JPH06283083A - マイクロアクチュエータおよびマイクロリレー - Google Patents
マイクロアクチュエータおよびマイクロリレーInfo
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- JPH06283083A JPH06283083A JP7196493A JP7196493A JPH06283083A JP H06283083 A JPH06283083 A JP H06283083A JP 7196493 A JP7196493 A JP 7196493A JP 7196493 A JP7196493 A JP 7196493A JP H06283083 A JPH06283083 A JP H06283083A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
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- H01H2037/008—Micromechanical switches operated thermally
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- Micromachines (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用温度範囲が広いマイクロアクチュエータ
およびマイクロリレーを得る。 【構成】 線膨脹係数の大きい金属膜１３０および線膨
脹係数の少ない金属膜１２０を積層してなるバイメタル
１１０の、線膨脹係数の小さい金属膜１２０側に熱伝導
率の小さい材料膜１５０を介して線膨脹係数の大きい温
度補償用金属膜１４０を積層する。
およびマイクロリレーを得る。 【構成】 線膨脹係数の大きい金属膜１３０および線膨
脹係数の少ない金属膜１２０を積層してなるバイメタル
１１０の、線膨脹係数の小さい金属膜１２０側に熱伝導
率の小さい材料膜１５０を介して線膨脹係数の大きい温
度補償用金属膜１４０を積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシンの一種
であるマイクロアクチュエータおよびこれを用いたマイ
クロリレーに関するものである。
であるマイクロアクチュエータおよびこれを用いたマイ
クロリレーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２１は従来のマイクロアクチュエータ
の一例の斜視図であり、図２１はそれを利用したマイク
ロリレーの一例の斜視図である。
の一例の斜視図であり、図２１はそれを利用したマイク
ロリレーの一例の斜視図である。
【０００３】図２１において、面方位（１１０）のシリ
コン基板５００を異方性エッチングにより深溝加工し、
多数のシリコンのフィン５１０，５１０…を作り、フィ
ン５１０の側面に電解法により金属５２０を電鋳し、フ
ィン５１０とともにバイメタル５３０を形成している。
コン基板５００を異方性エッチングにより深溝加工し、
多数のシリコンのフィン５１０，５１０…を作り、フィ
ン５１０の側面に電解法により金属５２０を電鋳し、フ
ィン５１０とともにバイメタル５３０を形成している。
【０００４】図２２に示すマイクロリレーは、前述のマ
イクロアクチュエータの対向するフィンの間に、固定側
のフィン５１０に固定接点５４０およびバイメタル側の
フィン５１０に可動接点５５０を設けて作成している。
イクロアクチュエータの対向するフィンの間に、固定側
のフィン５１０に固定接点５４０およびバイメタル側の
フィン５１０に可動接点５５０を設けて作成している。
【０００５】動作原理は、バイメタル５３０側に設けた
駆動電極５６０ａ，５６０ｂ間に電流を流すと、抵抗加
熱によるジュール熱が発生し、バイメタル５３０が加熱
される。このとき、フィン５１０の材料のシリコンの線
膨脹係数（λSi）と、金属５２０（たとえばＺｎ）の線
膨脹係数（λZn）が異なり、λSi＜λZnであるので、バ
イメタル５３０は→の方向に運動し、固定接点５４０と
可動接点５５０が接触し電流が流れる。
駆動電極５６０ａ，５６０ｂ間に電流を流すと、抵抗加
熱によるジュール熱が発生し、バイメタル５３０が加熱
される。このとき、フィン５１０の材料のシリコンの線
膨脹係数（λSi）と、金属５２０（たとえばＺｎ）の線
膨脹係数（λZn）が異なり、λSi＜λZnであるので、バ
イメタル５３０は→の方向に運動し、固定接点５４０と
可動接点５５０が接触し電流が流れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
バイメタルを駆動源にしたマイクロアクチュエータおよ
びマイクロリレーには以下のような問題点がある。
バイメタルを駆動源にしたマイクロアクチュエータおよ
びマイクロリレーには以下のような問題点がある。
【０００７】すなわち、環境温度の変化によりバイメタ
ルが変位するため、マイクロアクチュエータおよびマイ
クロリレーが誤動作し、広範囲の温度では使用できなか
った。
ルが変位するため、マイクロアクチュエータおよびマイ
クロリレーが誤動作し、広範囲の温度では使用できなか
った。
【０００８】本発明は、上記事情に鑑みて創案されたも
ので、使用温度範囲が広く組立プロセスが不要で素子の
小型化および多極化が可能な、マイクロアクチュエータ
およびマイクロリレーを提供することを目的としてい
る。、
ので、使用温度範囲が広く組立プロセスが不要で素子の
小型化および多極化が可能な、マイクロアクチュエータ
およびマイクロリレーを提供することを目的としてい
る。、
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるマイクロア
クチュエータは、線膨脹係数の異なる金属膜を積層して
なるバイメタルの線膨脹係数の小さい金属膜側に、熱伝
導率の小さい材料膜を介して線膨脹係数の大きい金属膜
を積層している。
クチュエータは、線膨脹係数の異なる金属膜を積層して
なるバイメタルの線膨脹係数の小さい金属膜側に、熱伝
導率の小さい材料膜を介して線膨脹係数の大きい金属膜
を積層している。
【００１０】
【作用】バイメタルの一方の線膨脹係数の小さい金属膜
は、両側を線膨脹係数の大きい金属膜で挟まれているか
ら、環境温度による変位は補償される。そして、線膨脹
係数の小さい金属側に熱伝導率の小さい材料膜を介して
積層された線膨脹係数の大きい金属膜は、バイメタルが
加熱されても膨脹することなくバイメタルの動作を妨げ
ない。
は、両側を線膨脹係数の大きい金属膜で挟まれているか
ら、環境温度による変位は補償される。そして、線膨脹
係数の小さい金属側に熱伝導率の小さい材料膜を介して
積層された線膨脹係数の大きい金属膜は、バイメタルが
加熱されても膨脹することなくバイメタルの動作を妨げ
ない。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例にかかるマイクロリ
レーの斜視図であり、図２は図１のＸ−Ｘ′断面図であ
り、図３は図１のＹ−Ｙ′断面図である。図４（ａ），
（ｂ）〜図２０（ａ），（ｂ）は、マイクロアクチュエ
ータおよびマイクロリレーの製造工程を示す説明図であ
って、それぞれ（ａ）は平面図、（ｂ）は中央部の断面
図である。
レーの斜視図であり、図２は図１のＸ−Ｘ′断面図であ
り、図３は図１のＹ−Ｙ′断面図である。図４（ａ），
（ｂ）〜図２０（ａ），（ｂ）は、マイクロアクチュエ
ータおよびマイクロリレーの製造工程を示す説明図であ
って、それぞれ（ａ）は平面図、（ｂ）は中央部の断面
図である。
【００１２】図１〜図３の構造をわかりやすくするた
め、最初にマイクロアクチュエータおよびマイクロリレ
ーの製造工程を、図４（ａ），（ｂ）〜図２０（ａ），
（ｂ）について説明する。
め、最初にマイクロアクチュエータおよびマイクロリレ
ーの製造工程を、図４（ａ），（ｂ）〜図２０（ａ），
（ｂ）について説明する。
【００１３】まず、図４（ａ），（ｂ）は、シリコン基
板１００の表裏両面に熱酸化膜１０１を形成し、表面に
フォトレジストを塗布し、形成すべき枠部の形状に対応
したパターニングを行ない、ＣＨＦ3 にて熱酸化膜１０
１のエッチングを行なった状態である。
板１００の表裏両面に熱酸化膜１０１を形成し、表面に
フォトレジストを塗布し、形成すべき枠部の形状に対応
したパターニングを行ない、ＣＨＦ3 にて熱酸化膜１０
１のエッチングを行なった状態である。
【００１４】次に、図５（ａ），（ｂ）に示すように、
前記の状態のシリコン基板１００を水酸化カリウム溶液
に浸すと、熱酸化膜１０１のない部分がエッチングされ
ることによって、シリコン基板１００の周辺に枠部３２
０が形成される。
前記の状態のシリコン基板１００を水酸化カリウム溶液
に浸すと、熱酸化膜１０１のない部分がエッチングされ
ることによって、シリコン基板１００の周辺に枠部３２
０が形成される。
【００１５】次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、
固定接点用Ａｕを蒸着しフォトレジストを塗布し、形成
すべき固定接点の形状に対応したパターニングを行な
い、イオンミリングにて上記蒸着膜のエッチングを行な
い、固定接点２１０が形成される。
固定接点用Ａｕを蒸着しフォトレジストを塗布し、形成
すべき固定接点の形状に対応したパターニングを行な
い、イオンミリングにて上記蒸着膜のエッチングを行な
い、固定接点２１０が形成される。
【００１６】次に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、
ポリイミド３４０を前記枠部３２０と同じ高さになるよ
うに塗布し、枠部の表面のポリイミドはイオンミリング
によりエッチングする。このポリイミド層および後の工
程で塗布されるポリイミド層フォトフォトレジスト層
は、最終的にエッチングにより除去されるので犠牲層と
言われる。
ポリイミド３４０を前記枠部３２０と同じ高さになるよ
うに塗布し、枠部の表面のポリイミドはイオンミリング
によりエッチングする。このポリイミド層および後の工
程で塗布されるポリイミド層フォトフォトレジスト層
は、最終的にエッチングにより除去されるので犠牲層と
言われる。
【００１７】次に、図８（ａ），（ｂ）に示すように、
可動接点用Ａｕを蒸着し、フォトレジストを塗布し、形
成すべき可動接点の形状に対応したパターニングを行な
い、イオンミリングにて上記蒸着膜のエッチングを行な
い、可動接点２２０および枠部３５１が形成される。
可動接点用Ａｕを蒸着し、フォトレジストを塗布し、形
成すべき可動接点の形状に対応したパターニングを行な
い、イオンミリングにて上記蒸着膜のエッチングを行な
い、可動接点２２０および枠部３５１が形成される。
【００１８】次に、図９（ａ），（ｂ）に示すように、
フォトレジスト３６０を塗布し、形成すべき可動部およ
び枠部の形状に対応したパターニングを行なう。
フォトレジスト３６０を塗布し、形成すべき可動部およ
び枠部の形状に対応したパターニングを行なう。
【００１９】次に、図１０（ａ），（ｂ）に示すよう
に、前記可動接点２２０および枠部３５１を用いて電解
メッキ法により、後述のバイメタル用の線膨脹係数の大
きい金属膜１３０と同じ材質の温度補償用金属膜１４０
（たとえばＺｎ）および枠部３７１を形成する。電解メ
ッキにはたとえば硫酸Ｚｎ浴によるＺｎメッキを用いる
ことができる。
に、前記可動接点２２０および枠部３５１を用いて電解
メッキ法により、後述のバイメタル用の線膨脹係数の大
きい金属膜１３０と同じ材質の温度補償用金属膜１４０
（たとえばＺｎ）および枠部３７１を形成する。電解メ
ッキにはたとえば硫酸Ｚｎ浴によるＺｎメッキを用いる
ことができる。
【００２０】次に、図１１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、たとえば、ＳｉＯ2 のような熱伝導率の小さい材料
膜１５０をスパッタ法により表面に成膜し、フォトレジ
ストを塗布し、形成すべきスリット状パターンの可動部
３８０，枠部３８１およびスリット３８２の形状に対応
したパターニングを行ない、イオンミリングによりエッ
チングを行なう。このスリットの空所は、後で形成され
るバイメタルの熱伝導を防ぐためである。
に、たとえば、ＳｉＯ2 のような熱伝導率の小さい材料
膜１５０をスパッタ法により表面に成膜し、フォトレジ
ストを塗布し、形成すべきスリット状パターンの可動部
３８０，枠部３８１およびスリット３８２の形状に対応
したパターニングを行ない、イオンミリングによりエッ
チングを行なう。このスリットの空所は、後で形成され
るバイメタルの熱伝導を防ぐためである。
【００２１】次に、図１２（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ポリイミド３９０を前記熱伝導率の小さい材料膜１
５０と同じ高さになるようにスリット３８２に塗布し、
前記熱伝導率の小さい材料膜１５０と枠部の表面のポリ
イミドはイオンミリングによりエッチングする。
に、ポリイミド３９０を前記熱伝導率の小さい材料膜１
５０と同じ高さになるようにスリット３８２に塗布し、
前記熱伝導率の小さい材料膜１５０と枠部の表面のポリ
イミドはイオンミリングによりエッチングする。
【００２２】次に、図１３（ａ），（ｂ）に示すよう
に、バイメタル用金属の電解メッキに用いるＮｉ電極を
スパッタ法で成膜し、フォトレジストを塗布し、形成す
べき可動部に対応するＮｉ電極４００および枠部に対応
するＮｉ電極４０１の形状に対応したパターニングを行
ない、イオンミリングにて上記スパッタ膜のエッチング
を行なう。
に、バイメタル用金属の電解メッキに用いるＮｉ電極を
スパッタ法で成膜し、フォトレジストを塗布し、形成す
べき可動部に対応するＮｉ電極４００および枠部に対応
するＮｉ電極４０１の形状に対応したパターニングを行
ない、イオンミリングにて上記スパッタ膜のエッチング
を行なう。
【００２３】次に、図１４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、フォトレジスト４１０を塗布し形成すべき可動部お
よび枠部の形状に対応したパターニングを行なう。
に、フォトレジスト４１０を塗布し形成すべき可動部お
よび枠部の形状に対応したパターニングを行なう。
【００２４】次に、図１５（ａ），（ｂ）に示すよう
に、前記Ｎｉ電極４００および４０１を用いて、電解メ
ッキ法によりバイメタルの線膨脹係数の小さい金属膜１
２０および枠部４２１（たとえばＮｉ）を形成する。電
解メッキにはたとえばスルファミン酸Ｎｉ浴によるＮｉ
メッキを用いることができる。
に、前記Ｎｉ電極４００および４０１を用いて、電解メ
ッキ法によりバイメタルの線膨脹係数の小さい金属膜１
２０および枠部４２１（たとえばＮｉ）を形成する。電
解メッキにはたとえばスルファミン酸Ｎｉ浴によるＮｉ
メッキを用いることができる。
【００２５】次に、図１６（ａ），（ｂ）に示すよう
に、前記Ｎｉ電極４００および４０１を用いて、電解メ
ッキ法によりバイメタルの線膨脹係数の大きい、たとえ
ばＺｎによる金属膜１３０および枠部４３１を形成す
る。電解メッキにはたとえば硫酸Ｚｎ浴によるＺｎメッ
キを用いることができる。
に、前記Ｎｉ電極４００および４０１を用いて、電解メ
ッキ法によりバイメタルの線膨脹係数の大きい、たとえ
ばＺｎによる金属膜１３０および枠部４３１を形成す
る。電解メッキにはたとえば硫酸Ｚｎ浴によるＺｎメッ
キを用いることができる。
【００２６】次に、図１７（ａ），（ｂ）に示すよう
に、たとえばＳｉＯ2 のような絶縁膜１８０をスパッタ
法により成膜し、フォトレジストを塗布し、形成すべき
可動部４４０および枠部４４１の形状に対応したパター
ニングを行なう。
に、たとえばＳｉＯ2 のような絶縁膜１８０をスパッタ
法により成膜し、フォトレジストを塗布し、形成すべき
可動部４４０および枠部４４１の形状に対応したパター
ニングを行なう。
【００２７】次に、図１８（ａ），（ｂ）に示すように
ヒータ１７０およびヒータ用電極１６０として、たとえ
ばＮｉをスパッタ法で成膜し、フォトレジストを塗布
し、形成すべき形状に対応したパターニングを行ない、
イオンミリングにて上記スパッタ膜のエッチングを行な
う。
ヒータ１７０およびヒータ用電極１６０として、たとえ
ばＮｉをスパッタ法で成膜し、フォトレジストを塗布
し、形成すべき形状に対応したパターニングを行ない、
イオンミリングにて上記スパッタ膜のエッチングを行な
う。
【００２８】次に、図１９（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ＳｉＯ2 による絶縁膜１８１をスパッタ法により成
膜し、フォトレジストを塗布し、イオンミリングにより
ヒータ用電極１６０および可動部と枠部４７０の分離領
域のエッチングを行なう。
に、ＳｉＯ2 による絶縁膜１８１をスパッタ法により成
膜し、フォトレジストを塗布し、イオンミリングにより
ヒータ用電極１６０および可動部と枠部４７０の分離領
域のエッチングを行なう。
【００２９】最後に、図２０（ａ），（ｂ）に示すよう
に、素子全体をアルカリ溶液（たとえばＮａＯＨ）に浸
し、可動部と枠部の分離領域にあるフォトレジスト４１
０，ポリイミド３９０および固定接点２１０と可動接点
２２０の分離領域にあるポリイミド３４０をエッチング
し、可動部と枠部および固定接点２１０と可動接点２２
０を分離する。これでマイクロアクチュエータあるいは
マイクロリレーが完成する。図１３で成膜したＮｉ電極
は、図１５で形成される金属膜１２０と同じ材質である
から、図２０および図１〜図３では表示を省略してあ
る。
に、素子全体をアルカリ溶液（たとえばＮａＯＨ）に浸
し、可動部と枠部の分離領域にあるフォトレジスト４１
０，ポリイミド３９０および固定接点２１０と可動接点
２２０の分離領域にあるポリイミド３４０をエッチング
し、可動部と枠部および固定接点２１０と可動接点２２
０を分離する。これでマイクロアクチュエータあるいは
マイクロリレーが完成する。図１３で成膜したＮｉ電極
は、図１５で形成される金属膜１２０と同じ材質である
から、図２０および図１〜図３では表示を省略してあ
る。
【００３０】このようにして完成したマイクロアクチュ
エータ、あるいはマイクロリレーの動作についてそれぞ
れ図１〜図３を参照して説明する。
エータ、あるいはマイクロリレーの動作についてそれぞ
れ図１〜図３を参照して説明する。
【００３１】まず、環境温度が変化した場合のバイメタ
ルの動きを考える。温度２５℃の常温で変位０の平行位
置にあるバイメタルが、温度７５℃になった場合、線膨
脹係数の小さい金属膜１２０，線膨脹係数の大きい金属
膜１３０，金属膜１３０と同じ材質の温度補償用金属膜
１４０，金属膜１２０と金属膜１４０の間の熱伝導率の
小さい材料膜１５０は、すべて温度７５℃になる。した
がって、その上方へ変位する力と下方へ変位する力がつ
り合って、変位は０となり、マイクロアクチュエータお
よびマイクロリレーは誤動作しない。次に、環境温度に
あるマイクロアクチュエータの駆動電極１６０，１６０
間に電流を流すと、ヒータ１７０の抵抗加熱によるジュ
ール熱が発生し、バイメタル１１０は加熱されるが、温
度補償用金属膜１４０は、金属膜１２０と熱伝導率の小
さい材料膜１５０で隔てられているので、環境温度のま
まである。このとき、線膨脹係数の小さい金属膜１２０
（たとえばＮｉ）の線膨脹係数（λNi）と、線膨脹係数
の大きい金属膜１３０（たとえば、Ｚｎ）の線膨脹係数
（λZn）が異なり、λSi＜λZnであるので、バイメタル
１１０は↓の方向に運動する。
ルの動きを考える。温度２５℃の常温で変位０の平行位
置にあるバイメタルが、温度７５℃になった場合、線膨
脹係数の小さい金属膜１２０，線膨脹係数の大きい金属
膜１３０，金属膜１３０と同じ材質の温度補償用金属膜
１４０，金属膜１２０と金属膜１４０の間の熱伝導率の
小さい材料膜１５０は、すべて温度７５℃になる。した
がって、その上方へ変位する力と下方へ変位する力がつ
り合って、変位は０となり、マイクロアクチュエータお
よびマイクロリレーは誤動作しない。次に、環境温度に
あるマイクロアクチュエータの駆動電極１６０，１６０
間に電流を流すと、ヒータ１７０の抵抗加熱によるジュ
ール熱が発生し、バイメタル１１０は加熱されるが、温
度補償用金属膜１４０は、金属膜１２０と熱伝導率の小
さい材料膜１５０で隔てられているので、環境温度のま
まである。このとき、線膨脹係数の小さい金属膜１２０
（たとえばＮｉ）の線膨脹係数（λNi）と、線膨脹係数
の大きい金属膜１３０（たとえば、Ｚｎ）の線膨脹係数
（λZn）が異なり、λSi＜λZnであるので、バイメタル
１１０は↓の方向に運動する。
【００３２】このマイクロアクチュエータの固定部に電
流開閉用の固定接点２１０、および可動部に可動接点２
２０を設けると、アクチュエータの運動により、固定接
点２１０および可動接点２２０の非接触，接触により電
流の開閉が行なわれる。このときのアクチュエータの駆
動力と変位は、有限要素法による応力解析により求める
ことができる。たとえばバイメタルの、長さＬ＝１．５
mm、高さＨ＝０．１mm、幅Ｗ＝１．５mm、温度上昇Ｔ＝
１００deg 、とした場合、駆動力Ｆ＝４．７g，変位Ｄ
＝１１μｍが得られる。
流開閉用の固定接点２１０、および可動部に可動接点２
２０を設けると、アクチュエータの運動により、固定接
点２１０および可動接点２２０の非接触，接触により電
流の開閉が行なわれる。このときのアクチュエータの駆
動力と変位は、有限要素法による応力解析により求める
ことができる。たとえばバイメタルの、長さＬ＝１．５
mm、高さＨ＝０．１mm、幅Ｗ＝１．５mm、温度上昇Ｔ＝
１００deg 、とした場合、駆動力Ｆ＝４．７g，変位Ｄ
＝１１μｍが得られる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によるマイクロアクチュエータ
は、熱膨脹の差を利用したバイメタルを駆動源にしてお
り、線膨脹係数の異なる金属膜を積層してなるバイメタ
ルの、線膨脹係数の小さい金属膜側に熱伝導率の小さい
材料膜を介して線膨脹係数の大きい金属膜を積層した、
サンドイッチ構造のバイメタルを形成することにより、
使用温度範囲が広く組立プロセスが不要で、素子の小型
化および多極化が可能な、マイクロアクチュエータが得
られる。また、このマイクロアクチュエータに、電流開
閉用の固定接点および可動接点を設けることにより、使
用温度範囲が広く、小型で集積化したマイクロリレーを
提供することができる。
は、熱膨脹の差を利用したバイメタルを駆動源にしてお
り、線膨脹係数の異なる金属膜を積層してなるバイメタ
ルの、線膨脹係数の小さい金属膜側に熱伝導率の小さい
材料膜を介して線膨脹係数の大きい金属膜を積層した、
サンドイッチ構造のバイメタルを形成することにより、
使用温度範囲が広く組立プロセスが不要で、素子の小型
化および多極化が可能な、マイクロアクチュエータが得
られる。また、このマイクロアクチュエータに、電流開
閉用の固定接点および可動接点を設けることにより、使
用温度範囲が広く、小型で集積化したマイクロリレーを
提供することができる。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ′断面図である。
【図３】図１のＹ−Ｙ′断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構造
を得るための一工程の平面図および断面図である。
を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構造
を得るための一工程の平面図および断面図である。
を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構造
を得るための一工程の平面図および断面図である。
を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構造
を得るための一工程の平面図および断面図である。
を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構造
を得るための一工程の平面図および断面図である。
を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構造
を得るための一工程の平面図および断面図である。
を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１４】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１７】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１８】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図１９】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図２０】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図１の構
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
造を得るための一工程の平面図および断面図である。
【図２１】従来のマイクロアクチュエータの一例の斜視
図である。
図である。
【図２２】従来のマイクロリレーの一例の斜視図であ
る。
る。
１００ シリコン基板 １０１ 熱酸化膜 １１０ バイメタル １２０ 線膨脹係数の小さい金属膜 １３０ 線膨脹係数の大きい金属膜 １４０ 温度補償用金属膜 １５０ 熱伝導率の小さい材料膜 １６０ 駆動電極 １７０ ヒータ １８０，１８１ 絶縁膜 １９０ 枠部 ２１０ 固定接点 ２２０ 可動接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 善二郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と基板に対向する可動部とよりな
り、 可動部は、線膨脹係数の大きい金属膜と線膨脹係数の小
さい金属膜よりなるバイメタルと、線膨脹係数の小さい
金属膜の側に熱伝導率の小さい材料膜を介して積層され
た線膨脹係数の大きい温度補償用金属膜を有することを
特徴とするマイクロアクチュエータ。 - 【請求項２】 熱伝導率の小さい材料膜に空所を設けた
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエー
タ。 - 【請求項３】 基板に固定接点を設け、これに対向する
可動部に可動接点を設けたことを特徴とする請求項１記
載のマイクロアクチュエータを用いたマイクロリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196493A JPH06283083A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | マイクロアクチュエータおよびマイクロリレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196493A JPH06283083A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | マイクロアクチュエータおよびマイクロリレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283083A true JPH06283083A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13475672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7196493A Withdrawn JPH06283083A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | マイクロアクチュエータおよびマイクロリレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283083A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2000209C2 (nl) * | 2006-09-04 | 2008-03-05 | Univ Delft Tech | Thermische actuator. |
| JP2012509775A (ja) * | 2008-11-26 | 2012-04-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 電気機械トランスデューサデバイスおよびその製造方法 |
| JP2012510138A (ja) * | 2008-11-26 | 2012-04-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 電気機械トランスデューサデバイスおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7196493A patent/JPH06283083A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2000209C2 (nl) * | 2006-09-04 | 2008-03-05 | Univ Delft Tech | Thermische actuator. |
| JP2012509775A (ja) * | 2008-11-26 | 2012-04-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 電気機械トランスデューサデバイスおよびその製造方法 |
| JP2012510138A (ja) * | 2008-11-26 | 2012-04-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 電気機械トランスデューサデバイスおよびその製造方法 |
| US8736145B2 (en) | 2008-11-26 | 2014-05-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Electromechanical transducer device and method of forming a electromechanical transducer device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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