ＣＶＤ装置、エッチング装置に
使用され、たとえば上部はガスを出すための穴があいた
シャワー型の分割された電極１１ａになっており、電源
を取るための引出し（図示せず）は電極構造１１の裏側
から取るような構造となっている。
【００２１】次に、本実施例の作用について、電極１，
２の組合せの一例である表１と、図５および図６のプロ
セスフローに基づいて説明する。
２の組合せの一例である表１と、図５および図６のプロ
セスフローに基づいて説明する。
【００２２】
【表１】
【００２３】通常は、表１のＮｏ．１の組合せでプロセ
スを行うが、プロセス後の膜特性から中心部の特性が弱
いときは、通常のＮｏ．１の組合せの他に、Ｎｏ．３，
５を組み合わせる。これにより、中心部のＲＦ放電密度
が高くなり、中心部の特性を強くすることができる。
スを行うが、プロセス後の膜特性から中心部の特性が弱
いときは、通常のＮｏ．１の組合せの他に、Ｎｏ．３，
５を組み合わせる。これにより、中心部のＲＦ放電密度
が高くなり、中心部の特性を強くすることができる。
【００２４】逆に、通常のＮｏ．１の組合せで中心部の
特性が強いときは、Ｎｏ．１の組合せの他に、Ｎｏ．
２，４を組み合わせることで、周辺部のＲＦ放電密度が
高くなり、相対的に中心部の特性を弱くすることができ
る。
特性が強いときは、Ｎｏ．１の組合せの他に、Ｎｏ．
２，４を組み合わせることで、周辺部のＲＦ放電密度が
高くなり、相対的に中心部の特性を弱くすることができ
る。
【００２５】この場合、実際のプロセスフローを従来例
と比較すると図５のようになり、中心部が弱いときはＮ
ｏ．１、Ｎｏ．３、Ｎｏ．５の組合せによる処理を順に
繰り返す。一方、中心部が強いときには、Ｎｏ．１、Ｎ
ｏ．２、Ｎｏ．４の組合せによる処理を順に繰り返すこ
とにより、ウェハ５，６の表面に均一な膜特性を得るこ
とができる。
と比較すると図５のようになり、中心部が弱いときはＮ
ｏ．１、Ｎｏ．３、Ｎｏ．５の組合せによる処理を順に
繰り返す。一方、中心部が強いときには、Ｎｏ．１、Ｎ
ｏ．２、Ｎｏ．４の組合せによる処理を順に繰り返すこ
とにより、ウェハ５，６の表面に均一な膜特性を得るこ
とができる。
【００２６】さらに、電極１，２の組合せの他に、電極
１，２の組合せの順番を図６のように変えた場合には、
より一層プロセス後のウェハ５，６の膜特性の最適化を
図ることができる。
１，２の組合せの順番を図６のように変えた場合には、
より一層プロセス後のウェハ５，６の膜特性の最適化を
図ることができる。
【００２７】従って、本実施例のＲＦ放電電極によれ
ば、対向する電極１，２を２つに分割し、それぞれの電
極１，２間の放電パターンを電極１，２の組合せおよび
組合せの順番の変更によって調整することにより、たと
えばＣＶＤ装置またはエッチング装置において、ウェハ
５，６の面内における膜特性を均一にし、かつウェハ
５，６の配設位置に影響されることなく、装置内のウェ
ハ５，６において最適な膜特性を得ることができる。
ば、対向する電極１，２を２つに分割し、それぞれの電
極１，２間の放電パターンを電極１，２の組合せおよび
組合せの順番の変更によって調整することにより、たと
えばＣＶＤ装置またはエッチング装置において、ウェハ
５，６の面内における膜特性を均一にし、かつウェハ
５，６の配設位置に影響されることなく、装置内のウェ
ハ５，６において最適な膜特性を得ることができる。
【００２８】その上、電極１，２の組合せの順番を変え
ることの他に、たとえば図７のように放電時間の変更を
加えることで、さらにプロセス後の膜特性の最適化が実
施できる。さらに、プロセス後の膜特性の最適化を図る
ために、ＲＦ周波数の変更（図８）、ガス流量の変更な
ど、膜特性に影響される他の要素変更を加えることも可
能である。
ることの他に、たとえば図７のように放電時間の変更を
加えることで、さらにプロセス後の膜特性の最適化が実
施できる。さらに、プロセス後の膜特性の最適化を図る
ために、ＲＦ周波数の変更（図８）、ガス流量の変更な
ど、膜特性に影響される他の要素変更を加えることも可
能である。
【００２９】
【実施例２】図９は本発明の他の実施例であるＲＦ放電
電極を示す概略正面図、図１０は本実施例のＲＦ放電電
極を用いた半導体製造装置によるプロセスを示す説明
図、図１１は本実施例におけるＲＦ放電電極の変形例を
示す概略正面図である。
電極を示す概略正面図、図１０は本実施例のＲＦ放電電
極を用いた半導体製造装置によるプロセスを示す説明
図、図１１は本実施例におけるＲＦ放電電極の変形例を
示す概略正面図である。
【００３０】本実施例のＲＦ放電電極は、実施例１と同
様に対向する電極を備えたＲＦ放電電極とされ、実施例
１との相違点は、対向する電極１Ａ，２Ａがそれぞれ絶
縁物３，４により処理対象物のサイズ毎に仕切られて分
割されている点である。
様に対向する電極を備えたＲＦ放電電極とされ、実施例
１との相違点は、対向する電極１Ａ，２Ａがそれぞれ絶
縁物３，４により処理対象物のサイズ毎に仕切られて分
割されている点である。
【００３１】すなわち、対向される電極１Ａ，２Ａが、
図９に示すように１２５ｍｍφ、１５０ｍｍφおよび２
００ｍｍφの大きさに同心円状の分割電極１Ａａ〜１Ａ
ｃ、２Ａａ〜２Ａｃに分割され、複数種類の処理対象物
に対応できるようになっている。
図９に示すように１２５ｍｍφ、１５０ｍｍφおよび２
００ｍｍφの大きさに同心円状の分割電極１Ａａ〜１Ａ
ｃ、２Ａａ〜２Ａｃに分割され、複数種類の処理対象物
に対応できるようになっている。
【００３２】そして、たとえば図１０に示すようなＣＶ
Ｄ装置に用いた場合には、従来はウェハ（処理対象物）
６Ａの載る部分と載らない部分に差が発生するため、ク
リーニング（エッチング）を実施した場合に電極２Ａ上
の膜を完全に除去しようとすると、ウェハ６Ａの載って
いる部分がオーバークリーニングになってしまい、電極
２Ａの劣化およびプロセス時の膜特性の低下を引き起こ
すことになる（図１０(b))。
Ｄ装置に用いた場合には、従来はウェハ（処理対象物）
６Ａの載る部分と載らない部分に差が発生するため、ク
リーニング（エッチング）を実施した場合に電極２Ａ上
の膜を完全に除去しようとすると、ウェハ６Ａの載って
いる部分がオーバークリーニングになってしまい、電極
２Ａの劣化およびプロセス時の膜特性の低下を引き起こ
すことになる（図１０(b))。
【００３３】そこで、本実施例においては、電極１Ａ，
２Ａをウェハサイズ毎に分割することによってウェハ６
Ａの載る部分の放電を止めることが可能になり、これに
よって電極２Ａの長寿命化を図ることができる（図１０
(c))。
２Ａをウェハサイズ毎に分割することによってウェハ６
Ａの載る部分の放電を止めることが可能になり、これに
よって電極２Ａの長寿命化を図ることができる（図１０
(c))。
【００３４】従って、本実施例のＲＦ放電電極によれ
ば、電極１Ａ，２Ａを各ウェハサイズに分割することに
より、適切なサイズの電極面積を設定することができる
ので、同一装置において多品種のウェハ６Ａのプロセス
処理が可能となる。
ば、電極１Ａ，２Ａを各ウェハサイズに分割することに
より、適切なサイズの電極面積を設定することができる
ので、同一装置において多品種のウェハ６Ａのプロセス
処理が可能となる。
【００３５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１および２に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
施例１および２に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【００３６】たとえば、本実施例のＲＦ放電電極につい
ては、同心円状に２つまたはウェハサイズに対応して３
つに分割される場合について説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、図１１に示すように
より多くの分割電極１Ｂａ〜１Ｂｅ、２Ｂａ〜２Ｂｅに
分割する場合などについても広く適用可能である。
ては、同心円状に２つまたはウェハサイズに対応して３
つに分割される場合について説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、図１１に示すように
より多くの分割電極１Ｂａ〜１Ｂｅ、２Ｂａ〜２Ｂｅに
分割する場合などについても広く適用可能である。
【００３７】この場合には、実施例２のような同一装置
における多品種のウェハのプロセスをさらに細かく制御
することが可能となり、かつ実施例１と同様にウェハの
面内および配置位置に影響されるウェハ間においても、
より高精度な膜特性の均一化が可能となる。
における多品種のウェハのプロセスをさらに細かく制御
することが可能となり、かつ実施例１と同様にウェハの
面内および配置位置に影響されるウェハ間においても、
より高精度な膜特性の均一化が可能となる。
【００３８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００３９】(1).対向する電極のうち少なくとも一方を
絶縁物により仕切り、２つ以上に分割することにより、
ＲＦ放電電極の面積を簡便に変更し、適切な電極面積を
設定することができるので、膜特性ばらつきの調整を容
易に行うことが可能となる。
絶縁物により仕切り、２つ以上に分割することにより、
ＲＦ放電電極の面積を簡便に変更し、適切な電極面積を
設定することができるので、膜特性ばらつきの調整を容
易に行うことが可能となる。
【００４０】(2).電極を同心円状に分割することによ
り、処理対象物のサイズなどに応じて適切な電極面積を
設定することができるので、同一装置において多品種の
処理対象物のプロセス処理が可能となる。
り、処理対象物のサイズなどに応じて適切な電極面積を
設定することができるので、同一装置において多品種の
処理対象物のプロセス処理が可能となる。
【００４１】(3).分割された電極において、発振の順
番、発振の組合せ、発振周波数および放電時間のうち少
なくとも１つ以上を調整可能とすることにより、膜特性
の均一化を図るための要因を自由に変更することができ
るので、ＲＦ放電パターンの多様化を図ることが可能と
なる。
番、発振の組合せ、発振周波数および放電時間のうち少
なくとも１つ以上を調整可能とすることにより、膜特性
の均一化を図るための要因を自由に変更することができ
るので、ＲＦ放電パターンの多様化を図ることが可能と
なる。
【００４２】(4).ＲＦ放電電極の発振方法を用い、半導
体集積回路装置の製造工程において、ＲＦを用いて処理
対象物に対して成膜処理を行うことにより、プロセス終
了後の処理対象物の膜特性の均一化および最適化を図る
ことができる。
体集積回路装置の製造工程において、ＲＦを用いて処理
対象物に対して成膜処理を行うことにより、プロセス終
了後の処理対象物の膜特性の均一化および最適化を図る
ことができる。
【００４３】(5).特にＣＶＤ装置に適用した場合には、
処理対象物の載らない成膜された部分だけをクリーニン
グすることができるので、電極の長寿命化およびプロセ
ス間の再現性の向上が可能となる。
処理対象物の載らない成膜された部分だけをクリーニン
グすることができるので、電極の長寿命化およびプロセ
ス間の再現性の向上が可能となる。
【００４４】(6).前記(1) 〜(5) により、特にプラズマ
ＣＶＤ装置、ＲＦエッチング装置などの半導体製造装置
において、プロセス終了後の膜特性の均一化および最適
化が可能とされるＲＦ放電電極およびその発振方法なら
びにそれを用いた半導体製造装置を得ることができる。
ＣＶＤ装置、ＲＦエッチング装置などの半導体製造装置
において、プロセス終了後の膜特性の均一化および最適
化が可能とされるＲＦ放電電極およびその発振方法なら
びにそれを用いた半導体製造装置を得ることができる。
【図１】本発明の実施例１であるＲＦ放電電極を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】実施例１のＲＦ放電電極を示す正面図である。
【図３】実施例１のＲＦ放電電極を用いた半導体製造装
置の要部を示す概略構成図である。
置の要部を示す概略構成図である。
【図４】実施例１のＲＦ放電電極を用いた半導体製造装
置の要部を示す概略構成図である。
置の要部を示す概略構成図である。
【図５】実施例１において、膜特性に影響される要素変
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
【図６】実施例１において、膜特性に影響される要素変
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
【図７】実施例１において、膜特性に影響される要素変
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
【図８】実施例１において、膜特性に影響される要素変
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
更を実施する場合のプロセスフローを示す説明図であ
る。
【図９】本発明の実施例２であるＲＦ放電電極を示す概
略正面図である。
略正面図である。
【図１０】実施例２のＲＦ放電電極を用いた半導体製造
装置によるプロセスを示す説明図である。
装置によるプロセスを示す説明図である。
【図１１】実施例２におけるＲＦ放電電極の変形例を示
す概略正面図である。
す概略正面図である。
１，１Ａ，１Ｂ 電極 １ａ，１ｂ 分割電極 １Ａａ〜１Ａｃ 分割電極 １Ｂａ〜１Ｂｅ 分割電極 ２，２Ａ，２Ｂ 電極 ２ａ，２ｂ 分割電極 ２Ａａ〜２Ａｃ 分割電極 ２Ｂａ〜２Ｂｅ 分割電極 ３，４ 絶縁物 ５，６ ウェハ（処理対象物） ６Ａ ウェハ（処理対象物） ７，８ ＲＦ電源 ９ 電極構造 １０ 引出し １１ 電極構造 １１ａ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上田 正幸 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 斉藤 靖之 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 内藤 健蔵 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内
Claims (4)
- 【請求項１】 対向する電極を備えた高周波放電電極で
あって、前記対向する電極のうち少なくとも一方を絶縁
物により仕切り、２つ以上に分割することを特徴とする
高周波放電電極。 - 【請求項２】 前記電極を、同心円状に分割することを
特徴とする請求項１記載の高周波放電電極。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の高周波放電電極
における分割された電極において、発振の順番、発振の
組合せ、発振周波数および放電時間のうち少なくとも１
つ以上を調整可能とすることを特徴とする高周波放電電
極の発振方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の高周波放電電極の発振方
法を用い、半導体集積回路装置の製造工程において、高
周波を用いて処理対象物に対して成膜処理を行うことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9024693A JPH06302588A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 高周波放電電極およびその発振方法ならびにそれを用いた半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9024693A JPH06302588A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 高周波放電電極およびその発振方法ならびにそれを用いた半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302588A true JPH06302588A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13993150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9024693A Withdrawn JPH06302588A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 高周波放電電極およびその発振方法ならびにそれを用いた半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302588A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274099A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 |
| JP2006307329A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | プラズマ装置およびそれを用いた太陽電池素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-16 JP JP9024693A patent/JPH06302588A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274099A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 |
| JP2006307329A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | プラズマ装置およびそれを用いた太陽電池素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |