JPH06302562A - 化合物半導体基板の微細加工方法 - Google Patents
化合物半導体基板の微細加工方法Info
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- JPH06302562A JPH06302562A JP33345991A JP33345991A JPH06302562A JP H06302562 A JPH06302562 A JP H06302562A JP 33345991 A JP33345991 A JP 33345991A JP 33345991 A JP33345991 A JP 33345991A JP H06302562 A JPH06302562 A JP H06302562A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 量子細線や量子箱等の微細な構造を有する半
導体装置を容易に行うことができる化合物半導体基板の
微細加工方法を提供する。 【構成】 第１の工程（ａ）で、化合物半導体基板１上
に数原子層以下の異種材料３を部分的に堆積し、第２の
工程（ｂ）で、該数原子層の異種材料３をマスクとし
て、エッチングにより該化合物半導体基板１に微細加工
を施す。材料Ｂのエッチング速度が十分に遅く、材料Ａ
のエッチング速度が速い場合には、１原子層以上の材料
Ｂが表面に堆積している部位はエッチングが進まず、材
料Ｂが堆積していない部位のみエッチングが行われる。
この結果、材料Ｂの堆積していた部位の形状は、下地の
材料Ａに転写され縦型の結晶が形成される。この後、必
要に応じて再度種々の材料を堆積することにより、１０
０オングストローム程度の大きさの結晶構造を形成する
ことができる。
導体装置を容易に行うことができる化合物半導体基板の
微細加工方法を提供する。 【構成】 第１の工程（ａ）で、化合物半導体基板１上
に数原子層以下の異種材料３を部分的に堆積し、第２の
工程（ｂ）で、該数原子層の異種材料３をマスクとし
て、エッチングにより該化合物半導体基板１に微細加工
を施す。材料Ｂのエッチング速度が十分に遅く、材料Ａ
のエッチング速度が速い場合には、１原子層以上の材料
Ｂが表面に堆積している部位はエッチングが進まず、材
料Ｂが堆積していない部位のみエッチングが行われる。
この結果、材料Ｂの堆積していた部位の形状は、下地の
材料Ａに転写され縦型の結晶が形成される。この後、必
要に応じて再度種々の材料を堆積することにより、１０
０オングストローム程度の大きさの結晶構造を形成する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、数１００オングストロ
ーム程度以下の微細構造を必要としガリウムひ素を主要
構成物質とする半導体装置の製造に使用される化合物半
導体基板の微細加工方法に関する。
ーム程度以下の微細構造を必要としガリウムひ素を主要
構成物質とする半導体装置の製造に使用される化合物半
導体基板の微細加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】分子線エピタキシー法や有機金属ＣＶＤ
法等の薄膜成長技術を利用した新しい概念のデバイスと
して、例えば量子井戸レーザー、量子箱レーザー、量子
細線レーザー（トランジスタ）等の量子薄膜を用いた素
子が提案されている。
法等の薄膜成長技術を利用した新しい概念のデバイスと
して、例えば量子井戸レーザー、量子箱レーザー、量子
細線レーザー（トランジスタ）等の量子薄膜を用いた素
子が提案されている。
【０００３】量子井戸レーザーは、活性層を電子のド・
ブロイ波長と同程度（約１００オングストローム程度）
の厚さの量子薄膜とすることにより、厚さ方向の電子を
量子的に閉じ込め、電子が薄膜に沿った２次元方向にの
み自由粒子として振る舞うことができるようにしたもの
である。この量子井戸レーザーの特徴は、膜厚等の構造
制御により発振波長の制御が可能であり、優れた発振域
値電流特性が得られることである。
ブロイ波長と同程度（約１００オングストローム程度）
の厚さの量子薄膜とすることにより、厚さ方向の電子を
量子的に閉じ込め、電子が薄膜に沿った２次元方向にの
み自由粒子として振る舞うことができるようにしたもの
である。この量子井戸レーザーの特徴は、膜厚等の構造
制御により発振波長の制御が可能であり、優れた発振域
値電流特性が得られることである。
【０００４】上記の如く薄膜の厚さ方向（ｚ）に電子を
量子的に閉じ込めた量子井戸レーザーに対して、さらに
膜厚に沿った２次元方向（ｘ，ｙ）も電子を量子的に閉
じ込めたのが量子箱レーザーであり、これらの一方に電
子を量子的に閉じ込めたのが量子細線レーザーである。
量子的に閉じ込めた量子井戸レーザーに対して、さらに
膜厚に沿った２次元方向（ｘ，ｙ）も電子を量子的に閉
じ込めたのが量子箱レーザーであり、これらの一方に電
子を量子的に閉じ込めたのが量子細線レーザーである。
【０００５】ところで、上記の量子薄膜を用いたデバイ
スを実現するためには、量子細線や量子箱の寸法を細か
くする必要がある。その寸法としては、数１００オング
ストローム以下、通常は５００オングストローム以下の
結晶構造にすることが望ましいが、従来の電子ビーム等
を用いた微細加工では、このようなデバイスを再現性よ
く作製することは難しかった。
スを実現するためには、量子細線や量子箱の寸法を細か
くする必要がある。その寸法としては、数１００オング
ストローム以下、通常は５００オングストローム以下の
結晶構造にすることが望ましいが、従来の電子ビーム等
を用いた微細加工では、このようなデバイスを再現性よ
く作製することは難しかった。
【０００６】そこで、ペトロフらは、特別な結晶成長方
法を用いてごく自然に上記の如きデバイスを作製する方
法を提案した（Ａrthur Ｃ．Ｇossard Ｐierre Ｍ．Ｐ
etroff、米国特許第 4,591,889号、またはＰ．Ｍ．Ｐet
roff Ａ．Ｃ．Ｇossard andＷ．Ｗiegmann, Ａppleid
Ｐhysics Ｌetters Ｖol.45 p.620(1984))。
法を用いてごく自然に上記の如きデバイスを作製する方
法を提案した（Ａrthur Ｃ．Ｇossard Ｐierre Ｍ．Ｐ
etroff、米国特許第 4,591,889号、またはＰ．Ｍ．Ｐet
roff Ａ．Ｃ．Ｇossard andＷ．Ｗiegmann, Ａppleid
Ｐhysics Ｌetters Ｖol.45 p.620(1984))。
【０００７】図４は２次元ステップ構造の例を示す図、
図５は周期的なステップ構造の作製方法を説明するため
の図、図６は結晶成長による量子井戸デバイスの作製方
法を説明するための図、図７は縦型に組成の異なる結晶
を形成した量子井戸デバイスの例を示す図である。図
中、２１は基板、２３と２４は障壁、２５は原子層を示
す。
図５は周期的なステップ構造の作製方法を説明するため
の図、図６は結晶成長による量子井戸デバイスの作製方
法を説明するための図、図７は縦型に組成の異なる結晶
を形成した量子井戸デバイスの例を示す図である。図
中、２１は基板、２３と２４は障壁、２５は原子層を示
す。
【０００８】図５において、基板２１は、例えばガリウ
ムひ素の結晶を示し、これを結晶のある特定の方位から
特定の角度φで研磨すると、図示の如き周期的なステッ
プ構造が得られる。これは、○からなる原子層が構成さ
れているとすると、点線の○の原子が研磨により削り取
られるため、原子層の厚みに相当するステップ構造が形
成されることによる。つまり、１原子が部分的に研磨さ
れることはないから、部分的に研磨に引っかかる部分
（点線の○）は、削り取られることになり、原子単位で
段差ができることになる。したがって、研磨する角度に
よってステップ幅は変化し、角度φが大きくなるほど狭
く、逆に角度φが小さくなるほど広くなる。例えば角度
φとステップ幅Λでは、 のような関係が得られる。また、研磨の方向によって図
４に示す２次元のステップ構造を形成することもでき
る。
ムひ素の結晶を示し、これを結晶のある特定の方位から
特定の角度φで研磨すると、図示の如き周期的なステッ
プ構造が得られる。これは、○からなる原子層が構成さ
れているとすると、点線の○の原子が研磨により削り取
られるため、原子層の厚みに相当するステップ構造が形
成されることによる。つまり、１原子が部分的に研磨さ
れることはないから、部分的に研磨に引っかかる部分
（点線の○）は、削り取られることになり、原子単位で
段差ができることになる。したがって、研磨する角度に
よってステップ幅は変化し、角度φが大きくなるほど狭
く、逆に角度φが小さくなるほど広くなる。例えば角度
φとステップ幅Λでは、 のような関係が得られる。また、研磨の方向によって図
４に示す２次元のステップ構造を形成することもでき
る。
【０００９】そこで、このように作製された基板２１
に、図６に示すように材料Ａ、材料Ｂを堆積してゆく
と、縦型に異なる組成の結晶を作ることができる。すな
わち、まず、材料Ａを数原子分堆積すると、ステップの
隅では下と横の２面で結合するため、この隅の部分から
順に結晶ができる。このようにして図７に示すように電
子閉じ込め層としての障壁２３、２４間に薄膜の原子層
２５を形成することができる。
に、図６に示すように材料Ａ、材料Ｂを堆積してゆく
と、縦型に異なる組成の結晶を作ることができる。すな
わち、まず、材料Ａを数原子分堆積すると、ステップの
隅では下と横の２面で結合するため、この隅の部分から
順に結晶ができる。このようにして図７に示すように電
子閉じ込め層としての障壁２３、２４間に薄膜の原子層
２５を形成することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き方法では、例えば材料Ａの上にさらに同じ材料Ａを
３０〜４０原子層にわたって堆積する必要があるが、な
かなか同じ材料の上に何層もの原子層を乗せることがで
きず、堆積の制御性を非常に高くしないと堆積が困難で
あるという問題がある。
如き方法では、例えば材料Ａの上にさらに同じ材料Ａを
３０〜４０原子層にわたって堆積する必要があるが、な
かなか同じ材料の上に何層もの原子層を乗せることがで
きず、堆積の制御性を非常に高くしないと堆積が困難で
あるという問題がある。
【００１１】本発明は、上記の課題を解決するものであ
って、量子細線や量子箱等の微細な構造を有する半導体
装置を容易に行うことができる化合物半導体基板の微細
加工方法を提供することを目的とするものである。
って、量子細線や量子箱等の微細な構造を有する半導体
装置を容易に行うことができる化合物半導体基板の微細
加工方法を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そのために本発明に係る
化合物半導体基板の微細加工方法は、上記ペトロフ等の
提案による形成方法において異種材料の数原子層以下の
部分的な積層後、反応性イオンエッチング等の方法を用
いて表面よりエッチングを行うものである。すなわち、
第１の工程で、化合物半導体基板１上に数原子層以下の
異種材料３を部分的に堆積し、第２の工程で、該数原子
層の異種材料３をマスクとして、エッチングにより該化
合物半導体基板１に微細加工を施す。
化合物半導体基板の微細加工方法は、上記ペトロフ等の
提案による形成方法において異種材料の数原子層以下の
部分的な積層後、反応性イオンエッチング等の方法を用
いて表面よりエッチングを行うものである。すなわち、
第１の工程で、化合物半導体基板１上に数原子層以下の
異種材料３を部分的に堆積し、第２の工程で、該数原子
層の異種材料３をマスクとして、エッチングにより該化
合物半導体基板１に微細加工を施す。
【００１３】
【作用】反応性イオンエッチングにおいては、材料によ
るエッチング速度が大きく異なる現象が知られている。
上記材料Ｂのエッチング速度が十分に遅く、材料Ａのエ
ッチング速度が速い場合には、１原子層以上の材料Ｂが
表面に堆積している部位はエッチングが進まず、材料Ｂ
が堆積していない部位のみエッチングが行われる。この
結果、材料Ｂの堆積していた部位の形状は、下地の材料
Ａに転写され縦型の結晶が形成される。この後、必要に
応じて再度種々の材料を堆積することにより、１００オ
ングストローム程度の大きさの結晶構造を形成すること
ができる。従って、１００オングストローム程度の大き
さの量子細線や量子箱を制御性よく形成することができ
る。
るエッチング速度が大きく異なる現象が知られている。
上記材料Ｂのエッチング速度が十分に遅く、材料Ａのエ
ッチング速度が速い場合には、１原子層以上の材料Ｂが
表面に堆積している部位はエッチングが進まず、材料Ｂ
が堆積していない部位のみエッチングが行われる。この
結果、材料Ｂの堆積していた部位の形状は、下地の材料
Ａに転写され縦型の結晶が形成される。この後、必要に
応じて再度種々の材料を堆積することにより、１００オ
ングストローム程度の大きさの結晶構造を形成すること
ができる。従って、１００オングストローム程度の大き
さの量子細線や量子箱を制御性よく形成することができ
る。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明に係る化合物半導体基板の微細加工
方法の１実施例を説明するための図であり、（ａ）は第
１の工程、同（ｂ）は第２の工程を示す。
する。図１は本発明に係る化合物半導体基板の微細加工
方法の１実施例を説明するための図であり、（ａ）は第
１の工程、同（ｂ）は第２の工程を示す。
【００１５】本発明に係る化合物半導体基板の微細加工
方法では、まず、第１の工程で、図１（ａ）に示すよう
に結晶の特定の方位から特定の角度をもったデバイスと
しての動作層２を含む化合物半導体基板１上に数原子層
以下の異種材料３が部分的に堆積する。次に、第１の工
程で部分的に堆積した数原子層の異種材料３をマスクと
し、反応性イオンエッチングにより基板１に溝を形成す
る。
方法では、まず、第１の工程で、図１（ａ）に示すよう
に結晶の特定の方位から特定の角度をもったデバイスと
しての動作層２を含む化合物半導体基板１上に数原子層
以下の異種材料３が部分的に堆積する。次に、第１の工
程で部分的に堆積した数原子層の異種材料３をマスクと
し、反応性イオンエッチングにより基板１に溝を形成す
る。
【００１６】化合物半導体基板１は、例えばガリウムひ
素（ＧａＡｓ）を主要構成物質とするものであり、異種
材料３は、例えばアルミニウムひ素（ＡｌＡｓ）または
インジウムひ素（ＩｎＡｓ）またはアルミニウムガリウ
ムひ素（ＡｌＧａＡｓ）またはインジウムガリウムひ素
（ＩｎＧａＡｓ）である。そして、異種材料３がアルミ
ニウムひ素またはアルミニウムガリウムひ素の場合には
塩素およびふっ素を含むガスでエッチングし、異種材料
３がインジウムひ素またはインジウムガリウムひ素の場
合には塩素を含むガスでエッチングする。
素（ＧａＡｓ）を主要構成物質とするものであり、異種
材料３は、例えばアルミニウムひ素（ＡｌＡｓ）または
インジウムひ素（ＩｎＡｓ）またはアルミニウムガリウ
ムひ素（ＡｌＧａＡｓ）またはインジウムガリウムひ素
（ＩｎＧａＡｓ）である。そして、異種材料３がアルミ
ニウムひ素またはアルミニウムガリウムひ素の場合には
塩素およびふっ素を含むガスでエッチングし、異種材料
３がインジウムひ素またはインジウムガリウムひ素の場
合には塩素を含むガスでエッチングする。
【００１７】図２はアルミニウムガリウムひ素及びイン
ジウムひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチン
グ速度をもつことを説明するための図、図３は少なくと
も１原子層分のアルミニウムひ素が反応性イオンエッチ
ングに対してマスクとして有効に働くことを説明するた
めの図である。
ジウムひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチン
グ速度をもつことを説明するための図、図３は少なくと
も１原子層分のアルミニウムひ素が反応性イオンエッチ
ングに対してマスクとして有効に働くことを説明するた
めの図である。
【００１８】反応性イオンエッチングにおいては、材料
によるエッチング速度が大きく異なる現象が知られてい
るが、図２（ａ）は反応性イオンエッチングのエッチン
グ速度が材料により大きく異なる例としてＣＣｌ2 Ｆ2
ガスを用いたときのガリウムひ素、アルミニウムガリウ
ムひ素のエッチング速度を示し、同（ｂ）はＣｌ2ガス
を用いた場合の反応性ガスエッチングにおいてガリウム
ひ素とインジウムひ素のエッチング速度が大きくなるこ
とを示している。したがって、材料Ｂのエッチング速度
が十分に遅く、材料Ａのエッチング速度が速い場合に
は、１原子層以上の材料Ｂが表面に堆積している部位は
エッチングが進まず、材料Ｂが堆積していない部位のみ
エッチングが行われる。この結果、材料Ｂの堆積してい
た部位の形状は、下地の材料Ａに転写され縦型の結晶が
形成される。この後、必要に応じて再度種々の材料を堆
積することにより、１００オングストローム程度の大き
さの結晶構造を形成することができる。従って、１００
オングストローム程度の大きさの量子細線や量子箱を制
御性よく形成することができる。
によるエッチング速度が大きく異なる現象が知られてい
るが、図２（ａ）は反応性イオンエッチングのエッチン
グ速度が材料により大きく異なる例としてＣＣｌ2 Ｆ2
ガスを用いたときのガリウムひ素、アルミニウムガリウ
ムひ素のエッチング速度を示し、同（ｂ）はＣｌ2ガス
を用いた場合の反応性ガスエッチングにおいてガリウム
ひ素とインジウムひ素のエッチング速度が大きくなるこ
とを示している。したがって、材料Ｂのエッチング速度
が十分に遅く、材料Ａのエッチング速度が速い場合に
は、１原子層以上の材料Ｂが表面に堆積している部位は
エッチングが進まず、材料Ｂが堆積していない部位のみ
エッチングが行われる。この結果、材料Ｂの堆積してい
た部位の形状は、下地の材料Ａに転写され縦型の結晶が
形成される。この後、必要に応じて再度種々の材料を堆
積することにより、１００オングストローム程度の大き
さの結晶構造を形成することができる。従って、１００
オングストローム程度の大きさの量子細線や量子箱を制
御性よく形成することができる。
【００１９】また、図３において、（ａ）はサンプルの
積層構造であり、同（ｂ）はエッチング深さのエッチン
グ時間依存性を示している。（ｂ）において時間に対し
エッチング深さが変化していない部分は、積層構造中に
挿入された１原子層分または２原子層分のアルミニウム
ひ素層の位置と対応しており、少なくとも１原子層分の
アルミニウムひ素がエッチングマスクとして有効に働く
ことが明らかである。ここでは、アルミニウムひ素の場
合のみを示したが、図２（ｂ）から分かるように、例え
ば基板温度１３０℃では、ガリウムひ素に対し４００以
上の選択比があるので、アルミニウムひ素と同様に、少
なくとも１原子層分のインジウムひ素がエッチングマス
クとして有効に働くことは容易に予想できる。
積層構造であり、同（ｂ）はエッチング深さのエッチン
グ時間依存性を示している。（ｂ）において時間に対し
エッチング深さが変化していない部分は、積層構造中に
挿入された１原子層分または２原子層分のアルミニウム
ひ素層の位置と対応しており、少なくとも１原子層分の
アルミニウムひ素がエッチングマスクとして有効に働く
ことが明らかである。ここでは、アルミニウムひ素の場
合のみを示したが、図２（ｂ）から分かるように、例え
ば基板温度１３０℃では、ガリウムひ素に対し４００以
上の選択比があるので、アルミニウムひ素と同様に、少
なくとも１原子層分のインジウムひ素がエッチングマス
クとして有効に働くことは容易に予想できる。
【００２０】従って、図１（ａ）に示すように１原子層
以下のアルミニウムひ素またはインジウムひ素を堆積し
た場合、面内でそれらの異種材料が堆積した部分のみが
マスクとなり、エッチングによって図１（ｂ）の微細加
工が実現されることは明らかである。
以下のアルミニウムひ素またはインジウムひ素を堆積し
た場合、面内でそれらの異種材料が堆積した部分のみが
マスクとなり、エッチングによって図１（ｂ）の微細加
工が実現されることは明らかである。
【００２１】なお、本発明は、上記の実施例に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば上記
の実施例では、第１の工程で１原子層以下の異種材料を
堆積したが、ペトロフ等の示したように、これを複数回
繰り返し２原子層以上の異種材料を部分的に堆積した後
エッチングを行うようにしてもよい。
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば上記
の実施例では、第１の工程で１原子層以下の異種材料を
堆積したが、ペトロフ等の示したように、これを複数回
繰り返し２原子層以上の異種材料を部分的に堆積した後
エッチングを行うようにしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、化合物半導体基板上に数原子層以下の異種材料を部
分的に堆積し、それをマスクとしてエッチングを行うこ
とにより、極めて容易に化合物半導体基板の数１００オ
ングストローム以下の微細加工が可能となる。したがっ
て、本発明は、量子細線や量子箱等の微細な構造を有す
る半導体装置の作製に有効である。
ば、化合物半導体基板上に数原子層以下の異種材料を部
分的に堆積し、それをマスクとしてエッチングを行うこ
とにより、極めて容易に化合物半導体基板の数１００オ
ングストローム以下の微細加工が可能となる。したがっ
て、本発明は、量子細線や量子箱等の微細な構造を有す
る半導体装置の作製に有効である。
【図１】 本発明に係る化合物半導体基板の微細加工方
法の１実施例を説明するための図である。
法の１実施例を説明するための図である。
【図２】 アルミニウムガリウムひ素及びインジウムひ
素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度を
もつことを説明するための図である。
素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度を
もつことを説明するための図である。
【図３】 少なくとも１原子層分のアルミニウムひ素が
反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に働
くことを説明するための図である。
反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に働
くことを説明するための図である。
【図４】 ２次元ステップ構造の例を示す図である。
【図５】 周期的なステップ構造の作製方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図６】 結晶成長による量子井戸デバイスの作製方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】 縦型に組成の異なる結晶を形成した量子井戸
デバイスの例を示す図である。
デバイスの例を示す図である。
１…基板、２…動作層、３…異種材料
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る化合物半導体基板の微細加工方
法の１実施例を説明するための図である。
法の１実施例を説明するための図である。
【図２ａ】 アルミニウムガリウムひ素及びインジウム
ひ素がガリウムひ素
ひ素がガリウムひ素
【図２ｂ】 アルミニウムガリウムひ素及びインジウム
ひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度
をもつことを説明するための図である。
ひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度
をもつことを説明するための図である。
【図３ａ】 少なくとも１原子層分のアルミニウムひ素
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
【図３ｂ】 少なくとも１原子層分のアルミニウムひ素
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
【図４】 ２次元ステップ構造の例を示す図である。
【図５】 周期的なステップ構造の作製方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図６】 結晶成長による量子井戸デバイスの作製方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】 縦型に組成の異なる結晶を形成した量子井戸
デバイスの例を示す図である。
デバイスの例を示す図である。
【符号の説明】 １…基板、２…動作層、３…異種材料
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２ａ】
【図３ａ】
【図５】
【図６】
【図２ｂ】
【図３ｂ】
【図４】
【図７】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る化合物半導体基板の微細加工方
法の１実施例を説明するための図である。
法の１実施例を説明するための図である。
【図２ａ】 アルミニウムガリウムひ素及びインジウム
ひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度
をもつことを説明するための図である。
ひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度
をもつことを説明するための図である。
【図２ｂ】 アルミニウムガリウムひ素及びインジウム
ひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度
をもつことを説明するための図である。
ひ素がガリウムひ素に対して非常に遅いエッチング速度
をもつことを説明するための図である。
【図３ａ】 少なくとも１原子層分のアルミニウムひ素
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
【図３ｂ】 少なくとも１原子層分のアルミニウムひ素
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
が反応性イオンエッチングに対してマスクとして有効に
働くことを説明するための図である。
【図４】 ２次元ステップ構造の例を示す図である。
【図５】 周期的なステップ構造の作製方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図６】 結晶成長による量子井戸デバイスの作製方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】 縦型に組成の異なる結晶を形成した量子井戸
デバイスの例を示す図である。
デバイスの例を示す図である。
【符号の説明】 １…基板、２…動作層、３…異種材料
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角屋 豊 東京都杉並区久我山４−50−27 コンフォ ート久我山202号 (72)発明者 三矢伸司 東京都杉並区荻窪３−31−14 旭化成荻窪 寮306号
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体基板上に数原子層以下の異
種材料を部分的に堆積する第１の工程と、該数原子層の
異種材料をマスクとして、エッチングにより該化合物半
導体基板に微細加工を施す第２の工程を備えることを特
徴とする化合物半導体基板の微細加工方法。 - 【請求項２】 被加工化合物半導体基板が、ガリウムひ
素を主要構成物質とすることを特徴とする請求項１記載
の化合物半導体基板の微細加工方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の第１の工程における数原
子層以下の異種材料がアルミニウムひ素またはインジウ
ムひ素またはアルミニウムガリウムひ素またはインジウ
ムガリウムひ素であることを特徴とする化合物半導体基
板の微細加工方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の第２の工程において、数
原子層以下の異種材料がアルミニウムひ素またはアルミ
ニウムガリウムひ素の場合には塩素およびふっ素を含む
ガスでエッチングし、インジウムひ素またはインジウム
ガリウムひ素の場合には塩素を含むガスでエッチングす
ることを特徴とする化合物半導体基板の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33345991A JPH06302562A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 化合物半導体基板の微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33345991A JPH06302562A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 化合物半導体基板の微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302562A true JPH06302562A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=18266320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33345991A Withdrawn JPH06302562A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 化合物半導体基板の微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009091235A (ja) * | 2001-06-08 | 2009-04-30 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP33345991A patent/JPH06302562A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009091235A (ja) * | 2001-06-08 | 2009-04-30 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |