JPH06300997A - 液晶パネルの製造法 - Google Patents
液晶パネルの製造法Info
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- JPH06300997A JPH06300997A JP8902693A JP8902693A JPH06300997A JP H06300997 A JPH06300997 A JP H06300997A JP 8902693 A JP8902693 A JP 8902693A JP 8902693 A JP8902693 A JP 8902693A JP H06300997 A JPH06300997 A JP H06300997A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶パネルのショート検査の高電界印加しても
表示品位の低下を生じさせないことを目的とする。 【構成】液晶パネル１１に低周波電界または高電界を印
加した後、加温アニールする液晶パネルの製造法とす
る。
表示品位の低下を生じさせないことを目的とする。 【構成】液晶パネル１１に低周波電界または高電界を印
加した後、加温アニールする液晶パネルの製造法とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶パネルの製造法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶パネルは透明電極を有する上
下ガラス基板間に液晶を狭持した構成となっている。こ
のため、たとえば導電性の異物がセル厚以上の大きさで
ある場合には、上下基板間でショートを起こす可能性が
ある。
下ガラス基板間に液晶を狭持した構成となっている。こ
のため、たとえば導電性の異物がセル厚以上の大きさで
ある場合には、上下基板間でショートを起こす可能性が
ある。
【０００３】これらの導電性異物が上下基板間で完全に
くっついていれば実使用時の電界印加でショートは簡単
に検査できる。しかしながら異物の導電度、または上下
基板間での接触状態などによって絶縁破壊（上下ショー
ト）を起こす電界強度は異なってくる。このため通常、
上下ショート検査においては、上記の潜在的な上下ショ
ートをも顕在化させるために、実使用駆動波形よりも高
い電界、且つ低い周波で行っていた。
くっついていれば実使用時の電界印加でショートは簡単
に検査できる。しかしながら異物の導電度、または上下
基板間での接触状態などによって絶縁破壊（上下ショー
ト）を起こす電界強度は異なってくる。このため通常、
上下ショート検査においては、上記の潜在的な上下ショ
ートをも顕在化させるために、実使用駆動波形よりも高
い電界、且つ低い周波で行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うに高電界、低周波を液晶パネルに印加するとラビング
傷、ピンホール等の表示品位の低下が強調されるという
課題が生じる。また強誘電性液晶においては双安定性が
損なわれ、片メモリー性になってしまうという課題があ
った。
うに高電界、低周波を液晶パネルに印加するとラビング
傷、ピンホール等の表示品位の低下が強調されるという
課題が生じる。また強誘電性液晶においては双安定性が
損なわれ、片メモリー性になってしまうという課題があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、液晶パネルに高電界、あるいは低周波電界
を印加した後、温度アニールを施す液晶パネルの製造法
とする。
するために、液晶パネルに高電界、あるいは低周波電界
を印加した後、温度アニールを施す液晶パネルの製造法
とする。
【０００６】
【作用】本発明の作用について図面用いて以下説明す
る。高電界または低周波の波形を液晶パネルに印加した
場合を図１に示す。
る。高電界または低周波の波形を液晶パネルに印加した
場合を図１に示す。
【０００７】図１(a) は液晶パネル１１に電界を印加す
る前である。液晶パネル中にはイオン１２が存在してお
り、絶縁膜として配向膜１３またはオーバーコート１４
が備えられている。高電界または低周波電界を印加した
場合、図１(b) のようにイオンが電界の方向に偏在す
る。このとき配向膜厚が異なる部分１６（たとえばラビ
ング傷、あるいは配向膜１３のピンホール）と膜厚の薄
い部分は、厚い部分と比較して液晶層１５には高い電圧
が印加される。そのため、偏在するイオンは薄い膜厚の
方が量が多い。
る前である。液晶パネル中にはイオン１２が存在してお
り、絶縁膜として配向膜１３またはオーバーコート１４
が備えられている。高電界または低周波電界を印加した
場合、図１(b) のようにイオンが電界の方向に偏在す
る。このとき配向膜厚が異なる部分１６（たとえばラビ
ング傷、あるいは配向膜１３のピンホール）と膜厚の薄
い部分は、厚い部分と比較して液晶層１５には高い電圧
が印加される。そのため、偏在するイオンは薄い膜厚の
方が量が多い。
【０００８】すなわち、実駆動を行った場合、これらの
イオンの偏在はバイアス電圧となってしまい、電気光学
特性の差が大きくなり、表示ムラとなってしまう。この
ような液晶パネルを温度アニールすることによって図１
c)のように偏在したイオンは拡散し、良好な表示品位を
得ることができる。また、高周波電界によってもイオン
の拡散は行える。
イオンの偏在はバイアス電圧となってしまい、電気光学
特性の差が大きくなり、表示ムラとなってしまう。この
ような液晶パネルを温度アニールすることによって図１
c)のように偏在したイオンは拡散し、良好な表示品位を
得ることができる。また、高周波電界によってもイオン
の拡散は行える。
【０００９】強誘電性液晶においては図２のように基板
２１上に偏在したイオン２２による電界２３の方向に液
晶分子の自発分極２４が安定となってしまう。そのため
Ｃダイレクター２５が片方に安定化され、双安定性が得
られなくなってしまい、片メモリー性となってしまう。
２１上に偏在したイオン２２による電界２３の方向に液
晶分子の自発分極２４が安定となってしまう。そのため
Ｃダイレクター２５が片方に安定化され、双安定性が得
られなくなってしまい、片メモリー性となってしまう。
【００１０】
【実施例】以下、実施例１について説明する。実際に用
いた液晶素子の構成としてガラス基板に透明導電性膜
（インジウム−スズ酸化物：ＩＴＯ膜）が製膜されてい
るものを用いた。
いた液晶素子の構成としてガラス基板に透明導電性膜
（インジウム−スズ酸化物：ＩＴＯ膜）が製膜されてい
るものを用いた。
【００１１】ＩＴＯ膜上に日産化学（株）製ポリイミド
ＳＥ４１１０を印刷方式で塗布した。硬化温度は２２０
℃１時間クリーンオーブンで行った。ポリイミド膜の膜
厚は約１０００Åとなるように印刷した。
ＳＥ４１１０を印刷方式で塗布した。硬化温度は２２０
℃１時間クリーンオーブンで行った。ポリイミド膜の膜
厚は約１０００Åとなるように印刷した。
【００１２】上下基板をＴＮ（左回り９０度ねじれ）と
なるようにラビング処理を施した。片方の基板に積水フ
ァインケミカル（株）製ミクロパール（平均粒子径６μ
ｍ）を均一に散布した。
なるようにラビング処理を施した。片方の基板に積水フ
ァインケミカル（株）製ミクロパール（平均粒子径６μ
ｍ）を均一に散布した。
【００１３】もう片方の基板にはエポキシ系接着剤をス
クリーン印刷することによってシール部を作製した。そ
の後、それぞれの基板を貼合わせて約１Kg/cm2の圧力で
均一に加圧したまま、１６０℃で１時間加熱硬化した。
クリーン印刷することによってシール部を作製した。そ
の後、それぞれの基板を貼合わせて約１Kg/cm2の圧力で
均一に加圧したまま、１６０℃で１時間加熱硬化した。
【００１４】硬化した後、メルク（株）製液晶材料ＺＬ
Ｉ２２９３にメルク（株）製カイラル剤Ｓ８１１をピッ
チが１００μｍとなるように添加し、加熱混合した。上
記の液晶材料を通常の真空注入法で注入し、エポキシ系
接着剤にて封孔した。封孔した後に注入ムラ等の影響を
和らげるために１２０℃で１２時間アニールを行った。
Ｉ２２９３にメルク（株）製カイラル剤Ｓ８１１をピッ
チが１００μｍとなるように添加し、加熱混合した。上
記の液晶材料を通常の真空注入法で注入し、エポキシ系
接着剤にて封孔した。封孔した後に注入ムラ等の影響を
和らげるために１２０℃で１２時間アニールを行った。
【００１５】このように作製した液晶パネルに５０Ｖ、
１０Ｈｚの電圧を、５秒間印加した。この後、通常の実
駆動条件に近い６０Ｈｚの電圧を徐々に印加しながら電
気光学変化を観察すると、低周波高電圧を印加する前に
は見られなかったラビング傷や配向膜ムラが強調されて
観察された。
１０Ｈｚの電圧を、５秒間印加した。この後、通常の実
駆動条件に近い６０Ｈｚの電圧を徐々に印加しながら電
気光学変化を観察すると、低周波高電圧を印加する前に
は見られなかったラビング傷や配向膜ムラが強調されて
観察された。
【００１６】このパネルをもう一度、１２０℃１時間ア
ニールするともとの均一な表示が得られた。またアニー
ルの温度が１００℃、９０℃、８０℃、７０℃、６０℃
でも効果は得られたが、低温になるほど長いアニール時
間が必要になる傾向が得られた。
ニールするともとの均一な表示が得られた。またアニー
ルの温度が１００℃、９０℃、８０℃、７０℃、６０℃
でも効果は得られたが、低温になるほど長いアニール時
間が必要になる傾向が得られた。
【００１７】また前述の低周波高電圧を印加したパネル
に６０Ｖ、５ＫＨｚの高周波電界を６０秒印加しても同
様に均一な表示が得られた。高周波電界については５０
Ｖ，４０Ｖ，３０Ｖ，２０Ｖでも同様な結果が得られた
が、印刷時間が長くなる傾向が見られた。 （実施例２）以下、本発明の実施例２について説明す
る。
に６０Ｖ、５ＫＨｚの高周波電界を６０秒印加しても同
様に均一な表示が得られた。高周波電界については５０
Ｖ，４０Ｖ，３０Ｖ，２０Ｖでも同様な結果が得られた
が、印刷時間が長くなる傾向が見られた。 （実施例２）以下、本発明の実施例２について説明す
る。
【００１８】実施例１と同様のパネル構成で２４０度ね
じれのスーパーツイステッドネマティック液晶セル（Ｓ
ＴＮセル）を作製した。用いた配向膜は日産化学（株）
製ＳＥ４１１０を用いた。硬化温度は２００℃で１時
間、膜厚は約１０００Åとなるようにした。液晶材料は
メルク（株）製ＺＬＩ２２９３を用いた。セル厚はミク
ロパール平均粒子径６μｍを散布して約６．３μｍとし
た。
じれのスーパーツイステッドネマティック液晶セル（Ｓ
ＴＮセル）を作製した。用いた配向膜は日産化学（株）
製ＳＥ４１１０を用いた。硬化温度は２００℃で１時
間、膜厚は約１０００Åとなるようにした。液晶材料は
メルク（株）製ＺＬＩ２２９３を用いた。セル厚はミク
ロパール平均粒子径６μｍを散布して約６．３μｍとし
た。
【００１９】添加したカイラル剤はメルク（株）製Ｒ８
１１であり、ピッチは１１μｍとなるように添加し、ラ
ビング構成は右回りとなるようにした。液晶を注入し、
封孔した後に注入ムラ等の影響を和らげるために１２０
℃で１２時間アニールを行った。
１１であり、ピッチは１１μｍとなるように添加し、ラ
ビング構成は右回りとなるようにした。液晶を注入し、
封孔した後に注入ムラ等の影響を和らげるために１２０
℃で１２時間アニールを行った。
【００２０】このように作製した液晶パネルに５０Ｖ、
１０Ｈｚの電圧を、５秒間印加した。この後、通常の実
駆動条件に近い６０Ｈｚの電圧を徐々に印加しながら電
気光学変化を観察すると低周波高電圧を印加する前には
見られなかったラビング傷や配向膜ムラが強調されて観
察された。
１０Ｈｚの電圧を、５秒間印加した。この後、通常の実
駆動条件に近い６０Ｈｚの電圧を徐々に印加しながら電
気光学変化を観察すると低周波高電圧を印加する前には
見られなかったラビング傷や配向膜ムラが強調されて観
察された。
【００２１】このパネルをもう一度、１２０℃１時間ア
ニールすると、もとの均一な表示が得られた。またアニ
ール温度が１００℃、９０℃、８０℃、７０℃、６０℃
でも効果は得られたが、低温になるほど長いアニール時
間が必要になる傾向が得られた。
ニールすると、もとの均一な表示が得られた。またアニ
ール温度が１００℃、９０℃、８０℃、７０℃、６０℃
でも効果は得られたが、低温になるほど長いアニール時
間が必要になる傾向が得られた。
【００２２】また前述の低周波高電圧を印加したパネル
に６０Ｖ、５ＫＨｚの高周波電界を６０秒印加しても同
様に均一な表示が得られた。 （実施例３）以下、実施例３について説明する。
に６０Ｖ、５ＫＨｚの高周波電界を６０秒印加しても同
様に均一な表示が得られた。 （実施例３）以下、実施例３について説明する。
【００２３】透明電極付きガラス基板をアルカリ系洗剤
によって通常の方法で洗浄、乾燥し、次にこの基板上に
配向膜としてエーテル系シランカプラーＸ６４１−１２
（信越シリコーン（株））の０．１ｗｔ％エタノール溶
液を用いスピンナー方式によって２０００ｒｐｍ１５秒
の条件で塗布し、１５０℃１時間乾燥した。
によって通常の方法で洗浄、乾燥し、次にこの基板上に
配向膜としてエーテル系シランカプラーＸ６４１−１２
（信越シリコーン（株））の０．１ｗｔ％エタノール溶
液を用いスピンナー方式によって２０００ｒｐｍ１５秒
の条件で塗布し、１５０℃１時間乾燥した。
【００２４】この後、通常の回転式ラビング装置（飯沼
ゲージ（株）製液晶セルラビング装置）で２枚のラビン
グすることで配向能をもたせた。このとき配向は２枚の
基板間で反平行の方向になるように基板をラビングし
た。
ゲージ（株）製液晶セルラビング装置）で２枚のラビン
グすることで配向能をもたせた。このとき配向は２枚の
基板間で反平行の方向になるように基板をラビングし
た。
【００２５】この後、２枚の基板を貼合わせることで液
晶パネルを作製した。このときシール樹脂として三井東
圧（株）製ストラクトボンドをスクリーン印刷し、セル
ギャップ調整材としてセルに応じて積水ファインケミカ
ル（株）製ミクローパールを均一に散布することにより
所望のセル厚を得た。
晶パネルを作製した。このときシール樹脂として三井東
圧（株）製ストラクトボンドをスクリーン印刷し、セル
ギャップ調整材としてセルに応じて積水ファインケミカ
ル（株）製ミクローパールを均一に散布することにより
所望のセル厚を得た。
【００２６】セル厚は２μｍとした。液晶材料はチッソ
（株）製強誘電性液晶ＣＳ１０１３を用いて真空注入法
によって封入した。液晶を注入し、封孔した後に注入ム
ラ等の影響を和らげるために１００℃で８時間アニール
を行った。
（株）製強誘電性液晶ＣＳ１０１３を用いて真空注入法
によって封入した。液晶を注入し、封孔した後に注入ム
ラ等の影響を和らげるために１００℃で８時間アニール
を行った。
【００２７】このように作成した強誘電性液晶パネルは
良好な配向を示し、メモリー特性も良好であった。この
ように作製した強誘電性液晶パネルにショート検査用と
して４０Ｖ、１０Ｈｚの電圧を、５秒間印加した。この
後、通常のパルス電界によってメモリー性を観察したと
ころメモリー性は発現せず、双安定ではなく片安定性と
なっていた。
良好な配向を示し、メモリー特性も良好であった。この
ように作製した強誘電性液晶パネルにショート検査用と
して４０Ｖ、１０Ｈｚの電圧を、５秒間印加した。この
後、通常のパルス電界によってメモリー性を観察したと
ころメモリー性は発現せず、双安定ではなく片安定性と
なっていた。
【００２８】このパネルを１００℃でアニールしたとこ
ろまたメモリー性は発現した。また、この片安定パネル
に高周波電界である３０Ｖ、１ＫＨｚの電界を印加して
もメモリー性は発現するようになった。
ろまたメモリー性は発現した。また、この片安定パネル
に高周波電界である３０Ｖ、１ＫＨｚの電界を印加して
もメモリー性は発現するようになった。
【００２９】
【発明の効果】前記説明より明らかなように、本発明は
液晶パネルに上下ショート等の検査に高電界または低周
波電界を印加した後に温度アニール、あるいは高周波電
界を印加することで高電界、低周波電界で損なわれた表
示品位を均一にするという効果を有するものである。
液晶パネルに上下ショート等の検査に高電界または低周
波電界を印加した後に温度アニール、あるいは高周波電
界を印加することで高電界、低周波電界で損なわれた表
示品位を均一にするという効果を有するものである。
【図１】本発明の液晶パネル製造法の工程における作用
を示す模式図
を示す模式図
【図２】本発明の強誘電性液晶における作用を示す模式
図
図
１１ 液晶パネル １２ イオン １３ 配向膜 １４ オーバーコート １５ 配向膜厚の異なる部分
Claims (8)
- 【請求項１】 液晶パネルに低周波電界または高電界を
印加した後、前記液晶パネルを加温アニールすることを
特徴とする液晶パネルの製造法。 - 【請求項２】 液晶パネルに低周波電界または高電界を
印加した後、前記液晶パネルに高周波かつ高電界を印加
することを特徴とする液晶パネルの製造法。 - 【請求項３】 低周波電界または高電界が液晶パネルの
使用時の駆動電圧波形よりも高く、かつ低い周波数であ
ることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶パネ
ルの製造法。 - 【請求項４】 液晶パネルのアニール温度が実使用温度
よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネ
ルの製造法。 - 【請求項５】 液晶パネルのアニール温度が等方性液体
になる温度であることを特徴とする請求項１または４に
記載の液晶パネルの製造法。 - 【請求項６】 液晶パネルに用いる液晶がネマチック液
晶であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５の
いずれかに記載の液晶パネルの製造法。 - 【請求項７】 液晶パネルに用いる液晶が強誘電性液晶
であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５のい
ずれかに記載の液晶パネルの製造法。 - 【請求項８】 液晶パネルのアニール温度がネマチック
相であることを特徴とする請求項７記載の液晶パネルの
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08902693A JP3244563B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | ネマチック液晶パネルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08902693A JP3244563B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | ネマチック液晶パネルの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06300997A true JPH06300997A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3244563B2 JP3244563B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=13959406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08902693A Expired - Fee Related JP3244563B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | ネマチック液晶パネルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244563B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006078489A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Korea Electronics Telecommun | ディスプレイパネルの画像及び寿命測定装置 |
-
1993
- 1993-04-16 JP JP08902693A patent/JP3244563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006078489A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Korea Electronics Telecommun | ディスプレイパネルの画像及び寿命測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3244563B2 (ja) | 2002-01-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |