JPH06284746A - Ａｃ波形発生装置 - Google Patents
Ａｃ波形発生装置Info
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- JPH06284746A JPH06284746A JP5069936A JP6993693A JPH06284746A JP H06284746 A JPH06284746 A JP H06284746A JP 5069936 A JP5069936 A JP 5069936A JP 6993693 A JP6993693 A JP 6993693A JP H06284746 A JPH06284746 A JP H06284746A
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- transformer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 極めて簡単な構成でサグのない、偏デューテ
ィーの高圧ＡＣ波形を得ることが可能なＡＣ波形発生装
置の提供を目的としている。 【構成】 発振器１と、その発振出力の波形を整形する
ＲＣ回路Ｒ８，Ｃ３と、ＡＣトランスドライバＱ２，Ｑ
３と、ＡＣトランスＴ１とを備えたＡＣ波形発生装置。
ィーの高圧ＡＣ波形を得ることが可能なＡＣ波形発生装
置の提供を目的としている。 【構成】 発振器１と、その発振出力の波形を整形する
ＲＣ回路Ｒ８，Ｃ３と、ＡＣトランスドライバＱ２，Ｑ
３と、ＡＣトランスＴ１とを備えたＡＣ波形発生装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ波形発生装置に関
するものである。特に複写機，プリンター等に用いるに
適したＡＣ波形発生装置に関する。
するものである。特に複写機，プリンター等に用いるに
適したＡＣ波形発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】複写機やレーザビームプリンタといった
電子写真原理を用いた一連の画像形成プロセスにおい
て、静電潜像形成，現像，転写，分離，定着の各過程で
様々なＤＣ及びＡＣバイアス電源が必要になることが知
られている。これらは直接画像品質を決定するため精度
が要求されるとともに、ＡＣバイアスの場合は波形自体
が重要なファクターになることがある。特に矩形波が必
要な場合は波形の急峻な立上がり，立ち下がりを要求さ
れることがある。
電子写真原理を用いた一連の画像形成プロセスにおい
て、静電潜像形成，現像，転写，分離，定着の各過程で
様々なＤＣ及びＡＣバイアス電源が必要になることが知
られている。これらは直接画像品質を決定するため精度
が要求されるとともに、ＡＣバイアスの場合は波形自体
が重要なファクターになることがある。特に矩形波が必
要な場合は波形の急峻な立上がり，立ち下がりを要求さ
れることがある。
【０００３】この様な場合、従来では例えばトランジス
タ等の素子を出力に設けてこれをスイッチすることで実
現していたか、もしくはトランスを用い１次側を方形波
駆動していた。
タ等の素子を出力に設けてこれをスイッチすることで実
現していたか、もしくはトランスを用い１次側を方形波
駆動していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子写
真プロセスにおいて必要な数百Ｖ以上の波形が必要な場
合は高耐圧トランジスタやこれに印加する高圧バイアス
電源が必要となり、極めて高コストであった。またトラ
ンスを用い一次側スイッチングにより波形生成する場
合、様々なパラメータ、例えばサグ量またはオーバーシ
ュートと立上がり／立ち下がり時間の関係等を考慮する
必要があり微妙な設計が要求された。またデューティー
が５０％であれば比較的容易に発生できるが、５０％以
外のデューティーの波形発生は特にサグ量が増大する等
の弊害から上記の様な構成を用いていた。
真プロセスにおいて必要な数百Ｖ以上の波形が必要な場
合は高耐圧トランジスタやこれに印加する高圧バイアス
電源が必要となり、極めて高コストであった。またトラ
ンスを用い一次側スイッチングにより波形生成する場
合、様々なパラメータ、例えばサグ量またはオーバーシ
ュートと立上がり／立ち下がり時間の関係等を考慮する
必要があり微妙な設計が要求された。またデューティー
が５０％であれば比較的容易に発生できるが、５０％以
外のデューティーの波形発生は特にサグ量が増大する等
の弊害から上記の様な構成を用いていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するために、発振手段と、該発振出力の波形調整手段、
ＡＣトランス駆動手段と、昇圧ＡＣトランスとを用い
て、極めて簡単な構成で、サグの発生、５０％以外のデ
ューティを有する高圧ＡＣ波形の発生を行うことができ
る。さらに波形調整手段はＡＣトランスの励磁電流にと
もなう所望のトランス出力波形からのズレ分を補正する
よう動作させることにより、トランスの設計が容易とな
る。
するために、発振手段と、該発振出力の波形調整手段、
ＡＣトランス駆動手段と、昇圧ＡＣトランスとを用い
て、極めて簡単な構成で、サグの発生、５０％以外のデ
ューティを有する高圧ＡＣ波形の発生を行うことができ
る。さらに波形調整手段はＡＣトランスの励磁電流にと
もなう所望のトランス出力波形からのズレ分を補正する
よう動作させることにより、トランスの設計が容易とな
る。
【０００６】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を詳述す
る。
る。
【０００７】図１は、本発明の第１実施例である。本実
施例では、電子写真プロセスの現像ＡＣバイアスを現像
ローラＤＲに印加している。従って負荷は容量性であ
る。
施例では、電子写真プロセスの現像ＡＣバイアスを現像
ローラＤＲに印加している。従って負荷は容量性であ
る。
【０００８】発振器１は本実施例ではデューティー３０
％の方形波を出力している。発振器１の出力はベース抵
抗Ｒ１を介してトランジスタＱ１をスイッチする。Ｑ１
のコレクタは抵抗Ｒ２でＶｃｃにプルアップされると同
時にトランジスタＱ２とＱ３のベースに接続される。さ
らに抵抗Ｒ８とコンデンサＣ３の直列回路を介してＧＮ
Ｄに接続される。トランジスタＱ２とＱ３はそれぞれコ
レクタを電流制限抵抗Ｒ３，Ｒ４で電源Ｖｃｃにプルア
ップ、グランドＧＮＤにプルダウンされる。またトラン
ジスタＱ２とＱ３のエミッタ同士が接続され、トランジ
スタＱ２とＱ３はプッシュプル駆動のドライバーとして
動作する。ドライバーの出力すなわちトランジスタＱ
２，Ｑ３のエミッタは抵抗Ｒ５とコンデンサＣ１の直列
回路を介してＡＣトランスＴ１を駆動する。Ｒ５は電流
制限抵抗であり、Ｃ１は充分に大きな容量値を有し、Ａ
ＣトランスＴ１をＡＣ駆動する。トランスＴ１の出力は
必要ならＤＣ重畳され、Ｃ２とＲ６の並列回路とこれに
直列に挿入される抵抗Ｒ７を介して負荷Ｃｘに供給され
る。
％の方形波を出力している。発振器１の出力はベース抵
抗Ｒ１を介してトランジスタＱ１をスイッチする。Ｑ１
のコレクタは抵抗Ｒ２でＶｃｃにプルアップされると同
時にトランジスタＱ２とＱ３のベースに接続される。さ
らに抵抗Ｒ８とコンデンサＣ３の直列回路を介してＧＮ
Ｄに接続される。トランジスタＱ２とＱ３はそれぞれコ
レクタを電流制限抵抗Ｒ３，Ｒ４で電源Ｖｃｃにプルア
ップ、グランドＧＮＤにプルダウンされる。またトラン
ジスタＱ２とＱ３のエミッタ同士が接続され、トランジ
スタＱ２とＱ３はプッシュプル駆動のドライバーとして
動作する。ドライバーの出力すなわちトランジスタＱ
２，Ｑ３のエミッタは抵抗Ｒ５とコンデンサＣ１の直列
回路を介してＡＣトランスＴ１を駆動する。Ｒ５は電流
制限抵抗であり、Ｃ１は充分に大きな容量値を有し、Ａ
ＣトランスＴ１をＡＣ駆動する。トランスＴ１の出力は
必要ならＤＣ重畳され、Ｃ２とＲ６の並列回路とこれに
直列に挿入される抵抗Ｒ７を介して負荷Ｃｘに供給され
る。
【０００９】本実施例の動作を図２の各部波形を参照し
て説明する。図２（Ａ）は発振器１の発振波形である。
図のように３０％デューティーの波形を出力している。
（Ａ）波形はトランジスタＱ１を駆動した結果（Ｂ）の
波形になる。すなわち、（Ａ）がローレベルになりＱ１
がオフした瞬間にＶｃｃをＲ２とＲ８で分圧した電圧Ｖ
ｃｃ×Ｒ８／（Ｒ２＋Ｒ８）になり、その後はＲ２，Ｒ
８の抵抗値とＣ３の容量値で決まる時定数でＶｃｃに漸
増していく。そして、波形（Ａ）がハイレベルになりト
ランジスタＱ１がオンすると波形（Ｂ）はＧＮＤレベル
に低下する。Ｑ２，Ｑ３で構成されるドライバーは入力
波形すなわちベース波形（Ｂ）をそのまま出力し、Ｒ
５，Ｃ１を介してＡＣトランスＴ１を駆動し、トランス
Ｔ１は巻数比に従った振幅の波形を発生する。該波形は
Ｒ６とＣ２の並列回路とさらにＲ７を介して容量性負荷
Ｃｘに印加される。ここでＲ６とＣ２はＤＣ重畳する場
合の短絡保護としての機能であり、Ｃ２がＣｘに比し充
分に容量値が大きければトランスＴ１により生成された
ＡＣ波形はそのままＲ６とＣ２の並列回路を通過する。
また抵抗Ｒ７はＡＣトランスＴ１の短絡保護の機能と波
形調整の機能の両者を兼ねる。よって、トランスＴ１の
出力はＲ７とＣｘの直列回路に印加されることになり、
この結果Ｒ７の抵抗値及びＣｘの容量値で決まる過渡応
答波形として（Ｃ）が得られる。
て説明する。図２（Ａ）は発振器１の発振波形である。
図のように３０％デューティーの波形を出力している。
（Ａ）波形はトランジスタＱ１を駆動した結果（Ｂ）の
波形になる。すなわち、（Ａ）がローレベルになりＱ１
がオフした瞬間にＶｃｃをＲ２とＲ８で分圧した電圧Ｖ
ｃｃ×Ｒ８／（Ｒ２＋Ｒ８）になり、その後はＲ２，Ｒ
８の抵抗値とＣ３の容量値で決まる時定数でＶｃｃに漸
増していく。そして、波形（Ａ）がハイレベルになりト
ランジスタＱ１がオンすると波形（Ｂ）はＧＮＤレベル
に低下する。Ｑ２，Ｑ３で構成されるドライバーは入力
波形すなわちベース波形（Ｂ）をそのまま出力し、Ｒ
５，Ｃ１を介してＡＣトランスＴ１を駆動し、トランス
Ｔ１は巻数比に従った振幅の波形を発生する。該波形は
Ｒ６とＣ２の並列回路とさらにＲ７を介して容量性負荷
Ｃｘに印加される。ここでＲ６とＣ２はＤＣ重畳する場
合の短絡保護としての機能であり、Ｃ２がＣｘに比し充
分に容量値が大きければトランスＴ１により生成された
ＡＣ波形はそのままＲ６とＣ２の並列回路を通過する。
また抵抗Ｒ７はＡＣトランスＴ１の短絡保護の機能と波
形調整の機能の両者を兼ねる。よって、トランスＴ１の
出力はＲ７とＣｘの直列回路に印加されることになり、
この結果Ｒ７の抵抗値及びＣｘの容量値で決まる過渡応
答波形として（Ｃ）が得られる。
【００１０】さて、本実施例の本質を説明するため従来
例と比較する。従来例は例えば本発明の実施例でＲ８と
Ｃ３を削除したものであり、図３に出力波形例を示して
いる。
例と比較する。従来例は例えば本発明の実施例でＲ８と
Ｃ３を削除したものであり、図３に出力波形例を示して
いる。
【００１１】この構成で、立上がりを急峻にしたいとす
るＲ５やＲ７の定数を低く設定し、立上がり時にＱ２か
ら充分に電流をＴ１に供給しかつ２次側の時定数を早く
する。しかしながらＱ２からのＴ１への励磁電流は本実
施例のような安価なドライバーでは大きくとれないため
すぐに飽和し、この結果２次側波形に（Ｃ１）に示すよ
うに大きなサグが発生してしまう。
るＲ５やＲ７の定数を低く設定し、立上がり時にＱ２か
ら充分に電流をＴ１に供給しかつ２次側の時定数を早く
する。しかしながらＱ２からのＴ１への励磁電流は本実
施例のような安価なドライバーでは大きくとれないため
すぐに飽和し、この結果２次側波形に（Ｃ１）に示すよ
うに大きなサグが発生してしまう。
【００１２】又サグ量を減少させ波形のピーク部分の平
坦度を高めたいなら、Ｒ５を低く設定しＴ１の出力を高
めにしさらにＲ７の定数を高く設定すれば、Ｒ７と負荷
Ｃｘの時定数が長くなることで実現できる。しかしなが
ら、（Ｃ２）のように立上がり／立ち下がりが鈍ってし
まい、特に、デューティーを偏らせた波形が必要な場
合、極端には波形（Ｃ２）のＬＯＷ側に平坦部分が無く
なる可能性が大きくなる。本発明が想定する電子写真の
現像ＡＣバイアスにこの様な波形を応用する場合、デュ
ーティーの狭い方が現像に寄与することがあり、平坦部
分の消失は画質に影響してしまう。
坦度を高めたいなら、Ｒ５を低く設定しＴ１の出力を高
めにしさらにＲ７の定数を高く設定すれば、Ｒ７と負荷
Ｃｘの時定数が長くなることで実現できる。しかしなが
ら、（Ｃ２）のように立上がり／立ち下がりが鈍ってし
まい、特に、デューティーを偏らせた波形が必要な場
合、極端には波形（Ｃ２）のＬＯＷ側に平坦部分が無く
なる可能性が大きくなる。本発明が想定する電子写真の
現像ＡＣバイアスにこの様な波形を応用する場合、デュ
ーティーの狭い方が現像に寄与することがあり、平坦部
分の消失は画質に影響してしまう。
【００１３】もちろん充分なドライブ能力を有するドラ
イバーでトランスＴ１を駆動すれば所望の波形を生成す
る余地は大きくなるがコストアップしてしまう。
イバーでトランスＴ１を駆動すれば所望の波形を生成す
る余地は大きくなるがコストアップしてしまう。
【００１４】また、短絡電流の安全規格規制値によりむ
やみにドライブ能力は大きく出来ない。ドライブ能力を
上げて実現し、安全規格規制値をオーバーしてしまった
場合、短絡検知回路を追加し、出力を停止させなければ
ならなくなり、さらにコストアップしてしまう。また容
量性負荷の場合、立上がり／立ち下がり時に負荷を充電
するために電流ピーク値が大きいため、短絡検知回路に
よる短絡／正常の判別の設定は充分に注意を払わなけれ
ばならない。
やみにドライブ能力は大きく出来ない。ドライブ能力を
上げて実現し、安全規格規制値をオーバーしてしまった
場合、短絡検知回路を追加し、出力を停止させなければ
ならなくなり、さらにコストアップしてしまう。また容
量性負荷の場合、立上がり／立ち下がり時に負荷を充電
するために電流ピーク値が大きいため、短絡検知回路に
よる短絡／正常の判別の設定は充分に注意を払わなけれ
ばならない。
【００１５】また図４は他の従来例である。この場合高
圧出力を高耐圧トランジスタでスイッチするため極めて
急峻な波形を生成する事が可能であるが、図に示すよう
にトランスＴ２を駆動するため発振器１′と高耐圧トラ
ンジスタＱ４が必要で極めてコストがかかり、また高耐
圧トランジスタは現状種類が限られているため必要電圧
振幅によっては図４の構成は実現できなく、また急峻な
波形を得ようとすればする程Ｑ４のＡＳＯが厳しくな
る。さらにＤＣ重畳させる場合は、図の矢印で示す全体
をフローティングにしＧＮＤマークの部分にＤＣ発生回
路を接続するか、図の（）で示したＤＣ発生回路に容量
結合しなければならなくなる。フローティングにする場
合、パルストランスやフォトカップラーで絶縁するため
コストアップすると同時に複雑な構成になってしまう。
また容量結合で実施するには負荷インピーダンスが極め
て大きいことが前提で応用範囲が限定され、また電源利
用効率も低い方法である。
圧出力を高耐圧トランジスタでスイッチするため極めて
急峻な波形を生成する事が可能であるが、図に示すよう
にトランスＴ２を駆動するため発振器１′と高耐圧トラ
ンジスタＱ４が必要で極めてコストがかかり、また高耐
圧トランジスタは現状種類が限られているため必要電圧
振幅によっては図４の構成は実現できなく、また急峻な
波形を得ようとすればする程Ｑ４のＡＳＯが厳しくな
る。さらにＤＣ重畳させる場合は、図の矢印で示す全体
をフローティングにしＧＮＤマークの部分にＤＣ発生回
路を接続するか、図の（）で示したＤＣ発生回路に容量
結合しなければならなくなる。フローティングにする場
合、パルストランスやフォトカップラーで絶縁するため
コストアップすると同時に複雑な構成になってしまう。
また容量結合で実施するには負荷インピーダンスが極め
て大きいことが前提で応用範囲が限定され、また電源利
用効率も低い方法である。
【００１６】これに対し本発明によれば、ドライバーの
能力をそれ程高くすることなく、励磁電流が流れること
によりトランスＴ１の１次側波形が飽和し、よって２次
側波形にサグが発生してしまう現象を、励磁電流に見合
う分をＲ８，Ｃ３の追加により１次側波形として生成す
ることで回避できる。またドライバー能力を抑制して実
現可能で、短絡電流の規制値を容易に満足できるため、
短絡保護回路を追加する必要がない。さらにトランスの
特性に合わせてドライブ波形を調整すればよいために、
トランス設計が比較的容易になる。
能力をそれ程高くすることなく、励磁電流が流れること
によりトランスＴ１の１次側波形が飽和し、よって２次
側波形にサグが発生してしまう現象を、励磁電流に見合
う分をＲ８，Ｃ３の追加により１次側波形として生成す
ることで回避できる。またドライバー能力を抑制して実
現可能で、短絡電流の規制値を容易に満足できるため、
短絡保護回路を追加する必要がない。さらにトランスの
特性に合わせてドライブ波形を調整すればよいために、
トランス設計が比較的容易になる。
【００１７】〔他の実施例〕 １．第２実施例 図５は本発明の第２の実施例である。
【００１８】第１の実施例が急峻な立上がり／立ち下が
りを得つつ、出力のハイ側の平坦度を向上させる目的の
ものである。これに対し本実施例はロー側の平坦度が必
要な場合に適応できる。第１の実施例の波形図（図２）
ではロー側が平坦になっているよう図示してるが、要求
される周波数や振幅によってはロー側が図３（Ｃ１）波
形のようにサグが目立つことがある。そこで本実施例で
はロー側にも波形調整回路を追加する。図１と同様の構
成要素は同番号を付与している。さらにＱ１のコレクタ
からＱ２のベースへはＲ９とＱ１のコレクタ側をカソー
ドとするダイオードＤ１の並列回路が挿入される。また
Ｑ１のコレクタからＱ３ベースにはＲ１１とＱ１のコレ
クタ側をアノードとするダイオードＤ２の並列回路が挿
入される。さらにＱ３のベースはＲ１０とＣ４の直列回
路を介してＶｃｃにプルアップされる。
りを得つつ、出力のハイ側の平坦度を向上させる目的の
ものである。これに対し本実施例はロー側の平坦度が必
要な場合に適応できる。第１の実施例の波形図（図２）
ではロー側が平坦になっているよう図示してるが、要求
される周波数や振幅によってはロー側が図３（Ｃ１）波
形のようにサグが目立つことがある。そこで本実施例で
はロー側にも波形調整回路を追加する。図１と同様の構
成要素は同番号を付与している。さらにＱ１のコレクタ
からＱ２のベースへはＲ９とＱ１のコレクタ側をカソー
ドとするダイオードＤ１の並列回路が挿入される。また
Ｑ１のコレクタからＱ３ベースにはＲ１１とＱ１のコレ
クタ側をアノードとするダイオードＤ２の並列回路が挿
入される。さらにＱ３のベースはＲ１０とＣ４の直列回
路を介してＶｃｃにプルアップされる。
【００１９】図６は本実施例の各部波形であり、本図に
従い動作を説明する。（Ａ）は第１の実施例と同様に発
振器１の出力であり、この波形によりトランジスタＱ１
をドライブする。（Ａ）がローになりＱ１がオフした瞬
間Ｑ２のベースにはＶｃｃをＲ２，Ｒ９，Ｒ８で分圧し
た電圧Ｖｃｃ×Ｒ８／（Ｒ２＋Ｒ９＋Ｒ８）が印加され
その後Ｒ２，Ｒ９，Ｒ８とＣ３で決まる時定数でＶｃｃ
に漸増していく。さらに波形（Ａ）がハイになりＱ１が
オンするとＤ１がオンしＱ２のベースはＤ１のＶｆ分の
電圧になりＣ３のチャージがなくなるとＧＮＤレベルに
なる。
従い動作を説明する。（Ａ）は第１の実施例と同様に発
振器１の出力であり、この波形によりトランジスタＱ１
をドライブする。（Ａ）がローになりＱ１がオフした瞬
間Ｑ２のベースにはＶｃｃをＲ２，Ｒ９，Ｒ８で分圧し
た電圧Ｖｃｃ×Ｒ８／（Ｒ２＋Ｒ９＋Ｒ８）が印加され
その後Ｒ２，Ｒ９，Ｒ８とＣ３で決まる時定数でＶｃｃ
に漸増していく。さらに波形（Ａ）がハイになりＱ１が
オンするとＤ１がオンしＱ２のベースはＤ１のＶｆ分の
電圧になりＣ３のチャージがなくなるとＧＮＤレベルに
なる。
【００２０】一方Ｑ１がオンした瞬間、Ｑ３のベースは
ＶｃｃをＲ１１とＲ１０で分圧した電圧Ｖｃｃ×Ｒ１１
／（Ｒ１０＋Ｒ１１）が印加され、その後Ｒ１０，Ｒ１
１とＣ４で決まる時定数でＧＮＤレベルに漸減する。さ
らにＱ１がオフするとＱ１のコレクタがハイレベルにな
りＤ２がオンし概略ＶｃｃのＲ２とＲ１０の分圧した電
圧Ｖｃｃ×Ｒ１０／（Ｒ２＋Ｒ１０）のＤ２のＶｆ分低
い電圧になり、Ｒ２，Ｒ１０とＣ４で決まる時定数でＶ
ｃｃに漸増し、Ｄ２がカットオフ状態になるとその後は
Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１０とＣ４で決まる時定数でＶｃｃに
漸増していく。この結果Ｑ２，Ｑ３のドライバーを介し
て（Ｄ）の波形がトランスＴ１に印加され出力のサグ分
を補正できる。
ＶｃｃをＲ１１とＲ１０で分圧した電圧Ｖｃｃ×Ｒ１１
／（Ｒ１０＋Ｒ１１）が印加され、その後Ｒ１０，Ｒ１
１とＣ４で決まる時定数でＧＮＤレベルに漸減する。さ
らにＱ１がオフするとＱ１のコレクタがハイレベルにな
りＤ２がオンし概略ＶｃｃのＲ２とＲ１０の分圧した電
圧Ｖｃｃ×Ｒ１０／（Ｒ２＋Ｒ１０）のＤ２のＶｆ分低
い電圧になり、Ｒ２，Ｒ１０とＣ４で決まる時定数でＶ
ｃｃに漸増し、Ｄ２がカットオフ状態になるとその後は
Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１０とＣ４で決まる時定数でＶｃｃに
漸増していく。この結果Ｑ２，Ｑ３のドライバーを介し
て（Ｄ）の波形がトランスＴ１に印加され出力のサグ分
を補正できる。
【００２１】２．第３実施例 第２実施例はＱ１のコレクタ波形が充分に矩形波と見做
せるようにＲ２の抵抗値をＲ９，Ｒ８及びＲ１１，Ｒ１
０に比し下げることができる場合に実現できる。しかし
ながら一般にＱ２，Ｑ３はＨｆｅが比較的低いためベー
ス電流を充分流すようＲ９，Ｒ１１の抵抗値は低めに設
定する。よってＱ１のコレクタ波形を矩形波と見做せる
にはＲ２に抵抗値を低くせざるを得なく、Ｒ２の損失が
大きくなり、またＱ１は電流容量の大きなものが必要と
なる。そこで第３の実施例では図７に示すような構成を
とる。本実施例も第１の実施例と同等の部位は同番号を
付与する。発振器１の出力はベース抵抗Ｒ１３，Ｒ１４
を介してトランジスタＱ１，Ｑ６のベースに接続され、
Ｑ６とＱ１のコレクタは抵抗Ｒ２を介して接続される。
Ｑ１のコレクタは第１の実施例と同様にＱ２のベースに
接続され、Ｑ６のコレクタはＱ３のベースに接続され
る。図で判るように、発振器１の出力がハイレベルのと
きＱ１がオンでＱ６がオフし、また発振器１の出力がロ
ーレベルのときはＱ１がオフでＱ６がオンすることか
ら、Ｑ２の動作は第１の実施例と同様であり説明は省略
する。これに対しＱ３のベース波形を説明すると、Ｑ１
がオンし、Ｑ６がオフした瞬間ＶｃｃのＲ２，Ｒ１０の
分圧値Ｖｃｃ×Ｒ２／（Ｒ２＋Ｒ１０）がＱ３のベース
に印加され、その後Ｒ２，Ｒ１０とＣ１０で決まる時定
数でＧＮＤレベルに漸減する。そしてＱ１がオフし、Ｑ
６がオンするとＱ３のベースはＶｃｃになり、Ｑ３はカ
ットオフされる。この結果Ｑ２とＱ３のエミッタ波形は
（Ｂ）と（Ｃ）の合成で図６（Ｄ）の波形となりトラン
スＴ１を駆動し、Ｔ１の励磁電流ぶんを補正することが
できる。本実施例によればＴ１出力のハイ期間，ロー期
間を独立に補正する事ができかつ低損失で実現できる。
なおＱ２，Ｑ３のＶｅｂ耐圧を越えるような補正波形が
必要ならＱ２，Ｑ３のエミッタにダイオードを挿入すれ
ばよい。
せるようにＲ２の抵抗値をＲ９，Ｒ８及びＲ１１，Ｒ１
０に比し下げることができる場合に実現できる。しかし
ながら一般にＱ２，Ｑ３はＨｆｅが比較的低いためベー
ス電流を充分流すようＲ９，Ｒ１１の抵抗値は低めに設
定する。よってＱ１のコレクタ波形を矩形波と見做せる
にはＲ２に抵抗値を低くせざるを得なく、Ｒ２の損失が
大きくなり、またＱ１は電流容量の大きなものが必要と
なる。そこで第３の実施例では図７に示すような構成を
とる。本実施例も第１の実施例と同等の部位は同番号を
付与する。発振器１の出力はベース抵抗Ｒ１３，Ｒ１４
を介してトランジスタＱ１，Ｑ６のベースに接続され、
Ｑ６とＱ１のコレクタは抵抗Ｒ２を介して接続される。
Ｑ１のコレクタは第１の実施例と同様にＱ２のベースに
接続され、Ｑ６のコレクタはＱ３のベースに接続され
る。図で判るように、発振器１の出力がハイレベルのと
きＱ１がオンでＱ６がオフし、また発振器１の出力がロ
ーレベルのときはＱ１がオフでＱ６がオンすることか
ら、Ｑ２の動作は第１の実施例と同様であり説明は省略
する。これに対しＱ３のベース波形を説明すると、Ｑ１
がオンし、Ｑ６がオフした瞬間ＶｃｃのＲ２，Ｒ１０の
分圧値Ｖｃｃ×Ｒ２／（Ｒ２＋Ｒ１０）がＱ３のベース
に印加され、その後Ｒ２，Ｒ１０とＣ１０で決まる時定
数でＧＮＤレベルに漸減する。そしてＱ１がオフし、Ｑ
６がオンするとＱ３のベースはＶｃｃになり、Ｑ３はカ
ットオフされる。この結果Ｑ２とＱ３のエミッタ波形は
（Ｂ）と（Ｃ）の合成で図６（Ｄ）の波形となりトラン
スＴ１を駆動し、Ｔ１の励磁電流ぶんを補正することが
できる。本実施例によればＴ１出力のハイ期間，ロー期
間を独立に補正する事ができかつ低損失で実現できる。
なおＱ２，Ｑ３のＶｅｂ耐圧を越えるような補正波形が
必要ならＱ２，Ｑ３のエミッタにダイオードを挿入すれ
ばよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれば
極めて簡単な構成で、ドライバーの能力をそれ程高くす
る事なく、励磁電流が流れる事によりトランスの１次側
波形が飽和し、よって２次側波形にサグが発生してしま
う現象を、回避できるようになった。またドライバー能
力を抑制して実現可能であるため、短絡電流の規制値を
容易に満足でき、短絡保護回路を追加する必要がない。
さらにトランスの特性に合わせてドライブ波形を調整す
ればよいことから、トランス設計が比較的容易になり、
また例えば波形のハイ側の後端部を逆方向に持ち上げる
といった波形成形も可能になった。
極めて簡単な構成で、ドライバーの能力をそれ程高くす
る事なく、励磁電流が流れる事によりトランスの１次側
波形が飽和し、よって２次側波形にサグが発生してしま
う現象を、回避できるようになった。またドライバー能
力を抑制して実現可能であるため、短絡電流の規制値を
容易に満足でき、短絡保護回路を追加する必要がない。
さらにトランスの特性に合わせてドライブ波形を調整す
ればよいことから、トランス設計が比較的容易になり、
また例えば波形のハイ側の後端部を逆方向に持ち上げる
といった波形成形も可能になった。
【図１】本発明の第１の実施例の構成図。
【図２】本発明の第１の実施例の各部波形。
【図３】従来例の波形例。
【図４】他の従来例。
【図５】本発明の第２の実施例の構成図。
【図６】本発明の第２の実施例の各部波形。
【図７】本発明の第３の実施例の構成図。
【図８】本発明の第３の実施例の波形図。
Claims (2)
- 【請求項１】 発振手段と、該発振出力の波形調整手段
と、ＡＣトランス駆動手段と、ＡＣトランスからなるＡ
Ｃ波形発生装置。 - 【請求項２】 発振出力の波形調整手段はＡＣトランス
の励磁電流による所望のＡＣトランス出力波形からのず
れ分を補正するように動作することを特徴とする請求項
１記載のＡＣ波形発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069936A JPH06284746A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | Ａｃ波形発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5069936A JPH06284746A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | Ａｃ波形発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06284746A true JPH06284746A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13417052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5069936A Withdrawn JPH06284746A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | Ａｃ波形発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06284746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988007838A1 (en) * | 1987-04-08 | 1988-10-20 | Terumo Kabushiki Kaisha | Ultrasonic diagnostic apparatus |
| CN104811173A (zh) * | 2015-02-25 | 2015-07-29 | 雅安小航电器有限责任公司 | 具有负载短路保护和自恢复功能的简易驱动电路 |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP5069936A patent/JPH06284746A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988007838A1 (en) * | 1987-04-08 | 1988-10-20 | Terumo Kabushiki Kaisha | Ultrasonic diagnostic apparatus |
| CN104811173A (zh) * | 2015-02-25 | 2015-07-29 | 雅安小航电器有限责任公司 | 具有负载短路保护和自恢复功能的简易驱动电路 |
| CN104811173B (zh) * | 2015-02-25 | 2018-10-12 | 雅安小航电器有限责任公司 | 具有负载短路保护和自恢复功能的简易驱动电路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |