JPH06302578A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法Info
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- JPH06302578A JPH06302578A JP6072865A JP7286594A JPH06302578A JP H06302578 A JPH06302578 A JP H06302578A JP 6072865 A JP6072865 A JP 6072865A JP 7286594 A JP7286594 A JP 7286594A JP H06302578 A JPH06302578 A JP H06302578A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
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- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハーからホトレジストストリッパ
ーをリンスする方法を提供する。この方法によればウエ
ハーのアルミニウム導体上の腐蝕ピットを大きく減少、
あるいは腐蝕ピットの発生そのものを回避することがで
きる。 【構成】 ホトレジストストリッパーを半導体ウエハー
の表面から除去しなければならないウエハー製造プロセ
スにおいて、前記ウエハーを水で満たした容器（図３の
２３）内に挿入し、ニ酸化炭素と水を同時に容器内にポ
ンプで送り込み、容器から水をあふれさせることによっ
て、前記ホトレジストストリッパーを除去する。前記の
容器内にウエハーをリンスステップ中、少なくとも５分
間保持し、容器を完全に水で満たし、毎分容器の堆積の
少なくとも５０％の量の流量で水を溢れさせることが好
ましい。
ーをリンスする方法を提供する。この方法によればウエ
ハーのアルミニウム導体上の腐蝕ピットを大きく減少、
あるいは腐蝕ピットの発生そのものを回避することがで
きる。 【構成】 ホトレジストストリッパーを半導体ウエハー
の表面から除去しなければならないウエハー製造プロセ
スにおいて、前記ウエハーを水で満たした容器（図３の
２３）内に挿入し、ニ酸化炭素と水を同時に容器内にポ
ンプで送り込み、容器から水をあふれさせることによっ
て、前記ホトレジストストリッパーを除去する。前記の
容器内にウエハーをリンスステップ中、少なくとも５分
間保持し、容器を完全に水で満たし、毎分容器の堆積の
少なくとも５０％の量の流量で水を溢れさせることが好
ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーの製造
に関し、特にウエハー表面からホトレジストストリッパ
ー材料をリンスにより除去する方法に関する。
に関し、特にウエハー表面からホトレジストストリッパ
ー材料をリンスにより除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路をはじめとするマイクロエレク
トロニクスチップは、ウエハー製造法として知られてい
るプロセスにより、比較的大きな半導体材料からなるウ
エハーから製造される。ウエハー製造法における基本的
なステップはホトリソグラフィーによるマスキングとエ
ッチングであり、これらはエッチングあるいは不純物拡
散などの加工を行うために、このウエハーの選択領域を
規定するために用いられている。ホトリソグラフィープ
ロセスにはホトレジスト被覆が必要であり、まず最初に
このホトレジスト被覆が選択的に形成され、選択的加工
が行われ、その後ホトレジストストリッパーとよばれる
化学薬品によってこの被覆が除去される。ホトレジスト
の除去の後、ホトレジストストリッパーはリンスとよば
れるプロセスによってウエハーから除去されなくてはな
らない。
トロニクスチップは、ウエハー製造法として知られてい
るプロセスにより、比較的大きな半導体材料からなるウ
エハーから製造される。ウエハー製造法における基本的
なステップはホトリソグラフィーによるマスキングとエ
ッチングであり、これらはエッチングあるいは不純物拡
散などの加工を行うために、このウエハーの選択領域を
規定するために用いられている。ホトリソグラフィープ
ロセスにはホトレジスト被覆が必要であり、まず最初に
このホトレジスト被覆が選択的に形成され、選択的加工
が行われ、その後ホトレジストストリッパーとよばれる
化学薬品によってこの被覆が除去される。ホトレジスト
の除去の後、ホトレジストストリッパーはリンスとよば
れるプロセスによってウエハーから除去されなくてはな
らない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】水を使用するさまざま
なリンス方法の持つ問題点は、ウエハー表面上のアルミ
ニウム層、これは導体やボンディングパッドなどとして
使用されているのであるが、がこのリンスサイクル中に
腐蝕されやすいということである。このような腐蝕の特
徴は通常アルミニウム導体の表面にピットができること
であり、これは、マイクロチップの表面上の導体の大き
さが徐々に減少するにつれ、より深刻な問題へと発展す
る。我々の実験によれば、イソプロピルアルコール中で
リンスすることによってピッチングは減少できるが、し
かし、イソプロピルアルコールは水よりも高価であり、
また環境に対し有害である廃棄物を生じるため望ましく
ない。したがって、ウエハー表面のアルミニウム導体を
腐蝕せず、不当に高価でもなく、また環境に有害でもな
い、ホトレジストストリッパー除去法が従来から求めら
れてきた。
なリンス方法の持つ問題点は、ウエハー表面上のアルミ
ニウム層、これは導体やボンディングパッドなどとして
使用されているのであるが、がこのリンスサイクル中に
腐蝕されやすいということである。このような腐蝕の特
徴は通常アルミニウム導体の表面にピットができること
であり、これは、マイクロチップの表面上の導体の大き
さが徐々に減少するにつれ、より深刻な問題へと発展す
る。我々の実験によれば、イソプロピルアルコール中で
リンスすることによってピッチングは減少できるが、し
かし、イソプロピルアルコールは水よりも高価であり、
また環境に対し有害である廃棄物を生じるため望ましく
ない。したがって、ウエハー表面のアルミニウム導体を
腐蝕せず、不当に高価でもなく、また環境に有害でもな
い、ホトレジストストリッパー除去法が従来から求めら
れてきた。
【０００４】
【課題を解決しようとする手段】ホトレジストストリッ
パーの半導体ウエハー表面からの除去が必要とされるウ
エハー製造プロセスにおいて、ウエハーを水で満たした
容器に挿入し、同時に水が容器からあふれるように、二
酸化炭素と水とをこの容器内にポンプで汲み入れること
によって、このホトレジストストリッパーが除去され
る。好ましくは、このウエハーを少なくとも５分間の間
この容器内に保ち、このリンスステップ中、容器が完全
に水で満たされ、少なくとも容器の堆積の５０％が毎分
容器から溢れ出るようにする。半導体ウエハーからホト
レジストストリッパーをリンスする本方法によって、ウ
エハー上のアルミニウム導体における腐蝕ピットの発生
が大きく減少する、または回避されることがわかった。
パーの半導体ウエハー表面からの除去が必要とされるウ
エハー製造プロセスにおいて、ウエハーを水で満たした
容器に挿入し、同時に水が容器からあふれるように、二
酸化炭素と水とをこの容器内にポンプで汲み入れること
によって、このホトレジストストリッパーが除去され
る。好ましくは、このウエハーを少なくとも５分間の間
この容器内に保ち、このリンスステップ中、容器が完全
に水で満たされ、少なくとも容器の堆積の５０％が毎分
容器から溢れ出るようにする。半導体ウエハーからホト
レジストストリッパーをリンスする本方法によって、ウ
エハー上のアルミニウム導体における腐蝕ピットの発生
が大きく減少する、または回避されることがわかった。
【０００５】
【実施例】図１は、シリコン製の半導体ウエハー１１、
その上部表面上に置かれるアルミニウムコンタクト１
２、および二酸化珪素などの材料からなる絶縁層１３が
示されている。このアルミニウムコンタクトは、当該分
野で知られているように、例えば銅などを含むアルミニ
ウム合金であってよい。例えば選択的エッチングを行う
ためには、ウエハーの上部表面である誘電体層１３をホ
トレジスト１５によって被覆し、これを選択的に化学線
に露出してその一部を除去し、その下の誘電体層１３部
分のエッチングをおこなう。このウエハーをついでニ酸
化珪素のエッチャントにさらすと、その他のエッチング
を行いたくない部分がホトレジストマスク１５で覆われ
ているため、露出ニ酸化珪素中の開孔部１６が優先的に
エッチングされる。
その上部表面上に置かれるアルミニウムコンタクト１
２、および二酸化珪素などの材料からなる絶縁層１３が
示されている。このアルミニウムコンタクトは、当該分
野で知られているように、例えば銅などを含むアルミニ
ウム合金であってよい。例えば選択的エッチングを行う
ためには、ウエハーの上部表面である誘電体層１３をホ
トレジスト１５によって被覆し、これを選択的に化学線
に露出してその一部を除去し、その下の誘電体層１３部
分のエッチングをおこなう。このウエハーをついでニ酸
化珪素のエッチャントにさらすと、その他のエッチング
を行いたくない部分がホトレジストマスク１５で覆われ
ているため、露出ニ酸化珪素中の開孔部１６が優先的に
エッチングされる。
【０００６】図１の方法は典型的なウエハー製造法にお
いて通常行われている、多くのホトリソグラフによるマ
スキング、エッチングステップのほんの一例である。こ
のようにして、マスキング、エッチングステップは、ウ
エハー製造法における一ステップ（図２に１８で示す）
を構成する。このステップに続く、ウエハー製造法にお
ける次のステップはステップ１９に示されているよう
に、ウエハーの表面から前記のホトレジスト層１５をは
がす作業である。これは通常このウエハーを化学的エッ
チャントに露出することによって行われる。この化学的
エッチャントはウエハーの残り部分に影響を及ぼさず
に、ホトレジスト層１５を選択的に溶解し、除去する。
ホトレジストストリッパーの例としては、ニュージャー
ジー州、フィリップスブルグのベーカー化学会社から発
売されているＰＲＳ−１０００、ペンシルバニア州、ア
レンタウンのＡＣＴ社から発売されているＡＣＴＣＭＩ
およびＡＣＴ−１５０などがある。ステップ２０に示す
ように、このホトレジスト除去の後、残存ホトレジスト
ストリッパーは通常リンスによってウエハーから除去さ
れなくてはならない。脱イオン（ＤＩ）水がリンス用媒
体として用いられているが、前述のように、このような
従来型の水によるリンス、またはＤＩ水によるリンスで
は通常図１のコンタクト１２のようなアルミニウム導体
の上部表面に腐蝕が生じる。
いて通常行われている、多くのホトリソグラフによるマ
スキング、エッチングステップのほんの一例である。こ
のようにして、マスキング、エッチングステップは、ウ
エハー製造法における一ステップ（図２に１８で示す）
を構成する。このステップに続く、ウエハー製造法にお
ける次のステップはステップ１９に示されているよう
に、ウエハーの表面から前記のホトレジスト層１５をは
がす作業である。これは通常このウエハーを化学的エッ
チャントに露出することによって行われる。この化学的
エッチャントはウエハーの残り部分に影響を及ぼさず
に、ホトレジスト層１５を選択的に溶解し、除去する。
ホトレジストストリッパーの例としては、ニュージャー
ジー州、フィリップスブルグのベーカー化学会社から発
売されているＰＲＳ−１０００、ペンシルバニア州、ア
レンタウンのＡＣＴ社から発売されているＡＣＴＣＭＩ
およびＡＣＴ−１５０などがある。ステップ２０に示す
ように、このホトレジスト除去の後、残存ホトレジスト
ストリッパーは通常リンスによってウエハーから除去さ
れなくてはならない。脱イオン（ＤＩ）水がリンス用媒
体として用いられているが、前述のように、このような
従来型の水によるリンス、またはＤＩ水によるリンスで
は通常図１のコンタクト１２のようなアルミニウム導体
の上部表面に腐蝕が生じる。
【０００７】本発明により、この問題点は半導体ウエハ
ー２２を図３に示す容器中でリンスすることによって解
決された。この残存ホトレジストストリッパーのフィル
ムを含むウエハーはＤＩ水２４で満たされた容器２３に
入れられる。脱イオン水源２６からのＤＩ水および二酸
化炭素源２７からのニ酸化炭素を図に示すように容器に
ポンプで流入する。これによって水は容器からあふれ、
リンス作業中を通して、図に示すようにあふれつづけ
る。
ー２２を図３に示す容器中でリンスすることによって解
決された。この残存ホトレジストストリッパーのフィル
ムを含むウエハーはＤＩ水２４で満たされた容器２３に
入れられる。脱イオン水源２６からのＤＩ水および二酸
化炭素源２７からのニ酸化炭素を図に示すように容器に
ポンプで流入する。これによって水は容器からあふれ、
リンス作業中を通して、図に示すようにあふれつづけ
る。
【０００８】用いた容器２３の体積は４ガロンであり、
ニ酸化炭素の流速は毎分約３リットルであった。この水
の流速は少なくとも毎分２ガロン（容器体積の５０％）
でなくてはならないこと、またリンス時間は少なくとも
５分間、好ましくは１０分間でなければならないことが
わかった。もし、このリンス時間が２０分以上であると
ピットが形成されるので、上記のパラメータにおいて、
リンス時間は２０分以内であることが推奨される。
ニ酸化炭素の流速は毎分約３リットルであった。この水
の流速は少なくとも毎分２ガロン（容器体積の５０％）
でなくてはならないこと、またリンス時間は少なくとも
５分間、好ましくは１０分間でなければならないことが
わかった。もし、このリンス時間が２０分以上であると
ピットが形成されるので、上記のパラメータにおいて、
リンス時間は２０分以内であることが推奨される。
【０００９】本発明をさらにはっきりと規定するため
に、我々は図３に示すプロセスとガス源としてニ酸化炭
素ではなく窒素を用いたプロセスとを比較した。また、
これを、それぞれ窒素とニ酸化炭素ガスのバブリングに
よる、急速ダンプリンス（ＱＤＲ）法によるリンスを行
った場合とも比較した。これらの試験結果を表Ｉに示
す。一行目の括弧内の数字は使用したオーバーフローリ
ンスの時間（分）を表す。括弧ないに（ピット）と書い
てあるのは実験では実際ピットが示されなかったが、他
の実験からピットが生じることは確実であると思われる
ことを示している。オーバーフロー（ＯＦ）法での水の
流速は２．５ガロン／分（毎分容器体積の６２．５％）
であった。一つの表面上にアルミニウム導体が標準堆積
パラメータを用いて堆積され、この組成は９５．５４重
量パーセントのアルミニウム、０．４５重量パーセント
の銅および０．１重量パーセントのシリコンからなるも
のであった。 表Ｉ リンスモード（分） バブリングガス Ｎ2 ＣＯ2 なし １ＱＤＲ − ピットなし − ５ＱＤＲ ピット ピット （ピット） ＯＦリンス（５） ピット ピットなし ピット ＯＦリンス（１０） ピット ピットなし （ピット） ＯＦリンス（２０） （ピット） ピット （ピット）
に、我々は図３に示すプロセスとガス源としてニ酸化炭
素ではなく窒素を用いたプロセスとを比較した。また、
これを、それぞれ窒素とニ酸化炭素ガスのバブリングに
よる、急速ダンプリンス（ＱＤＲ）法によるリンスを行
った場合とも比較した。これらの試験結果を表Ｉに示
す。一行目の括弧内の数字は使用したオーバーフローリ
ンスの時間（分）を表す。括弧ないに（ピット）と書い
てあるのは実験では実際ピットが示されなかったが、他
の実験からピットが生じることは確実であると思われる
ことを示している。オーバーフロー（ＯＦ）法での水の
流速は２．５ガロン／分（毎分容器体積の６２．５％）
であった。一つの表面上にアルミニウム導体が標準堆積
パラメータを用いて堆積され、この組成は９５．５４重
量パーセントのアルミニウム、０．４５重量パーセント
の銅および０．１重量パーセントのシリコンからなるも
のであった。 表Ｉ リンスモード（分） バブリングガス Ｎ2 ＣＯ2 なし １ＱＤＲ − ピットなし − ５ＱＤＲ ピット ピット （ピット） ＯＦリンス（５） ピット ピットなし ピット ＯＦリンス（１０） ピット ピットなし （ピット） ＯＦリンス（２０） （ピット） ピット （ピット）
【００１０】表Ｉからわかるようにニ酸化炭素のバブリ
ングを行った一回の急速ダンプリンス法においては腐蝕
はなく、したがってピットもなかった。残念なことに一
回の急速ダンプリンス法はホトレジストストリッパーを
十分に除去することができなかった。５回の急速ダンプ
リンス（５ＱＤＲ）はこの目的には十分であったが、こ
こでは窒素でもニ酸化炭素のバブリングでも共にピット
が生じた。窒素のバブイングによる５分間のオーバーフ
ローリンスではピットが生じたが、ニ酸化炭素のバブリ
ングによるものではピットは生じなかった。ホトレジス
トストリッパーを確実に除去するには約５分必要である
ようにみうけられ、したがってそれより短いリンス時間
は、少なくとも上述のストリッパーに関しては推奨でき
ない。１０分間のオーバーフローリンスはピットの予防
に十分な効果があったが、すでに述べたように２０分の
リンスではピットが生じた。明らかにこれは時間が増加
したためその間に電池作用が生じ、ピットが形成された
ものと思われる。
ングを行った一回の急速ダンプリンス法においては腐蝕
はなく、したがってピットもなかった。残念なことに一
回の急速ダンプリンス法はホトレジストストリッパーを
十分に除去することができなかった。５回の急速ダンプ
リンス（５ＱＤＲ）はこの目的には十分であったが、こ
こでは窒素でもニ酸化炭素のバブリングでも共にピット
が生じた。窒素のバブイングによる５分間のオーバーフ
ローリンスではピットが生じたが、ニ酸化炭素のバブリ
ングによるものではピットは生じなかった。ホトレジス
トストリッパーを確実に除去するには約５分必要である
ようにみうけられ、したがってそれより短いリンス時間
は、少なくとも上述のストリッパーに関しては推奨でき
ない。１０分間のオーバーフローリンスはピットの予防
に十分な効果があったが、すでに述べたように２０分の
リンスではピットが生じた。明らかにこれは時間が増加
したためその間に電池作用が生じ、ピットが形成された
ものと思われる。
【００１１】以上まとめると、ピットを形成するアルミ
ニウムの腐蝕を回避するようなやり方でホトレジストス
トリッパーをリンスにより取り除く有効な方法を解説し
た。パラメータの範囲については幾つかの例をあげた。
ニウムの腐蝕を回避するようなやり方でホトレジストス
トリッパーをリンスにより取り除く有効な方法を解説し
た。パラメータの範囲については幾つかの例をあげた。
【００１２】下記になぜ本発明が競合する他の方法に比
べて優っているかを理論的に考察する。しかし、本出願
人らの発明はなんらかの特定の作用理論に基づくという
よりはむしろ実験的観察に基づくものであることをご理
解いただきたい。
べて優っているかを理論的に考察する。しかし、本出願
人らの発明はなんらかの特定の作用理論に基づくという
よりはむしろ実験的観察に基づくものであることをご理
解いただきたい。
【００１３】ホトレジストストリッパーに含まれるアミ
ン成分は水と接触−前記のＤＩ水リンスサイクル中のよ
うに−すると、極めて腐蝕性が高くなり、急速にリンス
によって除去されない限り、アルミニウム合金のエッチ
ングを行う。本発明で行われるように、ＤＩ水にニ酸化
炭素ガスをバブリングすると、その内のいくらかは溶解
し、解離してプロトンと重炭酸イオンとが平衡に達す
る。水は酸性になり、ニ酸化炭素の溶解量に応じてｐＨ
値４−６を得る。この酸性水はついで苛性ホトレジスト
ストリッパー／水混合物を急速に中和する。
ン成分は水と接触−前記のＤＩ水リンスサイクル中のよ
うに−すると、極めて腐蝕性が高くなり、急速にリンス
によって除去されない限り、アルミニウム合金のエッチ
ングを行う。本発明で行われるように、ＤＩ水にニ酸化
炭素ガスをバブリングすると、その内のいくらかは溶解
し、解離してプロトンと重炭酸イオンとが平衡に達す
る。水は酸性になり、ニ酸化炭素の溶解量に応じてｐＨ
値４−６を得る。この酸性水はついで苛性ホトレジスト
ストリッパー／水混合物を急速に中和する。
【００１４】１回のＱＤＲはピット腐蝕（点蝕）を起こ
さないが、５ＱＤＲはニ酸化炭素のバブリングにもかか
わらず、多数の深く大きな腐蝕ピットを生じる。この事
実が指し示すことは、支配的陽極反応の一つが酸性ＤＩ
水における溶存酸素の還元に関与しているということで
ある。酸素の還元に要する可逆的ポテンシャルはＥRE V
＝−０．８２ＶSHEであると報告されている。アルミニ
ウムの酸化に要するのはＥREV＝−１．６６ＶSHEであ
り、その差は２．４８Ｖである。したがって、例えばＡ
ｌ2Ｃｕなどの、アルミニウムとそれより貴である成分
との間の電池対物質は局部腐蝕電池を形成する傾向を生
じる。
さないが、５ＱＤＲはニ酸化炭素のバブリングにもかか
わらず、多数の深く大きな腐蝕ピットを生じる。この事
実が指し示すことは、支配的陽極反応の一つが酸性ＤＩ
水における溶存酸素の還元に関与しているということで
ある。酸素の還元に要する可逆的ポテンシャルはＥRE V
＝−０．８２ＶSHEであると報告されている。アルミニ
ウムの酸化に要するのはＥREV＝−１．６６ＶSHEであ
り、その差は２．４８Ｖである。したがって、例えばＡ
ｌ2Ｃｕなどの、アルミニウムとそれより貴である成分
との間の電池対物質は局部腐蝕電池を形成する傾向を生
じる。
【００１５】５回のＱＤＲサイクルの間、スプレーされ
る水やウエハーを覆っている水の薄い層は十分に空気に
さらされる。水の小さい堆積に比べて大きい表面積のた
め、酸素はこの水に急速に解けこみ前記の陽極反応を促
進することが予想される。また、前記のダンプサイクル
中に生じる乱流によって溶解したニ酸化炭素のうちのい
くらかは水の薄い層から逃げ出し、前記の腐蝕を抑制す
る上で無力となる。ウエハーがニ酸化炭素がバブリング
されている、あふれつつある水の中に浸漬されると、ウ
エハーはより濃度の高いニ酸化炭素にさらされる。ま
た、このオーバーフローモードにおいて、ウエハーの上
部表面は水の全量に対して比較的小さいため、ウエハー
の空気に対するアクセスはさらに限られたものとなって
いるのである。
る水やウエハーを覆っている水の薄い層は十分に空気に
さらされる。水の小さい堆積に比べて大きい表面積のた
め、酸素はこの水に急速に解けこみ前記の陽極反応を促
進することが予想される。また、前記のダンプサイクル
中に生じる乱流によって溶解したニ酸化炭素のうちのい
くらかは水の薄い層から逃げ出し、前記の腐蝕を抑制す
る上で無力となる。ウエハーがニ酸化炭素がバブリング
されている、あふれつつある水の中に浸漬されると、ウ
エハーはより濃度の高いニ酸化炭素にさらされる。ま
た、このオーバーフローモードにおいて、ウエハーの上
部表面は水の全量に対して比較的小さいため、ウエハー
の空気に対するアクセスはさらに限られたものとなって
いるのである。
【００１６】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明はピットを形成
するアルミニウムの腐蝕を回避するようなやり方でホト
レジストストリッパーをリンスにより取り除く有効な方
法を提供する。
するアルミニウムの腐蝕を回避するようなやり方でホト
レジストストリッパーをリンスにより取り除く有効な方
法を提供する。
【図１】ホトリソグラフィーによるマスキングおよびエ
ッチングプロセスを説明する、半導体ウエハーの部分断
面図である。
ッチングプロセスを説明する、半導体ウエハーの部分断
面図である。
【図２】ウエハー製造プロセス中の、ウエハーのリンス
ステップを含む一部分を示すフローダイアグラムであ
る。
ステップを含む一部分を示すフローダイアグラムであ
る。
【図３】本発明の例示的実施例に従い、ウエハーのリン
ス方法を説明する模式図である。
ス方法を説明する模式図である。
１１ 半導体ウエハー １２ アルミニウムコンタクト １３ 絶縁層 １５ ホトレジスト １６ 開口部 １８ ホトリソグラフィーによるマスクおよびエッチ
ング １９ ホトレジストの除去 ２０ ウエハーのリンス ２２ 半導体ウエハー ２３ 容器 ２４ 脱イオン水 ２６ Ｈ2Ｏ源 ２７ ＣＯ2源
ング １９ ホトレジストの除去 ２０ ウエハーのリンス ２２ 半導体ウエハー ２３ 容器 ２４ 脱イオン水 ２６ Ｈ2Ｏ源 ２７ ＣＯ2源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブリヤン チャエヨー チュング アメリカ合衆国、08827 ニュージャージ ー、ハンタードン カウンティ、ハンプト ン、バプティスト チャーチ ロード 18 (72)発明者 ジェラルド ニコラス ディベロ アメリカ合衆国、19512 ペンシルベニア、 モントゴメリ カウンティ、ボイヤータウ ン、エステイト ロード 248 (72)発明者 チャールズ ワルター ピアース アメリカ合衆国、18049 ペンシルベニア、 レハイ カウンティ、エマウス、サウス 12番ストリート 410 (72)発明者 ケビン ポール ヤンダース アメリカ合衆国、18103 ペンシルベニア、 レハイ カウンティ、アレンタウン、フェ アビュー ストリート 2841
Claims (10)
- 【請求項１】 アルミニウム導体（１２）を一つの表面
上に持つ半導体ウエハー（１１、２２）から半導体デバ
イスを製造する方法であり、 前記のウエハーをホトレジスト層（１５）で被覆するス
テップと、 前記のホトレジストを化学線に選択的に露出するステッ
プと、 前記のホトレジストを現像するステップと、 前記ウエハーを選択的に処理するために、前記の現像し
たホトレジストをマスクとして使用するステップと、 前記のウエハーをホトレジストストリッパーに露出する
ことによって、前記のホトレジストマスクを除去するス
テップと、 前記のウエハーを水（２４）で満たした容器（２３）に
挿入するステップからなる、前記のホトレジストストリ
ッパーを前記の半導体ウエハーからリンスするステップ
と、からなる方法において、 ニ酸化炭素（２７）と水（２６）を同時に前記の容器へ
ポンプによって導入して水を容器からあふれさせること
を特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 前記のリンスステップの間、前記の水が
完全に前記の容器を満たし、さらに毎分前記容器の体積
の少なくとも５０％の流速であふれることを特徴とする
請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記のリンスステップの間、前記ウエハ
ーを前記容器内に５分から２０分の間保持することを特
徴とする請求項２の方法。 - 【請求項４】 前記容器の体積が約４ガロンであり、前
記の容器内に流入する水の流速が毎分約２．５ガロンで
あり、前記のリンスステップの間、複数のウエハーを前
記の容器内に保持することを特徴とする請求項３の方
法。 - 【請求項５】 前記のアルミニウム導体が９０％以上の
アルミニウムを有するアルミニウム合金からなることを
特徴とする請求項３の方法。 - 【請求項６】 前記のアルミニウム導体が約９５％のア
ルミニウム、４から５パーセントの銅および微量のシリ
コンからなることを特徴とする請求項５の方法。 - 【請求項７】 前記のリンスステップ中、前記のウエハ
ーを前記の容器内に少なくとも５分間保持することを特
徴とする、請求項１の方法。 - 【請求項８】 前記のリンスステップ中、前記のウエハ
ーを前記の容器内に２０分未満の時間保持することを特
徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】 前記のウエハーを前記の容器内に約１０
分間保持することを特徴とする請求項８の方法。 - 【請求項１０】 前記のリンスステップ中、複数のウエ
ハーを前記の容器内に保持することを特徴とする請求項
１または９の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US034938 | 1993-03-18 | ||
| US08/034,938 US5336371A (en) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302578A true JPH06302578A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=21879588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6072865A Pending JPH06302578A (ja) | 1993-03-18 | 1994-03-18 | 半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5336371A (ja) |
| EP (1) | EP0617459A3 (ja) |
| JP (1) | JPH06302578A (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3563789B2 (ja) | 1993-12-22 | 2004-09-08 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具 |
| US5897374A (en) * | 1995-05-22 | 1999-04-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Vertical via/contact with undercut dielectric |
| US6416676B1 (en) * | 1995-05-24 | 2002-07-09 | National Semiconductor Corporation | Deionized water degasification for semiconductor fabrication |
| US6239038B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
| JP2836562B2 (ja) * | 1996-02-08 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハのウェット処理方法 |
| US6517637B1 (en) * | 1997-07-23 | 2003-02-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for cleaning wafers with ionized water |
| US6033993A (en) * | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
| US6110830A (en) * | 1998-04-24 | 2000-08-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of reducing corrosion of materials, methods of protecting aluminum within aluminum-comprising layers from electrochemical degradation during semiconductor processing methods of forming aluminum-comprising lines |
| JP3533332B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2004-05-31 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品の製造方法および水処理装置 |
| JP4200565B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2008-12-24 | 日立金属株式会社 | 電子部品の洗浄方法 |
| US6021791A (en) | 1998-06-29 | 2000-02-08 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for immersion cleaning of semiconductor devices |
| US6146468A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer treatment |
| TW399264B (en) * | 1998-11-27 | 2000-07-21 | United Microelectronics Corp | Method for reducing the fluorine content on metal pad surface |
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| US7648584B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-01-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing contamination from substrate |
| US8316866B2 (en) * | 2003-06-27 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
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| JPH0352231A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-06 | Fujitsu Ltd | 純水洗浄方法 |
| US5175124A (en) * | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
-
1993
- 1993-03-18 US US08/034,938 patent/US5336371A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-09 EP EP94301666A patent/EP0617459A3/en active Granted
- 1994-03-18 JP JP6072865A patent/JPH06302578A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0617459A2 (en) | 1994-09-28 |
| EP0617459A3 (en) | 1995-01-18 |
| US5336371A (en) | 1994-08-09 |
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