JPH04116978A - 読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野） 本発明は読み取り装置に関し、特にファクシミリやイメ
ージスキャナなどに用いられている密着型イメージセン
サなどの読み取り装置に関する。

〔従来の技術］ 原稿と実質的に１対ｌの読み取り幅を有し、原稿にほぼ
密着して読み取る密着型イメージセンサは、縮小光学系
を必要としないため、それを必要とする装置と比べて装
置の小型化ができるという利点がある。このため近年、
密着型イメージセンサや完全密着型イメージセンサが主
流になりつつある。

従来の密着型イメージセンサは第７図に示すように、照
明源としてＬＥＤアレイ１００を用い、このＬＥＤアレ
イ１００から発せられた光を原稿１０２の表面で反射さ
せ、その反射光をロッドレンズアレイ１０４により導い
て密着型イメージセンサアレイ１０６の受光部上に画像
を結像させるように構成されている。

一方、完全密着型イメージセンサは第８図に示すように
、基板１０８上に共通電橋１１０と光電変換層１１２と
個別電極１１４が積層形成された光電変換素子１１６が
多数−次元に配列形成されていて、またこの基板１０８
の光電変換素子１１６と反対側にはＬＥＤアレイ１１８
が配設されている。この完全密着型イメージセンサには
ＬＥＤアレイ１１８からの光が基板１０８を通して光電
変換素子１１６側へ透過させられる照明窓１２０が備え
られ、これら光１ｉ変換素子１１６などを保護する絶縁
性透明保護膜１２２に接して原稿１２４が送りローラ１
２６によって送られるように構成されている。この密着
型イメージセンサにおいては、照明窓１２０から絶縁性
透明保護膜１２２を通してＬＥＤアレイ１１８からの光
が原稿１２４に照射され、その反射光を充電変換素子１
１６により読み取るようにされている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記第７図に示す密着型イメージセンサは縮小光学系を
用いていないがロッドレンズアレイ１０４を用いている
ため、その高さを約２０ｍ５程度必要としてそれ以上、
小型化することができなかった。

しかも、ロッドレンズアレイ１０４やＬＥＤアレイ１０
０など部品の位置決めと組立てが困難であり、製造コス
トが高く付くという問題があった。

一方、第８図に示す完全密着型イメージセンサはロッド
レンズアレイを用いていないため、小型化ができ、また
組立てが容易になる。しかし、個別電極１１４と駆動用
ＩＣが１対ｌの対応で使用されるため、ｔＣの数はＡ４
版のサイズで少なくとも２７個必要とする。このため、
低価格化を図るには限界があった。

そこで、本発明者らはこれらの問題を解決するため鋭意
研究を重ねた結果、本発明に至った。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る読み取り装置の要旨とするところは、透光
性媒体を介して原稿面に接するように一次元に配列させ
られたフォトダイオード群を存する読み取り装置におい
て、（１）光学的に透明な透光性基板と、（２）前記透
光性基板上に一次元に分離して形成された、不透明個別
電極と光電変換層と透明電極が順次積層されて成る複数
のフォトダイオードと、（３）前記フォトダイオードの
ほぼ中央部に形成され、前記透光性基板及びフォトダイ
オードを通して光が透過させられる光入射窓と、（４）
前記フォトダイオードに相対応して一次元に並行して形
成され、前記透光性基板上に形成された共通をなす不透
明共通電極と、該不透明共通電極上に個別に分離された
光電変換層と透明電極が順次積層されて成るブロッキン
グダイオードと、（５）少なくとも前記フォトダイオー
ド及びブロンキングダイオードを覆う透明層間絶縁膜と
、（６）前記透明層間絶縁膜を介して前記フォトダイオ
ードの透明電極とブロンキングダイオードの透明電極と
を接続する接続電極と、（７）層間絶縁膜を介して多層
配線されたマトリックス配線部とを備えて構成されたこ
とにある。

才だ、かかる読み取り装置において、少なくとも前記フ
ォトダイオードの隣接部、又はフォトダイオードの外周
部を光学的に不透明な遮光膜によって覆ったことある。

更に、かかる読み取り装置において、前記遮光膜が電気
的に良導体によって形成されていることにある。

また、かかる読み取り装置におけるフォトダイオードに
形成された光入射窓において、該フォトダイオードを構
成する不透明個別電極に形成される開口部面積が１亥光
電変換層に形成される開口部面積より小さく構成したこ
とにある。

更に、かかる読み取り装置において、前記不透明個別電
極の開口部端部と光電変換層の開口部端部との間隔が５
〜５０μｍ、好ましくは１５〜２０Ｉ！ｍにしたことに
ある。

（作　用〕 得られた本発明の読み取り装置において、透光性基板の
裏面に配置された光源からの光が個々の光入射窓を通し
て原稿面に照射され、その原稿面で反射させられた反射
光がそれぞれのフォトダイオードによって受光され、バ
イアス電圧が印加されたフォトダイオードに光電変換さ
セられた電気信号が蓄積される。次に、ブロッキングダ
イオードに順バイアス電圧が印加されることによって、
フォトダイオードに蓄積された電気信号がマトリックス
配線部から読み出される。

フォトダイオードの不透明個別電極は透光性基板の裏面
に配設された光源に対して遮光膜として機能し、光源の
光が直接フォトダイオードに入射しないようにされてい
る。また、−次元に分離して形成されたフォトダイオー
ドの隣合う箇所は不透明個別電極によって遮光させられ
ていないため、光源の光が透光性基板を通してフォトダ
イオード側に漏れてしまう、そこで、少なくともフォト
ダイオードの隣接部、あるいは外周部を遮光膜によって
覆うことにより、Ｓ／Ｎ比を大きくすることができる。

また、フォトダイオードの隣接部や外周部を覆う遮光膜
を電気的良導体によって構成することにより、原稿が接
する透光性媒体に発生した静電気を均一に拡散し、ある
いはアースを遮光膜に接続して静電気を除去し、静電気
による影響を除くことができる。

更に、フォトダイオードに形成された光入射窓において
、不透明個別電極の関口部面積を光電変換層の開口部面
積より小さく形成し、特に、開口部端部の間隔が５〜５
０μｍ、好ましくは１５〜２０μｍにすることにより、
光入射窓から入射させられた光が開口部側面から充電変
換層内に入射させられるのが防止され、もってＳ／Ｎ比
が向上させられる。

〔実施例］ 次に、本発明に係る読み取り装置の実施例を図面に基づ
いて詳しく説明する。

第１図及び第２図において、符号１０は透光性基板であ
り、本発明に係る完全密着型イメージセンサにおける読
み取り装置は透光性基板１０上にフォトダイオード１２
、光入射窓１４、ブロッキングダイオード１６及びマト
リックス配線部１８を備えて構成されている。透光性基
板ＩＯはたとえばガラスや樹脂など、光学的に透明な基
板が用イラレ、特に、完全密着型イメージセンサに用い
られる光源光の波長に対して光学的に透明な材質が選定
されるのが好ましい。

透光性基板１０の上には分離された複数のフォトダイオ
ード１２が一次元にすなわち直線状に形成されるととも
に、そのフォトダイオード１２に相対応して一次元に並
行して複数のブロッキングダイオード１Ｂが同時に形成
される。先ず、透光性基板１０の上にブロック状のフォ
トダイオード１２の不透明個別電極２０と、ブロッキン
グダイオード１６の不透明共通電極２２が形成される。

不透明個別電極２０と不透明共通電極２２はクロムＣｒ
、ニッケルＮｉ５アルミニウムＡ１、チタンＴｉなどや
これらの合金が真空蒸着法などによって被着させられた
後、所定のパターン形状にフォトエツチングされて形成
される。その際、光入射窓１４になる開口部２４が同時
に形成される。また、不透明個別電極２０は透光性基板
１０を透過させられる光が光入射窓１４以外から極力透
過しないようにする遮光膜としても機能させられ、この
ためブロック状に大きく形成されている。

これら不透明個別電極２０と不透明共通電極２２の上に
はそれぞれアモルファスシリコン系半導体からなる光電
変換層２６．２８がプラズマＣｖＤ法などによって形成
される。アモルファスシリコン系半導体はたとえばアモ
ルファスシリコンａＳ１、水素化アモルファスシリコン
ａ−Ｓｉ：Ｈ，水素化アモルファスシリコンカーバイド
ａ−５ＩＣ：Ｈ、アモルファスシリコンナイトライドな
どの他、シリコンと炭素、ゲルマニウム、スズなどの他
の元素との合金からなるアモルファスシリコン系半導体
の非晶質あるいは微結晶をｐｉｎ型、ｎｉｐ型、ｎｉ型
、ｐｎ型、Ｍｉｓ型、ヘテロ接合型、ホモ接合型、ショ
ットキーバリアー型あるいはこれらを組み合わせた型な
どに、単層又は多層に堆積させて用いられ、特にｐｉｎ
型、ｎｉｐ型、ｎｉ型が好ましく、更に０層が上層に形
成されている型が好ましい。

光電変換層２６．２８が形成された後、それらの上にＩ
ＴＯｌＳｎｏｗ、ｒＴｏ／５ｎｏｔなどからなる透明電
極３０．３２が真空蒸着法やスパッタリング法などによ
って形成されて、フォトダイオード１２とブロッキング
ダイオード１６が形成される。

光電変換層２６．２８及び透明電極３０．３２は所定の
パターン形状にマスク法やフォトエツチング法などの手
法により形成され、また光電変換層２６及び透明電極３
０のほぼ中央部である不透明個別電極２０に設けられた
開口部２４の上には光入射窓Ｉ４となる開口部３４が形
成される。ここで、不透明個別電極２０に形成される開
口部２４の面積は光電変換層２６に形成される開口部３
４の面積より小さく設定され、特に開口部２４の端部と
開口部３４の端部との間隔が５〜５０μｍ、好ましくは
１５〜２０μｍになるように開口部２４．３４が形成さ
れる。

透光性基板１０上に光入射窓１４を備えたフォトダイオ
ード１２とフ゛ロンキングダイオード１６が形成された
後、これらを覆うように透明層間絶縁１１ｉ！３６が被
着させられる。透明層間絶縁ｌ！３６にはＳｉＯｘ、　
ＳｉＮｘ、　ＴａＯｘなどが用いられ、フォトダイオー
ド１２及びブロッキングダイオード１６が絶縁処理され
るとともに、光入射窓１４における光の透過が確保され
ている。

透明層間絶縁１１Ｗ３６によって絶縁されたフォトダイ
オード１２とブロッキングダイオード１６はそれらの所
定の位置にある透明層間絶縁膜３６にコンタクトホール
が設けられて、そのコンタクトホールを介してフォトダ
イオード１２の透明電極３０とブロッキングダイオード
１６の透明電極３２が接続電極３日によって接続される
。接続電極３８ばクロムＣｒ、ニッケルＮｉ、アルミニ
ウムＡＩ。

チタンＴｉなどやこれらの合金が真空蒸着法やスパッタ
リング法などによって被着させられて形成されている。

一方、フォトダイオード１２の不透明個別電極２０に一
体的に設けられた取出し電極部４０６所定の位置にある
透明層間絶縁膜３６にコンタクトホールが形成され、そ
のコンタクトホールを介して不透明個別電極２０に接続
される配線４２が接続電極３８と同様にして形成され、
マトリックス配線部１８が形成される。

接続電極３８及びマトリックス配線部１Ｂが形成された
後、これらを絶縁するとともにフォトダイオード１２な
どを保護し、更に原稿面と接触させられたとき摩耗から
防止するため、図示しない薄ガラス（たとえば厚さ５０
μｍ程度）がエポキシ樹脂など透明な樹脂によって貼着
される。なお、薄ガラスに代えて５ｉＯｘＳＳｉＮｘ、
　ＴａＯｘなどからなる耐摩耗性保護層が形成されても
良い。

かかる構成の読み取り装置は完全密着型イメージセンサ
に用いられ、透光性基板１０の背面に設けられたＬＥＤ
アレイなどの光源から光が照射される。照射された光は
遮光膜としても機能させられる不透明個別電極２０によ
ってほぼ遮光させられとともに、光入射窓１４を通して
光がフォトダイオード１２側に入射させられる。光入射
窓１４は不透明個別電極２０に形成された開口部２４の
面積が光電変換層２６に形成された開口部３４の面積よ
り小さくされているため、光入射窓Ｉ４を透過させられ
る光が直接光電変換層２６に入射させられることはほと
んどなくなり、フォトダイオードＩ２のＳ／Ｎ比が大き
くなって、読み取りの解像度が向上させられる。特に、
不透明個別電極２０に形成された開口部２４の端部と光
電変換層２６に形成された開口部３４の端部の間隔が５
〜５０μｍ、好ましくは１５〜２０μｍに有る時、光入
射窓１４における光の漏れを少なくすることができると
ともに、光電変換領域を最大ＩＩＩ確保することができ
て好ましい。

一方、フォトダイオード１２側の図示しない薄ガラスの
面には送りローラにより原稿が送られてきて、その原稿
の面に光入射窓１４から光が照射される。光は原稿の面
で反射させられ、その反射光がフォトダイオード１２に
入射させられ、光電変換させられた電気信号がフォトダ
イオード１２に蓄積される。他方、一定個数のプロンキ
ングダイオード１６は不透明共通電極２２によって一つ
にまとめられていて、その一定個数のブロッキングダイ
オード１６に不透明共通電極２２を介して一つの駆動用
ＩＣから電気信号が送られ、そのブロッキングダイオー
ド１６に対応するフォトダイオード１２から蓄積された
電気信号が出力され、マトリックス配線部１８を介して
外部に出力させられる。

以上、説明したところから明らかなように、ブロッキン
グダイオード１６はフォトダイオード１２を形成する時
に同時に特段コストを要せずに形成でき、ブロッキング
ダイオード１６を用いることにより複数のフォトダイオ
ード１２を一つの駆動用ｆＣによって駆動させることが
可能となり、ＩＣの使用個数を減らすことによってコス
トダウンが達成できる。また、光入射窓１４の開口部を
不透明個別電極２０の開口部２４面積を光電変換層２６
の開口部３４面積より小さくすることによって光の漏れ
を少なくし、Ｓ／Ｎ比を大きくすることができ、読み取
りの解像度を向上させることが可能になった。

以上、本発明に係る読み取り装置の実施例を詳述したが
、本発明はその他の態様でも実施し得るものである。

たとえば、第３図に示すように、隣接して配設されたフ
ォトダイオード１２の隣接部を光学的に不透明な遮光膜
４４によって覆うのが好ましい。

遮光Ｍ４４はクロムやアルミニウムなど金属やその合金
などが用いられ、真空蒸着法などによって形成される。

このように遮光Ｉｔ！４４によって隣接するフォトダイ
オード１２の隙間から漏れる光を遮断することにより、
Ｓ／Ｎ比を一層大きくすることができる。

また、第４図に示すように、フォトダイオード１２の不
透明個別電極２０の外周部に沿って、電気的に良導体か
らなる遮光＃４６を形成しても良い。なお、遮光膜４６
は透明層間絶縁ＩＩ！３６や図示しないエポキシ樹脂な
どの絶縁体によって絶縁されている。このようにフォト
ダイオード１２を取り囲む電気的良導体からなる遮光１
１１４６を設けることによって、前述と同様に光の漏れ
を防止してＳ／Ｎ比を向上させることができるだけでな
く、原稿が読み取り装置の薄ガラスなどの保護膜の表面
を摺接させられることによって生ずる静電気を均一化す
ることができ、大きさの異なる静電気の分布が存在する
ことによって生ずる影響を排除することができる。

更に、かかる遮光＃４６をアースし、原稿との摩擦によ
って生した静電気を適宜取り除くように構成しても良い
。

その他、本発明に係る読み取り装置はたとえばマトリッ
クス配線部１８に形成される層間絶縁膜は必ずしも透明
である必要はなく、また、光入射窓１４の底面に被着さ
せられた透明層間絶縁［３６は入射光を減衰させないよ
うに取り除くのが好ましい。

また、ブロッキングダイオードの機能を向上させるため
、光電変換層にｎｉ型のアモルファスシリコンを形成す
るのが好ましい、ｎｉ型の光電変換層はブロッキングダ
イオードの定電流における立ち上がり電圧がｐｉｎ型や
ｎｉｐ型の光電変換層に比べて小さくなるため、フォト
ダイオードに蓄積された電荷を速く読み出すことができ
、読み取り速度を改善することが可能となり好ましい。

その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業
者の知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態
様で実施し得るものである。

実星■−土 第１図に示すように、透明なガラス基板１０の上に遮光
膜を兼ねたフォトダイオード１２用の不透明個別電極２
０とブロンキングダイオード１６用の不透明共通電極２
２とをクロムＣｒにて形成した。その電極２０．２２上
にそれぞれｐｉｎ型のアモルファスシリコン半導体から
成る光電変換層２６．２８を１μｍの厚みで形成し、更
に［ＴＯから成る透明電極３０．３２を形成して、それ
ぞれフォトダイオード１２とブロッキングダイオードエ
６を形成した。得られたフォトダイオード１２とブロッ
キングダイオード１６を含むガラス基板１０上にＳｉＯ
ｘからなる透明層間絶縁膜３６を１μｍ被着させた後、
それぞれのダイオード１２．１６にコンタクトホールを
設け、両ダイオード１２１６をアルミニウムからなる接
続電極３日によって接続するとともに、配線４２を形成
した。更に、フォトダイオード１２部を保護するため及
び原稿面との接触による耐摩耗を目的としてエポキシ樹
脂を接着剤として５０μｍの薄ガラスを貼着して読み取
り装置を構成した。

かかる読み取り装置において、フォトダイオード１２の
ほぼ中央部に形成された光入射！の大きさは、クロムか
ら成る不透明個別電極２０の開口部２４は５０Ｘ１１０
μｍであり、一方、アモルファスクリコン半導体から成
る光電変換層２６の開口部３４は８０Ｘ１４０μｍであ
り、両開口部端部の間隔は１５μｍであった。

得られた読み取り装置について、波長５４０ｎ＋ｍ、１
０００１ｕχの光を黒い紙と白い紙のそれぞれに照射し
て、得られた信号電流に基づいてＳ／Ｎ比を求めた。こ
こで、Ｓ／Ｎ比は２０１ｏｇ（黒／白）ｄＢで表される
。得られた白感度と黒感度をそれぞれ第５図に、Ｓ／Ｎ
比を第６図に示す。

叉旌土−１ 実施例１と同様の条件で読み取り装置を構成した。ただ
し、かかる読み取り装置において、フォトダイオード１
２のほぼ中央部に形成された光入射窓の大きさは、クロ
ムから成る不透明個別電極２０の開口部２４は実施例１
と同様５０Ｘ１１０μｍであるのに対して、アモルファ
スシリコン半導体から成る光電変換層２６の開口部３４
は９０×１５０μｍであり、両開口部端部の間隔は２０
μｍであった。

得られた読み取り装置について、実施例１と同様にして
Ｓ／Ｎ比を調べた。その結果、第５図及び第６図に示す
ように、光入射窓における遮光膜として機能する不透明
個別電極２０による開口部の遮光幅が１５μｍ以上でＳ
／Ｎ比がほぼ一定になることが分かる。

尖隻桝−１ 実施例１と同様の条件で読み取り装置を構成した。ただ
し、かかる読み取り装置において、フォトダイ−オード
１２のほぼ中央部に形成された光入射窓の大きさは、ク
ロムから成る不透明個別電極２０の開口部２４は実施例
１と同様５０Ｘ１１０μｍであるのに対して、アモルフ
ァスシリコン半導体から成る光電変換層２６の開口部３
４は７０×１３０μｍであり、両開口部端部の間隔は１
０μｍであった。

得られた読み取り装置について、実施例１と同様にして
Ｓ／Ｎ比を調べた。その結果、第５図及び第６図に示す
ように、Ｓ／Ｎ比が若干劣ることが認められた。

を較拠 実施例１と同様の条件で読み取り装置を構成した。ただ
し、かかる読み取り装置において、フォトダイオード１
２のほぼ中央部に形成された光入射窓の大きさは、クロ
ムから成る不透明個別電極２０の開口部２４は実施例１
と同様５０Ｘ１１０μｍであり、一方、アモルファスシ
リコン半導体から成る光電変換層２６の開口部３４も同
寸法の５０Ｘ１１０μｍとし、不透明個別電極２０によ
る遮光幅を設けなかった。

得られた読み取り装置について、実施例１と同様にして
Ｓ／Ｎ比を調べた。その結果、第５図及び第６図に示す
ように、Ｓ／Ｎ比が大幅に劣り、光入射窓１４における
遮光幅が小さくなるほど、Ｓ／Ｎ比が小さくなることが
認められた。

〔発明の効果〕

かかる本発明の読み取り装置は透光性基板上にフォトダ
イオードと、そのフォトダイオードと同一の材料により
相対応してブロッキングダイオードが形成されていて、
一定個数のブロンキングダイオードが不透明共通電極に
より同時に駆動させられるように構成されているため、
一つの駆動用ＩＣによってブロッキングダイオードに相
対応するフォトダイオードを複数駆動させることができ
、使用するＩＣの個数を大幅に減少させることができ、
読み取り装置のコストを下げることが可能になった。ま
た、本発明の読み取り装置はマトリックス配線化されて
いるため、装置の小型化が更に実現できることとなる。

また、光入射窓における不透明個別電極の開口部面積を
光電変換層の開口部面積より小さくしたことによって、
光入射窓において光が直接光電変換層に入射する現象が
抑制され、Ｓ／Ｎ比を大きくすることができて、読み取
りの解像度を向上させることが可能となった。特に、不
透明個別電極の開口部端部と充電変換層の開口部端部と
の間隔すなわち不透明個別電極による遮光幅が５μｍ以
上、好ましくは１５μｍ以上あればＳ／Ｎ比が効果的に
改善されることになる。

更に、フォトダイオードの隣接部や外周部に遮光膜を設
けることによって一層光の漏れを防止できて、Ｓ／Ｎ比
を大きくすることができた。しかも、遮光膜を電気的良
導体により構成することによって、原稿が摺接させられ
ることによって生ずる静電気を均一化し、あるいはアー
スによって取り除くことができ、静電気による影響を除
去することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る読み取り装置の要部説明平面図で
あり、第２図は第１図に示す読み取り装置の断面説明図
である。第３図及び第４図はいずれも本発明に係る読み
取り装置の他の実施例を示す要部説明平面図である。第
５図は光入射窓における不透明個別電極の端部と光電変
換層の端部の間隔（遮光幅）に対する白と黒の感度を示
す図であり、第６図は上記遮光幅とＳ／Ｎ比との関係を
示す図である。 第７図は従来の密着型イメージセンサを説明するための
斜視図であり、第８図は従来の完全密着型イメージセン
サを説明するための断面説明図である。 １０；透光性基板 １２；フォトダイオード １４ｉ光入射窓 １６；ブロッキングダイオード １８；マトリックス配線部 ２０；不透明個別電極 ２２＝不透明共通電極 ２４．３４；開口部 ２６、−２８；光電変換層 ３０　３２ｉ透明を極 ３６；透明層間絶縁膜 ３８；接続電極 ４４．４６；遮光膜 特許出願人　鐘淵化学工業株式会社 第 因 第 図 Ｕ Ｕ 濱 図 茅 図 Ｖ套汽や晶（ｍｉｃｒｏｎ） 第 図 第 図 第 図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性媒体を介して原稿面に接するように一次元
   に配列させられたフォトダイオード群を有する読み取り
   装置において、 光学的に透明な透光性基板と、 前記透光性基板上に一次元に分離して形成された、不透
   明個別電極と光電変換層と透明電極が順次積層されて成
   る複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの
   ほぼ中央部に形成され、前記透光性基板及びフォトダイ
   オードを通して光が透過させられる光入射窓と、 前記フォトダイオードに相対応して一次元に並行して形
   成され、前記透光性基板上に形成された共通をなす不透
   明共通電極と、該不透明共通電極上に個別に分離された
   光電変換層と透明電極が順次積層されて成るブロッキン
   グダイオードと、少なくとも前記フォトダイオード及び
   ブロッキングダイオードを覆う透明層間絶縁膜と、 前記透明層間絶縁膜を介して前記フォトダイオードの透
   明電極とブロッキングダイオードの透明電極とを接続す
   る接続電極と、 層間絶縁膜を介して多層配線されたマトリックス配線部
   と を備えて構成されたことを特徴とする読み取り装置。
2. （２）少なくとも前記フォトダイオードの隣接部、又は
   フォトダイオードの外周部を光学的に不透明な遮光膜に
   よって覆ったことを特徴とする請求項第１項に記載する
   読み取り装置。
3. （３）前記遮光膜が電気的に良導体によって形成されて
   いることを特徴とする請求項第２項に記載する読み取り
   装置。
4. （４）前記フォトダイオードに形成された光入射窓にお
   いて、該フォトダイオードを構成する不透明個別電極に
   形成される開口部面積が該光電変換層に形成される開口
   部面積より小さいことを特徴とする請求項第１項乃至第
   ３項のいずれかに記載する読み取り装置。
5. （５）前記不透明個別電極の開口部端部と光電変換層の
   開口部端部との間隔が５〜５０μｍ、好ましくは１５〜
   ２０μｍであることを特徴とする請求項第４項に記載す
   る読み取り装置。