JPH06293999A - 不溶性酸化イリジウム被覆電極 - Google Patents
不溶性酸化イリジウム被覆電極Info
- Publication number
- JPH06293999A JPH06293999A JP10490193A JP10490193A JPH06293999A JP H06293999 A JPH06293999 A JP H06293999A JP 10490193 A JP10490193 A JP 10490193A JP 10490193 A JP10490193 A JP 10490193A JP H06293999 A JPH06293999 A JP H06293999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- iridium
- iridium oxide
- electrode
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、チタン金属もしくはチタン金属層
を設けた基材表面上に、金属イリジウム層、酸化イリジ
ウム層を被覆することにより、チタン基材の酸化を防止
する酸化イリジウム不溶性電極を供給することを目的と
する。 【構成】 チタン金属を用いた基材表面上あるいはチタ
ン金属層を設けた基材表面上に、イリジウム層、さらに
その上に酸化イリジウム層が被覆され、このイリジウム
層と酸化イリジウム層とを交互に被覆して最表面層を酸
化イリジウム層として、各層の厚みが２０μｍ以下であ
り、酸化イリジウム層全体は全膜厚の６７〜９９％、イ
リジウム層全体は全膜厚の１〜３３％である不溶性酸化
イリジウム被覆電極である。 【効果】 従来の酸化イリジウム単層膜と比較して長寿
命な酸化イリジウム電極を供給できる。
を設けた基材表面上に、金属イリジウム層、酸化イリジ
ウム層を被覆することにより、チタン基材の酸化を防止
する酸化イリジウム不溶性電極を供給することを目的と
する。 【構成】 チタン金属を用いた基材表面上あるいはチタ
ン金属層を設けた基材表面上に、イリジウム層、さらに
その上に酸化イリジウム層が被覆され、このイリジウム
層と酸化イリジウム層とを交互に被覆して最表面層を酸
化イリジウム層として、各層の厚みが２０μｍ以下であ
り、酸化イリジウム層全体は全膜厚の６７〜９９％、イ
リジウム層全体は全膜厚の１〜３３％である不溶性酸化
イリジウム被覆電極である。 【効果】 従来の酸化イリジウム単層膜と比較して長寿
命な酸化イリジウム電極を供給できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電気めっきなどに使
用する不溶性電極に関するものである。
用する不溶性電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に金属材の電気めっきに際しては、
不溶性電極を使用し、陰極たる被めっき材の表面に、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどの金属を析出すること
が行われている。
不溶性電極を使用し、陰極たる被めっき材の表面に、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどの金属を析出すること
が行われている。
【０００３】また金属の電気精錬に際し、精錬浴中にて
不溶性電極を使用し、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｕなどの金属を析
出することが行われている。
不溶性電極を使用し、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｕなどの金属を析
出することが行われている。
【０００４】これらの不溶性電極として、最も一般的に
使用されているものとして、ＰｂもしくはＰｂ系合金が
あげられる。
使用されているものとして、ＰｂもしくはＰｂ系合金が
あげられる。
【０００５】この電極は、電気めっき浴、電気精錬浴、
特に硫酸溶液中では、通電処理時その表面にＰｂＯ2が
生成する。
特に硫酸溶液中では、通電処理時その表面にＰｂＯ2が
生成する。
【０００６】このＰｂＯ2は、不溶性電極の機能を発揮
しているが、生成したＰｂＯ2と基材のＰｂとの付着力
が弱く、電解溶液中に混入し、めっき不良、あるいは精
錬金属へ不溶物として混入し純度の低下を生じてしま
う。
しているが、生成したＰｂＯ2と基材のＰｂとの付着力
が弱く、電解溶液中に混入し、めっき不良、あるいは精
錬金属へ不溶物として混入し純度の低下を生じてしま
う。
【０００７】そこでその対策として、電気めっき浴、電
気精錬浴、特に硫酸溶液中で最も電気化学的に安定であ
る白金族酸化物である酸化イリジウムを、基材のバルブ
金属（Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ等、不働態皮膜を形成し、耐食
性が優れ、破壊電圧の高い性質を持つ金属）の表面に被
覆した電極が、特公昭４８―３９５４号公報に開示され
ている。
気精錬浴、特に硫酸溶液中で最も電気化学的に安定であ
る白金族酸化物である酸化イリジウムを、基材のバルブ
金属（Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ等、不働態皮膜を形成し、耐食
性が優れ、破壊電圧の高い性質を持つ金属）の表面に被
覆した電極が、特公昭４８―３９５４号公報に開示され
ている。
【０００８】さらに基材の金属の酸化抑制、あるいは密
着性を向上させるために中間層にＴａ2Ｏ5等を添加した
酸化イリジウムの皮膜を設け、その上に酸化イリジウム
層を形成した不溶性電極を使用する方法が、特公昭４６
―２１８８４号公報、特開昭６３―２３５４９３号公報
に記載されている。
着性を向上させるために中間層にＴａ2Ｏ5等を添加した
酸化イリジウムの皮膜を設け、その上に酸化イリジウム
層を形成した不溶性電極を使用する方法が、特公昭４６
―２１８８４号公報、特開昭６３―２３５４９３号公報
に記載されている。
【０００９】これらの公報に開示されている塗布焼き付
け法による酸化イリジウム不溶性電極は、低電流密度
（〜１０ＯＡ／ｄｍ2）では長時間の使用が可能である
が、高電流密度下、特に硫酸溶液中２００Ａ／ｄｍ2で
通電すると、３０００〜４０００時間で急激な電圧上昇
が起こり電極が使用不可能となる。
け法による酸化イリジウム不溶性電極は、低電流密度
（〜１０ＯＡ／ｄｍ2）では長時間の使用が可能である
が、高電流密度下、特に硫酸溶液中２００Ａ／ｄｍ2で
通電すると、３０００〜４０００時間で急激な電圧上昇
が起こり電極が使用不可能となる。
【００１０】この理由は、塗布焼き付け法の酸化イリジ
ウム皮膜の場合、成膜時に大気中で処理するため気孔が
多数あり、また電極として使用する場合、長時間の通電
によりジュール熱によって電極の温度が上昇し、基材金
属と酸化イリジウム層との熱膨張差によって亀甲状クラ
ックも多数発生する。
ウム皮膜の場合、成膜時に大気中で処理するため気孔が
多数あり、また電極として使用する場合、長時間の通電
によりジュール熱によって電極の温度が上昇し、基材金
属と酸化イリジウム層との熱膨張差によって亀甲状クラ
ックも多数発生する。
【００１１】この気孔とクラックが原因となり基材金属
への直接通電が起こり、基材金属の腐食、あるいは基材
金属表面に絶縁性酸化物皮膜が増加することによって、
結果として電圧上昇を引き起こし、電極としての機能を
失ってしまう。
への直接通電が起こり、基材金属の腐食、あるいは基材
金属表面に絶縁性酸化物皮膜が増加することによって、
結果として電圧上昇を引き起こし、電極としての機能を
失ってしまう。
【００１２】電極機能を長時間にわたり維持するために
は、気孔、クラックのない均質皮膜を作製することが必
要である。
は、気孔、クラックのない均質皮膜を作製することが必
要である。
【００１３】従来特公昭４６―２１８８４号公報、日本
写真学会誌［Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１，ｐ．３（１９８
８）］にイリジウム金属をスパッタリングするとともに
基板近傍で酸化させる反応性スパッタ法及び反応性蒸着
法が開示されている。
写真学会誌［Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１，ｐ．３（１９８
８）］にイリジウム金属をスパッタリングするとともに
基板近傍で酸化させる反応性スパッタ法及び反応性蒸着
法が開示されている。
【００１４】しかし、この方法で得られた酸化イリジウ
ム皮膜を設けた不溶性電極は、硫酸溶液中で１００Ａ／
ｄｍ2の低電流密度での通電により短時間で電圧上昇に
より通電できなくなってしまう。
ム皮膜を設けた不溶性電極は、硫酸溶液中で１００Ａ／
ｄｍ2の低電流密度での通電により短時間で電圧上昇に
より通電できなくなってしまう。
【００１５】この理由としては、前記のスパッタリング
法及び蒸着法によって形成される酸化イリジウム皮膜
は、厚膜化（０．１μｍ以上）した場合に剥離しやす
く、また厚膜を成膜しようとすると時間がかかるなど工
程上の困難のため、作製できる最適膜厚が１００〜１０
００Åと非常に薄いものである。
法及び蒸着法によって形成される酸化イリジウム皮膜
は、厚膜化（０．１μｍ以上）した場合に剥離しやす
く、また厚膜を成膜しようとすると時間がかかるなど工
程上の困難のため、作製できる最適膜厚が１００〜１０
００Åと非常に薄いものである。
【００１６】そして酸化イリジウム皮膜が薄いため、僅
かなピンホールなどの欠陥が存在することにより、その
欠陥部から基材金属が酸化され、電圧上昇により通電で
きなくなるものと考えられる。
かなピンホールなどの欠陥が存在することにより、その
欠陥部から基材金属が酸化され、電圧上昇により通電で
きなくなるものと考えられる。
【００１７】このため、特願平４―１８３９５号報にあ
るように高級密質で均質な皮膜を生成できるイオンプレ
ーティング法を用いて成膜が行われている。
るように高級密質で均質な皮膜を生成できるイオンプレ
ーティング法を用いて成膜が行われている。
【００１８】また、製造過程においてイオンプレーティ
ング法の場合、酸素雰囲気中で被覆を行うため初期段階
で基材であるチタン金属が酸化され、僅かではあるが絶
縁層である酸化チタンを形成し、電極全体の抵抗を上げ
ることにより、電極としての特性が劣ってしまうことも
あった。
ング法の場合、酸素雰囲気中で被覆を行うため初期段階
で基材であるチタン金属が酸化され、僅かではあるが絶
縁層である酸化チタンを形成し、電極全体の抵抗を上げ
ることにより、電極としての特性が劣ってしまうことも
あった。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、チタン基板
の表面にイオンプレーティング法により酸化イリジウム
を形成させるに際し、チタン基材の酸化を防止し、電極
としての寿命を向上させることが目的である。
の表面にイオンプレーティング法により酸化イリジウム
を形成させるに際し、チタン基材の酸化を防止し、電極
としての寿命を向上させることが目的である。
【００２０】
【課題を解決するための手段】チタン金属基材表面上ま
たはチタン金属層を設けた金属基材表面上に、イリジウ
ムの金属層、その上に酸化イリジウムのセラミック層が
被覆され、このイリジウム層と酸化イリジウム層とを交
互に被覆して最表面層を酸化イリジウム層とし、各被覆
層の厚みが２０ミクロン以下であることを特徴とする酸
化イリジウム被覆電極である。
たはチタン金属層を設けた金属基材表面上に、イリジウ
ムの金属層、その上に酸化イリジウムのセラミック層が
被覆され、このイリジウム層と酸化イリジウム層とを交
互に被覆して最表面層を酸化イリジウム層とし、各被覆
層の厚みが２０ミクロン以下であることを特徴とする酸
化イリジウム被覆電極である。
【００２１】そして、酸化イリジウム層全体が全膜厚の
６７〜９９％、イリジウム金属層全体が全膜厚の１〜３
３％である不溶性酸化イリジウム被覆電極である。
６７〜９９％、イリジウム金属層全体が全膜厚の１〜３
３％である不溶性酸化イリジウム被覆電極である。
【００２２】本発明は、イオンプレーティング法で酸化
イリジウムを被覆する場合、電極基材であるバルブ金属
を酸化させないために酸化イリジウム皮膜を直接被覆し
ないで金属イリジウム層を設けたことが特徴である。
イリジウムを被覆する場合、電極基材であるバルブ金属
を酸化させないために酸化イリジウム皮膜を直接被覆し
ないで金属イリジウム層を設けたことが特徴である。
【００２３】被覆方法として、従来の塗布焼き付け法で
は皮膜が緻密にならず、またスパッタ法においては短時
間で膜厚を厚くすることは困難である。よってイオンプ
レーティング法を用いるのである。
は皮膜が緻密にならず、またスパッタ法においては短時
間で膜厚を厚くすることは困難である。よってイオンプ
レーティング法を用いるのである。
【００２４】ところがイオンプレーティング法で酸化イ
リジウムを成膜する場合、酸素雰囲気中で金属イリジウ
ムを溶解させ酸化イリジウムを生成させるので、基材表
面が僅かではあるが酸化されてしまうことがある。
リジウムを成膜する場合、酸素雰囲気中で金属イリジウ
ムを溶解させ酸化イリジウムを生成させるので、基材表
面が僅かではあるが酸化されてしまうことがある。
【００２５】このことにより、皮膜と基材の界面に酸化
チタンができ通電を妨げてしまう。そこで、本発明は基
材表面にイリジウム層を設けた。このことにより基材表
面の酸化を防ぐことになった。
チタンができ通電を妨げてしまう。そこで、本発明は基
材表面にイリジウム層を設けた。このことにより基材表
面の酸化を防ぐことになった。
【００２６】この金属イリジウム層を設けた理由は次の
通りである。イオンプレーティング法で電極基材である
チタン金属を直上に金属イリジウムを被覆するときは、
真空中で被覆するのでチタン金属が酸化されることはな
い。
通りである。イオンプレーティング法で電極基材である
チタン金属を直上に金属イリジウムを被覆するときは、
真空中で被覆するのでチタン金属が酸化されることはな
い。
【００２７】そしてその基材表面上に酸化イリジウムを
被覆すると、イリジウムが酸化される可能性はあるが、
酸化したとしても酸化イリジウムになるので問題はな
い。
被覆すると、イリジウムが酸化される可能性はあるが、
酸化したとしても酸化イリジウムになるので問題はな
い。
【００２８】また、抵抗率を考えると電極基材であるチ
タンの場合、チタンは４２〜４７μΩ・ｃｍで、そのチ
タンが酸化した場合の酸化チタンは１０13Ω・ｃｍ以上
で電極全体の抵抗を上げるという問題があり、また金属
イリジウムは５μΩ・ｃｍであるので問題はない。
タンの場合、チタンは４２〜４７μΩ・ｃｍで、そのチ
タンが酸化した場合の酸化チタンは１０13Ω・ｃｍ以上
で電極全体の抵抗を上げるという問題があり、また金属
イリジウムは５μΩ・ｃｍであるので問題はない。
【００２９】そこでチタン基材表面に真空中でイリジウ
ムを被覆し、その上に酸化イリジウムを被覆することと
した。
ムを被覆し、その上に酸化イリジウムを被覆することと
した。
【００３０】このことにより従来のイオンプレーティン
グ法による酸化イリジウム単層膜と比較して皮膜の抵抗
を劣化させないので電極として良好になった。
グ法による酸化イリジウム単層膜と比較して皮膜の抵抗
を劣化させないので電極として良好になった。
【００３１】また、上記の方法を用いて更に電極として
の寿命の向上をはかるために基材と皮膜の密着力を向上
させることとした。
の寿命の向上をはかるために基材と皮膜の密着力を向上
させることとした。
【００３２】この理由として酸化イリジウム単層の場合
では、基材と皮膜の密着力が弱く、時には通電中に皮膜
が剥離することがあるからである。
では、基材と皮膜の密着力が弱く、時には通電中に皮膜
が剥離することがあるからである。
【００３３】そこで、成膜時に表面の皮膜と基材の密着
力を向上させる手段として皮膜全体の内部応力の緩和を
考慮したことも特徴である。
力を向上させる手段として皮膜全体の内部応力の緩和を
考慮したことも特徴である。
【００３４】イオンプレーティング法により酸化イリジ
ウム皮膜を成膜する場合、酸化イリジウムは圧縮応力
に、また、金属イリジウムは引っ張り応力を生ずること
が本発明者らの研究の結果判明した。
ウム皮膜を成膜する場合、酸化イリジウムは圧縮応力
に、また、金属イリジウムは引っ張り応力を生ずること
が本発明者らの研究の結果判明した。
【００３５】また酸化イリジウム単層膜、イリジウム／
酸化イリジウム二層膜、酸化イリジウム／イリジウム／
酸化イリジウム三層膜、イリジウム／酸化イリジウム／
イリジウム／酸化イリジウム四層膜の膜全体の内部応力
を比較したところ、多層膜になるほど、内部応力は圧縮
応力であるが最も緩和される傾向にあり、かつ基材の密
着力が向上することがわかった。
酸化イリジウム二層膜、酸化イリジウム／イリジウム／
酸化イリジウム三層膜、イリジウム／酸化イリジウム／
イリジウム／酸化イリジウム四層膜の膜全体の内部応力
を比較したところ、多層膜になるほど、内部応力は圧縮
応力であるが最も緩和される傾向にあり、かつ基材の密
着力が向上することがわかった。
【００３６】そこで、基材表面に、引っ張り／圧縮／引
っ張り／圧縮の順番に応力を分布させ全皮膜の内部応力
を緩和をさせ、密着力を向上させた。
っ張り／圧縮の順番に応力を分布させ全皮膜の内部応力
を緩和をさせ、密着力を向上させた。
【００３７】そこで皮膜として、チタン基材表面にイリ
ジウム層／酸化イリジウム層の順に各層を形成するコー
ティング皮膜にした。
ジウム層／酸化イリジウム層の順に各層を形成するコー
ティング皮膜にした。
【００３８】この皮膜はイオンプレーティング法により
成膜されるが、各被覆層の皮膜の厚さは２０μｍ以下で
あり、各層の厚さは酸化イリジウム各層膜厚を全膜厚の
２０〜９９％にし、金属イリジウム各層は全膜厚の１〜
３３％にする。
成膜されるが、各被覆層の皮膜の厚さは２０μｍ以下で
あり、各層の厚さは酸化イリジウム各層膜厚を全膜厚の
２０〜９９％にし、金属イリジウム各層は全膜厚の１〜
３３％にする。
【００３９】この理由として各被覆層の膜厚を２０μｍ
以下としたのは、それを超えた場合イオンプレーティン
グ法によって成膜された皮膜は組織が柱状晶になり脆く
なるからである。
以下としたのは、それを超えた場合イオンプレーティン
グ法によって成膜された皮膜は組織が柱状晶になり脆く
なるからである。
【００４０】酸化イリジウム層は全膜厚の２０％未満で
あると金属イリジウム層の影響を受け電極機能に問題が
生じるからである。
あると金属イリジウム層の影響を受け電極機能に問題が
生じるからである。
【００４１】この理由として耐酸性は酸化イリジウムの
方が金属イリジウムより優れているからである。
方が金属イリジウムより優れているからである。
【００４２】また９９％超であると膜内部圧縮応力の効
果があるイリジウムの特性を生かせないからであるので
２０〜９９％にする必要がある。
果があるイリジウムの特性を生かせないからであるので
２０〜９９％にする必要がある。
【００４３】金属イリジウム層であるが、全膜厚の１％
未満にすると内部応力緩和の効果がなくなり、イリジウ
ムの方が酸化イリジウムより耐酸性が弱いためにイリジ
ウム層を３３％超にすると電極機能に支障をきたすこと
もあるからである。
未満にすると内部応力緩和の効果がなくなり、イリジウ
ムの方が酸化イリジウムより耐酸性が弱いためにイリジ
ウム層を３３％超にすると電極機能に支障をきたすこと
もあるからである。
【００４４】以上のようにイリジウム層を挿入して２層
構造、４層構造にする利点を挙げたが、この方法を利用
して６層以上に多層化させると各層の組織が柱状晶にな
らないため、皮膜が脆くならずまた内部応力も低下され
更に密着力が向上するので厚膜化が容易に行える。
構造、４層構造にする利点を挙げたが、この方法を利用
して６層以上に多層化させると各層の組織が柱状晶にな
らないため、皮膜が脆くならずまた内部応力も低下され
更に密着力が向上するので厚膜化が容易に行える。
【００４５】また、製造方法は酸素雰囲気中で酸化イリ
ジウムを成膜させるのであるが、金属イリジウム層は酸
素ガスの供給を停止するだけであるので工程としても何
等設備を変更する必要がないのである。
ジウムを成膜させるのであるが、金属イリジウム層は酸
素ガスの供給を停止するだけであるので工程としても何
等設備を変更する必要がないのである。
【００４６】また、基材としてチタン金属を用い処理温
度としてはイリジウムが金属に拡散しない温度、つまり
７００℃以下で成膜するのが最適である。
度としてはイリジウムが金属に拡散しない温度、つまり
７００℃以下で成膜するのが最適である。
【００４７】
【作用】本発明のような皮膜にすることによりイオンプ
レーティング法で酸化イリジウム皮膜を被覆する場合、
電極基材のチタン表面に絶縁物である酸化チタンが生成
しないので、電極としての機能を劣化させることがなく
なる。
レーティング法で酸化イリジウム皮膜を被覆する場合、
電極基材のチタン表面に絶縁物である酸化チタンが生成
しないので、電極としての機能を劣化させることがなく
なる。
【００４８】また酸化イリジウム層は圧縮応力を示し、
イリジウム層は引っ張り応力を示すので皮膜全体の内部
応力が軽減し、基材と皮膜の高密着被覆ができ電極寿命
が向上する。
イリジウム層は引っ張り応力を示すので皮膜全体の内部
応力が軽減し、基材と皮膜の高密着被覆ができ電極寿命
が向上する。
【００４９】
【実施例】本発明の以下実施例により詳細に説明する。
また、不溶性電極の評価方法は以下に説明する方法によ
り行った。
また、不溶性電極の評価方法は以下に説明する方法によ
り行った。
【００５０】評価方法 電極の耐溶性評価は、作成した電極を陽極に用い、陰極
に白金板を使用し、６０℃、５ｗｔ％硫酸溶液中、電気
密度２００Ａ／ｄｍ2で通電腐食試験を行った。
に白金板を使用し、６０℃、５ｗｔ％硫酸溶液中、電気
密度２００Ａ／ｄｍ2で通電腐食試験を行った。
【００５１】これは、電圧初期値２０Ｖからの変化を測
定し、３５Ｖまでの電圧上昇の通電時間により評価し
た。また、作成した電極の皮膜の抵抗率は４端子法を用
い、密着性評価はスクラッチテスターで行った。
定し、３５Ｖまでの電圧上昇の通電時間により評価し
た。また、作成した電極の皮膜の抵抗率は４端子法を用
い、密着性評価はスクラッチテスターで行った。
【００５２】基材 １５０×１０×２ｍｍのＴｉ基材を用い、その表面を蓚
酸で予め洗浄した。
酸で予め洗浄した。
【００５３】試料作成法 基材表面上に、イオンプレーティング法により酸化イリ
ジウム皮膜を成膜した。この成膜法の詳細を以下に記
す。
ジウム皮膜を成膜した。この成膜法の詳細を以下に記
す。
【００５４】
【実施例１（二層構造）】坩堝にイリジウムを挿入し、
電子ビームで溶解して蒸発させ、さらに坩堝直上のイオ
ン化電極により、５０Ｖ・１０Ａの条件でイオン化させ
た。
電子ビームで溶解して蒸発させ、さらに坩堝直上のイオ
ン化電極により、５０Ｖ・１０Ａの条件でイオン化させ
た。
【００５５】そして、チタン基材をイリジウムと対向し
て設置し、バイアス電圧５００Ｖ、成膜速度１０Å／ｓ
ｅｃで真空中においてイリジウム成膜し、そしてその表
面上に酸素雰囲気下８×１０-4Ｔｏｒｒで酸化イリジウ
ム被覆した。なお成膜温度は５００℃にした。
て設置し、バイアス電圧５００Ｖ、成膜速度１０Å／ｓ
ｅｃで真空中においてイリジウム成膜し、そしてその表
面上に酸素雰囲気下８×１０-4Ｔｏｒｒで酸化イリジウ
ム被覆した。なお成膜温度は５００℃にした。
【００５６】
【実施例２（多層構造）】坩堝にイリジウムを挿入し、
電子ビームで溶解して蒸発させ、さらに坩堝直上のイオ
ン化電極により、５０Ｖ・１０Ａの条件でイオン化させ
た。
電子ビームで溶解して蒸発させ、さらに坩堝直上のイオ
ン化電極により、５０Ｖ・１０Ａの条件でイオン化させ
た。
【００５７】そして、チタン基材をイリジウムと対向し
て設置し、バイアス電圧５００Ｖ、成膜速度１０Å／ｓ
ｅｃで真空中でイリジウムを、そしてその表面上に酸素
雰囲気下８×１０-4Ｔｏｒｒで酸化イリジウム被覆し
た。基材からイリジウム・酸化イリジウム・イリジウム
・酸化イリジウムの順番で最表面を酸化イリジウムとし
て被覆した。なお成膜温度は５００℃した。
て設置し、バイアス電圧５００Ｖ、成膜速度１０Å／ｓ
ｅｃで真空中でイリジウムを、そしてその表面上に酸素
雰囲気下８×１０-4Ｔｏｒｒで酸化イリジウム被覆し
た。基材からイリジウム・酸化イリジウム・イリジウム
・酸化イリジウムの順番で最表面を酸化イリジウムとし
て被覆した。なお成膜温度は５００℃した。
【００５８】
【比較例１（酸化イリジウム単層）】坩堝にイリジウム
を挿入し、電子ビームで溶解して蒸発させ、さらに坩堝
直上のイオン化電極により、５０Ｖ・１０Ａの条件でイ
オン化させた。そして、チタン基材をイリジウムと対向
して設置し、バイアス電圧５００Ｖ、成膜速度１０Å／
ｓｅｃで酸化イリジウムを被覆した。なおこのときの酸
素雰囲気は８×１０-4Ｔｏｒｒ、成膜温度を５００℃し
た。
を挿入し、電子ビームで溶解して蒸発させ、さらに坩堝
直上のイオン化電極により、５０Ｖ・１０Ａの条件でイ
オン化させた。そして、チタン基材をイリジウムと対向
して設置し、バイアス電圧５００Ｖ、成膜速度１０Å／
ｓｅｃで酸化イリジウムを被覆した。なおこのときの酸
素雰囲気は８×１０-4Ｔｏｒｒ、成膜温度を５００℃し
た。
【００５９】結果 上記の試験結果を第１表、第２表、第３表に示す。この
結果から比較例は酸化チタンの生成により抵抗率が大き
く、また基材と皮膜の密着性も弱いが、実施例は基材の
酸化が解消され、また４層以上の多層にすることにより
密着力も向上して通電時間が向上した。
結果から比較例は酸化チタンの生成により抵抗率が大き
く、また基材と皮膜の密着性も弱いが、実施例は基材の
酸化が解消され、また４層以上の多層にすることにより
密着力も向上して通電時間が向上した。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】
【表３】
【００６３】
【発明の効果】本発明はイオンプレーティング法で酸化
イリジウムを被覆する場合、従来技術では基材のチタン
の表面が酸化して通電を妨げ電極機能として劣化させた
状況においても、基材表面が酸化することなく、また剥
離して使用できなかった状況においても、剥離すること
無しに過酷な使用状況でも耐え得る酸化イリジウム被覆
電極である。
イリジウムを被覆する場合、従来技術では基材のチタン
の表面が酸化して通電を妨げ電極機能として劣化させた
状況においても、基材表面が酸化することなく、また剥
離して使用できなかった状況においても、剥離すること
無しに過酷な使用状況でも耐え得る酸化イリジウム被覆
電極である。
Claims (2)
- 【請求項１】 チタン金属基材表面上またはチタン金属
層を設けた金属基材表面上に、イリジウムの金属層、そ
の上に酸化イリジウムのセラミック層が被覆され、この
イリジウム層と酸化イリジウム層とを交互に被覆して最
表面層を酸化イリジウム層とし、各被覆層の厚みが２０
ミクロン以下であることを特徴とする不溶性酸化イリジ
ウム被覆電極。 - 【請求項２】 酸化イリジウム層全体が全膜厚の６７〜
９９％、イリジウム金属層全体が全膜厚の１〜３３％で
ある請求項１記載の不溶性酸化イリジウム被覆電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10490193A JPH06293999A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 不溶性酸化イリジウム被覆電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10490193A JPH06293999A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 不溶性酸化イリジウム被覆電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293999A true JPH06293999A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=14393049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10490193A Withdrawn JPH06293999A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 不溶性酸化イリジウム被覆電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06293999A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7101026B2 (en) | 1997-11-25 | 2006-09-05 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and ink jet recorder having a compression film with a compressive stress and removal part incorporated therein |
-
1993
- 1993-04-08 JP JP10490193A patent/JPH06293999A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7101026B2 (en) | 1997-11-25 | 2006-09-05 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and ink jet recorder having a compression film with a compressive stress and removal part incorporated therein |
| US7651201B2 (en) | 1997-11-25 | 2010-01-26 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and ink jet recorder |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0034408B2 (en) | A method of forming an anticorrosive coating on a metal electrode substrate | |
| US9683603B2 (en) | Method for producing sliding member, sliding member, and substrate material of sliding member | |
| KR20060032210A (ko) | 적층형 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
| JP2761751B2 (ja) | 耐久性電解用電極及びその製造方法 | |
| JPH06293999A (ja) | 不溶性酸化イリジウム被覆電極 | |
| JPH07258897A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JPH06293998A (ja) | 不溶性酸化イリジウム被覆電極とその製造方法 | |
| JPH06235097A (ja) | 不溶性酸化イリジウム被覆電極 | |
| JPH06294000A (ja) | 不溶性酸化イリジウム被覆電極 | |
| JPH1161496A (ja) | 不溶性電極およびその製造方法 | |
| JPH0649695A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JPH05209299A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JP2549962B2 (ja) | 酸化イリジウム不溶性電極とその製造方法 | |
| JPH01150000A (ja) | 電気メッキ用不溶性陽極 | |
| JPH0953200A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JP3257872B2 (ja) | 電解用電極基体及びその製造方法 | |
| JPH0681198A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JPH06299396A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JPH0790693A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JP3062062B2 (ja) | 電解用電極及びその製造方法 | |
| US4085013A (en) | Chromium plating process employing manganese dioxide coated anodes | |
| JPH06228783A (ja) | 白金被膜電極及びその製造方法 | |
| JPS5935439B2 (ja) | 電解用不溶性陽極の製造方法 | |
| JPH08246196A (ja) | 不溶性電極及びその製造方法 | |
| JPH04214899A (ja) | 不溶性電極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |