JPH06291457A - ハンダ付け方法及びハンダ付け装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フラックスおよび有機系洗浄剤を使用する必
要がなく、製造コストが安いハンダ付け方法およびハン
ダ付け装置の提供。 【構成】 電子部品３が基板１のハンダ付部で接触する
ように、電子部品を基板上に装着する装着工程（図６
（ａ））と、基板のハンダ付部近傍にノンフラックスタ
イプのハンダ６を供給する工程（図６（ａ））と、ハン
ダ付部にハンダの融点以上の温度の水素ガスを短時間吹
きつける還元工程と、水素ガスの吹きつけ後に水素の雰
囲気中でハンダを加熱して溶融させる工程（図６
（ｄ））とからなるハンダ付け方法。ハンダ付部にハン
ダの融点以上の温度の水素ガスを短時間吹きつけること
により、ハンダ付部表面の酸化膜が還元されて除去され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導電路を有する回路部
材のハンダ付部に各種の電子部品をハンダ付けするハン
ダ付け方法およびハンダ付け装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このようなハンダ付け方法として
は、たとえばプリント基板のハンダ付部にあらかじめ適
量のハンダを供給しておき、外部からの熱源によってハ
ンダを溶融させ、前記ハンダ付部に電子部品をハンダ付
けする方法（リフローソルダリング）が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のハンダ付け
方法では、一般に、ハンダ付部表面（金属表面）の酸化
膜を除去してハンダのぬれをよくするために、フラック
スが含まれているハンダを使用している。このフラック
スは、一般にハロゲン系のもので、ハンダを溶融させた
後（リフロー後）にフラックス残さとして残ってしま
う。このフラックス残さは、周辺に品質管理をする上で
および信頼性を確保する上で極めて有害である強力な酸
化作用をもつので、この残さを除去する必要がある。フ
ラックス残さを除去するため、フロンやトリエタン等の
有機系洗浄剤を使用する必要があるが、このような溶剤
は近年その使用を規制されている。

【０００４】そこで、有機酸系のフラックスを使った窒
素炉を使用してハンダ付けする方法が開発されつつあ
る。しかしながら、この場合でもフラックス残さが残っ
てしまう。

【０００５】本発明は、このような従来の問題点に着目
して為されたもので、フラックスおよび有機系洗浄剤を
使用する必要がなく、製造コストが安いハンダ付け方法
およびハンダ付け装置を提供することを目的としてい
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明に係るハンダ付け方法は、各電子部品が導電
路を有する回路部材のハンダ付部で接触するように、各
電子部品を回路部材上に装着する装着工程と、回路部材
のハンダ付部近傍にノンフラックスタイプのハンダを供
給する工程と、ハンダ付部にハンダの融点以上の温度の
水素ガスを短時間吹きつける還元工程と、水素ガスを吹
きつけた後に水素または窒素の雰囲気中でハンダを加熱
して溶融させる工程とからなる。

【０００７】好ましくは、還元工程は、水素ガスをハン
ダ付部上から吹きつけるものであり、装着工程と還元工
程との間に、ハンダ付部の周囲をカバーするマスクを回
路部材または電子部品上に設ける工程をさらに含む。

【０００８】また、上記課題を達成するために、本発明
に係るハンダ付け方法は、各電子部品が導電路を有する
回路部材のハンダ付部で接触するように、各電子部品を
回路部材上に装着する装着装置と、電子部品が装着され
た回路部材のハンダ付部近傍にノンフラックスタイプの
ハンダを供給する供給装置と、ハンダの供給された回路
部材および電子部品を収容可能であり、ハンダを加熱し
て溶融させる溶融部を内部に有し、内部に窒素または水
素が充満したリフロー炉と、電子部品と回路部材とを装
着装置および供給装置に搬送するとともに、この両装置
により電子部品が装着されかつハンダが供給された回路
部材を、溶融部を通るようにリフロー炉内を搬送する搬
送手段と、溶融部の上流位置に設けられた吹出し口を有
し、回路部材が搬送手段により搬送されて吹出し口に達
したところで、この吹出し口からハンダの融点以上の温
度の水素ガスを短時間上記ハンダ付部に吹きつける水素
ガス吹付け手段とを有する。

【０００９】

【作用】本発明に係るハンダ付け方法では、ハンダ付部
にハンダの融点以上の温度の水素ガスを短時間吹きつけ
ることにより、ハンダ付部表面の酸化膜が還元されて除
去されるとともに、上記水素ガスの吹きつけ後に水素ま
たは窒素の雰囲気中で、ハンダ付部近傍に供給されたノ
ンフラックスタイプのハンダを加熱して溶融させること
により、溶融したハンダがハンダ付部に流れて電子部品
がハンダ付部にハンダ付けされる。また、水素または窒
素の雰囲気中でハンダを加熱して溶融させるので、ハン
ダ付部表面の再酸化が防止される。

【００１０】また、装着工程と還元工程との間に、ハン
ダ付部の周囲をカバーするマスクを回路部材または電子
部品上に設けるので、還元工程においてハンダ付部の近
傍以外が高温度の水素ガスにより加熱され破損するのが
防止される。

【００１１】また、本発明に係るハンダ付け装置では、
導電路を有する回路部材が搬送手段によりリフロー炉内
を搬送されて溶融部の上流位置にある吹出し口に達した
ところで、水素ガス吹付け手段の上記吹出し口からハン
ダの融点以上の温度の水素ガスがハンダ付部に短時間吹
きつけられ、これによってハンダ付部表面の酸化膜が還
元されて除去される。この後、さらに回路部材が搬送手
段により溶融部を通るようにリフロー炉内を搬送される
ことにより、ハンダ付部近傍に供給されたノンフラック
スタイプのハンダが加熱されて溶融し、この溶融したハ
ンダがハンダ付部に流れて電子部品がハンダ付部にハン
ダ付けされる。また、窒素または水素が充満したリフロ
ー炉内でハンダを加熱して溶融させるので、ハンダ付部
表面の再酸化が防止される。

【００１２】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例に係
るハンダ付け装置およびハンダ付け方法を説明する。こ
の装置および方法は、導電路を有する回路部材のハンダ
付部近傍にあらかじめ適量のハンダを供給しておき、ハ
ンダ付部に高温の水素ガスを吹きつけ酸化膜を除去し、
その後さらに外部からの熱源によってハンダを溶融さ
せ、ハンダ付部に電子部品をハンダ付けする方法を採用
している。

【００１３】図１は本発明の一実施例に係るハンダ付け
装置を示している。このハンダ付け装置は、図４および
図５に示すように、導電路を有する回路部材の一例であ
る基板１のハンダ付けランド２，２上のハンダ付部２
ａ，２ａにチップコンデンサー等の電子部品３の電極部
をハンダ付けするためのものである。図４および図５に
おいて、符号４はレジストであり、符号５はハンダ付け
ランド２の表面にできた酸化膜である。

【００１４】図１に示すように、ハンダ付け装置１０
は、上記各電子部品３が基板１の各ハンダ付けランド２
上のハンダ付部２ａで接触するように、各電子部品３を
基板１上に装着する装着装置（図示省略）と、各電子部
品３が装着された基板１の上記ハンダ付部２ａ近傍にノ
ンフラックスタイプのハンダ６（図４および図５を参
照）を供給する供給装置（図示省略）と、上記ハンダ６
を加熱して溶融させる溶融部２１を内部に有し、内部に
水素が充満したリフロー水素炉（リフロー炉）２０と、
各電子部品３と基板１を上記装着装置および上記供給装
置へ搬送するとともに、この両装置により各電子部品３
が装着されかつ上記ハンダ６が供給された基板１を、上
記溶融部２１を通るようにリフロー水素炉２０内を搬送
する搬送手段３０と、上記溶融部２１近傍の上流位置に
設けられた吹出し口４１を有し、基板１が搬送手段３０
により搬送されて吹出し口４１に達したところで、この
吹出し口４１からハンダ６の融点以上の温度の高温水素
ガスを短時間上記ハンダ付部２ａに吹きつける水素ガス
吹付け手段４０とを有している。

【００１５】上記装着装置は、各電子部品３を図４およ
び図６（ａ）で示すように各ハンダ付けランド２のハン
ダ付部２ａで接触するように接着剤７で接着することに
より、各電子部品３を基板１上に装着するように構成さ
れている。

【００１６】また、上記装着装置により各電子部品３が
基板１上に装着されかつ上記供給装置によりハンダ６が
ハンダ付部２ａ近傍に供給された基板１（図４および図
６（ａ）を参照）は、上記装着装置によりまたはこの装
置とは別の装着装置により図６（ｂ）で示すように上記
搬送手段３０の支持台３１上に装着されるようになって
いる。このとき、基板１は、図６（ｂ）で示すように、
基板１に穿設された２つの丸孔１ａおよび上記レジスト
４に穿設された２つの丸孔４ａを上記支持台３１上に固
定された２本の位置決めピン３１ａに、基板１に穿設さ
れた２つの長孔１ｂおよびレジスト４に穿設された２つ
の長孔４ｂを支持台３１上に固定された２本の位置決め
ピン３１ｂにそれぞれ嵌合させることにより、支持台３
１上に装着される。

【００１７】また、この一実施例に係るハンダ付け装置
では、図６（ｂ）で示すように基板１を支持台３１上に
装着してからこの基板１が上記搬送手段３０により上記
リフロー水素炉２０内に搬送される前に、上記ハンダ付
部２ａの周囲をカバーするマスク８を図４および図６
（ｃ）で示すように基板１上に取り付けるようになって
いる。図６（ｃ）で示すようにこのマスク８は、上記ハ
ンダ付けランド２と略同じ大きさの開口部８ａと、２つ
の丸孔８ｂと、２つの長孔８ｃとを有している。このマ
スク８は、２つの丸孔８ｂを２つの上記位置決めピン３
１ａの小径部３１ａ´に、２つの長孔８ｃを２つの上記
位置決めピン３１ｂの小径部３１ｂ´にそれぞれ嵌合さ
せることにより、基板１上に取り付けられている。

【００１８】上記リフロー水素炉２０は、図２に示すよ
うに、炉内温度がたとえば赤外線またはエアヒータ等に
より、上方から熱せられ、常温である炉の入口２０ａ側
から徐々に上昇して上記ハンダ６の融点（１５０℃〜３
００℃）より僅かに高いハンダリフロー温度（１７０℃
〜３３０℃）まで上昇してその温度で一定し、炉の出口
２０ｂ側へ向かって徐々に低下し常温となるような温度
分布を有している。ハンダリフロー温度まで上昇して一
定している領域が上記溶融部２１となっている。

【００１９】上記搬送手段３０は、図１および図３に示
すように、駆動モータ３２と、このモータ３２の出力ギ
ヤ３２ａに連結された左右一対の駆動用スプロケットギ
ヤ３３と、左右一対が１組となった６組の従動用スプロ
ケットギヤ３４と、これらのスプロケットギヤに巻掛け
られた２本のチェーンベルト３５とから構成されてい
る。上記６組の従動用スプロケットギヤ３４のうち、２
組が駆動用スプロケットギヤ３３の上方に、１組がリフ
ロー水素炉２０の入口２０ａの外側に、１組が水素炉２
０の出口２０ｂの外側に、残りの２組が水素炉２０内に
それぞれ配置されている。そして、上記支持台３１は、
２本のチェーンベルト３５にそれぞれ突設された固定突
部３６上に固定されている。

【００２０】図１に示すように、上記水素ガス吹付け手
段４０は、上記溶融部２１近傍の上流位置でかつチェー
ンベルト３５により搬送される上記基板１の上方位置に
開口した吹出し口４１を有する配管４２と、この配管４
２を介してリフロー水素炉２０内に上記高温水素ガスを
供給する高温水素ガス発生装置４３と、配管４２を開閉
する常閉の電磁弁４４と、基板１が搬送手段３０により
搬送されて吹出し口４１下方の所定位置に達したことを
検知するセンサ４５と、このセンサ４５の出力信号に応
じて電磁弁４４の開閉を制御する制御手段（ＣＰＵ）４
６とから構成されている。なお、上記高温水素ガスは、
還元能力を有する高温度（４００℃以上）のものであ
る。

【００２１】上記センサ４５により検知される上記所定
位置とは、上記ハンダ付けランド２上の、ハンダ付部２
ａとハンダ６の略中間に設けられた水素ガス吹付けマー
ク９（図４を参照）が上記吹出し口４１の略真下にくる
ような位置（図１で示す位置）である。

【００２２】また、上記制御手段４６は、基板１が上記
所定位置に達したことをセンサ４５が検知したとき、セ
ンサ４５からの出力信号により上記電磁弁４４を所定の
短時間（例えば、１秒程度）開くように制御する。この
電磁弁４４が開くことにより、高温水素ガスが吹出し口
４１から基板１の水素ガス吹付けマーク９に向けて吹き
付けられるようになっている。

【００２３】このように、上記一実施例に係るハンダ付
け装置は、チェーンベルト３５により搬送されてリフロ
ー水素炉２０内に入った基板１全体が、リフロー水素炉
２０内をその入口２０ａからその出口２０ｂ側へ搬送さ
れる間に、徐々に加熱されて温度が上がっていき、図２
に示すハンダリフロー温度に達する直前に、すなわち基
板１が上記溶融部２１近傍の上流位置に達したところ
で、この上流位置にある上記吹出し口４１から高温水素
ガスが基板１の水素ガス吹付けマーク９に向けて吹き付
けられ（このとき吹き付けられる高温水素ガスの吹付け
位置およびその温度分布が図２の破線で示されてい
る）、この吹付け直後に基板１が溶融部２１へ搬送さ
れ、基板１全体が上記溶融部２１により加熱されハンダ
リフロー温度まで温度が上昇するように構成されてい
る。

【００２４】次にランド２およびマスク８の平面形状に
ついて説明する。図４の破線に示すように、ランド２
の、ハンダ６が供給装置により供給される部分と、ハン
ダ付部２ａとの間の部分は幅が狭くなっているがこれは
次の理由による。

【００２５】すなわち、後述するようにリフロー炉内で
基板１が搬送されていき、それがまだ吹出し口４１に至
らない位置でハンダ融点付近にまで加熱されると、ハン
ダ６の粘性が低下し、酸化膜５上をハンダ付部２ａのほ
うへ移動するおそれがある。そうすると、基板１が吹出
し口４１に達したとき、ハンダ付部２ａはすでにハンダ
６に蔽われ、水素ガスを直接酸化膜に吹きつけることが
できず、酸化膜５を除去することができずハンダ付けが
不完全になるおそれがある。

【００２６】従って、ランド２の幅の狭い部分を設けて
上述のようなハンダ６のハンダ付部２ａへの移動を防止
し、吹出し口４１がランド２上の酸化膜５に直接水素ガ
スを吹きつけられるようにしている。

【００２７】図４のようにマスク８の開口部８ａは、ラ
ンド２に沿った形状をなしているが、これは次の理由に
よる。

【００２８】すなわち、吹出し口４１により、水素ガス
を吹きつけるハンダ付部２ａ近傍と、溶融部２１により
加熱するハンダ６のある部分との２ケ所は、上方に露出
している必要があるが、それ以外の部分、特に、レジス
ト４や、電子部品３は高温とならないように保護する必
要がある。このため上述のような形状をなしている。

【００２９】次に、上記一実施例に係るハンダ付け装置
を用いて行なわれる本発明の一実施例に係るハンダ付け
方法を説明する。

【００３０】（１）まず最初に、図４，図６（ａ）で示
すように、各電子部品３がハンダ付けランド２のハンダ
付部２ａで接触するように、各電子部品３の中央部を基
板１のレジスト４上に接着剤７で接着することにより、
各電子部品３を基板１上に装着する（装着工程）。この
ような装着は、上記装着装置によって行われる。

【００３１】（２）次に、図４，図６（ａ）で示すよう
に、ノンフラックスタイプのハンダ６を、各電子部品３
が装着された基板１のハンダ付部２ａ近傍に供給する
（ハンダ供給工程）。このようなハンダの供給は、上記
供給装置によって行われる。

【００３２】（３）次に、各電子部品３が基板１上に装
着されかつ上記ハンダ６がハンダ付部２ａ近傍に供給さ
れた基板１を、図６（ｂ）で示すように、上記搬送手段
３０の支持台３１上に装着する（基板装着工程）。この
とき、基板１は、図６（ｂ）で示すように、基板１の２
つの丸孔１ａおよびレジスト４の２つの丸孔４ａを支持
台３１の２本の位置決めピン３１ａに、基板１の２つの
長孔１ｂおよびレジスト４の２つの長孔４ｂを支持台３
１の２本の位置決めピン３１ｂにそれぞれ嵌合させるこ
とにより、支持台３１上に装着される。このような装着
は、上記装着装置またはこの装置とは別の装着装置によ
り行われる。

【００３３】（４）このようにして基板１を支持台３１
上に装着してからこの基板１が搬送手段３０によりリフ
ロー水素炉２０内に搬送される前に、図４および図６
（ｃ）で示すように、上記ハンダ付部２ａの周囲をカバ
ーするマスク８を基板１上に取り付ける（マスク装着工
程）。このとき、マスク８は、２つの丸孔８ｂを２つの
上記位置決めピン３１ａの小径部３１ａ´に、２つの長
孔８ｃを２つの上記位置決めピン３１ｂの小径部３１ｂ
´にそれぞれ嵌合させることにより、基板１上に取り付
けられる。このような取付けは、上記装着装置またはこ
の装置とは別の装着装置により行われる。

【００３４】（５）その後マスク８が取り付けられた基
板１が、搬送手段３０によりリフロー水素炉２０内を搬
送され、基板１のハンダ付部２ａに上記ハンダ６の融点
以上の温度の高温水素ガスを短時間吹きつける（還元工
程）。この還元工程により、ハンダ付けランド２のハン
ダ付部２ａからハンダ６に至る部分の表面の酸化膜５が
高温水素ガスにより還元されて除去され（図６（ｄ）を
参照）、これによってハンダ６のハンダ付部２ａに対す
るぬれがよくなる。

【００３５】このような還元工程は、図６（ｃ）で示す
ようにマスク８が取り付けられかつ図３で示すようにリ
フロー水素炉２０の入口２０ａの手前に位置している基
板１を一定速度で移動する搬送手段３０のチェーンベル
ト３５により水素炉２０内に搬送させ、基板１が図１で
示すように上記溶融部２１近傍の上流位置にある吹出し
口４１に達したところで、この吹出し口４１から高温水
素ガスを短時間上記ハンダ付部２ａ近傍に吹きつけるこ
とにより行われる。具体的には、上記水素ガス吹付けマ
ーク９が吹出し口４１の略真下にくるような所定位置に
基板１が達したことを上記センサ４５が検知すると、上
記制御手段４６は、センサ４５からの出力信号により上
記電磁弁４４を所定の短時間（例えば、１秒程度）開
く。この電磁弁４４が開いている間、高温水素ガスが吹
出し口４１から基板１の水素ガス吹付けマーク９に向け
て吹き付けられる。

【００３６】（６）その後、基板１を搬送手段３０によ
り溶融部２１に搬送することにより、上記還元工程によ
る高温水素ガスの吹きつけ直後に、水素の雰囲気中でハ
ンダを加熱して溶融させる（溶融工程）。この溶融工程
により、溶融したハンダ６が図７，８で示すようにハン
ダ付部２ａに流れて各電子部品３がハンダ付部２ａにハ
ンダ付けされる。このような溶融工程は、基板が吹出し
口４１の真下位置からさらにチェーンベルト３５により
リフロー水素炉２０内をその出口２０ｂ側へ向かって搬
送される際に、基板１が上記溶融部２１（図２を参照）
を通ることにより行われる。

【００３７】（７）そして、各電子部品３がハンダ付部
２ａにハンダ付けされた基板１がチェーンベルト３５に
より搬送されてリフロー水素炉２０の出口２０ｂから外
部に出た後に、基板１を支持台３１から取り外す。これ
によって、全てのハンダ付け工程が終了する。このと
き、ハンダ付けランド２と電子部品３との間には酸化膜
は介在せず、ハンダのみにより両者は接合し、両者の完
全な導通が得られる。

【００３８】なお、上記一実施例によれば、上記マスク
装着工程により、基板１が搬送手段３０によりリフロー
水素炉２０内に搬送される前に、上記ハンダ付部２ａの
周囲をカバーするマスク８を基板１上に取り付けている
ので、上記還元工程において高温水素ガスが基板１のハ
ンダ付部２ａ近傍以外には吹きつけられず、ハンダ付部
２ａ近傍以外が過度に加熱され破損するのが防止され
る。

【００３９】また、上記溶融工程において、水素の雰囲
気中でハンダ６を加熱して溶融させることにより、上記
ハンダ付部２ａ表面の再酸化が防止される。このため、
高温水素ガス吹出し口４１の直近に溶融部２１がなくて
もよく、少し離れていてもハンダ付部２ａ表面の再酸化
はおこらない。

【００４０】なお、上記一実施例では、上記溶融工程に
おいて、水素の雰囲気中で（リフロー水素炉２０内で）
基板１全体を加熱してハンダ６を溶融させるようにして
いるが、本発明はこれに限定されるものではなく、窒素
の雰囲気中で（窒素炉内で）基板１全体を加熱してハン
ダ６を溶融させるようにしてもよい。

【００４１】また、上記一実施例では、図２に示すよう
な温度分布を有し、ハンダリフロー温度まで上昇してそ
の温度で一定している領域が上記溶融部２１となってい
るリフロー水素炉２０を使用し、この溶融部２１により
基板１全体を加熱するようにしているが、本発明はこれ
に限定されるものではない。例えば、上記リフロー水素
炉２０の代わりに、内部に窒素または水素が充満したリ
フロー炉を使用し、このリフロー炉内に、ハンダを加熱
して溶融させる上記溶融部として、レーザー光等により
基板１上のハンダのみを局部加熱する加熱手段を設けて
もよい。

【００４２】また、上記一実施例に係るハンダ付け装置
では、図１に示すように、１つの支持台３１のみをチェ
ーンベルト３５上に設けているが、複数の支持台３１を
チェーンベルト３５上に設けてもよい。この場合には、
ハンダ付けの作業効率が向上する。また回路部材は、導
電路を有するものであれば基板以外のものでもよくたと
えばリードフレームでもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係るハン
ダ付け方法によれば、ハンダ付部にハンダの融点以上の
温度の水素ガスを短時間吹きつけることにより、ハンダ
付部表面の酸化膜が還元されて除去されるとともに、上
記水素ガスの吹きつけ後に水素または窒素の雰囲気中
で、ハンダ付部近傍に供給されたノンフラックスタイプ
のハンダを加熱して溶融させる。ハンダ付部に酸化膜が
ないためハンダはハンダ付部に対しぬれがよくなり、溶
融したハンダがハンダ付部に流れて電子部品がハンダ付
部にハンダ付けされる。これにより、導電路を有する回
路部材のハンダ付部と電子部品とは酸化膜を介さず、ハ
ンダにより両者は完全に導通する。

【００４４】従って、フラックスおよび有機系洗浄剤を
使用する必要がなく、これによってフラックス残さを除
去するための洗浄工程がなくなるとともに安価なノンフ
ラックスタイプのハンダを使用できるので、製造コスト
を低減することができる。また、水素または窒素の雰囲
気中でハンダを加熱して溶融させることにより、これに
よってハンダ付部表面の再酸化が防止される。従って、
ハンダを加熱して溶融する際に、再酸化によりハンダの
ぬれが悪くなるのを防止することができる。

【００４５】また、装着工程と還元工程との間に、ハン
ダ付部の周囲をカバーするマスクを回路部材または電子
部品上に設ければ、還元工程においてハンダ付部の周囲
が高温度の水素ガスにより加熱されるのが防止される。
従って、ハンダ付部の周囲に過度の熱ストレスが加わる
のを防止することができる。

【００４６】また、本発明に係るハンダ付け装置によれ
ば、導電路を有する回路部材が搬送手段によりリフロー
炉内を搬送されて溶融部近傍の上流位置にある吹出し口
に達したところで、水素ガス吹付け手段の上記吹出し口
からハンダの融点以上の温度の水素ガスがハンダ付部に
短時間吹きつけられ、これによってハンダ付部表面の酸
化膜が還元されて除去される。この後、さらに回路部材
が搬送手段により溶融部を通るようにリフロー炉内を搬
送されることにより、ハンダ付部近傍に供給されたノン
フラックスタイプのハンダが加熱されて溶融し、この溶
融したハンダがハンダ付部に流れて電子部品がハンダ付
部にハンダ付けされる。従って、フラックスおよび有機
系洗浄剤を使用する必要がなく、これによってフラック
ス残さを除去するための洗浄工程がなくなるとともに安
価なノンフラックスタイプのハンダを使用できるので、
製造コストを低減することができる。また、窒素または
水素が充満したリフロー炉内でハンダを加熱して溶融さ
せるので、ハンダ付部表面の再酸化が防止される。従っ
て、ハンダを加熱して溶融する際に、再酸化によりハン
ダのぬれが悪くなるのを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係るハンダ付け装置を示
す概略構成図である。

【図２】図１に示すリフロー水素炉の温度分布を示す図
である。

【図３】図１の一部を拡大して示した図である。

【図４】電子部品が装着されかつハンダが供給された基
板の一部を示す平面図である。

【図５】図４のＶーＶ線に沿う断面図である。

【図６】（ａ）は電子部品が装着されかつハンダが供給
された基板を示す断面図である。（ｂ）は基板が支持台
上に装着された状態を示す断面図である。（ｃ）は基板
上にマスクが取り付けられた状態を示す断面図である。
（ｄ）はハンダがハンダ付部に流れた状態を示す断面図
である。

【図７】ハンダがハンダ付部に流れたときの基板の状態
を示す図で、図４と同様の平面図である。

【図８】電子部品がハンダ付部にハンダ付けされたとき
の基板の状態を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 基板（導電路を有する回路部材） ２ａ ハンダ付部 ３ 電子部品 ６ ハンダ ８ マスク ２０ リフロー水素炉（リフロー炉） ２１ 溶融部 ３０ 搬送手段 ４０ 水素ガス吹付け手段 ４１ 吹出し口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 2/10 2/34

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 各電子部品が導電路を有する回路部材の
   ハンダ付部で接触するように、各電子部品を上記回路部
   材上に装着する装着工程と、 上記回路部材の上記ハンダ付部近傍にノンフラックスタ
   イプのハンダを供給する工程と、 上記ハンダ付部に上記ハンダの融点以上の温度の水素ガ
   スを短時間吹きつける還元工程と、 上記水素ガスを吹きつけた後に水素または窒素の雰囲気
   中で上記ハンダを加熱して溶融させる工程とからなるこ
   とを特徴とするハンダ付け方法。
2. 【請求項２】 上記還元工程は、上記水素ガスを上記ハ
   ンダ付部上から吹きつけるものであり、上記装着工程と
   上記還元工程との間に、上記ハンダ付部の周囲をカバー
   するマスクを上記回路部材または上記電子部品上に設け
   る工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のハ
   ンダ付け方法。
3. 【請求項３】 各電子部品が導電路を有する回路部材の
   ハンダ付部で接触するように、各電子部品を上記回路部
   材上に装着する装着装置と、 上記電子部品が装着された上記回路部材の上記ハンダ付
   部近傍にノンフラックスタイプのハンダを供給する供給
   装置と、 上記ハンダの供給された上記回路部材および上記電子部
   品を収容可能であり、上記ハンダを加熱して溶融させる
   溶融部を内部に有し、内部に窒素または水素が充満した
   リフロー炉と、 上記電子部品と上記回路部材とを上記装着装置および上
   記供給装置に搬送するとともに、この両装置により上記
   電子部品が装着されかつ上記ハンダが供給された上記回
   路部材を、上記溶融部を通るように上記リフロー炉内を
   搬送する搬送手段と、 上記溶融部の上流位置に設けられた吹出し口を有し、上
   記回路部材が上記搬送手段により搬送されて上記吹出し
   口に達したところで、この吹出し口から上記ハンダの融
   点以上の温度の水素ガスを短時間上記ハンダ付部に吹き
   つける水素ガス吹付け手段とを有するハンダ付け装置。