JPH0627653Y2 - エツチング装置 - Google Patents

エツチング装置

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JPH0627653Y2
JPH0627653Y2 JP128787U JP128787U JPH0627653Y2 JP H0627653 Y2 JPH0627653 Y2 JP H0627653Y2 JP 128787 U JP128787 U JP 128787U JP 128787 U JP128787 U JP 128787U JP H0627653 Y2 JPH0627653 Y2 JP H0627653Y2
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JP
Japan
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conductor layer
etching
sample
holder
capacitance
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JP128787U
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JPS63110570U (ja
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義孝 笹村
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、試料における導体層をイオンビームやイオ
ンによってドライエッチングするエッチング装置に関
し、特にそのエッチング終了点を判定する手段の改良に
関する。
〔従来の技術〕
第4図は、従来のエッチング装置の要部の一例を示す拡
大断面図である。図示しない真空容器内に設けられたホ
ルダ2上に、基板6の表面に導体層8および更にその上
に所定のパターンをしたレジスト10を形成して成る試
料4が装着されており、これに図示しないイオン源から
イオンビーム14を照射することによって当該試料4を
(より具体的にはその導体層8を)ドライエッチングす
るようにしている。12は試料4の周縁部を挟持するた
めの押え板である。
基板6は例えば半導体基板(ウエハ)や絶縁基板から成
り、導体層8は例えばA、A−Si合金、A−C
u合金等の配線材料となる金属性薄膜層から成り、ホル
ダ2および押え板12は例えばステンレス等の金属から
成る。
この場合、導体層8のエッチング終了点の判定には、こ
の例では発光分光法による手段が用いられている。即
ち、試料4の近傍に検出器16を設けてエッチング中の
試料4上の雰囲気中の物質が発する光を検出し、スペク
トル分析器18によってその内の特定物質、例えば導体
層8を構成するAの発光強度を測定して、その時間的
変化からエッチング終了点を判定するようにしている。
〔考案が解決しようとする問題点〕
ところが上記の場合の発光強度は例えば第5図に示すよ
うな複雑な時間的変化をするため、導体層8のエッチン
グ終了点を明確に判定することは困難であった。
そのため、そのような変化からエッチング終了点をより
正確に判定するために、発光強度信号の1階微分とか2
階微分とかを用いる場合もある。
しかしながらいずれにしても、上記のような手段では雰
囲気中の不安定な量を検出しているため、同じような試
料4のエッチングの場合でも必ずしも同じような計測デ
ータが得られず、そのためエッチング終了点を正確に判
定することは困難であった。
そこでこの考案は、上記のような試料における導体層の
エッチング終了点を正確に判定することができる手段を
備えるエッチング装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この考案のエッチング装置は、試料の導体層とホルダに
電気的に接続されていて、両者間の静電容量に基づく物
理量を計測する計測手段を備えることを特徴とする。
〔作用〕
試料の導体層とホルダ間の静電容量は、導体層のエッチ
ング途中では導体層の基板上での面積が変化しないため
変化しないが、導体層のエッチングが終了すると導体層
の基板上での面積が大きく減少するため急激に減少す
る。従って計測手段でこの静電容量に基づく物理量を計
測することにより、導体層のエッチング終了点を正確に
判定することができる。
〔実施例〕
第1図は、この考案の一実施例に係るエッチング装置の
要部を示す拡大断面図である。第4図と同等部分には同
一符号を付し、以下においてはそれとの相違点を主に説
明する。
この実施例においては、前述したようなホルダ2上に装
着された試料4の導体層8とホルダ2間に、より具体的
には試料4の周縁部を挟持することによってその導体層
8に電気的に接続された押え板12とホルダ2間に、静
電容量計測用の容量計20を接続しており、それによっ
て基板6を介在する導体層8とホルダ2間の静電容量を
計測するようにしている。
この容量計20によって計測される静電容量は、試料4
のエッチングの進行に伴って例えば第3図に示すような
時間的変化をする。
即ち、試料4のエッチング前では(第1図参照)、導体
層8とホルダ2間の静電容量は導体層8の面積に比例し
て大きく、また第2図(A)のようなエッチング途中に
おいても、基板6上での導体層8の面積は変化しないた
め、上記静電容量は変化しない。これに対して、第2図
(B)に示すように導体層8のエッチングが終了する
と、その終了時点で基板6上での導体層8の面積が大き
く減少して上記静電容量が急激に減少する。特にこの例
では、容量計20によって計測される静電容量は、導体
層8の押え板12によって押さえられているリング状を
した周縁部分8aとホルダ2間の静電容量のみに激減す
る。
従って上記のような手段によれば、従来の場合と違って
雰囲気中の不安定な量を検出しておらず、しかも計測値
の変化量が極めて大きいため、導体層8のエッチング終
了点を正確に判定することができる。
また、上記のように導体層8とホルダ2間の静電容量を
容量計20で直接計測する代わりに、当該静電容量に基
づく他の物理量を他の計測手段で計測するようにしても
良い。例えば、上記静電容量と他の標準インダクタンス
との共振回路を形成して、周波数計等によって当該共振
回路の共振周波数の変化を計測するようにしても良い。
参考までに、上記のようにして判定したエッチング終了
点に基づいて、その終了点から試料4の面内における導
体層8の膜厚のバラツキの範囲内でオーバーエッチング
すれば、導体層8の膜厚にバラツキがある場合でも完全
に導体層8のエッチングを行うことができる。
〔考案の効果〕
以上のようにこの考案によれば、試料における導体層の
エッチング終了点を正確に判定することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るエッチング装置の
要部を示す拡大断面図である。第2図は、試料のエッチ
ング状態の例を示す断面図である。第3図は、エッチン
グ中の導体層とホルダ間の静電容量の時間的変化の一例
を示すグラフである。第4図は、従来のエッチング装置
の要部の一例を示す拡大断面図である。第5図は、エッ
チング中の特定物質の発光強度の時間的変化の一例を示
すグラフである。 2……ホルダ、4……試料、6……基板、8……導体
層、10……レジスト、12……押え板、14……イオ
ンビーム、20……容量計。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の表面に導体層を形成して成る試料を
    ホルダ上に装着してその導体層をドライエッチングする
    装置において、試料の導体層とホルダに電気的に接続さ
    れていて、両者間の静電容量に基づく物理量を計測する
    計測手段を備えることを特徴とするエッチング装置。
JP128787U 1987-01-07 1987-01-07 エツチング装置 Expired - Lifetime JPH0627653Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP128787U JPH0627653Y2 (ja) 1987-01-07 1987-01-07 エツチング装置

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JP128787U JPH0627653Y2 (ja) 1987-01-07 1987-01-07 エツチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63110570U JPS63110570U (ja) 1988-07-15
JPH0627653Y2 true JPH0627653Y2 (ja) 1994-07-27

Family

ID=30779055

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