JPH06289280A - 焦点検出用予備照射装置 - Google Patents
焦点検出用予備照射装置Info
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- JPH06289280A JPH06289280A JP5072547A JP7254793A JPH06289280A JP H06289280 A JPH06289280 A JP H06289280A JP 5072547 A JP5072547 A JP 5072547A JP 7254793 A JP7254793 A JP 7254793A JP H06289280 A JPH06289280 A JP H06289280A
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Abstract
の予備照射の発光光量を決定すること。 【構成】閃光発光部1は光強度分布測定時に被写体を予
備照射するもので、発光制御部2により予備照射時の発
光が制御される。さらに、焦点距離検出部3は撮影光学
系の焦点距離を検出するためのもので、発光光量設定部
4は、この焦点距離検出部3からの出力に基づいて発光
光量を設定する。そして、光強度判別部5が被写体光の
光強度を判別すると、該上記光強度判別部5の出力に応
動して、上記閃光発光部1が光強度分布測定時に所定の
発光光量で予備照射を行う。
Description
影装置における自動焦点検出装置による焦点検出時に被
写体に向けて補助光を照射する焦点検出用予備照射装置
に関する。
る焦点検出装置では、撮影レンズを通して入射した被写
体光を2像に分割し、その位相のズレに基づいて焦点調
整を行うパッシブAF方式が採用されている。
として積分型の受光素子が用いられている。この積分型
の受光素子に光が入射すると、それに応じて電荷が蓄積
され積分され、該積分された電荷に応じて所定の出力が
なされる。そして、積分型の受光素子は上記出力を一定
に保つように照度乃至は輝度と積分時間の積を一定にし
ている。
では、積分型受光素子を用いて被写体の低輝度を検出
し、発光部の発光動作を制御する焦点検出装置に関する
技術が開示されている。
場合、被写体が暗いと焦点調整が困難であるので、焦点
検出用予備照射装置により被写体に向けて補助光を照射
することが行われている。そして、このような焦点検出
用予備照射装置では、主としてコンデンサに蓄積される
電荷の量により発光量を決定しているため、コンデンサ
の容量を適当に設定することで当該発光量を自在に制御
することができる。
た焦点検出用予備照射装置では、コンデンサの容量を適
当に設定することで発光量を制御することはできるが、
撮影時の被写体輝度を考慮して初回の予備照射の発光光
量を設定することはできなかった。
で、その目的とするところは、撮影レンズの焦点距離の
情報に基づいて、初回の予備照射の発光光量を決定する
ことにある。
に、本発明の第1の態様による焦点検出用予備照射装置
では、被写体光を2像に分割し、各像の光強度分布を測
定し、その像間隔から撮影光学系のデフォーカス量を求
めるカメラの自動焦点調節装置において、上記光強度分
布測定時に被写体を予備照射する閃光発光手段と、上記
閃光発光手段の予備照射時の発光を制御する発光制御手
段と、上記撮影光学系の焦点距離を検出する焦点距離検
出手段と、上記焦点距離検出手段の出力に基づいて発光
光量を設定する発光光量設定手段と、上記被写体光の光
強度を判別する光強度判別手段とを具備し、上記光強度
判別手段の出力に応動して、上記閃光発光手段が光強度
分布測定時に所定の発光光量で予備照射を行うことを特
徴とする。
射装置では、被写体光を2像に分割し、各像の光強度分
布を測定し、その像間隔から撮影光学系のデフォーカス
量を求めるカメラの自動焦点調節装置において、上記光
強度分布測定時に被写体を予備照射する閃光発光手段
と、上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御する発
光制御手段と、上記撮影光学系の焦点距離を検出する焦
点距離検出手段と、上記焦点距離検出手段の出力に基づ
いて発光光量を設定する発光光量設定手段と、上記被写
体光の光強度を判別する光強度判別手段と、上記カメラ
の撮影モードを設定する撮影モード設定手段と、上記撮
影モード設定手段によりマクロ撮影モードが選択されて
いる場合に上記発光光量設定手段により設定された発光
光量を更に少なくする制御手段とを具備し、上記光強度
判別手段の出力に応動して、上記閃光発光手段が次の光
強度分布測定時に所定の発光光量で予備照射を行うこと
を特徴とする。
備照射装置は、閃光発光手段が光強度分布測定時に被写
体を予備照射し、発光制御手段が上記閃光発光手段の予
備照射時の発光を制御し、焦点距離検出手段が撮影光学
系の焦点距離を検出し、発光光量設定手段が上記焦点距
離検出手段の出力に基づいて発光光量を設定し、光強度
判別手段が被写体光の光強度を判別する。そして、上記
光強度判別手段の出力に応動して、上記閃光発光手段が
光強度分布測定時に所定の発光光量で予備照射を行う。
射装置では、閃光発光手段が上記光強度分布測定時に被
写体を予備照射し、発光制御手段が上記閃光発光手段の
予備照射時の発光を制御し、焦点距離検出手段が撮影光
学系の焦点距離を検出し、発光光量設定手段が上記焦点
距離検出手段の出力に基づいて発光光量を設定し、光強
度判別手段が被写体光の光強度を判別し、撮影モード設
定手段が上記カメラの撮影モードを設定し、制御手段が
上記撮影モード設定手段によりマクロ撮影モードが選択
されている場合に上記発光光量設定手段により設定され
た発光光量を更に少なくする。そして、上記光強度判別
手段の出力に応動して、上記閃光発光手段が次の光強度
分布測定時に所定の発光光量で予備照射を行う。
いて説明する。
概念図である。
備照射装置は、閃光発光部1と発光制御部2、焦点距離
検出部3、発光光量設定部4、光強度判別部5とからな
る。このような構成において、閃光発光部1は光強度分
布測定時に被写体を予備照射するもので、発光制御部2
により予備照射時の発光が制御される。さらに、焦点距
離検出部3は撮影光学系の焦点距離を検出するためのも
ので、発光光量設定部4は、この焦点距離検出部3から
の出力に基づいて発光光量を設定する。そして、光強度
判別部5が被写体光の光強度を判別すると、該上記光強
度判別部5の出力に応動して、上記閃光発光部1が光強
度分布測定時に所定の発光光量で予備照射を行う。
検出用予備照射装置の制御系の構成を示す図である。
部ROMに予め記憶されたプログラムを逐次実行して周
辺の集積回路(IC)等の制御を行う。
による自動焦点調整にはTTL位相差検出方式が採用さ
れている。そして、被写体光が撮影レンズ38を通過
し、コンデンサレンズ36とセパレータレンズ35L,
35RとからなるAF光学系を介して当該AFIC12
の上面に配置されたフォトセンサアレイ34L,34R
上に到達すると、AFIC12は後述する光量積分や量
子化等の処理を行い、その測距情報はAFIC12から
CPU11へと転送される。
34Rの各素子の特性にばらつきがあると、そのままで
は正確な測距情報を得ることができないので、本実施例
では不揮発性記録素子であるEEPROM13にフォト
センサアレイ34L,34Rのばらつきに関する情報を
予め記憶しておき、AFIC12から得られる測距情報
の補正演算をCPU11において行っている。このEE
PROM13に、機械的なばらつきや各種素子の電気的
特性のばらつき等、様々な調整値を予め記憶させてお
き、これら調整値を必要に応じてCPU11に送ること
で各種演算を行うことができる。尚、CPU11とAF
IC12、EEPROM13の間でのデータの授受はシ
リアル通信により行われている。
ら出力される制御信号に基づいてフィルムに日付けの写
し込みを行う。尚、当該データバッグ15の写し込みラ
ンプの光量はフィルムISO感度によって段階的に変化
するものとする。
7は、CPU11と4ビットのパラレル通信を行い、被
写体輝度の測定やカメラ内温度の測定、フォトインタラ
プタ等の出力信号の波形整形、モータの定電圧駆動制
御、温度安定、温度比例電圧等の各種定電圧の生成、バ
ッテリの残量チェック、赤外光リモコンの受信、モータ
ドライバIC18,19の制御、各種LEDの制御、電
源電圧のチェック、昇圧回路の制御等を行う。
D)33は、被写体輝度の測定を行う。このSPD33
の受光面は画面中央部分とその周辺部分とに2分割され
ており、画面中央の一部分のみで測光を行うスポット測
光と画面全体を使用して測光するアベレージ測光との2
通りの測光を行う。そして、このSPD33が被写体輝
度に応じた電流をIFIC17に出力すると、IFIC
17では、このSPD33からの出力を電圧に変換して
CPU11へと転送する。そして、CPU11では、こ
の電圧の情報を基にして露出演算や逆光の判断等が行な
われる。
より絶対温度に比例した電圧が出力されると、その信号
はCPU11にてA/D変換され、カメラ内温度の測温
値として出力され、この測温値は温度により状態が変化
する機械部材や電気信号の補正等において用いられる。
は、フォトインタラプタ或いはフォトリフレクタ等の出
力の光電流を基準電流と比較し、矩形波としてIFIC
17より出力する。この時、基準電流にヒステリシスを
持たせることによりノイズ除去を行なっている。また、
このCPU11との通信により基準電流及びヒステリシ
ス特性を変化させることもできる。
テリの両端に低抵抗を接続して電流を流したときのバッ
テリ両端の電圧をIFIC17内部で分圧してCPU1
1へ出力し、このCPU11内にてA/D変換を行いA
/D値を得ることで行う。
ン送信用ユニット30の投光用LED31より変調され
た赤外光が発せられ、その赤外光を受光用シリコンフォ
トダイオード32にて受信することで行う。そして、こ
のシリコンフォトダイオード32の出力信号は、IFI
C17内部で波形整形等の処理が行われた後、CPU1
1へと転送される。
7に、そのための専用端子が設けられており、該専用端
子に入力される電源電圧が規定値より低下すると、IF
IC17からリセット信号がCPU11へと出力され、
CPU11の暴走等が未然に防止される。そして、昇圧
回路の制御は電源電圧が所定値より低下したときに昇圧
回路を作動させるというものである。
了、ストロボ発光警告等のファインダ内表示用LED2
9、或いはフォトインタラプタ等に使用されているLE
Dが接続されており、これらのLEDのオン/オフ及び
発光光量の制御は、CPU11及びEEPROM13、
IFIC17間で通信を行いIFIC17が直接的に行
なう。このIFIC17はモータの定電圧制御も行な
う。
ム給送及びシャッタのチャージを行うシャッタチャージ
(SC)モータ22、フォーカス調整のためのレンズ駆
動用LDモータ23、鏡枠のズーミング用のZMモータ
24の3つのモータの駆動、及び昇圧回路の駆動、セル
フタイマ動作表示用のLEDの駆動等を行う。そして、
これらの動作の制御、例えば「どのデバイスを駆動する
か」、「モータは正転させるか逆転させるか」、「制動
をかけるか」等についてはCPU11からの信号をIF
IC17が受けて、当該IFIC17がモータドライバ
ICを制御することにより行う。
チャージ、フィルム巻上げ、巻戻しのいずれの状態にあ
るかはフォトインタラプタとクラッチレバーを用いてS
CPI25で検出し、その情報はCPU11へと転送さ
れる。また、レンズの繰り出し量はLDモータ13に取
付けられたLDPI26で検出され、その出力はIFI
C17で波形整形した後、CPU11へと転送される。
ZMPI28及びZMPR27で検出する。そして、鏡
枠がTELE端とWIDE端の間にあるとき、鏡枠に貼
り付けた銀色シールの反射をZMPR27が拾う様な構
成にする。このZMPR27の出力はCPU11へ入力
されTELE端,WIDE端の検出が行なわれる。
取り付けられ、その出力はIFIC17で波形整形され
た後、CPU11へ入力され、TELE端又はWIDE
端からのズーミング量が検出される。そして、モータド
ライバIC19は絞り調整ユニット駆動用のステッピン
グモータであるAVモータ20をCPU11からの制御
信号により駆動し、AVPI21は、その出力をIFI
C17で波形整形してCPU11へ出力し、絞り開放位
置の検出を行う。
ら送られる信号により、フィルム駒数や撮影モード、ス
トロボモード、絞り値、電池残量等の表示をする。そし
て、ストロボ回路16は撮影時又はAF測距時、被写体
の輝度が不足していたときに発光管を発光させて必要な
輝度を被写体に与えるもので、CPU11からの信号に
基づいてIFIC17が制御する。
SWはレリーズボタンが半押しされた状態のときにオン
となり測距動作を行う。そして、セカンドレリーズスイ
ッチR2SWはレリーズボタンが全押しされた状態のと
きにオンとなり、各種測定値を基に撮影動作が行われ
る。さらに、ズームアップスイッチZUSW及びズーム
ダウンスイッチZDSWは鏡枠のズーミングを行うスイ
ッチで、ZUSWがオンすると長焦点方向に、ZDSW
がオンすると短焦点方向にズーミングする。また、セル
フスイッチSELFSWがオンすると、セルフタイマ撮
影モード又はリモコンの待機状態となる。この状態にお
いてR2SWがオンされればセルフタイマ撮影が行わ
れ、リモコン送信機30にて撮影操作を行えばリモコン
による撮影を行う。
オンすると、測光を撮影画面の中央の一部のみで行う
「スポット測距モード」となる。これは、後述のAFセ
ンサによる測距である。尚、SPOTSWがオフでの通
常の測光は測光用SPD23にて評価測光を行なう。さ
らに、PCT1SW〜PCT4SW及びプログラムスイ
ッチPSWは「プログラム撮影モード」の切換スイッチ
で、撮影条件に合わせて撮影者がモード選択を行う。ま
た、PCT1SWをオンすると「ポートレートモード」
となり、適正露出範囲内で被写界深度が浅くなる様に絞
り及びシャッタースピードを決定する。
ード」となり、通常撮影時の適正露出の値よりも一段ア
ンダーに設定する。そして、PCT3SWをオンすると
「風景モード」となり、適正露出範囲内で被写界深度が
できるだけ深くなる様に絞り及びシャッタースピードの
値を決定する。さらに、PCT4SWをオンすると「マ
クロモード」となり近接撮影時に使用される。尚、これ
らPCT1SW乃至PCT4SWは同時に2つ以上選択
することができない。
モード」の切り替えスイッチである。このPSWを押す
ことで、PCT1〜PCT4SWのリセット及び後述す
るAV優先プログラムモードのリセットを行う。さら
に、AV優先スイッチAVSWをオンすると、撮影モー
ドが「AV優先プログラムモード」となる。このモード
はAV値を撮影者が決定し、そのAV値に合わせてプロ
グラムでシャッタースピードを決める。このモードにな
ると、PCT2SWとPCT4SWは前述の機能はなく
なりAV値の設定スイッチとなる。さらに、PCT2S
WはAV値を大きくするスイッチでPCT4SWはAV
値を小さくするスイッチである。
ボの発光モードの切換スイッチで通常「自動発光モード
(AUTO)」、「赤目軽減自動発光モード(AUTO
−S)」、「強制発光モード(FILL−IN)」、
「ストロボオフモード」を切換える。また、パノラマス
イッチ(PANSW)は、撮影状態がパノラマ撮影か通
常撮影かを検出するためのスイッチでパノラマ撮影時に
オンとなる。そして、撮影モードがパノラマになってい
ると測光の補正演算等を行う。これは、パノラマ撮影時
には撮影画面の上下の一部がマスクされ、これに伴い測
光センサの一部もマスクされることになるので正確な測
光が行えないためである。
態を検出するたためのスイッチで、裏蓋が閉じている状
態がオフ状態となる。このBKSWがオンからオフへ状
態が移行するとフィルムのローディングを開始する。ま
た、シャッタチャージスイッチSCSWはシャッタチャ
ージを検出するためのスイッチである。
ミラーアップを検出するためのスイッチでミラーアップ
でオンとなる。そして、DXスイッチDXSWはフィル
ムのパトローネに印刷されているフィルム感度を示すD
Xコードを読み取るため、及びフィルム装填の有無を検
出するためのスイッチで図示しない5つのスイッチ群で
構成されている。
成を示す図である。
PU11からの制御信号に応じてAFIC12全体の動
作を制御する。このセンサ制御回路SCCはCPU1か
らのリセット信号AFRESを受けると、AFIC12
内の各ブロックにリセット信号を供給し蓄積動作を開始
させる。そして、その蓄積動作中はAFEND信号をロ
ーレベル“L”に保持してCPU11に出力する。
しており、ローレベル“L”である区間が積分リミット
時間を越えるとAFEXT信号を出力し、センサ制御回
路SCCは、このAFEXT信号に応じて強制的に蓄積
動作を停止させる。さらに、センサ制御回路SCCは、
センサ回路SCに対して信号A乃至Eを出力し感度モー
ドの切り換えを行うと共に、CLK,DATA信号によ
ってCPU1に対してセンサデータD(I) の通信を行
う。尚、フォトダイオードPDとセンサ回路SCについ
ては後述するが、センサ回路SCでは蓄積動作を終了す
ると蓄積終了信号TSをラッチ回路LCとOR発生回路
ORCに出力する。
を終了したセンサ回路SCの蓄積終了信号TS はOR発
生回路ORCを介してOR信号としてセンサ制御回路S
CCに入力され、センサ制御回路SCCでは、これをT
OR信号として出力する(図5(f)のTOR参照)。ま
た、光電変換素子列中で最後に電荷蓄積を終了したセン
サ回路SCからの蓄積終了信号TS はAND発生回路A
NDCによりセンサ制御回路SCCを介してAFEND
信号を出力する(図5(e)参照)。以下の説明では、
この図5(e)に示すAFENDのL区間を積分時間T
E と称する。
レベル“L”からハイレベル“H”を検出してAFセン
サの積分終了を判定し、ローレベル“L”区間の時間を
計測して積分リミットの判定を行う。
は、電荷蓄積時間TS をセンサデータD(I) にディジタ
ル化するためのクロックパルスCPを発生し、図5にお
いてはAFRES信号の入力と同時に動作を開始し、時
間の経過と共に周期が図5(g)のように増大していく
クロックパルスCPを発生する。この周期の変化は電荷
蓄積時間TS がフォトダイオードPDに入射する光強度
と、ほぼ反比例の関係になっている。
積を完了したセンサ回路SCからの蓄積終了信号TSが
OR発生回路ORCに入力されると、ORS信号によっ
てスイッチSWを閉じる。このスイッチSWのオンによ
りカウンタCOTはクロックジェネレータCGのクロッ
クパルスCPのカウントを開始する。
受けたフォトダイオードPDのラッチ回路LCにはカウ
ンタ出力0がラッチされる。そして、他のフォトダイオ
ードでは入射する光強度が小さいほど電荷蓄積時間が長
くなり、蓄積終了信号TS が発生するまでの時間差が発
生するので、この時間差に応じたカウンタ出力がそれぞ
れラッチ回路LCにおいてラッチされる。
ないが光電変換素子列の中央範囲内に位置するフォトダ
イオードに対応するセンサ回路SCからの蓄積終了信号
TSのみを有効とする。ここでは、光電変換素子列の両
側の主要被写体背景の逆光が入る恐れがあるので、この
範囲の各左右所定数のセンサ回路SCからの蓄積終了信
号TS は除外してOR発生回路ORCに入力していな
い。
ンサ回路SCの更に詳細な構成を示す図である。同図に
おいて、センサ回路SCは被写体輝度に応じて動作モー
ドを切り換えるもので、被写体が低輝度の場合は「高感
度モード」に、高輝度の場合は「低感度モード」に設定
する。
「高感度モード」に設定するため、センサ回路SCに信
号A〜Eを出力して、AS1オフ,AS2オン,AS3
オン,AS4オフ,AS5オンに設定する。この状態で
蓄積コンデンサCI の両端はショートされ、且つ演算増
幅器APの動作により電位V2 に固定されてリセットさ
れている。
が固定電位Vr に接続されており、その受光光量に応じ
た光電流を発生する。そして、AS3をオンからオフと
すると蓄積動作が開始され、フォトダイオードPDの受
光光量に応じた光電流が蓄積コンデンサCI に流れ込
み、これに応じた電荷が蓄積される。
の電位はリセット電位V1 から受光光量に応じた傾きで
下降していく(図5(c)参照)。
反転入力端を所定電位V3 に固定されたコンパレータC
Pの反転入力端に接続されており、演算増幅器APの出
力P2 が電位V3 を越えるとコンパレータCPの出力P
3 がハイレベル“H”からローレベル“L”に反転し、
AS4を介して蓄積終了信号TS を出力する。この蓄積
終了信号TS のうち最初の信号は前述のOR発生回路O
RC、センサ制御回路SCCを介してTOR信号として
出力される(図5(f)参照)。
号は、前述したAND発生回路ANDC、センサ制御回
路SCCを介してAFEND信号として出力される(図
5(e))。また、光電変換素子列中で最も短い蓄積時
間が所定時間より短い場合は、「低感度モード」に切り
換えて再度蓄積動作を行う(図6(h)乃至(m)参
照)。この「低感度モード」時には、センサ制御回路S
CCによって信号A〜Eの設定が行なわれ、AS1オ
ン,AS2オフ,AS3オフ,AS4オフ,AS5オン
とする。尚、低感度モードでは演算増幅器APは非反転
入力端をV2 に固定されたコンパレータとして動作させ
る。そして、コンパレータAPの反転入力端P1 は電位
V1 に固定され接合容量CJ をリセットしている。
て、フォトダイオードPDの受光する受光光量に応じた
光電流によりフォトダイオードPDの接合容量CJ を放
電するので、コンパレータAPの反転入力端P1 の電位
はリセット電位V1 より受光光量に応じた傾きで上昇し
ていく。
ータCG、カウンタCOTはリセットされコンパレータ
APの反転入力端P1 の電位が電位V2 を越えると、コ
ンパレータAPの出力P2 がハイレベル“H”からロー
レベル“L”に反転し、AS5を介して蓄積終了信号T
S を出力する。
積が終了したセンサ回路SCからの蓄積終了信号TS に
応じてOR発生回路ORCを介してスイッチSWがオン
され、センサ制御回路SCCよりTOR信号が出力され
る。そして、最も遅く蓄積が終了したセンサ回路SCか
らの蓄積終了信号TS に応じてAND発生回路ANDC
を介してセンサ制御回路SCCよりAFEND信号が出
力される。
の大きいフォトダイオードPDに対応する蓄積時間、つ
まり最も小さい、即ち前述のTOR信号に相当する蓄積時
間をTo とすると、光電変換素子列中の任意のフォトダ
イオードPDに対応する電荷蓄積時間T(I) と対応する
ラッチ回路LCにおいてラッチされるカウンタ出力D
(I) とは次式のような関係となっている。
(I) は次式で示される。
る光量に比例するので、上記D(I) を読み出すことによ
り被写体像信号を得ることができる。そして、カウンタ
COTは8ビット分のカウントを行うとカウントを停止
する。
強度が弱く上記電荷蓄積時間T(I)が上記To で決まる
所定時間より長い素子の出力は“255”に固定され
る。
な構成を示す図である。
トロボが発光可能になるまで昇圧を行なうDC/DCコ
ンバータ52が並列に接続されており、このDC/DC
コンバータ52の出力には、メインコンデンサMCに充
電された電圧を測定するメインコンデンサ電圧測定回路
53が接続されている。そして、上記DC/DCコンバ
ータ52の出力にはXe(キセノン)管57に発光のた
めのトリガを印加するトリガ回路54が接続されてお
り、更にダイオードD1を介して発光エネルギーを蓄え
るメインコンデンサMCも接続されている。そして、電
源Eには、前記ダイオードD1のカソードに接続された
メインコンデンサMCのエネルギーを消費して発光する
Xe管57と、このXe管57の発光光量の制御を行な
う発光光量制御回路55が直列に接続されており、前記
発光光量制御回路55には電源Eの供給を制御する電源
供給制御回路56が接続されている。尚、上記DC/D
Cコンバータ52とメインコンデンサ電圧測定回路53
とトリガ回路54と発光光量制御回路55と電源供給制
御回路56の制御は上記CPU11がIFICインター
フェースとして制御している。
16の更に詳細な構成について説明する。同図に示すよ
うに、上記メインコンデンサ電圧測定回路53は、抵抗
R1とR2とが直列に接続されており、該抵抗R2には
コンデンサC1が並列に接続されており、該抵抗R1,
R2の接続点はCPU11のVST端子に接続された構
成となっている。そして、このメインコンデンサ電圧測
定回路53は、DC/DCコンバータ52を起動させ、
抵抗R1,R2の分圧比で発生する抵抗R2の両端の電
圧をCPU11でモニタし、メインコンデンサMCの電
圧を抵抗の分圧比倍することにより、メインコンデンサ
MCの電圧を測定する。尚、コンデンサC1は測定電圧
を平滑するためのものである。
スタD2が直列に接続され、該サイリスタD2のアノー
ド、GND間にコンデンサC2とトリガコイルT1のb
−a間が直列に接続され、同じくサイリスタD2のアノ
ード、GND間にコンデンサC3と抵抗R4が直列に接
続され、トリガコイルT1の2次巻線T1−cがXe管
7の外壁に接続され、コンデンサC3と抵抗R4の接続
点がXe管57のカソードに接続され、サイリスタD2
のゲートがCPU11のSTON端子に接続された構成
となっている。そして、このトリガ回路54は、Xe管
57にトリガを印加すると同時にXe管57のカソード
に負のメインコンデンサ電圧を印加し、Xe管57の発
光をし易くするための倍電圧回路としても兼用されてい
る。
て更に詳細に説明する。
起動させ、出力充電電流を抵抗R3を介してコンデンサ
C2,C3に流し充電を行と、この充電された電荷はサ
イリスタD2のゲートにハイレベル“H”信号を入力す
ることによりサイリスタD2のアノード=カソード間が
導通し、コンデンサC2からサイリスタD2、トリガコ
イルT1の1次側a−b間、メインコンデンサMCへと
電流が流れ、トリガコイルT1の1次側に電流が流れる
と、該トリガコイルT1に1次巻線の2次巻線に対する
鎖交磁束が生じるため、2次巻線c端子には高電圧が誘
起されるトリガ回路の駆動を行う。更に、コンデンサC
3からサイリスタD2、抵抗R4、コンデンサC3に電
流が流れ、サイリスタD2のサノード電圧が初期のXe
管57の発光可能電圧値から一瞬のうちに0Vとなるた
め、コンデンサC3のXe管57のアノード側の電圧が
0VからマイナスのXe管発光可能電圧となり、ダイオ
ードD3によりXe管57のカソード電圧は保持され、
Xe管57の両端には2倍のXe管発光可能電圧が印加
されることになる倍電圧回路の駆動を行う。
とGND間にダイオードD3と絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタIGBT1が直列に接続され、該IGBT
1のゲート=エミッタ間にツェナダイオードD4が直列
に接続され、トランジスタTr1のコレクタ=エミッタ
間が並列に接続され、ツェナダイオードD4のアノード
と電源供給制御回路54が接続され、トランジスタTr
1のベースが抵抗R6を介してCPU11のSTOFF
端子に接続された構成となっている。そして、この発光
光量制御回路55は、電源供給制御回路56より供給さ
れる電圧によりツェナダイオードD4で絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタIGBT1のゲート電圧を作成
し、該IGBT1をオン状態にする。この時、トリガ回
路54の起動により発光電流がXe管57からダイオー
ドD3とIGBT1に流れる。そして、CPU1より、
STOFF端子に発光停止信号が抵抗R6を介してトラ
ンジスタT4に入力すると、トランジスタT4は動作
し、IGBT1のゲート電荷を放出させ、IGBT1を
オフし、発光電流は停止する。
タTr2と抵抗R5とが直列に接続され、抵抗R7とR
8とトランジスタTr3とが直列に接続され、抵抗R9
がCPU11のG−ON端子に接続された構成となって
いる。そして、この電源供給制御回路6は、CPU11
のG−ON端子よりオン信号が入力され、トランジスタ
Tr3が起動しトランジスタTr2が起動すると、メイ
ンコンデンサMCの電荷を発光光量制御回路55へ供給
し、オフ信号が入力されると、発光光量制御回路55へ
の電荷の供給を停止する。尚、メインコンデンサMCの
電圧を測定するためには、充電電圧チェックのサブルー
チンをコールすることにより実行され、予め発光可能電
圧値がCPU1内の図示しない記憶領域に格納されてい
る。これについての詳細は後述する。
本発明を適用したカメラにより実行されるサブルーチン
“ファーストレリーズ”のシーケンスについて詳細に説
明する。まず、G−ONをハイレベル“H”にし(ステ
ップS101)、後述するサブルーチン“充電電圧チェ
ック”を実行する(ステップS102)。
距”を実行し(ステップS103)、AF測距結果が検
出不能であったか検出不能フラグを参照して判別する
(ステップS104)。そして、検出できている場合は
AF測距時に補助光を照射したか否かを補助光フラグを
参照して判別する(ステップS105)。そして、補助
光がオフの場合には合焦フラグを参照して合焦か否か判
別し(ステップS107)、合焦の場合にはファインダ
内のLED表示やブザーの発音により合焦表示を行い
(ステップS108)、リターンする(ステップS11
3)。
には、後述するサブルーチン“レンズ駆動”を実行し、
上記AF測距の結果に基づいてレンズ駆動を行う(ステ
ップS109)。
判別し(ステップS110)、合焦であれば合焦表示を
行い(ステップS108)、非合焦の場合にはステップ
S103に戻って、サブルーチン“AF測距”を再度実
行する。そして、ステップS104において検出不能で
あった場合はステップS111においてファインダ内L
ED等による非合焦表示を行った後、リターンする(ス
テップS113)。
た場合には、即ち上記ステップS105において補助光
がオンであった場合は、光量オーバーフラグ及び光量ア
ンダーフラグを参照する。そして、光量オーバー又は光
量アンダーであった場合は測距結果に信頼性がないので
ステップS103に戻り補助光光量を変更して再度AF
測距を行う。また、光量が適正であった場合は補助光オ
フの場合と同様に、ステップS107以後の処理を行
う。
て、図9のステップS102で実行されるサブルーチン
“充電電圧チェック”のシーケンスについて詳細に説明
する。前述したストロボ回路16における電源Eの電圧
を測定・記憶し(ステップ201)、電源Eの温度を測
定・記憶する(ステップS202)。そして、このステ
ップS201,S202の電源電圧温度の結果を基に電
圧チェックのためのプリ充電を行なう時間を決定する
(ステップS203)。
“H”信号を入力し、DC/DCコンバータ52を起動
させ充電を介しする(ステップS204)。続いて、上
記ステップ403で決定した時間だけ充電を行ない(ス
テップS205)、VST端子よりメインコンデンサM
Cの電圧をA/D変換し、そのA/D値を記憶する(ス
テップS206)。
/D値をEEPROM13に予め記憶されている発光可
能電圧A/D値と比較し(ステップS207)、測定電
圧が高ければステップ208に進み発光可能フラグをセ
ットし、測定電圧が低ければステップ209に進み発光
可能フラグをクリアする。そして、STCHRG端子に
ローレベル“L”信号を入力し、DC/DCコンバータ
52の動作を止め(ステップS210)、本サブルーチ
ンを終了する(ステップS111)。
て、図9のステップS103で実行されるサブルーチン
“AF測距”のシーケンスについて詳細に説明する。
ルーチン“AFセンサ積分”が実行され、AFIC12
内の光電変換素子列34R,34LによるAFセンサ積
分が行なわれる。
L上に被写体像を結像させるためのAF光学系37につ
いて説明する。尚、撮影レンズ38によって形成される
被写体像を再結像光学系により2つの被写体像に分割
し、光電変換素子列上に再結像と、その2つの被写体像
の位置ずれを検出することで合焦検出を行うような焦点
検出光学系は既に公知である。
撮影レンズ38の結像面122近傍に位置するコンデン
サレンズ36と一対の再結像レンズ35R,35Lによ
って構成されている。そして、上記結像面122上に撮
影レンズ38の合焦時に被写体像123が結像すると、
当該被写体像123はコンデンサレンズ36と一対の再
結像レンズ35R,35Lにより光軸Oに対して垂直な
光電変換素子列の2次結像面127上に再形成され、第
1の被写体像123L、第2の被写体像123Rとな
る。そして、撮影レンズ38が前ピン、即ち、結像面1
22の前方に被写体像124が形成される場合、その被
写体像124は、互いに光軸Oに近づいた形で光軸Oに
対して垂直に再結像されて第1の被写体像124L、第
2の被写体像124Rとなる。また、撮影レンズ38が
後ピン、即ち上記結像面122の後方に被写体像125
に形成される場合、その被写体像125は互いに光軸O
から離れた位置に光軸Oに対して垂直に再結像されて第
1の被写体像125L、第2の被写体像125Rとな
る。これらの第1,第2の被写体像は同一方向を向いて
おり、両像において互いに対応する部分の間隔を検出す
ることにより撮影レンズ38の合焦状態を前ピン、後ピ
ン等を含めて検出することができる。
て、図11のステップS300で実行されるサブルーチ
ン“AFセンサ積分”のシーケンスについて詳細に説明
する。本ルーチンに入ると、最初にストロボオフモード
であるか否かを判定し、ストロボオフモードである場合
には積分リミット時間を通常の2倍(2・TL )に設定
する(ステップS400,S401)。続いて、AFセ
ンサ積分がスタートされているか否かをフラグを参照し
て判断し(ステップS402)、積分中でない場合には
積分を開始する(ステップS403)。この積分の開始
はAFIC12に対してCPU11よりリセット信号A
FRESが出力されて開始される。
いる場合はステップS405に移行し、被写体に補助光
を照射して積分を行う補助光モードであるか否か判定す
る(ステップS405)。そして、補助光モードでない
場合にはステップS410に移行し積分が終了したか否
かをAFIC12内のセンサ制御回路SCCの積分終了
出力AFENDを参照して判断する(ステップS40
7)。
ーンし、終了していない時はステップS411に進み積
分リミット時間に達したか否かを判定する。そして、こ
の積分時間が、この積分リミット時間を越えた場合はA
FIC12の積分動作を強制的に停止させる(ステップ
S412)。また、積分リミット時間を越えていない時
はステップS402に戻り、ステップS402,S40
5,S410,S412のループを積分終了、又は積分
リミット時間になるまで繰り返す。尚、積分時間は積分
制御回路AFEND信号に対応して割込み処理でRAM
に格納される。一方、上記ステップS405で補助光モ
ードである場合は、ステップS406に進み、後述する
サブルーチン“補助光照射”を実行し、補助光照射を一
定時間にあるパターンで行う。尚、この補助光照射中に
積分が終了した場合(AFEND信号)は割込み処理で
積分時間を取り込み、所定のRAMに格納する。さら
に、ステップS407で積分が終了していない時にはス
テップS408において積分動作を強制的に停止させ、
ステップS409において積分リミットフラグを設定
し、その後、リターンして積分制御動作を終了する(ス
テップS413)。
低輝度である場合に積分時間が長くなりタイムラグが大
きくなるのを防止するために設けられているので、被写
体が低輝度の時は被写体像信号が正しく得られない場合
がある。そこで、積分時間が所定値を越える時は次回積
分時に被写体に補助光を照射して被写体光量の不足を補
っている。ところで、本発明のカメラにおいては撮影モ
ードとして通常の「ストロボ低輝度自動発光モード」の
他に「ストロボオフモード」を有しており、ストロボ撮
影が禁止されているあるいは好ましくない場所での撮影
時に一時的に使用される。この場合、補助光としてのス
トロボ光照射も禁止し、同時にステップS200,S2
01に示すように上記積分リミット時間を2倍に設定し
て低輝度での焦点検出精度の劣化を防止している。
て、図13のステップS406で実行されるストロボ回
路6によるサブルーチン“補助光照射”のシーケンスに
ついて詳細に説明する。
と、AF補助光での発光回数が設定され(ステップS5
01)、サブルーチン“プリ充電”が実行される(ステ
ップ502)。このサブルーチン“プリ充電”のシーケ
ンスは図15に示す通りである。これは、先に図10に
示したサブルルーチン“充電電圧チェック”とほぼ同じ
内容であるため、ここでは説明を省略する。
る(ステップS503)。
図16に示す通りである。即ち、本サブルーチンに入る
と、必要発光光量を得るための発光時間を読み出し(ス
テップS701)、STON端子よりハイレベル“H”
信号を出し発光させる(ステップS702)。そして、
ステップS701で読み出した時間だけ発光を続け(ス
テップ703)、所定時間が経過するとステップ704
に進み、STOFF端子にハイレベル“H”信号を入力
し、IGBT1をオフさせXe管57の発光を止める。
そして、STON端子をローレベル“L”とし(ステッ
プS705)、STOFF端子をローレベル“L”とし
(ステップS706)、STON、STOFF端子を初
期状態としてサブルルーチン“充電電圧チェック”に戻
り,ステップ504に進む。
ンターバルの時間を定め(ステップS504)、所定の
発光回数が来るまで発光を続け所定回数の発光が終ると
リターンする(ステップS505,S506)。
はセンサ読出し動作を行う。
サ制御回路SCCのCLK端子にクロックを入力する
と、これに同期して各ラッチ回路LCにラッチされてい
るカウント出力D(I) がセンサデータとしてDATA端
子に順次出力され、CPU11はこのセンサデータD
(I) を順次所定の図示しないRAMに格納していく。そ
して、全センサデータD(I) の読み込みが終了すると、
センサ回路SCの動作モードが高感度モードか低感度モ
ードであるかのカンドデータDK の通信も行う。
ンサデータD(I) を用いて被写体の測光値を計算する。
この測光値は、露出データの計算や補助光の必要性の判
断の他、得られたセンサデータの信頼性の判定等にも使
用される。尚、センサデータD(I) と電荷蓄積時間T
(I) とは上記(1)式の関係を有しているので、各セン
サデータD(I) より各素子の蓄積時間T(I) を求めれば
測光値が得られる。
トダイオードPDへの入射光量が最も少ない素子に対応
する蓄積時間であるから、この素子に対応するセンサデ
ータD(I) は全素子中の最大値である。よって、この最
大センサデータをDMAX とすると積分時間TE は上記
(1)式を適用して次式で示すことができる。
入射光量が最も大きい素子の蓄積時間To を求めること
ができる。これを上記(1)式に代入すると、
センサデータD(I) とにより各素子の蓄積時間T(I) を
計算することができる。
ータD(I) より求められる蓄積時間T(I) の平均値を用
いるのが有効である。さらに、光電変換素子列中の中央
部の素子について求めると背景等で被写体像の結像され
ていない部分を削除することができる。また、前述のA
F光学系により分割された第1及び第2の被写体像は等
しいので、いずれか一方の光電変換素子列34Lか34
Rについて計算すればよい。
れる。
Eは次式で示される。
するための調整値であり、均一光源に対する積分時間を
計測してカメラ毎にEEPROM13に記憶されてい
る。これは、カメラ毎に光学系のバラツキや光電変換素
子毎に感度が異なるためである。また、AFIC12の
高感度モードと低感度モードとは補正値HE が異なるの
で各補正値を有している。
いて測光値の計算を行なっているが、図3のTOR端子よ
り出力されるTOR信号のL区間の時間(図5(f)参
照)を計測してTo =TORを求め、上記(1)式を適用
して各素子の蓄積時間T(I) を計算し、更に素子数nの
平均蓄積時間T′を求めると次式のようになる。
ることができる。
“補助光判定”を実行し、AFIC12の積分時に低輝
度で光量が不足している場合、被写体に対して補助照明
光を照射する補助光を点灯する必要があるか否かの判定
や前記補助光の光量を設定する処理を行う。
て、図11のステップS303で実行されるサブルーチ
ン“補助光判定”のシーケンスについて詳細に説明す
る。
なわれたかカンジデータDK を参照し、低感度モード時
は被写体輝度が十分高く、補助光は必要ないのでそのま
まリターンする(ステップS801)。
分時に補助光を照射したか否かを判別して(ステップS
802)、補助光が照射されなかった場合には、次回の
積分時に補助光が必要か否かの判定を行う。ここでは、
AFIC12の積分時間TEと判定値Ts1とを比較して
積分時間TE の方が大きい場合、即ち被写体が低輝度で
ある時に補助光が必要と判断する。
初期設定”を実行し、補助光の照射光量を設定する。本
実施例の補助光はストロボ光を使用しており、そのAG
NOを設定する(ステップS804)。そして、補助光
フラグをセットし(ステップS805)、リターンする
(ステップS814)。
合のシーケンスについて説明する。積分時間が短い、即
ち被写体が至近距離に位置するか、或いは補助光の照射
光量が大きすぎる場合には、AFIC12より出力され
たセンサデータは非常にバラツキが大きく、被写体像に
対して再現性の悪いデータが得られ易い為、このセンサ
データを用いた挿嵌演算結果は信頼性が低いものとな
る。
積分時の蓄積時間TS と蓄積電圧VS の関係を示す。同
図には被写体像光電変換素子への入射光量が1:2:4
の比となるA,B,Cの3つの場合を示している。さら
に、補助光として周期的なストロボパルス光を被写体に
照射するタイミングとAFRES信号のタイミングも図
18(c),(b)に示す。尚、説明の都合上Cが全光
電変換素子の中で最も入射光量の大きい素子とする。
圧V3 を設定し、それに対する蓄積時間TS (図18
(f),(e),(d)のTSA,TSB,TSC)、前述の
量子化方法に関する上記(2)式を適用するとディジタ
ル化されたセンサデータD(I)を算出することができ
る。ところで、上記入射光量が1:2:4の比を有する
場合で、且つ補助光を照射しない場合、つまり定常光モ
ードのセンサデータD(I)は式(2)により、それぞれ
D(I) =0,137,205となり、このセンサデータ
は入射光量の絶対値や蓄積判定電圧V3 が変化しても入
射光量比が変化しない限り変化することはない。
が変化しなくても、上記条件によってセンサデータD
(I) が変化し、被写体像を正確に認識することが困難な
場合がある。即ち、図18において、被写体輝度の変化
つまり光電変換素子への入射光量の絶対値の変化を簡単
のため蓄積判定電圧V3 の変化に置き換えて考えるもの
とする。
させた場合の光電変換素子B,CのセンサデータDS の
変化を定常光モード時のセンサデータDS を基準とし
て、それからの差分を示した図である。
センサデータD(I) の誤差ΔDS は蓄積判定電圧V3 が
低いほど大きい値を示す。これは言い換えると、被写体
反射率が大きい程、あるいは補助光投光光量が大きいほ
どセンサデータ誤差ΔDS が大きく、正確な被写体像デ
ータを得ることができない。その結果、焦点検出の精度
を著しく低下させることになる。
TS が短い程、大きくなることも示されているので、蓄
積時間TS が短いと同様に焦点検出精度を低下させるこ
とになり、被写体の反射率や距離を考慮して適切な補助
光光量を設定し適切な蓄積時間になるように制御するこ
とによって、補助光投光時も正確な被写体像データを得
て焦点検出精度を維持することができる。従って、積分
時間TE が所定値より短い場合は信頼性が低いと判断
し、補助光の照射光量を下げて再度AFセンサ積分をや
り直す。
E と所定値TS2を比較して、第1の判定を行う。そし
て、積分時間TE ≧TS2であれば光量オーバーではない
のでリターンし、積分時間TE <TS2であれば光量オー
バーであると判断し、光量オーバーフラグをセットし
(ステップS807)、補助光光量を下げるためAGN
Oより所定数Nを減算して新たにAGNOとする(ステ
ップS808)。
NOが“1”より小さくなった場合は図18に示す光量
制御範囲を越えている場合、つまり被写体が非常に近距
離に位置し、且つ高反射率であるので検出不能フラグを
セットし(ステップS813)、リターンする(ステッ
プS814)。
≧1である場合はステップS810で第2の判定を行
う。ここでは、前述の第1の判定値TS2に対してTS2>
TS3なる第2の判定値TS3を積分時間TE と比較する。
これは、より大きな第2レベルの光量オーバーの場合を
判定し、より有効に適正な補助光光量AGNOを設定す
るためのものである。そして、積分時間TE ≧TS2であ
れば光量オーバーではあるが、第1レベルの光量オーバ
ーなので、このままリターンし前述のAGNO=AGN
O−Nが保存される。これに対して、積分時間TE <T
3 である場合は、より大きな第2レベルの光量オーバー
なので補助光光量をさらに低下させるためAGNOより
所定数Mを減算して新たにAGNOとする(ステップS
811)。続いて、ステップS812では、このAGN
Oが“1”より小さい場合は前述と同様に光量制御範囲
を越えているので検出不能フラグをセットし、リターン
する(ステップS814)。尚、本実施例では、光量オ
ーバーの判定に積分時間TE を用いているが、前述の測
光値Eやピーク蓄積時間TOR及びそれらの組合せを用い
て判定しても有効である。
て、図17のステップS804で実行されるサブルーチ
ン“AGNOの初期設定”のシーケンスについて説明す
る。
ドを有しており、撮影者によってマクロモードSWをオ
ンされるとマクロモードに設定される。
定されているかチェックする(ステップS901)。そ
して、マクロモードの場合には撮影者は至近に位置する
被写体を撮影することを意図しているので、これに対応
して補助光光量AGNOを至近被写体に適正な比較的小
さい光量AGNO=Dに設定する(ステップS90
7)。
ップS902に進む。そして、補助光の光量AGNOは
撮影レンズの焦点距離fに応じて予め決められた値を設
定される(ステップS902)。尚、一般的な焦点距離
の撮影レンズ(28〜180mm)では、撮影倍率は1
/40〜1/60が最も頻度が高いことが知られてい
る。従って、焦点距離に応じて撮影頻度の高い被写体距
離がほぼ決定されるので、これに合わせた補助光光量A
GNOが初期設定される。本実施例では焦点距離を3領
域に分割し、それぞれ適正な補助光光量を設定する。即
ち、まず最もWide側の第1の焦点距離領域に相当す
る補助光光量AGNO=Aが設定される(ステップ90
2)。
MPI60からのズームパルスZPの値を第1の判定値
ZP1と比較して領域1であるか判定する。そして、領
域1の場合はそのままリターンする。そして領域1では
ない場合は中間領域である領域2に適切な補助光光量A
GNO=Bが設定され(ステップS904)、同様にし
てズームパルスZPと第2判定値ZP2と比較して領域
2であるか判定する(ステップS905)。そして、領
域3についても同様の処理が行なわれ領域3について補
助光光量AGNO=Cが設定される(ステップS90
6)。
設定値は撮影レンズの焦点距離に応じて行なっている
が、この他に撮影レンズのFナンバー、前述の測光値
E、積分時間TE 、或いはピーク蓄積時間TORに応じて
変化させても同様な効果が得られる。また、これらの組
合わせによって決定しても良い。
(1〜12)とAGNOのGNO値の表を示す図であ
る。これは、カメラの最短撮影距離且つ高反射率の被写
体に適正な補助光光量AGNOの最小値から、撮影時ス
トロボGNOによって決まるストロボ撮影時の最長撮影
距離かつ低反射率の被写体に適正な補助光光量AGNO
の最大値までを分割したものである。これらの補助光光
量AGNOより、適切なものを選択する。尚、ソフトウ
ェア上では番号(1〜12)を指示してAGNOを選択
する。
不能フラグを参照して、検出不能の場合はステップS3
19で非合焦フラグをセットして、サブルーチン“AF
測距”のシーケンスを終了する。
ステップS305において光量オーバーフラグを参照す
る。そして、光量オーバーの場合はリターンし、メイン
フローを介して再度AF測距ルーチンをコールして、設
定されたAGNOの補助光照射をしながらAFセンサ積
分を実行する。さらに、光量オーバーでない場合は次に
照度分布補正のステップS306に進む。
補正において、得られた被写体像信号の不均一補正を行
う。これは前述の再結像光学系によるAFセンサ面上で
の照度不均一や光電変換素子列のフォトダイオードP
D、蓄積コンデンサ等のバラツキによって生ずる感度バ
ラツキを補正するためである。均一光源に対する各素子
のセンサデータD(I) により計算した補正係数を各素子
毎に予めEEPROM35記憶させており、被写体像信
号検出毎に上記補正係数を読み出して、各素子ごとに補
正計算を行う。
ち、均一光源に対する光電変換素子出力Do (I) とする
と、個々の素子の蓄積時間T(I) は前述の(1)式より
次式で示される。
い光電変換素子の蓄積時間である。理想的には均一光源
に対しては全素子の蓄積時間がTo となるはずだが、実
際には前述の要因でバラツキが生ずる。補正方法として
各蓄積時間T(I) をTo に一致するような補正係数を求
める。
用いて次式のようになる。
ンサデータD(I) 、上記補正係数H(I) を用いての補正
後センサデータD′(I) とすると、
記憶しやすい形に変形する必要がある。EEPROM1
3の記憶容量は限られているので、この範囲内で有効に
補正係数を記憶するために前記補正係数H(I) を定数A
S ,BS により次式のように変形して圧縮する。
学系等によるAFセンサ面上での照度バラツキや光電変
換素子列を含むAFセンサの感度バラツキ等のバラツキ
をたとえば±15%と仮定すると補正係数H(I) の範囲
は以下のようになる。
正係数H′(I) を、例えば4ビットにおさめるためには
定数AS ,BS =104とすればよい。
(I) を消去すると、補正後のセンサデータD′(I) は次
式で示される。
する。
5)式が照度分布補正式である。尚、光電変換素子列中
で入射光量が小さいためセンサデータD(I) が量子化の
リミット255になっているものは、入射光量を正しく
光電変換していないので照度分布補正を行なわない。
ブルーチン“相関演算”を実行し、2つの被写体像で相
関演算を行い2像の間隔を検出する。ここでは、第1の
被写体像をL像とし、第1の被写体像信号をL(I) とす
る。また、第2の被写体像をR像とし、第2の被写体像
信号をR(I) とする。そして、Iは素子番号で本実施例
では配置順に1,2,3,…,64とする。即ち、各素
子列92L,92Rは各64ケの素子を持っているもの
とする。
て、図11のステップS307で実行されるサブルーチ
ン“相関演算”のシーケンスについて説明する。
て、それぞれ“5”,“37”,“8”をセット(ステ
ップS1001,S1002)する。このSLは被写体
像信号L(I) のうちから相関検出する小ブロック素子列
の先頭番号を記憶する変数であり、SRは被写体像信号
R(I) のうちから相関検出する小ブロック素子列の先頭
番号を記憶する変数であり、Jは被写体像信号L(I) で
の小ブロックの移動回数をカウントする変数である。そ
して、相関出力F(S) を次式により計算する(ステップ
S1003)。
クの素子数はファインダに表示された測距枠の大きさと
検出光学系の倍率によって定まる。
る。即ち、F(S) をFmin と比較しもしF(S) かFmin
より小さければFmin にF(S) を代入し、その時のS
L,SRをSLM,SRMとして記憶する(ステップS
1004,S1005)。
リメントする(ステップS1006)。Jが“0”でな
ければ相関演算を繰り返す(ステップS1007)。即
ち、像Lでの小ブロック位置を固定し、像Rでの小ブロ
ック位置を1素子づつずらせながら相関をとる。
4を加算してSRに3を加算して相関演算を続ける(ス
テップS1008)。即ち、像Lでの小ブロック位置を
4素子づつずらせながら相関演算を繰り返す。SLの値
が29になると相関演算を終了する(ステップS100
9)。以上により、効率的に相関演算を行い、相関出力
の最小値を検出することができる。この相関出力の最小
値を示す小ブロックの位置が最も相関性の高い像信号の
位置関係を示している。
ク像信号について相関性の判定を行うために次式で示す
相関出力FM,FPを計算する(ステップS101
0)。
ック位置に対して±1素子だけずらせた時の相関出力を
計算する。このときFM,Fmin ,FPは図23
(a),(b)のような関係になる。尚、図23
(a),(b)の横軸は光電変換素子の位置であり、縦
軸は相関出力を示している。相関出力F(S) は点ZRに
おいて“0”になる。これに対して、相関性の低い場合
は“0”にならない。続いて、相関性の判定をするため
に、次式に示す相関性指数SKとFSを求める(ステッ
プS1011)。
り、相関性の低い場合はSK>1となる。従って相関性
指数SKの値により検出する像ずれ量が信頼性があるか
否か判定することができる。また、相関性指数FSは、
最も相関性の高い小ブロック像信号のコントラストに相
当するので大きい値ほどコントラストが高いことを示
す。
の判定を行なうために上記相関性指数SK,FSを用い
る。
系のバラツキや光電変換素子のノイズ、変換誤差等によ
り第1,第2被写体像は完全に一致することはないので
相関性指数SKは“1”にはならない。
る。また相関性指数FSについては所定の判定値βを用
いる。即ち、SK≦αかつFS≧βの場合だけ相関性あ
りと判断し、SK>αまたはFS<βの場合は相関性な
しと判断してAF検出不能と判定し検出不能フラグをセ
ットする。これらの判定値α,βは製品個々によってバ
ラツキがあり、また撮影モードやAF動作モードによっ
て異なる判定値を用いるのでEEPROM13にそれぞ
れ記憶している。
りの場合はS309において像ズレ量の計算を行う。こ
こで、第1,第2の被写体像の間隔ZRは図23(a)
のSo であるから、FM≧FPのとき ZR=SRM−SLM+(FM−FP)/{(FM−Fmin )・2} …(25) FM<FPのとき ZR=SRM−SLM+(FP−FM)/{(FP−Fmin )・2} …(26) である。
示される。
にEEPROM13に記憶されている。
て,この像ズレ量ΔZRをデフォーカス量ΔDFに変換
する。光軸上のフィルム面に対する結像位置のズレ量、
即ちデフォーカス量ΔDFは次式で求めることができ
る。
数である。これについては特開昭62−100718号
公報により開示されている。
は収差補正を行う。
焦点距離、フォーカシングの繰り出し位置に応じて、A
F光学系の合焦点位置がずれるためこれを補正する。こ
の補正値は撮影レンズ38の焦点距離と被写体距離に応
じてEEPROM13に記憶されている補正値を用いて
補正を行う。
ては、露出時のピントズレを補正するレリーズピントズ
レ補正処理を行う。これは撮影絞り込み動作時に結像位
置がずれるのを予測して補正すするものであり、詳細は
特開平4−30669公報に開示されているのでここで
の説明は省略する。
ては、検出したデフォーカス量ΔDFが合焦許容範囲内
に入っているか判定する。
り値や撮影レンズの焦点距離によって決定される。低コ
ントラスト被写体や低輝度被写体、補助光照射時や撮影
レンズの焦点距離が長い場合は検出デフォーカス量の変
動が大きいため、合焦許容範囲を拡大してAF動作の安
定化をはかる。合焦許容範囲内に入っている場合はステ
ップS315において合焦フラグをセットしてリターン
する。合焦許容範囲外の場合はステップS314でレン
ズ駆動パルス量計算を行う。
方向のレンズ絞り出し量ΔLKに変換する方法は、従来
より種々の提案がなされているので、ここでは詳細な説
明は省略する。例えば特開昭64−54409公報に開
示されているものでは、次式で求めている。
る定数である。
LDM13よりギア列を介して駆動され、フォーカシン
グレンズの移動量はLDPI16によりAFPIパルス
としてIFIC7に入力される。従って、光軸方向のレ
ンズ繰り出し量ΔLKに単位繰り出し量当りのAFPI
パルス数Kをかけてレンズ駆動パルス量DPを求めると
次式で示される。
ーカス量ΔDFは、いずれも符号付の値である。そし
て、正の場合は後ピン(フィルム面の後側に結像)でレ
ンズを繰り出す方向を示し、負の場合は前ピン(フィル
ム面の前側に結像)でレンズを繰り込む方向を示す。
性なしの場合は、ステップS316において補助光モー
ドフラグを参照し、今回のAFセンサ積分時補助光照射
を行ったか否かをチェックする。補助光オフの場合はス
テップS319において非合焦フラグをセットしてサブ
ルーチン“AF測距”のシーケンスを終了する。
プS317に移行し、サブルーチン“補助光光量増加”
のシーケンスを実行する。
て、図11のステップS317において実行されるサブ
ルーチン“補助光光量増加”のシーケンスについて説明
する。まず、積分リミットフラグを参照し、積分時間T
E が積分リミット時間TL を越えたかを判定する(ステ
ップS1101)。ここで、積分リミットの場合は補助
光光量の不足によって適正な被写体像データが得られ
ず、相関性が得られなかった可能性が高い。この場合、
補助光光量AGNOに所定数Lを加算して新たにAGN
Oとする(ステップS1102)。これは、次回の補助
光モードセンサ積分時に増加した補助光光量を照射して
より適正な被写体像データを得るためである。更に、新
たなAGNOが制御範囲内であるか否かを判定する(ス
テップS1103)。そして、AGNO>12である場
合には、図21に示す制御範囲を越えているので、図1
1のステップS305において検出不能フラグをセット
してリターンする(ステップS1105)。このような
場合は、「被写体が遠距離に位置する」、「反射率が低
い」、「非常に低輝度である」といった状況である。こ
れに対してAGNO≦12の場合は制御範囲内なので直
にリターンする。
ミットではない場合は補助光光量を増加させても改善さ
れる可能性が低いので、ステップS1104において検
出不能フラグをセットしてリターンする(ステップS1
105)。
で補助光照射光量の不足を判別している。しかし、積分
時間TE (光電変換素子列中の最も受光光量が小さい素
子の蓄積時間)の代りにTOR信号(光電変換素子列中の
最も受光光量が大きい素子の蓄積時間)を用いて判別し
ても有効である。また、前述の測光値Eを用いて判定し
てもよい。或いは積分時間TE ,TOR,測光値Eの組合
わせで判別するとより効果的な制御が可能である。
検出不能フラグを参照する。そして、検出不能の場合は
S319で非合焦フラグをセットしリターンする。これ
に対して検出不能でない場合は、そのままリターンし、
メインフロー中で再度AF測距をコールする。そして、
図11のAF測距の結果に基づいて撮影レンズ101の
駆動が行なわれる。
て、図9のステップS109で実行されるサブルーチン
“レンズ駆動”のシーケンスについて説明する。
パルス数が所定値より大きいかを判定する(ステップS
1201)。この所定の判定値には1回のレンズ駆動で
必ず合焦範囲内にレンズ駆動をすることができるレンズ
駆動パルス数を用いる。ここでは例えば400パルスと
している。
スより小さい場合はステップS1202に進み、バック
ラッシュ駆動が既に終了しているかフラグにより判別
し、未だバックラッシュ駆動が終了していない場合はス
テップS1203に進み、レンズ駆動方向が前回と反転
しているか否か判定する。そして、前回のレンズ駆動方
向と比較して同一方向であれば、ステップS1204で
AF測距結果のレンズ駆動パルス数に基づいてレンズ駆
動を実行する。
フラグを設定してリターンする。前述のように1回のレ
ンズ駆動で必ず合焦する駆動パルス数であり、且つレン
ズ駆動方向は前回と同一なのでバックラッシュは存在し
ないので再度AF測距することなく合焦とする。
ュ駆動済フラグを参照してバックラッシュ駆動済か判定
する。そして、バックラッシュ済の場合はステップS1
204に進みレンズ駆動、ステップS1205で合焦フ
ラグセットを行ってリターンする。そして、ステップS
1203に戻ってレンズ駆動方向が前回に対して反転方
向であった場合はステップS1206に進みバックラッ
シュ量の計算を行う。このバックラッシュ量は撮影レン
ズの焦点距離や駆動方向によって変化するのでそれらに
応じた計算をする。
れたバックラッシュ量に基づいてバックラッシュ量に相
当するレンズ駆動パルス数だけレンズ駆動を行う。そし
て、ステップS1208ではバックラッシュ駆動済フラ
グのセットを行ってリターンする。この場合はメインフ
ロー上で再びAF測距処理、レンズ駆動処理が行なわれ
る。
で計算されたレンズ駆動パルス数が400パルス以上の
場合はステップS1209に進み、上記レンズ駆動パル
スより所定値を減算して新たにレンズ駆動パルスとす
る。この所定値はレンズ駆動パルスで合焦点より手前の
位置を示す補正値であり、ここでは、例えば200パル
スとしている。
記補正されたレンズ駆動パルスに基づいてレンズ駆動を
行う。このレンズ駆動では、バックラッシュがあったと
してもそれは除去された状態になる。さらに、ステップ
S1211では、バックラッシュ駆動済フラグをセット
してリターンする。これにより、レンズはほぼ合焦点の
手前、駆動パルス数で200パルスの位置にあるのでメ
インフロー中で再びAF測距、レンズ駆動処理がコール
されて合焦となる。
ァインダの表示に関係するAF動作のスピード感を感じ
させるように設定されている。例えばデフォーカス量の
大きい状態からAF測距、レンズ駆動処理を2回繰り返
して合焦させる場合を考える。1回目のレンズ駆動の停
止位置が比較的合焦点に近い場合、例えば手前50パル
スではファインダではほぼ合焦状態となるが、手前20
0パルスでは、まだピントがぼけた状態である。この状
態から2回目のレンズ駆動を実行するといずれの場合も
合焦するが後者のファインダでピンボケから合焦となっ
た方がよりスピード感が得られるわけである。従って、
上記フィンダの見えは撮影レンズの焦点距離によって大
きく変化するので、これに応じて補正値を変更してい
る。
行されるサブルーチン“ファーストレリーズ”のシーケ
ンスについて説明したが、次に、図26のフローチャー
トを参照して、本発明を適用したカメラにおいて実行さ
れるサブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスに
ついて説明する。
ルーチンに入ると、G−ON端子をハイレベル“H”と
し電源供給制御回路56を“オン”させ、IGBT1の
ゲート端子に電荷を供給する(ステップS1301)。
する(ステップS1302)。
“赤目軽減発光”のシーケンスについては、図27のフ
ローチャートに示す通りである。即ち、本サブルーチン
は、先に述べたサブルーチン“補助光照射”のシーケン
スとステップS1401の発光回数や、ステップS14
04のインターバルの時間が多少異なる以外動作は同じ
であり、ステップ1403での発光光量も予め設定され
ている。
S1303)、ストロボの発光が必要な場合はステップ
414に進みストロボの発光が不用な場合はステップ4
17に進む(ステップS1304)。続いて、前述した
サブルーチン“プリ充電”を実行する(ステップS13
05)。そして、ステップS1305が終了すると、先
幕をスタートさせ(ステップS1306)、この先幕が
終了すると前述したサブルーチン“発光”を実行する
(ステップS1307)。
トロボ発光が不要となった時は、先幕をスタートさせた
後(ステップS1308)、ステップS1309に進
む。そして、後幕をスタートさせ露光を終了し(ステッ
プS1309)、ミラーをダウンさせ(ステップS13
10)、シャッタをチャージして初期状態とし(ステッ
プS1311)、フィルムを巻き上げ(ステップS13
12)、G−ON端子に“L”信号を入力し(ステップ
S1313)、IGBT1のゲートへの電力の供給を禁
止し撮影を終了する(ステップS1314)。
予備照射装置によれば、初回の発光ガイドナンバを撮影
頻度の高い被写体距離によって決定することにより、最
低限の予備照射を用いた測距動作で合焦することが可能
となる。
の情報に基づいて、初回の予備照射の発光光量を決定す
ることを可能とした焦点検出用予備照射装置を提供する
ことができる。
る。
置の制御系の構成を示す図である。
構成を示す図である。
ャートである。
ャートである。
る。
ある。
ルーチン“ファーストレリーズ”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。
ーチン“充電電圧チェック”のシーケンスを示すフロー
チャートである。
ーチン“AF測距”のシーケンスを示すフローチャート
である。
を結像させるためのAF光学系37の構成を示す図であ
る。
ルーチン“AFセンサ積分”のシーケンスを示すフロー
チャートである。
ロボ回路6によるサブルーチン“補助光照射”のシーケ
ンスを示すフローチャートである。
ルーチン“プリ充電”のシーケンスを示すフローチャー
トである。
ルーチン“発光”のシーケンスを示すフローチャートで
ある。
ルーチン“補助光判定”のシーケンスを示すフローチャ
ートである。
と蓄積電圧VS の関係を示す図である。
換素子B,CのセンサデータDSの変化を定常光モード
時のセンサデータDS を基準として、それからの差分を
示した図である。
ルーチン“AGNOの初期設定”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。
GNOのGNO値の表を示す図である。
ルーチン“相関演算”のシーケンスを示すフローチャー
トである。
示す図である。
るサブルーチン“補助光光量増加”のシーケンスを示す
フローチャートである。
ーチン“レンズ駆動”のシーケンスを示すフローチャー
トである。
サブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスを示す
フローチャートである。
ブルーチン“赤目軽減発光”のシーケンスを示すフロー
チャートである。
部、4…発光光量設定部、5…光強度判別部。
クは、バッテリの両端に不図示の低抵抗を接続して電流
を流したときのバッテリ両端の電圧をIFIC17内部
で分圧してCPU11へ出力し、このCPU11内にて
A/D変換を行いA/D値を得ることで行う。
ム給送及びシャッタのチャージを行うシャッタチャージ
(SC)モータ22、フォーカス調整のためのレンズ駆
動用(LD)モータ23、鏡枠のズーミング用の(Z
M)モータ24の3つのモータの駆動、及び昇圧回路の
駆動、セルフタイマ動作表示用のLEDの駆動等を行
う。そして、これらの動作の制御、例えば「どのデバイ
スを駆動するか」、「モータは正転させるか逆転させる
か」、「制動をかけるか」等についてはCPU11から
の信号をIFIC17が受けて、当該IFIC17がモ
ータドライバIC18を制御することにより行う。
チャージ、フィルム巻上げ、巻戻しのいずれの状態にあ
るかはフォトインタラプタとクラッチレバーを用いてS
CPI25で検出し、その情報はCPU11へと転送さ
れる。また、レンズの繰り出し量はLDモータ23に取
付けられたLDPI26で検出され、その出力はIFI
C17で波形整形した後、CPU11へと転送される。
オンすると、測光を撮影画面の中央の一部のみで行う
「スポット測光モード」となる。これは、後述のAFセ
ンサによる測光である。尚、SPOTSWがオフでの通
常の測光は測光用SPD33にて評価測光を行なう。さ
らに、PCT1SW〜PCT4SW及びプログラムスイ
ッチPSWは「プログラム撮影モード」の切換スイッチ
で、撮影条件に合わせて撮影者がモード選択を行う。ま
た、PCT1SWをオンすると「ポートレートモード」
となり、適正露出範囲内で被写界深度が浅くなる様に絞
り及びシャッタースピードを決定する。
モード」の切り替えスイッチである。このPSWを押す
ことで、PCT1SW〜PCT4SWのリセット及び後
述するAV優先プログラムモードのリセットを行う。さ
らに、AV優先スイッチAVSWをオンすると、撮影モ
ードが「AV優先プログラムモード」となる。このモー
ドはAV値を撮影者が決定し、そのAV値に合わせてプ
ログラムでシャッタースピードを決める。このモードに
なると、PCT2SWとPCT4SWは前述の機能はな
くなりAV値の設定スイッチとなる。さらに、PCT2
SWはAV値を大きくするスイッチでPCT4SWはA
V値を小さくするスイッチである。
ボの発光モードの切換スイッチで通常「自動発光モード
(AUTO)」、「赤目軽減自動発光モード(AUTO
−S)」、「強制発光モード(FILL−IN)」、
「ストロボオフモード(OFF)」を切換える。また、
パノラマスイッチ(PANSW)は、撮影状態がパノラ
マ撮影か通常撮影かを検出するためのスイッチでパノラ
マ撮影時にオンとなる。そして、撮影モードがパノラマ
になっていると測光の補正演算等を行う。これは、パノ
ラマ撮影時には撮影画面の上下の一部がマスクされ、こ
れに伴い測光センサの一部もマスクされることになるの
で正確な測光が行えないためである。
PU11からの制御信号に応じてAFIC12全体の動
作を制御する。このセンサ制御回路SCCはCPU11
からのリセット信号AFRESを受けると、AFIC1
2内の各ブロックにリセット信号を供給し蓄積動作を開
始させる。そして、その蓄積動作中はAFEND信号を
ローレベル“L”に保持してCPU11に出力する。
しており、ローレベル“L”である区間が積分リミット
時間を越えるとAFEXT信号を出力し、センサ制御回
路SCCは、このAFEXT信号に応じて強制的に蓄積
動作を停止させる。さらに、センサ制御回路SCCは、
センサ回路SCに対して信号A乃至Eを出力し感度モー
ドの切り換えを行うと共に、CLK,DATA信号によ
ってCPU11に対してセンサデータD(I) の通信を行
う。尚、フォトダイオードPDとセンサ回路SCについ
ては後述するが、センサ回路SCでは蓄積動作を終了す
ると蓄積終了信号TSをラッチ回路LCとOR発生回路
ORCに出力する。
ーレベル“L”からハイレベル“H”を検出してAFセ
ンサの積分終了を判定し、ローレベル“L”区間の時間
を計測して積分リミットの判定を行う。
トロボが発光可能になるまで昇圧を行なうDC/DCコ
ンバータ52が並列に接続されており、このDC/DC
コンバータ52の出力には、メインコンデンサMCに充
電された電圧を測定するメインコンデンサ電圧測定回路
53が接続されている。そして、上記DC/DCコンバ
ータ52の出力にはXe(キセノン)管57に発光のた
めのトリガを印加するトリガ回路54が接続されてお
り、更にダイオードD1を介して発光エネルギーを蓄え
るメインコンデンサMCも接続されている。そして、電
源Eには、前記ダイオードD1のカソードに接続された
メインコンデンサMCのエネルギーを消費して発光する
Xe管57と、このXe管57の発光光量の制御を行な
う発光光量制御回路55が直列に接続されており、前記
発光光量制御回路55には電源Eの供給を制御する電源
供給制御回路56が接続されている。尚、上記DC/D
Cコンバータ52とメインコンデンサ電圧測定回路53
とトリガ回路54と発光光量制御回路55と電源供給制
御回路56の制御は上記CPU11がIFIC17をイ
ンターフェースとして制御している。
起動させ、出力充電電流を抵抗R3を介してコンデンサ
C2,C3に流し充電を行うと、この充電された電荷は
サイリスタD2のゲートにハイレベル“H”信号を入力
することによりサイリスタD2のアノード=カソード間
が導通し、コンデンサC2からサイリスタD2、トリガ
コイルT1の1次側a−b間、コンデンサC2へと電流
が流れ、トリガコイルT1の1次側に電流が流れると、
該トリガコイルT1に1次巻線の2次巻線に対する鎖交
磁束が生じるため、2次巻線c端子には高電圧が誘起さ
れる。更に、コンデンサC3からサイリスタD2、抵抗
R4、コンデンサC3に電流が流れ、サイリスタD2の
サノード電圧が初期のXe管57の発光可能電圧値から
一瞬のうちに0Vとなるため、コンデンサC3のXe管
57のアノード側の電圧が0VからマイナスのXe管発
光可能電圧となり、ダイオードD3によりXe管57の
カソード電圧は保持され、Xe管57の両端には2倍の
Xe管発光可能電圧が印加されることになる倍電圧回路
の駆動を行う。
とGND間にダイオードD3と絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタIGBT1が並列に接続され、該IGBT
1のゲート=エミッタ間にツェナダイオードD4が直列
に接続され、トランジスタTr1のコレクタ=エミッタ
間が並列に接続され、ツェナダイオードD4のカソード
と電源供給制御回路54が接続され、トランジスタTr
1のベースが抵抗R6を介してCPU11のSTOFF
端子に接続された構成となっている。そして、この発光
光量制御回路55は、電源供給制御回路56より供給さ
れる電圧によりツェナダイオードD4で絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタIGBT1のゲート電圧を作成
し、該IGBT1をオン状態にする。この時、トリガ回
路54の起動により発光電流がXe管57からダイオー
ドD3とIGBT1に流れる。そして、CPU11よ
り、STOFF端子に発光停止信号が抵抗R6を介して
トランジスタTr1に入力すると、トランジスタTr1
は動作し、IGBT1のゲート電荷を放出させ、IGB
T1をオフし、発光電流は停止する。
タTr2と抵抗R5とが直列に接続され、抵抗R7とR
8とトランジスタTr3とが直列に接続され、抵抗R9
がCPU11のG−ON端子に接続された構成となって
いる。そして、この電源供給制御回路56は、CPU1
1のG−ON端子よりオン信号が入力され、トランジス
タTr3が起動しトランジスタTr2が起動すると、メ
インコンデンサMCの電荷を発光光量制御回路55へ供
給し、オフ信号が入力されると、発光光量制御回路55
への電荷の供給を停止する。尚、メインコンデンサMC
の電圧を測定するためには、充電電圧チェックのサブル
ーチンをコールすることにより実行され、予め発光可能
電圧値がCPU11内の図示しない記憶領域に格納され
ている。これについての詳細は後述する。
て、図9のステップS102で実行されるサブルーチン
“充電電圧チェック”のシーケンスについて詳細に説明
する。前述したストロボ回路16における電源Eの電圧
を測定・記憶し(ステップ201)、電源Eの温度を測
定・記憶する(ステップS202)。そして、このステ
ップS201,S202の電源電圧・温度の結果を基に
電圧チェックのためのプリ充電を行なう時間を決定する
(ステップS203)。
“H”信号を入力し、DC/DCコンバータ52を起動
させ充電を介しする(ステップS204)。続いて、上
記ステップS203で決定した時間だけ充電を行ない
(ステップS205)、VST端子よりメインコンデン
サMCの電圧をA/D変換し、そのA/D値を記憶する
(ステップS206)。
A/D値をEEPROM13に予め記憶されている発光
可能電圧A/D値と比較し(ステップS207)、測定
電圧が高ければステップS208に進み発光可能フラグ
をセットし、測定電圧が低ければステップS209に進
み発光可能フラグをクリアする。そして、STCHRG
端子にローレベル“L”信号を入力し、DC/DCコン
バータ52の動作を止め(ステップS210)、本サブ
ルーチンを終了する(ステップS211)。
いる場合はステップS405に移行し、被写体に補助光
を照射して積分を行う補助光モードであるか否か判定す
る(ステップS405)。そして、補助光モードでない
場合にはステップS410に移行し積分が終了したか否
かをAFIC12内のセンサ制御回路SCCの積分終了
出力AFENDを参照して判断する(ステップS40
7)。
低輝度である場合に積分時間が長くなりタイムラグが大
きくなるのを防止するために設けられているので、被写
体が低輝度の時は被写体像信号が正しく得られない場合
がある。そこで、積分時間が所定値を越える時は次回積
分時に被写体に補助光を照射して被写体光量の不足を補
っている。ところで、本発明のカメラにおいては撮影モ
ードとして通常の「ストロボ低輝度自動発光モード」の
他に「ストロボオフモード」を有しており、ストロボ撮
影が禁止されているあるいは好ましくない場所での撮影
時に一時的に使用される。この場合、補助光としてのス
トロボ光照射も禁止し、同時にステップS400,S4
01に示すように上記積分リミット時間を2倍に設定し
て低輝度での焦点検出精度の劣化を防止している。
図16に示す通りである。即ち、本サブルーチンに入る
と、必要発光光量を得るための発光時間を読み出し(ス
テップS701)、STON端子よりハイレベル“H”
信号を出し発光させる(ステップS702)。そして、
ステップS701で読み出した時間だけ発光を続け(ス
テップS703)、所定時間が経過するとステップS7
04に進み、STOFF端子にハイレベル“H”信号を
入力し、IGBT1をオフさせXe管57の発光を止め
る。そして、STON端子をローレベル“L”とし(ス
テップS705)、STOFF端子をローレベル“L”
とし(ステップS706)、STON、STOFF端子
を初期状態としてサブルルーチン“充電電圧チェック”
に戻り,ステップS504に進む。
ンサ制御回路SCCのCLK端子にクロックを入力する
と、これに同期して各ラッチ回路LCにラッチされてい
るカウント出力D(I) がセンサデータとしてDATA端
子に順次出力され、CPU11はこのセンサデータD
(I) を順次所定の図示しないRAMに格納していく。そ
して、全センサデータD(I) の読み込みが終了すると、
センサ回路SCの動作モードが高感度モードか低感度モ
ードであるかのカンドデータDK の通信も行う。
なわれたか感度データDK を参照し、低感度モード時は
被写体輝度が十分高く、補助光は必要ないのでそのまま
リターンする(ステップS801)。
初期設定”を実行し、補助光の照射光量を設定する。本
実施例の補助光はストロボ光を使用しており、そのAG
NOを設定する(ステップS804)。そして、補助光
要求フラグをセットし(ステップS805)、リターン
する(ステップS814)。
合のシーケンスについて説明する。積分時間が短い、即
ち被写体が至近距離に位置するか、或いは補助光の照射
光量が大きすぎる場合には、AFIC12より出力され
たセンサデータは非常にバラツキが大きく、被写体像に
対して再現性の悪いデータが得られ易い為、このセンサ
データを用いた相関演算結果は信頼性が低いものとな
る。
が変化しなくても、上記条件によってセンサデータD
(I) が変化し、被写体像を正確に認識することが困難な
場合がある。即ち、図18において、被写体輝度の変化
つまり光電変換素子への入射光量の絶対値の変化を簡単
にするため蓄積判定電圧V3 の変化に置き換えて考える
ものとする。
≧1である場合はステップS810で第2の判定を行
う。ここでは、前述の第1の判定値TS2に対してTS2>
TS3なる第2の判定値TS3を積分時間TE と比較する。
これは、より大きな第2レベルの光量オーバーの場合を
判定し、より有効に適正な補助光光量AGNOを設定す
るためのものである。そして、積分時間TE ≧TS2であ
れば光量オーバーではあるが、第1レベルの光量オーバ
ーなので、このままリターンし前述のAGNO=AGN
O−Nが保存される。これに対して、積分時間TE <T
S3である場合は、より大きな第2レベルの光量オーバー
なので補助光光量をさらに低下させるためAGNOより
所定数Mを減算して新たにAGNOとする(ステップS
811)。続いて、ステップS812では、このAGN
Oが“1”より小さい場合は前述と同様に光量制御範囲
を越えているので検出不能フラグをセットし、リターン
する(ステップS814)。尚、本実施例では、光量オ
ーバーの判定に積分時間TE を用いているが、前述の測
光値Eやピーク蓄積時間TOR及びそれらの組合せを用い
て判定しても有効である。
定されているかチェックする(ステップS901)。そ
して、マクロモードの場合には撮影者は至近に位置する
被写体を撮影することを意図しているので、これに対応
して補助光光量AGNOを至近被写体に適正な比較的小
さい光量AGNO=Dに設定する(ステップS90
6)。
ップS902に進む。そして、補助光の光量AGNOは
撮影レンズの焦点距離fに応じて予め決められた値を設
定される(ステップS902)。尚、一般的な焦点距離
の撮影レンズ(28〜180mm)では、撮影倍率は1
/40〜1/60が最も頻度が高いことが知られてい
る。従って、焦点距離に応じて撮影頻度の高い被写体距
離がほぼ決定されるので、これに合わせた補助光光量A
GNOが初期設定される。本実施例では焦点距離を3領
域に分割し、それぞれ適正な補助光光量を設定する。即
ち、まず最もWide側の第1の焦点距離領域に相当す
る補助光光量AGNO=Aが設定される(ステップS9
02)。
MPI60からのズームパルスZPの値を第1の判定値
ZP1と比較して領域1であるか判定する。そして、領
域1の場合はそのままリターンする。そして領域1では
ない場合は中間領域である領域2に適切な補助光光量A
GNO=Bが設定され(ステップS903)、同様にし
てズームパルスZPと第2判定値ZP2と比較して領域
2であるか判定する(ステップS904)。そして、領
域3についても同様の処理が行なわれ領域3について補
助光光量AGNO=Cが設定される(ステップS90
5)。
補正において、得られた被写体像信号の不均一補正を行
う。これは前述の再結像光学系によるAFセンサ面上で
の照度不均一や光電変換素子列のフォトダイオードP
D、蓄積コンデンサ等のバラツキによって生ずる感度バ
ラツキを補正するためである。均一光源に対する各素子
のセンサデータD(I) により計算した補正係数を各素子
毎に予めEEPROM13に記憶させており、被写体像
信号検出毎に上記補正係数を読み出して、各素子ごとに
補正計算を行う。
性の判定を行なうために上記相関性指数SK,FSを用
いる。
ては、露出時のピントズレを補正するレリーズピントズ
レ補正処理を行う。これは撮影絞り込み動作時に結像位
置がずれるのを予測して補正するものであり、詳細は特
開平4−30669公報に開示されているのでここでの
説明は省略する。
方向のレンズ繰り出し量ΔLKに変換する方法は、従来
より種々の提案がなされているので、ここでは詳細な説
明は省略する。例えば特開昭64−54409公報に開
示されているものでは、次式で求めている。
る定数である。
て、図11のステップS317において実行されるサブ
ルーチン“補助光光量増加”のシーケンスについて説明
する。まず、積分リミットフラグを参照し、積分時間T
E が積分リミット時間TL を越えたかを判定する(ステ
ップS1101)。ここで、積分リミットの場合は補助
光光量の不足によって適正な被写体像データが得られ
ず、相関性が得られなかった可能性が高い。この場合、
補助光光量AGNOに所定数Lを加算して新たにAGN
Oとする(ステップS1102)。これは、次回の補助
光モードセンサ積分時に増加した補助光光量を照射して
より適正な被写体像データを得るためである。更に、新
たなAGNOが制御範囲内であるか否かを判定する(ス
テップS1103)。そして、AGNO>12である場
合には、図21に示す制御範囲を越えているので、ステ
ップS1104において検出不能フラグをセットしてリ
ターンする(ステップS1105)。このような場合
は、「被写体が遠距離に位置する」、「反射率が低
い」、「非常に低輝度である」といった状況である。こ
れに対してAGNO≦12の場合は制御範囲内なので直
にリターンする。
“赤目軽減発光”のシーケンスについては、図27のフ
ローチャートに示す通りである。即ち、本サブルーチン
は、先に述べたサブルーチン“補助光照射”のシーケン
スとステップS1401の発光回数や、ステップS14
04のインターバルの時間が多少異なる以外動作は同じ
であり、ステップS1403での発光光量も予め設定さ
れている。
S1303)、ストロボの発光が必要な場合はステップ
S1305に進みストロボの発光が不用な場合はステッ
プS1308に進む(ステップS1304)。続いて、
前述したサブルーチン“プリ充電”を実行する(ステッ
プS1305)。そして、ステップS1305が終了す
ると、先幕をスタートさせ(ステップS1306)、こ
の先幕が終了すると前述したサブルーチン“発光”を実
行する(ステップS1307)。
Claims (2)
- 【請求項1】 被写体光を2像に分割し、各像の光強度
分布を測定し、その像間隔から撮影光学系のデフォーカ
ス量を求めるカメラの自動焦点調節装置において、 上記光強度分布測定時に被写体を予備照射する閃光発光
手段と、 上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御する発光制
御手段と、 上記撮影光学系の焦点距離を検出する焦点距離検出手段
と、 上記焦点距離検出手段の出力に基づいて発光光量を設定
する発光光量設定手段と、 上記被写体光の光強度を判別する光強度判別手段と、 を具備し、上記光強度判別手段の出力に応動して、上記
閃光発光手段が光強度分布測定時に所定の発光光量で予
備照射を行うことを特徴とする焦点検出用予備照射装
置。 - 【請求項2】 被写体光を2像に分割し、各像の光強度
分布を測定し、その像間隔から撮影光学系のデフォーカ
ス量を求めるカメラの自動焦点調節装置において、 上記光強度分布測定時に被写体を予備照射する閃光発光
手段と、 上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御する発光制
御手段と、 上記撮影光学系の焦点距離を検出する焦点距離検出手段
と、 上記焦点距離検出手段の出力に基づいて発光光量を設定
する発光光量設定手段と、 上記被写体光の光強度を判別する光強度判別手段と、 上記カメラの撮影モードを設定する撮影モード設定手段
と、 上記撮影モード設定手段によりマクロ撮影モードが選択
されている場合に上記発光光量設定手段により設定され
た発光光量を更に少なくする制御手段と、を具備し、上
記光強度判別手段の出力に応動して、上記閃光発光手段
が次の光強度分布測定時に所定の発光光量で予備照射を
行うことを特徴とする焦点検出用予備照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07254793A JP3253739B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 焦点検出用予備照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07254793A JP3253739B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 焦点検出用予備照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06289280A true JPH06289280A (ja) | 1994-10-18 |
JP3253739B2 JP3253739B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=13492498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07254793A Expired - Fee Related JP3253739B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 焦点検出用予備照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3253739B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007108454A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
JP2010243952A (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-28 | Nikon Corp | カメラおよび照明装置 |
WO2018194043A1 (ja) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | ソニー株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法および処理装置 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP07254793A patent/JP3253739B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPWO2018194043A1 (ja) * | 2017-04-17 | 2020-02-27 | ソニー株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法および処理装置 |
US11119387B2 (en) | 2017-04-17 | 2021-09-14 | Sony Corporation | Imaging device, imaging device control method, and processing device |
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---|---|
JP3253739B2 (ja) | 2002-02-04 |
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