JPH06283799A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH06283799A JPH06283799A JP6634393A JP6634393A JPH06283799A JP H06283799 A JPH06283799 A JP H06283799A JP 6634393 A JP6634393 A JP 6634393A JP 6634393 A JP6634393 A JP 6634393A JP H06283799 A JPH06283799 A JP H06283799A
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- JP
- Japan
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ
Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｅｒ（ＯＴＤＲ）用高出力半導体
レーザ、または光加入者通信系に用いる耐環境用半導体
レーザでは、活性層からの発熱を抑制するために、でき
る限り駆動電流が小さいことが望ましく、かつ単一横モ
ード発振モード発振する必要がある。従来構造の埋め込
み型レーザの欠点を除去し、駆動電流の低減を図り、高
出力特性、または耐環境用レーザの特性を改善すること
にある。 【構成】 埋め込み型半導体レーザにおいて、活性層９
が多重量子井戸（ＭＱＷ）でかつ活性層幅が１．６μｍ
以上２．２μｍ以下であることを特徴とする。単一モー
ド発振が保証されるとともに、漏れ電流が抑制され効果
的な電流注入が可能となり、高温でも良好な物性の半導
体レーザが得られる。
Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｅｒ（ＯＴＤＲ）用高出力半導体
レーザ、または光加入者通信系に用いる耐環境用半導体
レーザでは、活性層からの発熱を抑制するために、でき
る限り駆動電流が小さいことが望ましく、かつ単一横モ
ード発振モード発振する必要がある。従来構造の埋め込
み型レーザの欠点を除去し、駆動電流の低減を図り、高
出力特性、または耐環境用レーザの特性を改善すること
にある。 【構成】 埋め込み型半導体レーザにおいて、活性層９
が多重量子井戸（ＭＱＷ）でかつ活性層幅が１．６μｍ
以上２．２μｍ以下であることを特徴とする。単一モー
ド発振が保証されるとともに、漏れ電流が抑制され効果
的な電流注入が可能となり、高温でも良好な物性の半導
体レーザが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに関し、特
に光通信用半導体レーザに関する。
に光通信用半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に従来の埋め込み型半導体レーザの
断面図を示す。従来の埋め込み型レーアにおいて、活性
層幅は通常１．０μｍから１．４μｍ程度であり、この
素子では８５℃−光出力２０ｍＷ時における動作電流は
９０ｍＡから１０５ｍＡ程度と高かった。
断面図を示す。従来の埋め込み型レーアにおいて、活性
層幅は通常１．０μｍから１．４μｍ程度であり、この
素子では８５℃−光出力２０ｍＷ時における動作電流は
９０ｍＡから１０５ｍＡ程度と高かった。
【０００３】活性層がパルクの場合において、水戸らが
活性層幅が１．０μｍから３．０μｍ（文献）アイイー
イーイー ジャーナル オブ ライトウェーブテクノロ
ジー、ＩＥＥＥ Ｊ．Ｔ．Ｌ．，ｖｏｌ．ＬＴ−１，Ｎ
Ｏ．１，ｐｐ．１８５−２０２（１９８３）“ＩｎＧａ
ＡｓＰ Ｄｏｕｂｌｅ−Ｃｈａｎｎｅｌ−Ｐｌａｎａｒ
−Ｂｕｒｉｅｄ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌ
ａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ（ＤＣ−ＰＢＨ ＬＤ）Ｗｉｔｈ
Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ＣｕｒｒｅｎｔＣｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ”によると）を試作しているが、発振閾値電流
密度の顕著な差は見られていない。またこのような素子
では活性層幅が１．５μｍ以上と広くなると横高次モー
ド発振しやすくなる。またはＤＣ−ＰＢＨレーザについ
て、特公昭６３−５０８７３号公報参照。
活性層幅が１．０μｍから３．０μｍ（文献）アイイー
イーイー ジャーナル オブ ライトウェーブテクノロ
ジー、ＩＥＥＥ Ｊ．Ｔ．Ｌ．，ｖｏｌ．ＬＴ−１，Ｎ
Ｏ．１，ｐｐ．１８５−２０２（１９８３）“ＩｎＧａ
ＡｓＰ Ｄｏｕｂｌｅ−Ｃｈａｎｎｅｌ−Ｐｌａｎａｒ
−Ｂｕｒｉｅｄ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌ
ａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ（ＤＣ−ＰＢＨ ＬＤ）Ｗｉｔｈ
Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ＣｕｒｒｅｎｔＣｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ”によると）を試作しているが、発振閾値電流
密度の顕著な差は見られていない。またこのような素子
では活性層幅が１．５μｍ以上と広くなると横高次モー
ド発振しやすくなる。またはＤＣ−ＰＢＨレーザについ
て、特公昭６３−５０８７３号公報参照。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｉ
ｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｅｒ（ＯＴ
ＤＲ）用高出力半導体レーザ、または光加入者通信系に
用いる耐環境用半導体レーザにおいては、活性層からの
発熱を抑制するために、できる限り駆動電流が小さいこ
とが望ましく、かつ単一横モード発振しなければならな
い。本発明の目的はこの様な従来構造の埋め込み型レー
ザの欠点を除去し、駆動電流の低減を図ることにある。
ｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｅｒ（ＯＴ
ＤＲ）用高出力半導体レーザ、または光加入者通信系に
用いる耐環境用半導体レーザにおいては、活性層からの
発熱を抑制するために、できる限り駆動電流が小さいこ
とが望ましく、かつ単一横モード発振しなければならな
い。本発明の目的はこの様な従来構造の埋め込み型レー
ザの欠点を除去し、駆動電流の低減を図ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、ｎ型、あるいはｐ型半導体基板上に形成される埋め
込み型半導体レーザにおいて、活性層が多重量子井戸
（ＭＱＷ）でかつ活性層幅が１．６μｍ以上２．２μｍ
以下であることを特徴とする。
は、ｎ型、あるいはｐ型半導体基板上に形成される埋め
込み型半導体レーザにおいて、活性層が多重量子井戸
（ＭＱＷ）でかつ活性層幅が１．６μｍ以上２．２μｍ
以下であることを特徴とする。
【０００６】
【作用】半導体レーザにおいて低発振閾値電流、高スロ
ープ効率を実現するには、活性層以外の部分を流れる不
要な漏れ電流を低減することが重要である。活性層の両
脇を流れる漏れ電流は、電流ブロック層のｐｎｐｎ構造
によってある程度抑制される。しかし、活性層の上部の
ｐ型クラッド層からｐ型電流ブロック層に流れ込み、チ
ャネル部のｐｎ接合を通過して流れるゲート電流が増加
すると発振閾値電流、スロープ効率が劣化する。
ープ効率を実現するには、活性層以外の部分を流れる不
要な漏れ電流を低減することが重要である。活性層の両
脇を流れる漏れ電流は、電流ブロック層のｐｎｐｎ構造
によってある程度抑制される。しかし、活性層の上部の
ｐ型クラッド層からｐ型電流ブロック層に流れ込み、チ
ャネル部のｐｎ接合を通過して流れるゲート電流が増加
すると発振閾値電流、スロープ効率が劣化する。
【０００７】従来の構造では、活性層上部のｐ型クラッ
ド層からｐ型電流ブロック層に流れ込むゲート電流の発
生は不可避だった。特に高温においては、ｐ型電流ブロ
ック層のタンオン電圧が低下し、更に発振閾値電流が高
く、スロープ効率も小さくなる。漏れ電流を減少させる
手段として、活性層幅を増加させるのは有効であるが、
活性層幅を大きくすると高次横モードで発振するという
問題があった。
ド層からｐ型電流ブロック層に流れ込むゲート電流の発
生は不可避だった。特に高温においては、ｐ型電流ブロ
ック層のタンオン電圧が低下し、更に発振閾値電流が高
く、スロープ効率も小さくなる。漏れ電流を減少させる
手段として、活性層幅を増加させるのは有効であるが、
活性層幅を大きくすると高次横モードで発振するという
問題があった。
【０００８】次に２次元光デバイスシミュレータによ
り、８５℃、光出力５ｍＷ時における駆動電流、漏れ電
流の活性層幅依存性を解析した結果を図３に示す。活性
層はＭＱＷ構造でその幅は１．０μｍから２．０μｍの
範囲で計算を行った。駆動電流、及び漏れ電流は活性層
幅の増加と共に単調に減少している。
り、８５℃、光出力５ｍＷ時における駆動電流、漏れ電
流の活性層幅依存性を解析した結果を図３に示す。活性
層はＭＱＷ構造でその幅は１．０μｍから２．０μｍの
範囲で計算を行った。駆動電流、及び漏れ電流は活性層
幅の増加と共に単調に減少している。
【０００９】よって、活性層幅の増加に従い、光閉じ込
め係数が増加すると共に、漏れ電流が減少するため、駆
動電流が増加することが分かる。また、漏れ電流が減少
する原因としては、活性層幅が減少することで活性層の
抵抗が低下し、ここへの電流が注入されやすくなるため
であり、結果としてｐ型クラッド層からｐ型電流ブロッ
ク層へ注入される漏れ電流は減少する。
め係数が増加すると共に、漏れ電流が減少するため、駆
動電流が増加することが分かる。また、漏れ電流が減少
する原因としては、活性層幅が減少することで活性層の
抵抗が低下し、ここへの電流が注入されやすくなるため
であり、結果としてｐ型クラッド層からｐ型電流ブロッ
ク層へ注入される漏れ電流は減少する。
【００１０】図４はＭＱＷレーザの水平横モードカット
オフ条件を示している。活性層幅は大きい程よいと考え
られるが、図４よりＭＱＷのウェル数が７の場合は、
２．２μｍ以上になると高次横モード発振しやすくなる
ことが分かる。活性層幅は２．２ｍ以下である必要があ
る。
オフ条件を示している。活性層幅は大きい程よいと考え
られるが、図４よりＭＱＷのウェル数が７の場合は、
２．２μｍ以上になると高次横モード発振しやすくなる
ことが分かる。活性層幅は２．２ｍ以下である必要があ
る。
【００１１】ところで、従来例にあるバルク活性層のレ
ーザでは、単一横モード発振するためには活性層幅は
１．５μｍ以下でなければならない。また、発振閾値電
流密度の活性層依存性は殆どなかった。
ーザでは、単一横モード発振するためには活性層幅は
１．５μｍ以下でなければならない。また、発振閾値電
流密度の活性層依存性は殆どなかった。
【００１２】従って、活性層をＭＱＷにすることと、そ
の活性層を１．６μｍ以上２．２ｍ以下にすることによ
り、単一横モード発振し、かつ高温特性が良好なレーザ
が得られる。
の活性層を１．６μｍ以上２．２ｍ以下にすることによ
り、単一横モード発振し、かつ高温特性が良好なレーザ
が得られる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１は一実施例であるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
ＭＱＷ ＤＣ−ＰＢＨレーザの断面図である。まず最初
に、ｎ−ＩｎＰ（００１）基板１上にＭＯＶＰＥ法を用
いて、ｎ−ＩｎＰバッファー層２（Ｓｉ：１．２×１０
1 8 ｃｍ- 3 ドープ）０．５μｍ、１．１３μｍ組成ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層（Ｓｉ：１．２×１０1 8
ｃｍ- 3 ドープ）６００Ａ（オングストローム）、５７
Ａ厚の１．４０μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰウェル（ノンド
ープ）及び１００Ａ厚の１．１３μｍ組成ＩｎＧａＡｓ
Ｐバリア（ノンドープ）からなる７層ＭＱＷ構造９、ｐ
−ＩｎＰクラッド層４（Ｚｎ：７×１０1 7 ｃｍ- 3 ド
ープ）０．６μｍを成長し、ＭＱＷウェハを成長する。
本実施例ではＭＯＶＰＥ法を用いるが、これはＬＰＥ法
あるいはＭＢＥ法等においても可能である。
する。図１は一実施例であるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
ＭＱＷ ＤＣ−ＰＢＨレーザの断面図である。まず最初
に、ｎ−ＩｎＰ（００１）基板１上にＭＯＶＰＥ法を用
いて、ｎ−ＩｎＰバッファー層２（Ｓｉ：１．２×１０
1 8 ｃｍ- 3 ドープ）０．５μｍ、１．１３μｍ組成ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層（Ｓｉ：１．２×１０1 8
ｃｍ- 3 ドープ）６００Ａ（オングストローム）、５７
Ａ厚の１．４０μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰウェル（ノンド
ープ）及び１００Ａ厚の１．１３μｍ組成ＩｎＧａＡｓ
Ｐバリア（ノンドープ）からなる７層ＭＱＷ構造９、ｐ
−ＩｎＰクラッド層４（Ｚｎ：７×１０1 7 ｃｍ- 3 ド
ープ）０．６μｍを成長し、ＭＱＷウェハを成長する。
本実施例ではＭＯＶＰＥ法を用いるが、これはＬＰＥ法
あるいはＭＢＥ法等においても可能である。
【００１４】次に、ＤＣ−ＰＢＨメサ形成用の中心間隔
５．４μｍ、ダブルチャネル部の幅３．０μｍのストラ
イプマスクを用いて、Ｂｒ−メタノール系のエッチャン
トによりＭＱＷウェハ上にダブルチャネル１０を形成す
る。そして、ＬＰＥ法を用いてＭＱＷウェハ上に形成さ
れたダブルチャネル１０を埋め込み成長する。この場
合、素子の活性層は１．８μｍとなる。
５．４μｍ、ダブルチャネル部の幅３．０μｍのストラ
イプマスクを用いて、Ｂｒ−メタノール系のエッチャン
トによりＭＱＷウェハ上にダブルチャネル１０を形成す
る。そして、ＬＰＥ法を用いてＭＱＷウェハ上に形成さ
れたダブルチャネル１０を埋め込み成長する。この場
合、素子の活性層は１．８μｍとなる。
【００１５】更に、以上に示す工程に基づいて作製した
ウェハのｐ側、及びｎ側に電極を形成した後、素子長３
００μｍに切り出し、後面に７０％の高反射コーティン
グを施して評価したところ、８５℃−２０ｍＷの動作電
流は８０ｍＡ程度となり、従来の素子（９０ｍＡ〜１０
５ｍＡ）と比較し、高温における特性が１０ｍＡ以上改
善される。
ウェハのｐ側、及びｎ側に電極を形成した後、素子長３
００μｍに切り出し、後面に７０％の高反射コーティン
グを施して評価したところ、８５℃−２０ｍＷの動作電
流は８０ｍＡ程度となり、従来の素子（９０ｍＡ〜１０
５ｍＡ）と比較し、高温における特性が１０ｍＡ以上改
善される。
【００１６】本発明の第２の実施例について図面を参照
して説明する。図２は一実施例であるＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系ＭＱＷ ＰＢＨレーザの断面図である。まず最
初に、ｎ−ＩｎＰ（００１）基板２１上にＭＯＶＰＥ法
を用いて、ｎ−ＩｎＰバッファ−層２２（Ｓｉ：１．２
×１０1 8 ｃｍ- 3 ドープ）０．５μｍ、１．１３μｍ
組成ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層（Ｓｉ：１．２×１
０1 8 ｃｍ- 3 ドープ）６００Ａ、５７Ａ厚の１．４０
μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰウェル（ノンドープ）及び１０
０Ａ厚の１．１３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰバリア（ノン
ドープ）からなる７層ＭＱＷ構造２８、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層２７（Ｚｎ：７×１０1 7 ｃｍ-3 ドープ）０．
６μｍを成長し、ＭＱＷウェハを成長する。本実施例で
はＭＯＶＰＥ法を用いるが、これはＬＰＥ法あるいはＭ
ＢＥ法等においても可能である。
して説明する。図２は一実施例であるＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系ＭＱＷ ＰＢＨレーザの断面図である。まず最
初に、ｎ−ＩｎＰ（００１）基板２１上にＭＯＶＰＥ法
を用いて、ｎ−ＩｎＰバッファ−層２２（Ｓｉ：１．２
×１０1 8 ｃｍ- 3 ドープ）０．５μｍ、１．１３μｍ
組成ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ ＳＣＨ層（Ｓｉ：１．２×１
０1 8 ｃｍ- 3 ドープ）６００Ａ、５７Ａ厚の１．４０
μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰウェル（ノンドープ）及び１０
０Ａ厚の１．１３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰバリア（ノン
ドープ）からなる７層ＭＱＷ構造２８、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層２７（Ｚｎ：７×１０1 7 ｃｍ-3 ドープ）０．
６μｍを成長し、ＭＱＷウェハを成長する。本実施例で
はＭＯＶＰＥ法を用いるが、これはＬＰＥ法あるいはＭ
ＢＥ法等においても可能である。
【００１７】次に、Ｂｒ−メタノール系のエッチャント
によりＭＱＷウェハをメサストライプ形状２９に加工す
る。そして、ＬＰＥ法を用いてＭＱＷウェハ上に形成さ
れたメサストライプ２９を埋め込み成長する。この場
合、素子の活性層幅は１．８μｍとなる。
によりＭＱＷウェハをメサストライプ形状２９に加工す
る。そして、ＬＰＥ法を用いてＭＱＷウェハ上に形成さ
れたメサストライプ２９を埋め込み成長する。この場
合、素子の活性層幅は１．８μｍとなる。
【００１８】更に、以上に示す工程に基づいて作製した
ウェハのｐ側、及びｎ側に電極を形成した後、素子長３
００μｍに切り出し、後面に７０％の高反射コーティン
グを施して評価したところ、従来の素子と比較し、高温
における特性が改善される。
ウェハのｐ側、及びｎ側に電極を形成した後、素子長３
００μｍに切り出し、後面に７０％の高反射コーティン
グを施して評価したところ、従来の素子と比較し、高温
における特性が改善される。
【００１９】
【発明の効果】Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉ
ｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｅｒ（ＯＴＤＲ）用高出力半
導体レーザ、または光加入者通信系に用いる耐環境用半
導体レーザにおいては、活性層からの発熱を抑制するた
めに、できる限り駆動電流が小さいことが望ましく、か
つ単一横モード発生しなければならない。本発明によれ
ば、この様な従来構造の埋め込み型レーザの欠点を除去
し、駆動電流の低減を図ることによって、高出力特性、
あるいは耐環境用レーザの特性を改善される。本発明は
実施例に示したＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系埋め込み型レ
ーザのみならずＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系埋め込み型レ
ーザにも適用できる。
ｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｍｅｔｅｒ（ＯＴＤＲ）用高出力半
導体レーザ、または光加入者通信系に用いる耐環境用半
導体レーザにおいては、活性層からの発熱を抑制するた
めに、できる限り駆動電流が小さいことが望ましく、か
つ単一横モード発生しなければならない。本発明によれ
ば、この様な従来構造の埋め込み型レーザの欠点を除去
し、駆動電流の低減を図ることによって、高出力特性、
あるいは耐環境用レーザの特性を改善される。本発明は
実施例に示したＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系埋め込み型レ
ーザのみならずＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系埋め込み型レ
ーザにも適用できる。
【図１】本発明によるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系ＭＱＷ
ＤＣ−ＰＢＨ半導体レーザの断面図。
ＤＣ−ＰＢＨ半導体レーザの断面図。
【図２】本発明によるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系ＭＱＷ
ＰＢＨ半導体レーザの断面図。
ＰＢＨ半導体レーザの断面図。
【図３】駆動電流と漏れ電流の活性層幅依存性を説明す
るための図。
るための図。
【図４】水平線モードカットオフ条件を説明するための
図。
図。
【図５】従来のＤＣ−ＰＢＨ構造半導体レーザの断面
図。
図。
１ ｎ−ＩｎＰ（００１）基板 ２ ｎ−ＩｎＰバッファー層 ３ ＭＱＷ構造 ４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ５ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 ６ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 ７ ｐ−ＩｎＰ層 ８ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ９ ＭＱＷ活性層 １０ ダブルチャネル １１ ｎ−ＩｎＰ（００１）基板 １２ ｎ−ＩｎＰバッファー層 １３ ＭＱＷ構造 １４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １５ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 １６ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 １７ ｐ−ＩｎＰ層 １８ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 １９ ＭＱＷ活性層 ２０ ダブルチャネル ２１ ｎ−ＩｎＰ（００１）基板 ２２ ｎ−ＩｎＰバッファー層 ２３ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 ２４ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 ２５ ｐ−ＩｎＰ層 ２６ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ２７ Ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２８ ＭＱＷ活性層 ２９ メサストライプ
Claims (1)
- 【請求項１】 ｎ型、またはｐ型半導体基板上に形成さ
れる埋め込み型半導体レ−ザにおいて、活性層が多重量
子井戸（ＭＱＷ）で、かつ活性層幅が１．６μｍ以上
２．２μｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6634393A JPH06283799A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体レーザ |
| DE69404367T DE69404367T2 (de) | 1993-03-25 | 1994-03-21 | Planar-Vergrabene-Heterostruktur-Laserdiode mit zwei Kanälen und niedrigem Leckstrom |
| EP94104451A EP0621665B1 (en) | 1993-03-25 | 1994-03-21 | Semiconductor double-channel-planar-buried-heterostructure laser diode effective against leakage current |
| US08/217,174 US5400355A (en) | 1993-03-25 | 1994-03-24 | Semiconductor double-channel-planar-buried-heterostructure laser diode effective against leakage current |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6634393A JPH06283799A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283799A true JPH06283799A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13313124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6634393A Pending JPH06283799A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283799A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125263A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132381A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH05160509A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Nec Corp | 量子井戸構造埋め込み半導体レーザ |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP6634393A patent/JPH06283799A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132381A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH05160509A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Nec Corp | 量子井戸構造埋め込み半導体レーザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125263A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950919 |