JPH06291935A

JPH06291935A - 完全密着型イメージセンサ

Info

Publication number: JPH06291935A
Application number: JP5077228A
Authority: JP
Inventors: Fujio Okumura; 藤男奥村
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1993-04-02
Filing date: 1993-04-02
Publication date: 1994-10-18
Anticipated expiration: 2014-07-28
Also published as: JP2928043B2

Abstract

(57)【要約】【目的】クロストークを抑えた小型で高解像度の、光ガ
イドを用いる完全密着型イメージセンサを低コストで提
供する。【構成】照明光５を放射するＬＥＤアレイ１と、受光面
内に照明光５を通す少なくとも一つ以上の導光孔を持つ
センサ素子７が形成されたイメージセンサ基板２と、一
方の面から入射した光を他方の面に導くファイバ１２を
アレイ状に束ねたファイバアレイプレート１１とを、照
明光５の放射方向に関してこの順に配置する。ＬＥＤア
レイ１からの照明光５をセンサ素子７に設けた導光孔を
通してファイバ１２に入射させ、ファイバ１２の反対側
の面に送られてくる原稿４の面に導き、原稿４の面で反
射してくる信号光６をファイバ１２によってセンサ素子
７の受光面に導き入射させて、光電変換させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は原稿と等倍の長さを持
ち、原稿にほぼ完全に密着して読み取り動作を行う完全
密着型イメージセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】密着型イメージセンサは、原稿と等倍の
長さを持ち原稿と密着して読み取り動作を行うためＣＣ
Ｄ（電荷結合素子）に比べ光路長が短く、イメージセン
サ自体は大型であるが読み取り装置の小型化が可能であ
るという利点がある。密着型イメージセンサの構成には
数多くあるが、図６にその代表的な構成を示す。図６に
おいて、ＬＥＤアレイ１から出た照明光５で原稿４を照
明し、反射した信号光６をロッドレンズアレイ３で集光
して、原稿４と等倍のサイズを持つイメージセンサ基板
２上のセンサ素子（図示せず）面に原稿の像を結像させ
これを読み取る構造となっている。密着型といってもロ
ッドレンズを使うため、図中Ａで示す距離（通常、１０
〜２０ｍｍ）が必要である。

【０００３】なお、イメージセンサ基板２上にはセンサ
素子のほかに、通常、これをスイッチングする薄膜トラ
ンジスタやダイオード等のスイッチング素子及びこれを
駆動する駆動回路や配線等が含まれているが、以下の説
明においては、主として、本発明の特徴部分であるセン
サ素子の部分を中心にして説明する。また、１次元およ
び２次元のイメージセンサにおいては、センサ素子の両
端はそれぞれ、これらスイッチング素子か電源あるいは
検出回路等に接続されており、スイッチング素子に接続
される側を個別電極と呼び、もう一方は全ての素子に対
して共通となっていることから共通電極と呼んでいる。
本明細書でもその呼称で統一する。

【０００４】近年、図６に示す構成でロッドレンズアレ
イ３を省略し、低コスト化と小型化を実現した完全密着
型イメージセンサが実用化されてきている。完全密着型
イメージセンサにもいくつか種類があるが、図７にその
一例の斜視図を示す。

【０００５】図７は、５０μｍ程度の非常に薄いガラス
をイメージセンサ面に貼りつけ、このガラスを原稿に密
着させ、しかもセンサ素子に穴を開けてここから照明光
を導入する構成のものである。このようなイメージセン
サは、例えば、特開昭５９−４８９５４号公報や特開昭
５９−８１９６８号公報に開示されている。図７におい
て、ＬＥＤアレイ１から出た照明光５はイメージセンサ
基板２，センサ素子７の窓および厚さ約５０μｍの薄膜
ガラス９を通過して原稿４に当たり、原稿４で反射した
信号光６が最も近い位置にあるセンサ素子７に入る。な
お、イメージセンサ基板２と薄膜ガラス９とは接着層８
で固着されている。原稿４はこれをイメージセンサ基板
２に搬送するためのローラ１０によって基板２に密着し
ている。この例の場合、イメージセンサ全体としての高
さは、ＬＥＤアレイ１と原稿４との距離Ａになり、ロッ
ドレンズの場合のＡ＝１０ｍｍに対して、Ａ＝５ｍｍ程
度にまで短縮されている。

【０００６】次に、図８は、ファイバアレイプレートと
呼ばれる特殊なガラスを用いたものである。ＬＥＤアレ
イ１から出た照明光５は斜めに入射され、ファイバアレ
イプレート１１の一部を通過して原稿４を照明する。原
稿４で反射された光は信号光６としてファイバ１２中を
全反射によって進行し、センサ素子７に入りここで読み
取られる。なお、２はイメージセンサ基板、８はイメー
ジセンサ基板２とファイバアレイプレート１１との接着
層、１０は原稿をイメージセンサに密着させ搬送するた
めのローラを示している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】まず、図７に示した、
薄膜ガラスを用いる構造の完全密着型イメージセンサの
問題点について説明する。このイメージセンサで重要な
ポイントは薄膜ガラス９である。薄膜ガラス９の厚さは
解像度に大きな影響を与え、現在一般的な８本／ｍｍ程
度の解像度の場合５０μｍ以下であることが望ましい。
しかし、５０μｍという厚さはガラスの取り扱いを非常
に困難にしており、歩留りを低下させる一因となってい
る。しかも、現在でも解像度が更に高い１６本／ｍｍと
いうイメージセンサが存在しており、ファクシミリのＧ
４規格の普及に伴ってこの解像度が一般化していくもの
と思われる。ところがこれに対応してガラスを更に薄膜
化することは上記理由から困難である。従って、この技
術は低解像度に限られてしまうという欠点を持ってい
る。

【０００８】ガラスが薄いということは、イメージセン
サの寿命にも影響を与えている。上述したように、原稿
４とセンサ素子７との距離は５０μｍ以下に保たれなけ
ればならないので、いわゆる原稿の浮きが許されない。
このため、ローラ１０の押しつけ圧力を高くしておく必
要がある。押しつけ圧力を強くすれば当然摩擦が大きく
なりイメージセンサを傷つけやすくなる。更に、この型
のイメージセンサの場合、静電気を防止するために薄膜
ガラス９に透明導電膜の層を形成することがあるが、こ
れら摩擦によって剥がれてしまうという問題も起こる。

【０００９】また、このイメージセンサのもう一つの欠
点は、イメージセンサ基板の幅Ｂを広くとらなければな
らないことである。図７において、原稿４をイメージセ
ンサに密着させるためには、ローラ１０が原稿４を巻き
こむためにイメージセンサ基板の幅Ｂを５ｍｍ程度以上
にしておく必要がある。ところで、一般に、イメージセ
ンサ基板のコストは基板の大きさに比例するが、この場
合、長手方向は原稿４のサイズで決まるため、結局基板
幅Ｂがコストを決めてしまう。イメージセンサ部に必要
とされる幅としては、ポリシリコン薄膜トランジスタを
使って駆動回路一体型のものなどでは１ｍｍ以下である
ので、図７に示すイメージセンサでは、４倍のコストを
無駄に捨てることになってしまう。

【００１０】次に、図８に示される、ファイバーアレイ
プレートを用いた完全密着型イメージセンサの問題点に
ついて説明する。光ガイドに関してはファイバープレー
トの他にも色々なものが提案されているが、それぞれ種
々の問題があり、今のとこれろファイバアレイプレート
が最も優れたものである。この場合には、図８からも分
かるように、イメージセンサ素子の幅Ｂは上述したよう
に１ｍｍ程度まで狭くでき、コストの問題は生じない。
また、ファイバアレイプレートは原理上原稿の浮きに強
いため、上述したような問題点はない。しかし、別の要
因で解像度が劣化するという問題がある。

【００１１】図９は、ファイバアレイプレートを使った
場合の照明光、信号光の経路を示している。図９（ａ）
は各ファイバ１２Ａ間が透明なガラスで形成されるファ
イバアレイプレートを使った例である。説明をしやすく
するためにイメージセンサ基板の長手方向の断面図を示
しており、照明光５の入射は実際には、紙面に垂直方向
から斜めに入ることになる。これが原稿４で反射して信
号光６となり、ファイバ１２Ａ中を全反射をくり返して
センサ素子７に到達する。しかし全反射条件とならなか
ったものはＣで示すように進行し、これが漏れ光１４と
なって他のセンサ素子に入り解像度の低下をひき起こ
す。

【００１２】図９（ｂ）は、この影響を軽減するために
ファイバ間が透明なものと不透明なもの２種類のファイ
バアレイプレートを用いた例であって、伊藤他，シャ
ープ技報，第４３号，１９８９年，１２月，第２９頁〜
第３４頁に詳述されている。図９（ｂ）は、基板の副走
査方向（基板幅の狭い方）の断面を示している。同図に
おいて、７はセンサ素子、８は接着層、１２Ｂは光吸収
層を被覆したファイバ、１２Ａはファイバ間が透明なフ
ァイバ、１３は遮光板、４は原稿である。このようにす
ることによって同図中Ｃのように進む漏れ光１４の影響
を軽減することができる。しかし、それは完全ではな
い。また、そもそもハイブリッド構成にすることによっ
てファイバアレイプレートのコストが増加し、ロッドレ
ンズアレイを取り除いても逆に高価なものになってしま
うという欠点がある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の完全密着型イメ
ージセンサは、照明光を放射する光源と、受光面内に表
裏を貫通する少なくとも一つ以上の導光孔を有し前記受
光面に入射する光の強度に応じて光電変換を行なうセン
サ素子を含むイメージセンサ基板と、一方の面から入射
した光を他方の面に導く光ガイドとを、前記光源からの
前記照明光の放射方向に関してこの順に配置し、前記光
源が放射する前記照明光を前記センサ素子に設けた前記
導光孔を通して前記光ガイドの一方の面に入射させ、前
記光ガイドの他方の面内に送られてくる原稿の面に導
き、前記原稿の面で反射した光を前記光ガイドの前記他
方の面から前記一方の面に導いて前記センサ素子の前記
受光面に入射させるように構成したことを特徴とする。

【００１４】

【実施例】次に、本発明の好適な実施例について図面を
参照して説明する。図１は、本発明の完全密着型イメー
ジセンサの基本的な構成を示す斜視図である。以下、従
来使用されているファイバアレイプレートを使って説明
するが、光ガイドはファイバに限らず、少なくともその
断面積がセンサ素子の受光面の大きさ以下であればどの
ようなものでもよい。

【００１５】図１を参照すると、本発明の完全密着型イ
メージセンサでは、ＬＥＤアレイ１から出た照明光５
は、従来の完全密着型イメージセンサとは異なり、ファ
イバアレイプレート１１には直接入らずイメージセンサ
基板２上のセンサ素子７を照明する。個々のセンサ素子
７には後述するように、複数の孔が開いており、これら
を通して照明光５はファイバ１２に入り原稿４を照明す
る。原稿４で反射された信号光６は、ファイバ１２中を
逆行しセンサ素子７に入射しここで信号を読み取る。な
お、図１において、８はイメージセンサ基板２とファイ
バアレイプレート１１との接着層、１０はローラであ
る。

【００１６】図２は、本発明の第１の実施例におけるセ
ンサ素子７とファイバアレイプレート部の詳細を示す図
であり、８本／ｍｍの解像度を有する１次元センサアレ
イの一部分の斜視図である。同図において、１５はガラ
ス基板、１６Ａは膜厚１００ｎｍのクロムからなる不透
明共通電極で、アレイにそって少なくとも読み取り幅以
上の長さを有し、回路構成によってセンサ用電源、検出
回路、アース等に接続されている。この共通電極１６Ａ
が不透明なのは、ＬＥＤアレイ１からの照明光５を感光
層１７Ａに直接当てないためである。１７Ａは、不透明
共通電極１６Ａ側から、０．５〜２μｍの厚さの非晶質
シリコン膜、ポロンをドーピングし抵抗を下げた３０ｎ
ｍの厚さのｐ型非晶質シリコン膜を積層した感光層で、
それぞれの層をプラズマＣＶＤ装置で形成したものであ
る。１８Ａはインジウム酸化スズからなる透明個別電極
であり、各画素毎に分離されており読み取りスイッチに
接続されている。このイメージセンサ基板は透明な接着
層８を介して光吸収層１９で覆ったファイバ１２Ｂをア
レイ状に束ねたファイバアレイプレートに接着されてい
る。

【００１７】不透明共通電極１６Ａ，感光層１７Ａおよ
び透明個別電極１８Ａには本発明の特徴である導光用の
孔が形成されている。孔の大きさはファイバ１２Ｂの径
が２５μｍであることから、不透明共通電極側からそれ
ぞれ、４μｍ、６μｍおよび６μｍとした。不透明共通
電極１６Ａの穴径が小さいのは、光の回折により感光層
１７Ａの側面に光が入るのをできるだけ避けるためであ
る。また、この孔は１本のファイバに対して平均２〜３
個の割合で重なるような密度で形成してある。この割合
が高すぎると、肝心のセンサ素子の受光面積が少なくな
ってしまい信号量が低下する。逆にこの割合が低すぎる
と、照明光の照度が低下してしまい、やはり信号量が低
下する。従って、この割合には解像度とファイバ径に対
して適当な範囲が存在する。

【００１８】ＬＥＤアレイ１から出た照明光５は導光孔
を通り、側面が光吸収層１９で覆われたファイバ１２Ｂ
を通って原稿４に到達する。ここで反射された光が信号
光６となってファイバ１２Ｂ中を戻り、センサ素子に到
達するわけである。先に述べたように、ファイバ１２Ｂ
の側面は光吸収層１９で覆われており、１つのファイバ
１２Ｂに入った光は照明光にしても信号光にしても他に
漏れることがない。したがって、本実施例の完全密着型
イメージセンサでは、ファイバアレイプレートを使って
いるにも関わらず従来のような解像度の劣化がない。

【００１９】ここで、従来の完全密着型イメージセンサ
の一例として図７に示した、薄膜ガラスを用いたイメー
ジセンサのように、センサ素子に１個の大きな孔の開い
たものと本実施例で用いたファイバアレイプレートとを
組み合わせたのでは効果的な読み取りができない。なぜ
なら、孔の中に完全に含まれてしまうファイバの部分は
読み取りができないし、一方、孔から離れた感光層の部
分には光が入らないため読み取りができず、結局、孔の
周辺で孔と感光層の部分とを両方含むファイバに対応し
ている部分でしか信号検出ができない。従って、信号量
は非常に小さくなるからである。

【００２０】尚本実施例において、導光孔の形状は円形
に特定されていいるわけではない。図３に、図２の構成
の平面図を示す。図３（ａ）は円形の導光孔の場合を示
し、図３（ｂ）はスリット状の導光孔の場合を示す。両
図において、１８Ａは透明個別電極、２０Ａおよび２０
Ｂは導光孔、１２Ｂはファイバを示している。このよう
にファイバ１２Ｂの断面内に導光孔とセンサの受光部と
が同時に含まれるような形状ならばどのような形の導光
孔でも本発明の目的を達成することができる。

【００２１】次に図４は、本発明を２次元完全密着型イ
メージセンサに適用した例を示す第２の実施例の断面図
である。２次元イメージセンサにおいては、センサ素子
とスイッチング素子のペアが２次元的にマトリクス状に
配置されており、図４はそのセンサ素子部の断面を示し
ている。図４において、１５はガラス基板、１８Ｂは１
５０ｎｍの厚さのタングステンよりなる不透明個別電極
で、非晶質シリコン薄膜トランジスタあるいは多結晶シ
リコン薄膜トランジスタ等のスイッチング素子（図示せ
ず）に接続されている。１７Ｂは不透明個別電極１８Ｂ
側から、膜厚１００ｎｍのボロンをドーピングしたｐ型
非晶質シリコン層、膜厚０．５〜２μｍで成膜時にシラ
ンガスに対してジボランを３ｐｐｍ程度混合して形成し
た非晶質シリコン膜、リンをドーピングし抵抗を下げた
３０ｎｍの厚さのｎ型非晶質シリコン膜を積層した、い
わゆるｐｉｎ構造の感光層で、それぞれの層をプラズマ
ＣＶＤ装置で形成したものである。感光層１７Ｂは平面
的なパターンが、不透明個別電極１８Ｂの平面パターン
より小さくなるようにして完全に乗った形で形成されて
いる。２１は感光層１７Ｂの側壁と不透明個別電極層１
８Ｂとを覆う保護絶縁層で、感光層１７Ｂの受光面上に
は形成されていない。この層は二酸化シリコンで形成さ
れるが、窒化シリコン膜であってもよい。この層の主な
役割は、インジウム酸化スズからなる透明共通電極１６
Ｂと個別電極１８Ｂとの間の絶縁と、感光層１７Ｂの側
面の保護である。以上のイメージセンサ基板は、接着層
８を介して、ファイバ１２Ｂを集積したプレートに接着
されている。４は原稿を示している。

【００２２】この例ではセンサが２次元であるため光源
（図示せず）は面光源である必要があり、液晶ディスプ
レイのバックライト等と同様な光源となっている。導光
孔の形状、大きさ、密度、光の経路等は、第１の実施例
におけると基本的に同じである。

【００２３】この実施例の特徴は、感光層１７Ｂがセン
サ素子ごとに完全に分離されていて、しかも不透明個別
電極１８Ｂの上にこれをはみ出さないように形成されて
いることである。不透明個別電極１８Ｂより感光層１７
Ｂを小さくすることにより、照明孔が感光層１７Ｂに直
接に入ることを防ぎ信号の明暗比が劣化するのを防止す
ることができることと、完全分離をすることによりセン
サ素子として性能の良いｐｉｎ構造を採用することがで
きるという利点を持っている。図２に示した第１の実施
例においては、不透明共通電極１６Ａが十分な大きさを
持ち感光層１７Ａに照明光５が直接入るのを防いでいた
が、２次元イメージセンサにおいては１ドット当りの面
積が限られているため、図２と同じ構成をとるのが困難
である。本実施例はその問題を解決した構造となってい
る。

【００２４】次に図５に、本発明の第３の実施例の平面
図および断面図を示す。本実施例は１次元完全密着型イ
メージセンサで、基板側に不透明個別電極を形成し、し
かも感光層をセンサ素子毎に分離しない構造にした例で
ある。図５（ａ），（ｂ）において、１５はガラス基
板、１８Ｃは厚さ１００ｎｍのクロムからなる不透明個
別電極である。１７Ｃは不透明個別電極１８Ｃ側から、
０．５〜２μｍの厚さの非晶質シリコン膜、フォスフィ
ンとシランとメタンとの混合ガスを原料として形成され
るリンをドーピングした膜厚１００ｎｍの炭化シリコン
膜を積層した感光層で、図５（ａ）に示されるように、
櫛状にパターニングされている。このままでは不透明個
別電極１８Ｃからはみ出る部分の感光層に照明光が入っ
て信号の明暗比が劣化するので、はみ出し部分の下に
は、１００ｎｍの厚さのクロムによる遮光膜２２が形成
されていて感光層１７Ｃへの照明光の直接入射を防いで
いる。このように、この構造の利点は、感光層１７Ｃに
対する遮光が十分なされることから、センサ素子部付近
がコンパクトに形成できることにある。２３は、遮光膜
２２と不透明個別電極１８Ｃとを絶縁するための二酸化
シリコンからなる絶縁膜、１６Ｃは、インジウム酸化リ
ンからなる透明共通電極、２０は導光孔である。遮光膜
２２は一定電位に接続されており、不透明個別電極１８
Ｃとの間に静電容量を形成してセンサ素子に対する付加
容量の役割も果たしている。受光面は感光層１７Ｃのう
ち導光孔２０が多数アレイ状に配列されている部分であ
る。

【００２５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による完全
密着型イメージセンサは、センサ素子に開けた導光孔を
通して照明光をファイバに導き、原稿で反射した光を読
み取るので、従来のファイバアレイプレートを使った完
全密着型イメージセンサに比べてクロストークが少な
い。しかも、光吸収層で覆ったファイバを用いてファイ
バアレイプレートをハイブリッド構造にする等の特殊な
方法をとらなくても済むので、低コストである。

【００２６】これまで完全密着に適しているといわれな
がらクロストークやコストの点で問題があるために使わ
れてこなかった、ファイバアレイプレートをはじめとす
る従来の光ガイドの欠点を克服できることで、本発明に
より、高解像度で低コストの完全密着型イメージセンサ
を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的な構成を示す斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施例の断面図である。

【図３】分図（ａ）は、本発明の第１の実施例における
導光孔の一例を示す平面図である。分図（ｂ）は、本発
明の第１の実施例における導光孔の他の例を示す平面図
である。

【図４】本発明の第２の実施例の断面図である。

【図５】分図（ａ）は、本発明の第３の実施例の平面図
である。分図（ｂ）は、本発明の第３の実施例の断面図
である。

【図６】従来の密着型イメージセンサの一例の斜視図で
ある。

【図７】従来の完全密着型イメージセンサの一例の斜視
図である。

【図８】従来の完全密着型イメージセンサの他の例の斜
視図である。

【図９】図８に示す完全密着型イメージセンサにおける
信号光の拡散を示す図である。

【符号の説明】

１ＬＥＤアレイ２イメージセンサ基板３ロッドレンズアレイ４原稿５照明光６信号光７センサ素子８接着層９薄膜ガラス１０ローラ１１ファイバアレイプレート１２，１２Ａ，１２Ｂファイバ１３遮光板１４漏れ光１５ガラス基板１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ共通電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ感光層１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ個別電極１９光吸収層２０，２０Ａ，２０Ｂ導光孔２１保護絶縁層２２遮光膜２３絶縁膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】照明光を放射する光源と、受光面内に表
裏を貫通する少なくとも一つ以上の導光孔を有し前記受
光面に入射する光の強度に応じて光電変換を行なうセン
サ素子を含むイメージセンサ基板と、一方の面から入射
した光を他方の面に導く光ガイドとを、前記光源からの
前記照明光の放射方向に関してこの順に配置し、前記光源が放射する前記照明光を前記センサ素子に設け
た前記導光孔を通して前記光ガイドの一方の面に入射さ
せ、前記光ガイドの他方の面内に送られてくる原稿の面
に導き、前記原稿の面で反射した光を前記光ガイドの前
記他方の面から前記一方の面に導いて前記センサ素子の
前記受光面に入射させるように構成したことを特徴とす
る完全密着型イメージセンサ。
【請求項２】請求項１記載の完全密着型イメージセン
サにおいて、前記光ガイドは、少なくとも一つ以上の光ガイドが前記
イメージセンサ基板に平行な面にアレイ状に配列されて
なり、それぞれの光ガイドが前記イメージセンサ基板に
平行な断面内に、前記センサ素子に設けられた前記導光
孔と前記センサ素子の前記受光面との境界の少なくとも
一部を含むように構成されていることを特徴とする完全
密着型イメージセンサ。
【請求項３】請求項２記載の完全密着型イメージセン
サにおいて、前記センサ素子が、前記光源からの前記照明光の前記放
射方向に関して、不透明共通電極と、光電変換を行う感
光層と、センサ素子の感光領域を決める透明個別電極と
が、この順に積層された構造であることを特徴とする完
全密着型イメージセンサ。
【請求項４】請求項２記載の完全密着型イメージセン
サにおいて、前記センサ素子が、前記光源からの前記照明光の前記放
射方向に関して、センサ素子の感光領域を決める不透明
個別電極と、平面形状が前記不透明個別電極の平面形状
内に含まれる形状の光電変換を行うための感光層と、前
記不透明電極と前記感光層とを覆って前記感光層上に開
口部を有する絶縁膜層と、透明共通電極とが、この順に
積層された構造であることを特徴とする完全密着型イメ
ージセンサ。
【請求項５】請求項２記載の完全密着型イメージセン
サにおいて、前記センサ素子が、前記光源からの前記照明光の前記放
射方向に関して、遮光層と、前記遮光層を覆う絶縁膜層
と、その一部が前記絶縁膜層を介して前記遮光層に重な
り前記絶縁膜層に重ならない部分によりセンサ素子の感
光領域を決める不透明個別電極と、平面形状が前記遮光
層の平面形状および前記不透明個別電極の平面形状の合
成された形状内に含まれる形状の光電変換を行う感光層
と、透明共通電極とが、この順に積層された構造である
ことを特徴とする完全密着型イメージセンサ。