JPH04262528A - 半導体基板をエッチングする方法 - Google Patents
半導体基板をエッチングする方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
-
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
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- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体基板のエッ
チングに関し、特にレーザを放出する縦型の空洞表面（
ｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ）のエッチングに関す
る。
チングに関し、特にレーザを放出する縦型の空洞表面（
ｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ）のエッチングに関す
る。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
のエッジ放出型半導体レーザ（ｅｄｇｅ ｅｍｉｔｔ
ｉｎｇ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｓｅｒ
）は、光通信の発展において重要な役割を演じており、
これは高い動作効率，小型であること及びその変調能力
によるものである。しかし性能を高める必要性，さらな
る小型化および生産性を高める必要性から、これらのデ
バイスは制限を受けつつある。
のエッジ放出型半導体レーザ（ｅｄｇｅ ｅｍｉｔｔ
ｉｎｇ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｓｅｒ
）は、光通信の発展において重要な役割を演じており、
これは高い動作効率，小型であること及びその変調能力
によるものである。しかし性能を高める必要性，さらな
る小型化および生産性を高める必要性から、これらのデ
バイスは制限を受けつつある。
【０００３】近年、ＶＣＳＥＬ（ｖｅｒｔｉｃａｌ
ｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ
ｌａｓｅｒ）と呼ばれる新しいレーザ・デバイスが
注目されている。ＶＣＳＥＬデバイスの利点は、そのデ
バイスが小さいこと，潜在的に優れた特性を有すること
および製造しやすいことである。これらの利点は、有機
金属気層エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）および分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）のようなエピタキシャル技術による利点
に由来する。物質の堆積に対する利点はあるが、エピタ
キシャル堆積された物質をエッチングすることによって
、デバイスの特性に問題が生ずる。
ｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ
ｌａｓｅｒ）と呼ばれる新しいレーザ・デバイスが
注目されている。ＶＣＳＥＬデバイスの利点は、そのデ
バイスが小さいこと，潜在的に優れた特性を有すること
および製造しやすいことである。これらの利点は、有機
金属気層エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）および分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）のようなエピタキシャル技術による利点
に由来する。物質の堆積に対する利点はあるが、エピタ
キシャル堆積された物質をエッチングすることによって
、デバイスの特性に問題が生ずる。
【０００４】このような物質の通常のエッチングは、塩
素ガスの化学的性質による用途に応じたプラズマ反応炉
内で行われる。用途に応じた反応炉および塩素ガスの化
学的性質を用いたエッチングは、貧弱な特性を有するデ
バイスを構成し、これは界面の損傷，弱い異方性，エッ
チングの条件が不安定であること等のいくつかの原因に
よる。これら多くの問題は、Ａ．Ｓｃｈｅｒｅｒ，ｅｔ
ａｌ，”Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｉ
ｃｒｏｌａｓｅｒｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｒｅｓｏ
ｎａｔｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ”
，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８９，ｐａｇｅｓ ２
７２４ー２７２６ で、論じられている。
素ガスの化学的性質による用途に応じたプラズマ反応炉
内で行われる。用途に応じた反応炉および塩素ガスの化
学的性質を用いたエッチングは、貧弱な特性を有するデ
バイスを構成し、これは界面の損傷，弱い異方性，エッ
チングの条件が不安定であること等のいくつかの原因に
よる。これら多くの問題は、Ａ．Ｓｃｈｅｒｅｒ，ｅｔ
ａｌ，”Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｉ
ｃｒｏｌａｓｅｒｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｒｅｓｏ
ｎａｔｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ”
，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８９，ｐａｇｅｓ ２
７２４ー２７２６ で、論じられている。
【０００５】通常のエッチング技術を使用することは、
ＶＣＳＥＬのような微細な半導体デバイスを製造する際
に必要となる条件に対して不適当な場合がある。従って
、一般のプラズマ反応炉を使用し、微細なデバイスをエ
ッチングする方法、すなわちエッチングの性質および微
細なデバイスの特性を改良する方法が望まれている。
ＶＣＳＥＬのような微細な半導体デバイスを製造する際
に必要となる条件に対して不適当な場合がある。従って
、一般のプラズマ反応炉を使用し、微細なデバイスをエ
ッチングする方法、すなわちエッチングの性質および微
細なデバイスの特性を改良する方法が望まれている。
【０００６】
【課題を解決する手段】本発明の目的および利点は、半
導体基板をエッチングするための改良された方法により
提供される。その半導体基板をプラズマ反応炉内に配置
し、少なくとも三塩化ホウ素と四塩化ケイ素とを含むプ
ラズマ中に露出させる。半導体基板はその後ほとんど損
傷を受けずにエッチングされ、性能を高める。
導体基板をエッチングするための改良された方法により
提供される。その半導体基板をプラズマ反応炉内に配置
し、少なくとも三塩化ホウ素と四塩化ケイ素とを含むプ
ラズマ中に露出させる。半導体基板はその後ほとんど損
傷を受けずにエッチングされ、性能を高める。
【０００７】
【実施例】図１は、ＶＣＳＥＬデバイスの簡略化された
断面図を示す。これは１つのＶＣＳＥＬ構造を表現した
ものであり、基板１０上に配置されるこれらの構造は多
数存在し、アレイを形成する。さらに本発明に対して、
トレンチのエッチング等の他の技術が使用される。
断面図を示す。これは１つのＶＣＳＥＬ構造を表現した
ものであり、基板１０上に配置されるこれらの構造は多
数存在し、アレイを形成する。さらに本発明に対して、
トレンチのエッチング等の他の技術が使用される。
【０００８】この例での基板１０はＮ型にドープされた
砒化ガリウムから成る。砒化ガリウムを基板１０として
使用し、砒化ガリウム層１１および砒化アルミニウム層
１２から成る多数の層のエピタキシャル成長を促進させ
る。また基板１０として他の半導体基板を使用してもよ
い。
砒化ガリウムから成る。砒化ガリウムを基板１０として
使用し、砒化ガリウム層１１および砒化アルミニウム層
１２から成る多数の層のエピタキシャル成長を促進させ
る。また基板１０として他の半導体基板を使用してもよ
い。
【０００９】多数の交互に積み重なる異なる成分の層の
エピタキシャル堆積は、ＭＢＥ，ＭＯＣＶＤ等のよく知
られた技術により行われる。これらの技術により、様々
な物質の比較的薄いまたは厚い層をエピタキシャル堆積
することができ、その物質は砒化ガリウム、砒化アルミ
ニウム・ガリウム、シリコン等である。ＶＣＳＥＬデバ
イスの製作にはエピタキシャル堆積を使用し、デバイス
を構成する異なる物質の多数の層を形成する。
エピタキシャル堆積は、ＭＢＥ，ＭＯＣＶＤ等のよく知
られた技術により行われる。これらの技術により、様々
な物質の比較的薄いまたは厚い層をエピタキシャル堆積
することができ、その物質は砒化ガリウム、砒化アルミ
ニウム・ガリウム、シリコン等である。ＶＣＳＥＬデバ
イスの製作にはエピタキシャル堆積を使用し、デバイス
を構成する異なる物質の多数の層を形成する。
【００１０】例として、交互に積み重なる砒化ガリウム
層１１およびシリコンがドープされた砒化アルミニウム
層１２のエピタキシャル堆積は基板１０上に堆積される
。交互に積み重なるドープされた砒化ガリウム層１１お
よび砒化アルミニウム層１２を堆積する工程は、ＶＣＳ
ＥＬデバイスに対する反射物あるいはミラー（ｍｉｒｒ
ｏｒ）の第一の組を形成する。交互に積み重なる砒化ガ
リウム層１１および砒化アルミニウム層１２の一組の厚
さは、そのデバイスの動作周波数の４分の１波長程度で
ある。砒化ガリウム層１１層あるいは砒化アルミニウム
層１２層の呼称厚さは、それぞれ６６５オングストロー
ム，８００オングストロームである。一般に、反射物の
領域での交互に積み重なる層の数が増加すれば、ＶＣＳ
ＥＬの効率は増加する。
層１１およびシリコンがドープされた砒化アルミニウム
層１２のエピタキシャル堆積は基板１０上に堆積される
。交互に積み重なるドープされた砒化ガリウム層１１お
よび砒化アルミニウム層１２を堆積する工程は、ＶＣＳ
ＥＬデバイスに対する反射物あるいはミラー（ｍｉｒｒ
ｏｒ）の第一の組を形成する。交互に積み重なる砒化ガ
リウム層１１および砒化アルミニウム層１２の一組の厚
さは、そのデバイスの動作周波数の４分の１波長程度で
ある。砒化ガリウム層１１層あるいは砒化アルミニウム
層１２層の呼称厚さは、それぞれ６６５オングストロー
ム，８００オングストロームである。一般に、反射物の
領域での交互に積み重なる層の数が増加すれば、ＶＣＳ
ＥＬの効率は増加する。
【００１１】クラッディング領域１３は、砒化ガリウム
層１１および砒化アルミニウム層１２の多数の層上にエ
ピタキシャル堆積される。クラッディング領域１３は一
般に２つの部分を含んでいるが、混乱を避けるために図
に示していない。その１つはシリコンがドープされた砒
化アルミニウム・ガリウム層であり、約８００オングス
トロームの厚さを有し、第１反射物上に堆積される。も
う１つはドープされていない砒化アルミニウム・ガリウ
ム層であり、約５００オングストロームの厚さを有し、
シリコンがドープされた砒化アルミニウム・ガリウム層
上に堆積される。
層１１および砒化アルミニウム層１２の多数の層上にエ
ピタキシャル堆積される。クラッディング領域１３は一
般に２つの部分を含んでいるが、混乱を避けるために図
に示していない。その１つはシリコンがドープされた砒
化アルミニウム・ガリウム層であり、約８００オングス
トロームの厚さを有し、第１反射物上に堆積される。も
う１つはドープされていない砒化アルミニウム・ガリウ
ム層であり、約５００オングストロームの厚さを有し、
シリコンがドープされた砒化アルミニウム・ガリウム層
上に堆積される。
【００１２】活性領域１７はクラッディング領域１３上
にエピタキシャル堆積される。活性領域１７は一般に２
つの障壁の領域から構成され（図には示されていない）
、それらは量子井戸領域の両側に堆積される。２つの障
壁の領域は、各々のドープされていない砒化ガリウムの
１００オングストロームの部分から成る。量子井戸領域
は一般にドープされていない砒化インジウム・ガリウム
から構成され、約８０オングストロームの厚さを有する
。
にエピタキシャル堆積される。活性領域１７は一般に２
つの障壁の領域から構成され（図には示されていない）
、それらは量子井戸領域の両側に堆積される。２つの障
壁の領域は、各々のドープされていない砒化ガリウムの
１００オングストロームの部分から成る。量子井戸領域
は一般にドープされていない砒化インジウム・ガリウム
から構成され、約８０オングストロームの厚さを有する
。
【００１３】第２クラッディング領域２２は活性領域１
７上でエピタキシャル堆積される。クラッディング領域
２２は一般に２つの部分から成る（図には示されていな
い）。１つはドープされていない砒化アルミニウム・ガ
リウムの約５００オングストロームの部分から成り、こ
れは活性領域１７上に堆積される。もう１つはベリリウ
ムがドープされた砒化アルミニウム・ガリウムの８００
オングストロームの部分から成り、ドープされていない
砒化アルミニウム・ガリウム上に堆積される。
７上でエピタキシャル堆積される。クラッディング領域
２２は一般に２つの部分から成る（図には示されていな
い）。１つはドープされていない砒化アルミニウム・ガ
リウムの約５００オングストロームの部分から成り、こ
れは活性領域１７上に堆積される。もう１つはベリリウ
ムがドープされた砒化アルミニウム・ガリウムの８００
オングストロームの部分から成り、ドープされていない
砒化アルミニウム・ガリウム上に堆積される。
【００１４】第２反射物あるいはミラー領域は、第２ク
ラッディング領域２２上にエピタキシャル堆積される。 第２反応物領域は、交互に積み重なるベリリウムがドー
プされた砒化ガリウム層２３および砒化アルミニウム層
２４から構成される。一般に最後の交互に積み重なる層
の厚さは、他の交互に積み重なる層に対して用いた波長
の約４分の１ではなく、約２分の１である。
ラッディング領域２２上にエピタキシャル堆積される。 第２反応物領域は、交互に積み重なるベリリウムがドー
プされた砒化ガリウム層２３および砒化アルミニウム層
２４から構成される。一般に最後の交互に積み重なる層
の厚さは、他の交互に積み重なる層に対して用いた波長
の約４分の１ではなく、約２分の１である。
【００１５】一般には、金属層２７はチタニウム，プラ
チナ，金およびニッケルから構成される。金属層２７を
形成し、一般のリフトオフ・プロセスによって幾何学的
パターンを形成する。他のマスキング構造および方法を
用いて、フォトレジスト，誘電体等の幾何学的パターン
を形成することも可能である。パターニングされた金属
層２７をエッチングするためのマスクとして使用し、露
出した交互に積み重なる層をエッチングする。
チナ，金およびニッケルから構成される。金属層２７を
形成し、一般のリフトオフ・プロセスによって幾何学的
パターンを形成する。他のマスキング構造および方法を
用いて、フォトレジスト，誘電体等の幾何学的パターン
を形成することも可能である。パターニングされた金属
層２７をエッチングするためのマスクとして使用し、露
出した交互に積み重なる層をエッチングする。
【００１６】基板１０上に多数の層をエピタキシャル堆
積した後、ＶＣＳＥＬ構造はマスキング層２７で限定さ
れ、プラズマに対して保護されていない表面を露出させ
、エッチングする。そのエッチングの後、図に示してい
るＶＣＳＥＬ構造が得られる。非常に異方性の強いドラ
イ・エッチによりメサ型構造をエッチングし、その構造
は一般に７ミクロンの高さを有し、上部と下部の直径の
差は約１ミクロンである。
積した後、ＶＣＳＥＬ構造はマスキング層２７で限定さ
れ、プラズマに対して保護されていない表面を露出させ
、エッチングする。そのエッチングの後、図に示してい
るＶＣＳＥＬ構造が得られる。非常に異方性の強いドラ
イ・エッチによりメサ型構造をエッチングし、その構造
は一般に７ミクロンの高さを有し、上部と下部の直径の
差は約１ミクロンである。
【００１７】保護された表面および保護されていない表
面を有する基板１０はプラズマ反応炉内に配置される。 いくつかの異なる型の反応炉を使用することも可能であ
り、例えばリアクティブ・イオン・エッチ（ＲＩＥ）シ
ステム，マグネトロン・エッチ・システム等である。し
かし、この構造をエッチングする方法は、リアクティブ
・イオン・エッチ・システムであることが好ましい。
面を有する基板１０はプラズマ反応炉内に配置される。 いくつかの異なる型の反応炉を使用することも可能であ
り、例えばリアクティブ・イオン・エッチ（ＲＩＥ）シ
ステム，マグネトロン・エッチ・システム等である。し
かし、この構造をエッチングする方法は、リアクティブ
・イオン・エッチ・システムであることが好ましい。
【００１８】四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）および三塩化
ホウ素（ＢＣｌ３）のガスを使用し、基板１０上の露出
した表面をエッチングするプラズマを発生させる。四塩
化ケイ素ガスをプラズマ反応炉に注入し、その体積比を
２０パーセントから９０パーセントの範囲に維持する。 しかし、四塩化ケイ素ガスの体積比を５０パーセントに
維持することが好ましい。三塩化ホウ素ガスもプラズマ
反応炉に注入し、その体積比を１０パーセントから９０
パーセントの範囲に維持する。しかし、三塩化ホウ素ガ
スの体積比を５０パーセントに維持することが好ましい
。窒素，アルゴン等の反応しにくいガスをプラズマ反応
炉に注入し、混合ガスのバランスをとることも可能であ
る。反応炉内のプラズマの圧力は５ミリｔｏｒｒから４
０ミリｔｏｒｒの範囲内に維持される。しかし、その圧
力を１０ミリｔｏｒｒに維持することが好ましい。パワ
ーは０．５（ワット／平方センチメートル）から５．０
（ワット／平方センチメートル）の範囲内に維持する。 しかし、１．５（ワット／平方センチメートル）に維持
することが好ましい。
ホウ素（ＢＣｌ３）のガスを使用し、基板１０上の露出
した表面をエッチングするプラズマを発生させる。四塩
化ケイ素ガスをプラズマ反応炉に注入し、その体積比を
２０パーセントから９０パーセントの範囲に維持する。 しかし、四塩化ケイ素ガスの体積比を５０パーセントに
維持することが好ましい。三塩化ホウ素ガスもプラズマ
反応炉に注入し、その体積比を１０パーセントから９０
パーセントの範囲に維持する。しかし、三塩化ホウ素ガ
スの体積比を５０パーセントに維持することが好ましい
。窒素，アルゴン等の反応しにくいガスをプラズマ反応
炉に注入し、混合ガスのバランスをとることも可能であ
る。反応炉内のプラズマの圧力は５ミリｔｏｒｒから４
０ミリｔｏｒｒの範囲内に維持される。しかし、その圧
力を１０ミリｔｏｒｒに維持することが好ましい。パワ
ーは０．５（ワット／平方センチメートル）から５．０
（ワット／平方センチメートル）の範囲内に維持する。 しかし、１．５（ワット／平方センチメートル）に維持
することが好ましい。
【００１９】塩素から生成されるプラズマは反応性が強
いということは、従来からよく知られていた。この反応
性は、もし制御できなければ半導体デバイスに好ましく
ない影響を与える。ＢＣｌ３およびＳｉＣｌ４を使用す
る新しいガス・システムによっていくつかの利点が得ら
れ、その時には塩素ガスの化学的性質による好ましくな
い影響はない。
いということは、従来からよく知られていた。この反応
性は、もし制御できなければ半導体デバイスに好ましく
ない影響を与える。ＢＣｌ３およびＳｉＣｌ４を使用す
る新しいガス・システムによっていくつかの利点が得ら
れ、その時には塩素ガスの化学的性質による好ましくな
い影響はない。
【００２０】第１に、より遅く、制御しやすいエッチン
グの速度は、この新しいガス・システムを使用すること
により得られる。より遅いエッチングの速度は、堆積と
エッチングとの競争反応（ｃｏｍｐｅｔｉｎｇ ｒｅ
ａｃｔｉｏｎ）を含むことに起因すると考えられる。こ
れらの競争反応は、全体のエッチングの速度を制御可能
なレベルにまで下げる。
グの速度は、この新しいガス・システムを使用すること
により得られる。より遅いエッチングの速度は、堆積と
エッチングとの競争反応（ｃｏｍｐｅｔｉｎｇ ｒｅ
ａｃｔｉｏｎ）を含むことに起因すると考えられる。こ
れらの競争反応は、全体のエッチングの速度を制御可能
なレベルにまで下げる。
【００２１】第２に、より異方性の強いエッチングは、
この新しいガス・エッチの化学的性質により与えられる
。塩素ガス・プラズマは、その強い反応性により等方性
エッチングになりやすいことが知られている。しかし、
この新しいエッチングの化学的性質により、等方性エッ
チングとなることを避けることができる。この利点は堆
積とエッチングとの競争反応にも起因しており、さらに
、側壁上にシリコンおよび／あるいはホウ素の化合物を
堆積することにより側壁を保護し、これは新しいガス・
エッチの化学的性質によるものである。
この新しいガス・エッチの化学的性質により与えられる
。塩素ガス・プラズマは、その強い反応性により等方性
エッチングになりやすいことが知られている。しかし、
この新しいエッチングの化学的性質により、等方性エッ
チングとなることを避けることができる。この利点は堆
積とエッチングとの競争反応にも起因しており、さらに
、側壁上にシリコンおよび／あるいはホウ素の化合物を
堆積することにより側壁を保護し、これは新しいガス・
エッチの化学的性質によるものである。
【００２２】第３にエッチングによる損傷は、この新し
いエッチングの化学的性質を使用することにより減少さ
せることができる。基板のうける損傷は様々な機構によ
って生じ、結晶転移，イオン注入等となる。この新しい
エッチングの化学的性質を使用することにより、これら
の損傷を減少させることができる。側壁のうける損傷も
減少し、これはエッチングのプロセス中に生ずるベール
あるいは薄膜が、側壁に堆積することによるものと考え
られる。この薄膜はシリコンおよび／あるいはホウ素の
化合物を含んでおり、デバイスの特性に害を及ぼすこと
はないものと考えられる。
いエッチングの化学的性質を使用することにより減少さ
せることができる。基板のうける損傷は様々な機構によ
って生じ、結晶転移，イオン注入等となる。この新しい
エッチングの化学的性質を使用することにより、これら
の損傷を減少させることができる。側壁のうける損傷も
減少し、これはエッチングのプロセス中に生ずるベール
あるいは薄膜が、側壁に堆積することによるものと考え
られる。この薄膜はシリコンおよび／あるいはホウ素の
化合物を含んでおり、デバイスの特性に害を及ぼすこと
はないものと考えられる。
【００２３】
【発明の効果】半導体基板あるいはＩＩＩ−Ｖ半導体基
板をプラズマ・エッチングするための改良された方法を
提供してきた。この方法は上記物質をエッチングするこ
とを可能にし、それは、制御しやすい速度で、異方性が
強く、半導体デバイスにほとんど損傷を与えないもので
ある。この方法は、砒化ガリウム，砒化アルミニウムお
よび砒化インジウム・ガリウムをドライ・エッチングす
るときに特に有用であり、ニッケル，金，プラチナ，チ
タニウム・マスクを使用し、側壁に与える損傷を最小に
し、ＶＣＳＥＬデバイスにおいて非常に決定的なものと
なる。
板をプラズマ・エッチングするための改良された方法を
提供してきた。この方法は上記物質をエッチングするこ
とを可能にし、それは、制御しやすい速度で、異方性が
強く、半導体デバイスにほとんど損傷を与えないもので
ある。この方法は、砒化ガリウム，砒化アルミニウムお
よび砒化インジウム・ガリウムをドライ・エッチングす
るときに特に有用であり、ニッケル，金，プラチナ，チ
タニウム・マスクを使用し、側壁に与える損傷を最小に
し、ＶＣＳＥＬデバイスにおいて非常に決定的なものと
なる。
【図１】半導体基板上のＶＣＳＥＬデバイスに対する簡
略化した断面図を示す。
略化した断面図を示す。
１０ 半導体基板
１１ 砒化ガリウム層
１２ 砒化アルミニウム層
１３ 第１クラッディング領域
１７ 活性領域
２２ 第２クラッディング領域
２３ ベリリウムがドープされた砒化ガリウム層２４
ベリリウムがドープされた砒化アルミニウム層２７
金属層
ベリリウムがドープされた砒化アルミニウム層２７
金属層
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ反応炉内に半導体基板を配置
する工程；および少なくとも三塩化ホウ素および四塩化
ケイ素を含むプラズマに半導体基板を露出させる工程；
から構成されることを特徴とする半導体基板をエッチン
グする方法。 - 【請求項２】 マスキング層を限定する工程；および
三塩化ホウ素および四塩化ケイ素から成るガス状プラズ
マに前記限定された領域を露出させる工程；から構成さ
れることを特徴とするＶＣＳＥＬレーザをエッチングす
る方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US594790 | 1990-10-09 | ||
| US07/594,790 US5034092A (en) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | Plasma etching of semiconductor substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04262528A true JPH04262528A (ja) | 1992-09-17 |
| JP2715754B2 JP2715754B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=24380418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3289490A Expired - Fee Related JP2715754B2 (ja) | 1990-10-09 | 1991-10-09 | 半導体基板をエッチングする方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5034092A (ja) |
| JP (1) | JP2715754B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3078821B2 (ja) * | 1990-05-30 | 2000-08-21 | 豊田合成株式会社 | 半導体のドライエッチング方法 |
| US5300452A (en) * | 1991-12-18 | 1994-04-05 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device |
| US5212701A (en) * | 1992-03-25 | 1993-05-18 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement |
| US5338394A (en) * | 1992-05-01 | 1994-08-16 | Alliedsignal Inc. | Method for etching indium based III-V compound semiconductors |
| JPH05343374A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 化合物半導体の加工方法及び加工装置 |
| US5293392A (en) * | 1992-07-31 | 1994-03-08 | Motorola, Inc. | Top emitting VCSEL with etch stop layer |
| EP0582078B1 (en) * | 1992-08-05 | 2000-08-16 | Motorola, Inc. | Superluminescent edge emitting device |
| US5317587A (en) * | 1992-08-06 | 1994-05-31 | Motorola, Inc. | VCSEL with separate control of current distribution and optical mode |
| FR2697945B1 (fr) * | 1992-11-06 | 1995-01-06 | Thomson Csf | Procédé de gravure d'une hétérostructure de matériaux du groupe III-V. |
| US5358880A (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-25 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing closed cavity LED |
| US5624529A (en) * | 1995-05-10 | 1997-04-29 | Sandia Corporation | Dry etching method for compound semiconductors |
| US5708280A (en) * | 1996-06-21 | 1998-01-13 | Motorola | Integrated electro-optical package and method of fabrication |
| WO1998054757A1 (de) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum ätzen von iii-v-halbleitermaterial |
| US6165375A (en) | 1997-09-23 | 2000-12-26 | Cypress Semiconductor Corporation | Plasma etching method |
| JP3116088B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2000-12-11 | 東京工業大学長 | 面発光レーザ装置 |
| KR100708107B1 (ko) | 2000-12-19 | 2007-04-16 | 삼성전자주식회사 | 전기 광학적 특성이 개선된 반도체 광 방출 장치 및 그제조방법 |
| EP1444727A4 (en) * | 2001-10-22 | 2007-07-18 | Unaxis Usa Inc | PROCESS AND DEVICE FOR CORROSING THIN, DAMAGE-SENSITIVE LAYERS USING HIGH FREQUENCY PULSE PLASMA |
| JP2009076711A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体装置の製造方法 |
| GB201811873D0 (en) | 2018-07-20 | 2018-09-05 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Ltd | Semiconductor etching methods |
| EP3739700B8 (en) * | 2019-05-16 | 2021-09-29 | Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences | Vertical-cavity surface-emitting laser |
Citations (3)
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| JPS63102251A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置の製造方法 |
| JPS63278338A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4592800A (en) * | 1984-11-02 | 1986-06-03 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc. | Method of inhibiting corrosion after aluminum etching |
| JPS61166131A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6348827A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Fujitsu Ltd | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPH0680189B2 (ja) * | 1986-09-09 | 1994-10-12 | 日本電気株式会社 | ドライエツチング方法 |
| JPH0727890B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | ドライエツチング方法 |
| US4855160A (en) * | 1987-07-16 | 1989-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Method for passivating wafer |
| US4873176A (en) * | 1987-08-28 | 1989-10-10 | Shipley Company Inc. | Reticulation resistant photoresist coating |
-
1990
- 1990-10-09 US US07/594,790 patent/US5034092A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-09 JP JP3289490A patent/JP2715754B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61500821A (ja) * | 1983-12-22 | 1986-04-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコ−ポレ−テッド | デバイスの製造における無転移スロット分離のための方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2715754B2 (ja) | 1998-02-18 |
| US5034092A (en) | 1991-07-23 |
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