JPH06301058A - アクティブマトリックス型液晶表示素子 - Google Patents
アクティブマトリックス型液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH06301058A JPH06301058A JP10768693A JP10768693A JPH06301058A JP H06301058 A JPH06301058 A JP H06301058A JP 10768693 A JP10768693 A JP 10768693A JP 10768693 A JP10768693 A JP 10768693A JP H06301058 A JPH06301058 A JP H06301058A
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- active matrix
- display panel
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程途中のみならず最終製品状態におい
ても、静電気に強いアクティブマトリックス型液晶表示
素子を提供すること。 【構成】 ガラス基板２０上の表示パネル面内には、液
晶をマトリックス駆動するためのＭＯＳＦＥＴ８、その
電極ラインであるゲートライン６及びソースライン７が
直交して形成されている。両ライン６，７を表示パネル
面の周辺で接続することによりガードリング１１が形成
され、最終製品状態では切断部６ａ，７ａが形成され
る。ガードリング１１側の電極１１ａ，電極１１ｂ及び
対向電極信号ライン１２側の電極１２ａとからコンデン
サ１０ａ，１０ｂが形成されている。本発明のアクティ
ブマトリックス型液晶表示素子は、製造工程途中では、
全ての電極ラインがガードリングにより同電位となり、
最終製品状態ではコンデンサを利用して静電気が吸収さ
れるため不良が発生しない。
ても、静電気に強いアクティブマトリックス型液晶表示
素子を提供すること。 【構成】 ガラス基板２０上の表示パネル面内には、液
晶をマトリックス駆動するためのＭＯＳＦＥＴ８、その
電極ラインであるゲートライン６及びソースライン７が
直交して形成されている。両ライン６，７を表示パネル
面の周辺で接続することによりガードリング１１が形成
され、最終製品状態では切断部６ａ，７ａが形成され
る。ガードリング１１側の電極１１ａ，電極１１ｂ及び
対向電極信号ライン１２側の電極１２ａとからコンデン
サ１０ａ，１０ｂが形成されている。本発明のアクティ
ブマトリックス型液晶表示素子は、製造工程途中では、
全ての電極ラインがガードリングにより同電位となり、
最終製品状態ではコンデンサを利用して静電気が吸収さ
れるため不良が発生しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス型液晶表示素子におけるＭＯＳ型電界効果トランジス
タ（以下、ＭＯＳＦＥＴという）の静電破壊防止構造に
関する。
ス型液晶表示素子におけるＭＯＳ型電界効果トランジス
タ（以下、ＭＯＳＦＥＴという）の静電破壊防止構造に
関する。
【０００２】
【従来技術】従来、アクティブマトリックス型液晶表示
素子は、表示パネル内に液晶をマトリックス駆動するた
めＭＯＳＦＥＴを用いており静電気に対して弱いという
問題がある。そこで、製造工程途中において、全ての電
極ラインを周囲で電気的に接続してガードリングを構成
し、上記ＭＯＳＦＥＴのゲートラインとソースラインと
を短絡させた構造とする。これにより、上記全ての電極
ラインを同電位として上記ＭＯＳＦＥＴの静電気による
破壊を防止している。
素子は、表示パネル内に液晶をマトリックス駆動するた
めＭＯＳＦＥＴを用いており静電気に対して弱いという
問題がある。そこで、製造工程途中において、全ての電
極ラインを周囲で電気的に接続してガードリングを構成
し、上記ＭＯＳＦＥＴのゲートラインとソースラインと
を短絡させた構造とする。これにより、上記全ての電極
ラインを同電位として上記ＭＯＳＦＥＴの静電気による
破壊を防止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、全ての電極
ラインを短絡するガードリングを形成した部分は、図３
に示したように、最終製品状態とする工程で中央の表示
パネル面部分と切り離されて破棄されていた。このた
め、各電極ラインは製品端まで延びた状態となってい
た。従って、最終製品状態となった後において、静電気
に晒されると製造工程途中における静電破壊防止効果が
なくなっているためＭＯＳＦＥＴが破壊されてしまう。
このように、最終製品状態におけるアクティブマトリッ
クス型液晶表示素子は、静電気に対して弱い構造を有し
ているという問題があった。
ラインを短絡するガードリングを形成した部分は、図３
に示したように、最終製品状態とする工程で中央の表示
パネル面部分と切り離されて破棄されていた。このた
め、各電極ラインは製品端まで延びた状態となってい
た。従って、最終製品状態となった後において、静電気
に晒されると製造工程途中における静電破壊防止効果が
なくなっているためＭＯＳＦＥＴが破壊されてしまう。
このように、最終製品状態におけるアクティブマトリッ
クス型液晶表示素子は、静電気に対して弱い構造を有し
ているという問題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、製造工程
途中のみならず最終製品状態においても、静電気に強い
アクティブマトリックス型液晶表示素子を提供すること
である。
されたものであり、その目的とするところは、製造工程
途中のみならず最終製品状態においても、静電気に強い
アクティブマトリックス型液晶表示素子を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、表示パネル面内に形成されたスイッチ
ング用半導体素子であるＭＯＳＦＥＴを用いて液晶をマ
トリックス駆動するアクティブマトリックス型液晶表示
素子において、前記ＭＯＳＦＥＴに対する信号電極及び
走査電極を構成する電極ラインを前記表示パネル面から
その周辺まで延長しそれぞれ接続することにより形成さ
れ、前記電極ラインがその駆動回路と接続された後に前
記表示パネル面の外周にて切断されるガードリングと、
該ガードリングに設けた電極と前記液晶を駆動するため
の対向電極の信号ラインに設けた電極とから絶縁性薄膜
を中間層として形成されるコンデンサとを備えたことを
特徴とする。
の発明の構成は、表示パネル面内に形成されたスイッチ
ング用半導体素子であるＭＯＳＦＥＴを用いて液晶をマ
トリックス駆動するアクティブマトリックス型液晶表示
素子において、前記ＭＯＳＦＥＴに対する信号電極及び
走査電極を構成する電極ラインを前記表示パネル面から
その周辺まで延長しそれぞれ接続することにより形成さ
れ、前記電極ラインがその駆動回路と接続された後に前
記表示パネル面の外周にて切断されるガードリングと、
該ガードリングに設けた電極と前記液晶を駆動するため
の対向電極の信号ラインに設けた電極とから絶縁性薄膜
を中間層として形成されるコンデンサとを備えたことを
特徴とする。
【０００６】
【作用】上記の手段によれば、ガードリングが信号電極
及び走査電極の各電極ラインと接続され短絡されている
間は、全ての電極ラインが同電位となる。上記各電極ラ
インが切断された後、各電極ラインに対応して表示パネ
ル面の周辺に残されたガードリングに乗った静電気は、
ＭＯＳＦＥＴ形成のための絶縁性薄膜を中間層としガー
ドリング側の電極と対向電極側の電極とで形成されたコ
ンデンサに吸収される。
及び走査電極の各電極ラインと接続され短絡されている
間は、全ての電極ラインが同電位となる。上記各電極ラ
インが切断された後、各電極ラインに対応して表示パネ
ル面の周辺に残されたガードリングに乗った静電気は、
ＭＯＳＦＥＴ形成のための絶縁性薄膜を中間層としガー
ドリング側の電極と対向電極側の電極とで形成されたコ
ンデンサに吸収される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係るアクティブマトリックス型
液晶表示素子における最終製品状態を示した正面図であ
る。又、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った縦断面図であ
る。ガラス基板２０上の表示パネル面内には、液晶をマ
トリックス駆動するためのスイッチング用半導体素子で
あるＭＯＳＦＥＴ８が形成されている。このＭＯＳＦＥ
Ｔ８に対する走査電極を構成する電極ラインであるゲー
トライン６及び信号電極を構成する電極ラインであるソ
ースライン７が直交して形成されている。上記ゲートラ
イン６は走査電極駆動回路であるゲートドライバ４と接
続されている。又、上記ソースライン７は信号電極駆動
回路であるソースドライバ５と接続されている。
明する。図１は本発明に係るアクティブマトリックス型
液晶表示素子における最終製品状態を示した正面図であ
る。又、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った縦断面図であ
る。ガラス基板２０上の表示パネル面内には、液晶をマ
トリックス駆動するためのスイッチング用半導体素子で
あるＭＯＳＦＥＴ８が形成されている。このＭＯＳＦＥ
Ｔ８に対する走査電極を構成する電極ラインであるゲー
トライン６及び信号電極を構成する電極ラインであるソ
ースライン７が直交して形成されている。上記ゲートラ
イン６は走査電極駆動回路であるゲートドライバ４と接
続されている。又、上記ソースライン７は信号電極駆動
回路であるソースドライバ５と接続されている。
【０００８】上記ゲートライン６及び上記ソースライン
７を表示パネル面の周辺まで延長して接続することによ
りガードリング１１が形成される。上記ゲートライン６
にゲートドライバ４、上記ソースライン７にソースドラ
イバ５がそれぞれ接続された後、最終製品状態とする段
階で表示パネル面の外周にてレーザ加工機等によりゲー
トライン６及びソースライン７が切断され切断部６ａ，
７ａが形成されている。
７を表示パネル面の周辺まで延長して接続することによ
りガードリング１１が形成される。上記ゲートライン６
にゲートドライバ４、上記ソースライン７にソースドラ
イバ５がそれぞれ接続された後、最終製品状態とする段
階で表示パネル面の外周にてレーザ加工機等によりゲー
トライン６及びソースライン７が切断され切断部６ａ，
７ａが形成されている。
【０００９】又、上記ゲートライン６側のガードリング
１１には電極１１ａ、上記ソースライン７側のガードリ
ング１１には電極１１ｂが形成されている。そして、液
晶を駆動するための対向電極入力信号ライン１２には電
極１２ａが形成されている。上記電極１１ａ，１１ｂと
電極１２ａとは絶縁性薄膜であるＭＯＳＦＥＴ８形成の
ための絶縁膜２１や表示パネル面の保護膜２２を中間層
として対向されることによりコンデンサ１０ａ，１０ｂ
が形成されている。更に、上記対向電極入力信号ライン
１２には対向電極入力信号端子１、ゲートドライバ４か
らのゲートドライバ入力信号ライン４ａにはゲートドラ
イバ入力信号端子２及びソースドライバ入力信号ライン
５ａにはソースドライバ入力信号端子３が形成されてい
る。
１１には電極１１ａ、上記ソースライン７側のガードリ
ング１１には電極１１ｂが形成されている。そして、液
晶を駆動するための対向電極入力信号ライン１２には電
極１２ａが形成されている。上記電極１１ａ，１１ｂと
電極１２ａとは絶縁性薄膜であるＭＯＳＦＥＴ８形成の
ための絶縁膜２１や表示パネル面の保護膜２２を中間層
として対向されることによりコンデンサ１０ａ，１０ｂ
が形成されている。更に、上記対向電極入力信号ライン
１２には対向電極入力信号端子１、ゲートドライバ４か
らのゲートドライバ入力信号ライン４ａにはゲートドラ
イバ入力信号端子２及びソースドライバ入力信号ライン
５ａにはソースドライバ入力信号端子３が形成されてい
る。
【００１０】次に、その作用について説明する。製造工
程途中では、切断部６ａ，７ａはつながっているためゲ
ートライン６とソースライン７とは短絡され、全て電気
的に導通している。従って、それらゲートライン６及び
ソースライン７に静電気が乗ったとしてもそのライン間
には電位差を生じることがないのでＭＯＳＦＥＴ８は静
電破壊を起こすことがない。即ち、切断部６ａ，７ａが
形成される以前においては、静電気による不良が発生す
ることはない。
程途中では、切断部６ａ，７ａはつながっているためゲ
ートライン６とソースライン７とは短絡され、全て電気
的に導通している。従って、それらゲートライン６及び
ソースライン７に静電気が乗ったとしてもそのライン間
には電位差を生じることがないのでＭＯＳＦＥＴ８は静
電破壊を起こすことがない。即ち、切断部６ａ，７ａが
形成される以前においては、静電気による不良が発生す
ることはない。
【００１１】ゲートドライバ４及びソースドライバ５を
実装し、それぞれゲートライン６及びソースライン７に
接続した後、最終製品状態とするために、ゲートライン
６及びソースライン７をガードリング１１から切り離す
必要がある。レーザ加工機等を用いて、ガラス基板２０
上で表示パネル面の外周にてゲートライン６及びソース
ライン７のみを切断し切断部６ａ，７ａを形成する。
尚、上記切断部６ａ，７ａはレーザ加工機等によらずそ
の他、エッチング等を利用して形成しても良い。このた
め、ガードリング１１はガラス基板２０上に残されるこ
ととなる。残されたガードリング１１はコンデンサ１０
ａ，１０ｂを介して対向電極入力信号ライン１２に接続
されている。ここで、コンデンサ１０ａ，１０ｂは、従
来の製造プロセスを何ら変更することなく形成すること
ができる。
実装し、それぞれゲートライン６及びソースライン７に
接続した後、最終製品状態とするために、ゲートライン
６及びソースライン７をガードリング１１から切り離す
必要がある。レーザ加工機等を用いて、ガラス基板２０
上で表示パネル面の外周にてゲートライン６及びソース
ライン７のみを切断し切断部６ａ，７ａを形成する。
尚、上記切断部６ａ，７ａはレーザ加工機等によらずそ
の他、エッチング等を利用して形成しても良い。このた
め、ガードリング１１はガラス基板２０上に残されるこ
ととなる。残されたガードリング１１はコンデンサ１０
ａ，１０ｂを介して対向電極入力信号ライン１２に接続
されている。ここで、コンデンサ１０ａ，１０ｂは、従
来の製造プロセスを何ら変更することなく形成すること
ができる。
【００１２】上述したように、本発明のアクティブマト
リックス型液晶表示素子は、最終製品状態において、ガ
ラス基板端より静電気が乗った場合でもガードリングか
らコンデンサにその静電気は吸収される。即ち、ＭＯＳ
ＦＥＴ側に静電気が乗ることが防止されるため静電気に
よる不良が発生することはない。更に、コンデンサの片
側が接続された対向電極入力信号ラインはアクティブマ
トリックス型液晶表示素子の対向電極に接続されおり、
液晶層を介してコンデンサ成分を形成している。従っ
て、静電気がガードリング側に形成されたコンデンサで
吸収できない時でも、液晶層に吸収されるためＭＯＳＦ
ＥＴが不良となることはない。
リックス型液晶表示素子は、最終製品状態において、ガ
ラス基板端より静電気が乗った場合でもガードリングか
らコンデンサにその静電気は吸収される。即ち、ＭＯＳ
ＦＥＴ側に静電気が乗ることが防止されるため静電気に
よる不良が発生することはない。更に、コンデンサの片
側が接続された対向電極入力信号ラインはアクティブマ
トリックス型液晶表示素子の対向電極に接続されおり、
液晶層を介してコンデンサ成分を形成している。従っ
て、静電気がガードリング側に形成されたコンデンサで
吸収できない時でも、液晶層に吸収されるためＭＯＳＦ
ＥＴが不良となることはない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、製造工程途中にお
いては、ＭＯＳＦＥＴに対する全ての電極ラインが表示
パネル面の周辺で接続されたガードリングにより短絡さ
れ同電位とされる。又、電極ラインが切断された後で
は、表示パネル面の周辺に残されたガードリングと基板
上に形成されたコンデンサと、液晶の対向電極との間に
形成されたコンデンサを利用して静電気が吸収される。
これにより、本発明のアクティブマトリックス型液晶表
示素子は、その製造工程途中のみならず最終製品状態に
おいてもＭＯＳＦＥＴの静電気による破壊を防止できる
という効果がある。
いては、ＭＯＳＦＥＴに対する全ての電極ラインが表示
パネル面の周辺で接続されたガードリングにより短絡さ
れ同電位とされる。又、電極ラインが切断された後で
は、表示パネル面の周辺に残されたガードリングと基板
上に形成されたコンデンサと、液晶の対向電極との間に
形成されたコンデンサを利用して静電気が吸収される。
これにより、本発明のアクティブマトリックス型液晶表
示素子は、その製造工程途中のみならず最終製品状態に
おいてもＭＯＳＦＥＴの静電気による破壊を防止できる
という効果がある。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係るアクティブマ
トリックス型液晶表示素子における最終製品状態を示し
た正面図である。
トリックス型液晶表示素子における最終製品状態を示し
た正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った縦断面図である。
【図３】従来のアクティブマトリックス型液晶表示素子
におけるガードリングの切り離し状態を示した説明図で
ある。
におけるガードリングの切り離し状態を示した説明図で
ある。
４…ゲートドライバ ５…ソースドライバ ６…ゲートライン ６ａ…切断部 ７…ソースライン ７ａ…切断部 ８…ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ） １０ａ，１０ｂ…コンデンサ １１…ガードリング １１ａ，１１ｂ…（ガードリングに接続されているコン
デンサの）電極 １２…対向電極入力信号ライン １２ａ…（対向電極入力信号ラインに接続されているコ
ンデンサの）電極 ２０…ガラス基板 ２１…絶縁膜（絶縁性薄膜） ２２…保護膜（絶縁性薄膜）
デンサの）電極 １２…対向電極入力信号ライン １２ａ…（対向電極入力信号ラインに接続されているコ
ンデンサの）電極 ２０…ガラス基板 ２１…絶縁膜（絶縁性薄膜） ２２…保護膜（絶縁性薄膜）
Claims (1)
- 【請求項１】 表示パネル面内に形成されたスイッチン
グ用半導体素子であるＭＯＳ型電界効果トランジスタを
用いて液晶をマトリックス駆動するアクティブマトリッ
クス型液晶表示素子において、 前記ＭＯＳ型電界効果トランジスタに対する信号電極及
び走査電極を構成する電極ラインを前記表示パネル面か
らその周辺まで延長しそれぞれ接続することにより形成
され、前記電極ラインがその駆動回路と接続された後に
前記表示パネル面の外周にて切断されるガードリング
と、 前記ガードリングに設けた電極と前記液晶を駆動するた
めの対向電極の信号ラインに設けた電極とから絶縁性薄
膜を中間層として形成されるコンデンサとを備えたこと
を特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10768693A JPH06301058A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10768693A JPH06301058A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301058A true JPH06301058A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14465403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10768693A Pending JPH06301058A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06301058A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046312B2 (en) | 1995-12-19 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| US7183147B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| JP2007219525A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板とこれを具備した表示装置及び静電気からアレイ基板の表示領域を保護する方法 |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP10768693A patent/JPH06301058A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046312B2 (en) | 1995-12-19 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| US7183147B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| US7829894B2 (en) | 2004-03-25 | 2010-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| US8198635B2 (en) | 2004-03-25 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| US8674369B2 (en) | 2004-03-25 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| JP2007219525A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板とこれを具備した表示装置及び静電気からアレイ基板の表示領域を保護する方法 |
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