JPH08125263A - 多重量子井戸構造半導体レーザ - Google Patents
多重量子井戸構造半導体レーザInfo
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- JPH08125263A JPH08125263A JP26375094A JP26375094A JPH08125263A JP H08125263 A JPH08125263 A JP H08125263A JP 26375094 A JP26375094 A JP 26375094A JP 26375094 A JP26375094 A JP 26375094A JP H08125263 A JPH08125263 A JP H08125263A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高温時において特性が劣化する従来の長波長系
半導体レーザの欠点を解決し、優れた温度特性を有する
と共に高温時においても低閾値、低駆動電流で動作可能
な１．３μｍまたは１．５５μｍ半導体レーザを提供す
ることにある。 【構成】ＩｎＰ基板上に多重量子井戸構造の活性層を形
成する半導体レーザにおいて、該半導体レーザの活性層
が、少なくとも、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ
系の半導体材料からなるウエルと、ＡｌＩｎＧａＡｓＰ
であり、残りの部分はＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料から
なるＳＣＨ層からなる多重量子井戸構造からなることを
特徴とする。 【効果】ＡｌＩｎＧａＡｓＰ半導体材料をバリヤに用い
ることにより、高温時に電子がバリヤへ溢れるのを防止
し、温度特性の良好な半導体レーザが得られる。
半導体レーザの欠点を解決し、優れた温度特性を有する
と共に高温時においても低閾値、低駆動電流で動作可能
な１．３μｍまたは１．５５μｍ半導体レーザを提供す
ることにある。 【構成】ＩｎＰ基板上に多重量子井戸構造の活性層を形
成する半導体レーザにおいて、該半導体レーザの活性層
が、少なくとも、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ
系の半導体材料からなるウエルと、ＡｌＩｎＧａＡｓＰ
であり、残りの部分はＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料から
なるＳＣＨ層からなる多重量子井戸構造からなることを
特徴とする。 【効果】ＡｌＩｎＧａＡｓＰ半導体材料をバリヤに用い
ることにより、高温時に電子がバリヤへ溢れるのを防止
し、温度特性の良好な半導体レーザが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、長波長帯の多重量子井
戸型半導体レーザに関し、特にその活性層の構造に関す
る。
戸型半導体レーザに関し、特にその活性層の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、波長１．３μｍや１．５５μｍ帯
の多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の半導体レーザには、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系化合物半導体材料が用いられて
いたが、これらの材料系においては、伝導帯のエネルギ
ー不連続の値が、価電子帯エネルギー不連続の値に比べ
て小さいので、ＭＱＷレーザにおいては高温時に電子が
ウエルからバリヤに溢れる問題が有った。従って、高温
時における閾値の上昇あるいは効率の低下は、ＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体材料を用いる短波長系の
半導体レーザに比べて大きかった。これに対して近年Ｂ
ｅｌｌｃｏｒｅ社から発表されたＡｌＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰ系ＭＱＷレーザ（ＵｎｃｏｏｌｅｄＬａｓｅｒｓ
ｆｏｒ Ｄｅｐｌｏｙｍｅｎｔ ｏｆ Ｆｉｂｅｒ ｉ
ｎ ｔｈｅ Ｌｏｏｐ，ＯＰＴＩＣＳ＆ＰＨＯＴＯＮＩ
ＣＳ ＮＥＷＳ／ＤＥＣＥＭＢＥＲ １９９３）は、ウ
エルとバリヤにＡｌＩｎＧａＡｓを用いているためバン
ドラインナップが改善され、スロープ効率の温度依存性
が非常に良くなっている。
の多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の半導体レーザには、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系化合物半導体材料が用いられて
いたが、これらの材料系においては、伝導帯のエネルギ
ー不連続の値が、価電子帯エネルギー不連続の値に比べ
て小さいので、ＭＱＷレーザにおいては高温時に電子が
ウエルからバリヤに溢れる問題が有った。従って、高温
時における閾値の上昇あるいは効率の低下は、ＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体材料を用いる短波長系の
半導体レーザに比べて大きかった。これに対して近年Ｂ
ｅｌｌｃｏｒｅ社から発表されたＡｌＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰ系ＭＱＷレーザ（ＵｎｃｏｏｌｅｄＬａｓｅｒｓ
ｆｏｒ Ｄｅｐｌｏｙｍｅｎｔ ｏｆ Ｆｉｂｅｒ ｉ
ｎ ｔｈｅ Ｌｏｏｐ，ＯＰＴＩＣＳ＆ＰＨＯＴＯＮＩ
ＣＳ ＮＥＷＳ／ＤＥＣＥＭＢＥＲ １９９３）は、ウ
エルとバリヤにＡｌＩｎＧａＡｓを用いているためバン
ドラインナップが改善され、スロープ効率の温度依存性
が非常に良くなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｂｅｌ
ｌｃｏｒｅ発表のＡｌＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系ＭＱＷ半
導体レーザは、ウエルとバリヤさらに分離閉じ込めヘテ
ロ構造（ＳＣＨ）層に多くのＡｌ組成を有するＡｌＩｎ
ＧａＡｓを用いているため、埋め込み構造の作製が困難
であった。従って、リッジ導波路構造であるため発振閾
値が高く、５ｍＷ時の駆動電流で比べると、それ程良い
特性とは言えない。
ｌｃｏｒｅ発表のＡｌＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系ＭＱＷ半
導体レーザは、ウエルとバリヤさらに分離閉じ込めヘテ
ロ構造（ＳＣＨ）層に多くのＡｌ組成を有するＡｌＩｎ
ＧａＡｓを用いているため、埋め込み構造の作製が困難
であった。従って、リッジ導波路構造であるため発振閾
値が高く、５ｍＷ時の駆動電流で比べると、それ程良い
特性とは言えない。
【０００４】本発明の目的は、この様な長波長系多重量
子井戸構造半導体レーザの欠点を解消し、優れた温度特
性を有すると共に高温時においても低閾値、低駆動電流
で動作可能な１．３μｍまたは１．５５μｍ半導体レー
ザを提供することにある。
子井戸構造半導体レーザの欠点を解消し、優れた温度特
性を有すると共に高温時においても低閾値、低駆動電流
で動作可能な１．３μｍまたは１．５５μｍ半導体レー
ザを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、ＩｎＰ基板上に多重量子井戸構造の活性
層を形成する半導体レーザにおいて、多重量子井戸構造
の活性層が、少なくとも、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧ
ａＡｓＰ系の半導体材料からなるウエルと、ＡｌＩｎＧ
ａＡｓＰ系の半導体材料からなるバリヤ層と、ウエルに
隣接する一部分のみがＡｌＩｎＧａＡｓＰであり、残り
の部分はＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料からなるＳＣＨ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層からなることを特徴とす
るものである。
めに本発明は、ＩｎＰ基板上に多重量子井戸構造の活性
層を形成する半導体レーザにおいて、多重量子井戸構造
の活性層が、少なくとも、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧ
ａＡｓＰ系の半導体材料からなるウエルと、ＡｌＩｎＧ
ａＡｓＰ系の半導体材料からなるバリヤ層と、ウエルに
隣接する一部分のみがＡｌＩｎＧａＡｓＰであり、残り
の部分はＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料からなるＳＣＨ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層からなることを特徴とす
るものである。
【０００６】
【作用】本発明によるＡｌＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料
からなるバリヤ層を用いることにより、高温特性の改善
が得られる理由について以下で説明する。上にも述べた
様に、ＭＱＷレーザの高温特性を左右する大きな要因と
しては、高温時にウエルからバリヤへ注入キャリア（こ
の場合は主に電子）が溢れることにより、ＭＱＷの利得
が低下するメカニズムが考えられる。長波長系ＭＱＷレ
ーザの場合、図３に示す様に、通常ウエル１５にはＩｎ
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰが、バリヤ１６にはＩｎ
ＧａＡｓＰが用いられる。このＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ系ヘテロ接合あるいはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ系ヘテロ接合では、伝導帯バンド・エネルギー不
連続の値ΔＥｃ／ΔＥｖが大きくなる方向に改善される
ことが知られている。従って、電子に対するバリヤ障壁
が高くなるので、高温時でもウエルからバリヤへの電子
の漏れは抑制される。この結果、温度特性の良好なデバ
イスが実現できる。
からなるバリヤ層を用いることにより、高温特性の改善
が得られる理由について以下で説明する。上にも述べた
様に、ＭＱＷレーザの高温特性を左右する大きな要因と
しては、高温時にウエルからバリヤへ注入キャリア（こ
の場合は主に電子）が溢れることにより、ＭＱＷの利得
が低下するメカニズムが考えられる。長波長系ＭＱＷレ
ーザの場合、図３に示す様に、通常ウエル１５にはＩｎ
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰが、バリヤ１６にはＩｎ
ＧａＡｓＰが用いられる。このＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ系ヘテロ接合あるいはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａ
ＡｓＰ系ヘテロ接合では、伝導帯バンド・エネルギー不
連続の値ΔＥｃ／ΔＥｖが大きくなる方向に改善される
ことが知られている。従って、電子に対するバリヤ障壁
が高くなるので、高温時でもウエルからバリヤへの電子
の漏れは抑制される。この結果、温度特性の良好なデバ
イスが実現できる。
【０００７】ところで、ＡＩを含む半導体材料を用いる
場合、どうしても埋め込み成長の困難さが伴う。それ
は、ＡＩが非常に酸化し易いために、表面に薄い酸化膜
を形成し、これが埋め込み成長を妨げる原因となってい
る。Ｂｅｌｌｃｏｒｅ社のＡｌＩｎＧａＡｓ系材料の場
合も図４に示す様に、ウエル１８，バリヤ１９およびＳ
ＣＨ２０層の活性層全体にＡＩを含むＡｌＩｎＧａＡｓ
を用いているために、埋め込み成長が困難となってい
る。一方、本発明のＭＱＷ構造では、バリヤ層とＳＣＨ
層の一部分にのみＡｌが含まれるので、埋め込み成長が
比較的簡単に行えるメリットがある。実際、ウエルとバ
リヤの両方にＡｌを含む半導体からなるＭＱＷ構造と、
バリヤにはＡｌが含まれるがウエルにはＡｌを含まない
ＭＱＷ構造とを、同じ条件で埋め込み成長を行うと、後
者については良好な埋め込みが行われるが、前者の場合
は埋め込み不良となる割合が非常に大きい。このこと
は、ＭＱＷ活性層全体の広い面積に渡るＡｌの酸化膜は
安定であり、埋め込み成長を困難なものにしているが、
バリヤの部分のみの様な狭い面積のＡｌ酸化膜は不安定
で、埋め込み成長時に容易にメルトバックされるので、
特に問題とはならない。
場合、どうしても埋め込み成長の困難さが伴う。それ
は、ＡＩが非常に酸化し易いために、表面に薄い酸化膜
を形成し、これが埋め込み成長を妨げる原因となってい
る。Ｂｅｌｌｃｏｒｅ社のＡｌＩｎＧａＡｓ系材料の場
合も図４に示す様に、ウエル１８，バリヤ１９およびＳ
ＣＨ２０層の活性層全体にＡＩを含むＡｌＩｎＧａＡｓ
を用いているために、埋め込み成長が困難となってい
る。一方、本発明のＭＱＷ構造では、バリヤ層とＳＣＨ
層の一部分にのみＡｌが含まれるので、埋め込み成長が
比較的簡単に行えるメリットがある。実際、ウエルとバ
リヤの両方にＡｌを含む半導体からなるＭＱＷ構造と、
バリヤにはＡｌが含まれるがウエルにはＡｌを含まない
ＭＱＷ構造とを、同じ条件で埋め込み成長を行うと、後
者については良好な埋め込みが行われるが、前者の場合
は埋め込み不良となる割合が非常に大きい。このこと
は、ＭＱＷ活性層全体の広い面積に渡るＡｌの酸化膜は
安定であり、埋め込み成長を困難なものにしているが、
バリヤの部分のみの様な狭い面積のＡｌ酸化膜は不安定
で、埋め込み成長時に容易にメルトバックされるので、
特に問題とはならない。
【０００８】さらに、高温特性とは直接関係は無いが、
ＡｌＩｎＧａＡｓＰバリヤを用いることにより、ホール
に対するバリヤのポテンシャル障壁が小さくできるの
で、ウエル間でのホール注入不均一の問題も改善でき
る。これは特にウエル数の多い（７ウエル程度以上）Ｍ
ＱＷにおいて問題となっていたことで、通常のＩｎＧａ
Ａｓ（Ｐ）／ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷレーザの場合、
ホールに対するバリヤのポテンシャル障壁が高過ぎるの
で、ｐ−ＩｎＰ側から注入されたホールが各ウエルに均
一に分布せず、ｐ側のウエルに多く分布し、極端な場合
はｎ側のウエルにはほとんどホールが注入されていない
状態も有り得る。従って、この様なことが起これば、ウ
エル数を多くしていっても利得の改善があまり期待でき
ないという問題が有った。これに対しても本発明の構造
は有効であると考えられ、ホールの不均一注入が緩和さ
れることにより、多層ＭＱＷにおいて大きな微分利得の
値を実現できる。
ＡｌＩｎＧａＡｓＰバリヤを用いることにより、ホール
に対するバリヤのポテンシャル障壁が小さくできるの
で、ウエル間でのホール注入不均一の問題も改善でき
る。これは特にウエル数の多い（７ウエル程度以上）Ｍ
ＱＷにおいて問題となっていたことで、通常のＩｎＧａ
Ａｓ（Ｐ）／ＩｎＧａＡｓＰ系のＭＱＷレーザの場合、
ホールに対するバリヤのポテンシャル障壁が高過ぎるの
で、ｐ−ＩｎＰ側から注入されたホールが各ウエルに均
一に分布せず、ｐ側のウエルに多く分布し、極端な場合
はｎ側のウエルにはほとんどホールが注入されていない
状態も有り得る。従って、この様なことが起これば、ウ
エル数を多くしていっても利得の改善があまり期待でき
ないという問題が有った。これに対しても本発明の構造
は有効であると考えられ、ホールの不均一注入が緩和さ
れることにより、多層ＭＱＷにおいて大きな微分利得の
値を実現できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す１．３μｍ長波長
レーザのＭＱＷ活性層構造のバンド・ダイヤグラムであ
る。作製方法は、まず最初に、ｎ−ＩｎＰ（１００）基
板２１上に厚さ５０ｎｍの１．１３μｍ組成ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰＳＣＨ層１４を成長し、さらに厚さ１０ｎｍの
ノン・ドープのｕ−ＡｌＩｎＧａＡｓＰバリヤ１２を成
長する。この場合、Ａｌの組成としては、０．０５〜
０．４程度が適当であり、あまり少ないとバンド・ライ
ンナップ改善の効果が少なく、逆に多過ぎると埋め込み
成長がうまく出来なくなる。また、ＩｎＰ基板に格子整
合する様に、他のＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの組成は決めら
れている。さらにこの上に厚さ約５ｎｍの１．４０μｍ
の波長組成のｕ−ＩｎＧａＡｓＰウエル１２と、厚さ１
０ｎｍのｕ−ＡｌＩｎＧａＡｓＰバリヤ１２を５周期成
長する。さらにその上に、厚さ５０ｎｍの１．１３μｍ
組成ｕ−ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層１４を成長し、最後に
ｐ−ＩｎＰクラッド層２３を約０．６μｍ成長する。な
お、ウエルはＩｎＧａＡｓでもよい。この様にして作製
したＭＱＷウエハを、図２に示す様な通常のＤＣ−ＰＢ
Ｈ構造に埋め込む。すなわち、ＭＱＷウエハのｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２３の表面にフォトレジストをストライプ
上に形成し、エッチングして中央にメサ構造を形成す
る。フォトレジストを除去後、液相エピタキシャル成長
法によってｐ−ＩｎＰ電流ブロック層２４，ｎ−ＩｎＰ
電流ブロック層２５，ｐ−ＩｎＰ層２６，Ｐ+ ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層２７を順次形成する。２８はＭＱＷ活
性層である。この後素子長２００μｍに切り出して、全
面，後面に各々７０％，９５％程度の端面コーティング
を施す。
る。図１は、本発明の一実施例を示す１．３μｍ長波長
レーザのＭＱＷ活性層構造のバンド・ダイヤグラムであ
る。作製方法は、まず最初に、ｎ−ＩｎＰ（１００）基
板２１上に厚さ５０ｎｍの１．１３μｍ組成ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰＳＣＨ層１４を成長し、さらに厚さ１０ｎｍの
ノン・ドープのｕ−ＡｌＩｎＧａＡｓＰバリヤ１２を成
長する。この場合、Ａｌの組成としては、０．０５〜
０．４程度が適当であり、あまり少ないとバンド・ライ
ンナップ改善の効果が少なく、逆に多過ぎると埋め込み
成長がうまく出来なくなる。また、ＩｎＰ基板に格子整
合する様に、他のＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの組成は決めら
れている。さらにこの上に厚さ約５ｎｍの１．４０μｍ
の波長組成のｕ−ＩｎＧａＡｓＰウエル１２と、厚さ１
０ｎｍのｕ−ＡｌＩｎＧａＡｓＰバリヤ１２を５周期成
長する。さらにその上に、厚さ５０ｎｍの１．１３μｍ
組成ｕ−ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層１４を成長し、最後に
ｐ−ＩｎＰクラッド層２３を約０．６μｍ成長する。な
お、ウエルはＩｎＧａＡｓでもよい。この様にして作製
したＭＱＷウエハを、図２に示す様な通常のＤＣ−ＰＢ
Ｈ構造に埋め込む。すなわち、ＭＱＷウエハのｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２３の表面にフォトレジストをストライプ
上に形成し、エッチングして中央にメサ構造を形成す
る。フォトレジストを除去後、液相エピタキシャル成長
法によってｐ−ＩｎＰ電流ブロック層２４，ｎ−ＩｎＰ
電流ブロック層２５，ｐ−ＩｎＰ層２６，Ｐ+ ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層２７を順次形成する。２８はＭＱＷ活
性層である。この後素子長２００μｍに切り出して、全
面，後面に各々７０％，９５％程度の端面コーティング
を施す。
【００１０】試作した素子の高温特性を評価したとこ
ろ、８５℃での発振閾値は約５ｍＡで、８５０℃，５ｍ
Ｗ時の駆動電流も２０ｍＡと良好な特性が得られてい
た。なおスロープ効率の特性温度ＩｓもＡｌＧａＡｓ／
ＧａＡｓ系レーザ並の２３０Ｋまで改善された。
ろ、８５℃での発振閾値は約５ｍＡで、８５０℃，５ｍ
Ｗ時の駆動電流も２０ｍＡと良好な特性が得られてい
た。なおスロープ効率の特性温度ＩｓもＡｌＧａＡｓ／
ＧａＡｓ系レーザ並の２３０Ｋまで改善された。
【００１１】
【発明の効果】以上で説明した様に本発明は、ＡｌＩｎ
ＧａＡｓＰ半導体材料をバリヤに用いることにより、高
温時に電子がバリヤへ溢れるのを防止し、温度特性の良
好な半導体レーザが得られる利点がある。さらに埋め込
み構造の作製が比較的容易であるため、閾値電流および
駆動電流の小さいレーザが得られる利点も兼ね備えてい
る。
ＧａＡｓＰ半導体材料をバリヤに用いることにより、高
温時に電子がバリヤへ溢れるのを防止し、温度特性の良
好な半導体レーザが得られる利点がある。さらに埋め込
み構造の作製が比較的容易であるため、閾値電流および
駆動電流の小さいレーザが得られる利点も兼ね備えてい
る。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザのＭＱＷ
活性層のバンド・ダイヤグラムを示す図である。
活性層のバンド・ダイヤグラムを示す図である。
【図２】本発明の一実施例の半導体レーザの埋め込み構
造の断面図である。
造の断面図である。
【図３】従来の半導体レーザのＭＱＷ活性層のバンド・
ダイヤグラムを示す図である。
ダイヤグラムを示す図である。
【図４】従来の他の半導体レーザのＭＱＷ活性層のバン
ド・ダイヤグラムを示す図である。
ド・ダイヤグラムを示す図である。
１１ ＩｎＧａＡｓウエル １３ ＡｌＩｎＧａＡｓＰバリヤ １４ ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層 ２１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２２ ＭＱＷ層 ２３ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２４ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 ２５ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 ２６ ｐ−ＩｎＰ層 ２７ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ２８ ＭＱＷ活性層
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩｎＰ基板上に多重量子井戸構造の活性
層を形成する半導体レーザにおいて、多重量子井戸構造
活性層が、少なくとも、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａ
ＡｓＰ系の半導体材料からなるウエルと、ＡｌＩｎＧａ
ＡｓＰ系の半導体材料からなるバリヤ層と、ウエルに隣
接する一部分のみがＡｌＩｎＧａＡｐであり、残りの部
分はＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料からなる分離閉じ込め
ヘテロ構造層からなることを特徴とする多重量子井戸構
造半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263750A JP2663880B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263750A JP2663880B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125263A true JPH08125263A (ja) | 1996-05-17 |
| JP2663880B2 JP2663880B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17393775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6263750A Expired - Fee Related JP2663880B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663880B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016156A1 (fr) * | 1997-09-24 | 1999-04-01 | Nippon Sanso Corporation | Laser a semiconducteur |
| US6563850B1 (en) | 1997-10-06 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| US8093581B2 (en) | 2006-02-20 | 2012-01-10 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197391A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH06268314A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH06283799A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP6263750A patent/JP2663880B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8273585B2 (en) | 2006-02-20 | 2012-09-25 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2663880B2 (ja) | 1997-10-15 |
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