JPH0348190A - 電子線径及び電流密度測定装置 - Google Patents
電子線径及び電流密度測定装置Info
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- JPH0348190A JPH0348190A JP18270289A JP18270289A JPH0348190A JP H0348190 A JPH0348190 A JP H0348190A JP 18270289 A JP18270289 A JP 18270289A JP 18270289 A JP18270289 A JP 18270289A JP H0348190 A JPH0348190 A JP H0348190A
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は電子線の応用装置に係わり、特に微小な電子線
径及び電流密度を高精度に測定するのに好適な電子線径
及び電流密度測定装置に関する。
径及び電流密度を高精度に測定するのに好適な電子線径
及び電流密度測定装置に関する。
【従来の技術１
電子線径及び電流密度は、特開昭５６−４０８０号に記
載のように、ナイフェツジ法を用いて測定することが一
般に行なわれている。 ナイフェツジ法とは第３図に示すように、ファラデーケ
ージ１６上に電子線径より大きい径の導線（ナイフェツ
ジ）１５を配置し、導線１５と直交する方向に位置Ｎか
らＮ″まで電子Ｍｌを走査２し、ファラデーケージ１６
で透過電子線１７を検出するものである。 その結果、ファラデーケージ１６の出力信号は第４図（
Ａ）に示すように、走査位置での導線１５による電子線
の遮蔽の割合に応じて変化する。 この出力信号を微分すると、第４図（Ｂ）に示す電子線
の電流密度分布に対応した信号が得られる。 電子線径は１例えばこの信号の強度０から最大値までの
５０％の強度に対応する２点Ｑ１．Ｑ２の差Ｗから求め
る。 ところが、Ａｕ線等の導線１５は現在の技術では１０μ
ｍ程度より細くすることは困難である。 この導１ＩＡ１５をナイフェツジとして用いる場合、導
線１５が丸く太いためエツジ部で反射散乱される電子が
多い、従って入射電子の他に、上記のようにして反射散
乱された電子がファラデーケージ１６内に入射するため
、第４図に示すように測定された電子線の出力信号１８
及び電流密度分布２０はナイフェツジが理想的な場合の
出力信号１９及び電流密度分布２１よりも拡がフでしま
う。このため電子線径も実際より大きく評価され、測定
可能な電子線径の最小値はせいぜい０．２μｍ程度であ
った。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術の問題点は、ナイフェツジのエツジ部で反
射散乱される電子が多いことにある。本発明の目的は、
エツジ部で反射散乱される電子ができるだけ少ないナイ
フェツジを提供することにある。
載のように、ナイフェツジ法を用いて測定することが一
般に行なわれている。 ナイフェツジ法とは第３図に示すように、ファラデーケ
ージ１６上に電子線径より大きい径の導線（ナイフェツ
ジ）１５を配置し、導線１５と直交する方向に位置Ｎか
らＮ″まで電子Ｍｌを走査２し、ファラデーケージ１６
で透過電子線１７を検出するものである。 その結果、ファラデーケージ１６の出力信号は第４図（
Ａ）に示すように、走査位置での導線１５による電子線
の遮蔽の割合に応じて変化する。 この出力信号を微分すると、第４図（Ｂ）に示す電子線
の電流密度分布に対応した信号が得られる。 電子線径は１例えばこの信号の強度０から最大値までの
５０％の強度に対応する２点Ｑ１．Ｑ２の差Ｗから求め
る。 ところが、Ａｕ線等の導線１５は現在の技術では１０μ
ｍ程度より細くすることは困難である。 この導１ＩＡ１５をナイフェツジとして用いる場合、導
線１５が丸く太いためエツジ部で反射散乱される電子が
多い、従って入射電子の他に、上記のようにして反射散
乱された電子がファラデーケージ１６内に入射するため
、第４図に示すように測定された電子線の出力信号１８
及び電流密度分布２０はナイフェツジが理想的な場合の
出力信号１９及び電流密度分布２１よりも拡がフでしま
う。このため電子線径も実際より大きく評価され、測定
可能な電子線径の最小値はせいぜい０．２μｍ程度であ
った。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術の問題点は、ナイフェツジのエツジ部で反
射散乱される電子が多いことにある。本発明の目的は、
エツジ部で反射散乱される電子ができるだけ少ないナイ
フェツジを提供することにある。
上記課題はナイフェツジとして用いる導線のエツジ部が
丸く、薄くできないことから生じている。 従ってこれを解決するためには、エツジ部ができるだけ
薄くシャープな構造のナイフェツジを用いればよい。 この目的は第５図に示すように、半導体プロセス技術を
用いてＳＬあるいはＧａＡｓ等の半導体基板２３上に基
板からせりだした薄膜２２を形成し、この端部をナイフ
ェツジ２４として用いることにより達成される。
丸く、薄くできないことから生じている。 従ってこれを解決するためには、エツジ部ができるだけ
薄くシャープな構造のナイフェツジを用いればよい。 この目的は第５図に示すように、半導体プロセス技術を
用いてＳＬあるいはＧａＡｓ等の半導体基板２３上に基
板からせりだした薄膜２２を形成し、この端部をナイフ
ェツジ２４として用いることにより達成される。
現在の半導体プロセス技術では上記薄ｒｌＡ２２を厚さ
０．１μｍ程度以下に薄く形成することは容易である。 さらにこの薄ＩＩ＠２２の端部はシャープに形成できる
ので、エツジ部ができるだけ薄くシャープな構造のナイ
フェツジ２４を提供することが可能である。
０．１μｍ程度以下に薄く形成することは容易である。 さらにこの薄ＩＩ＠２２の端部はシャープに形成できる
ので、エツジ部ができるだけ薄くシャープな構造のナイ
フェツジ２４を提供することが可能である。
以下１本発明の詳細な説明する。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例の電子線径及び電流密
度測定装置のナイフェツジ部の構成を示す断面図、第１
図（Ｂ）は第１図（Ａ）の四角く囲んだ部分の拡大図で
ある。 本実施例の構成は、第１図（Ａ）に示すように、８１基
板９の両面に四角い穴１３，１４が開いた絶縁膜１０．
１１が形成され、上面の絶縁膜１０のみ金（Ａｕ）６コ
ーテイングされている。さらに絶縁膜１０の穴より広い
範囲のＳｉに凹部（穴）３があり、Ｓｉ基板９の下面の
絶縁膜１１にある穴１４を通じてＳｉ基板９に電流計・
１２を接続したものである。絶縁膜１０．１１はＳｉ基
板９との間にはたらく応力除去のため０．１μｍ厚の窒
化膜（ＳＩ３Ｎ４） ７と０．３５ｐｍ厚の酸化膜（Ｓ
ｉＯ□）８の２層で形成されている。 上面の絶縁膜１０には０．５μｍ角程度の穴１３が開い
ており、窒化膜７の穴より酸化膜８の穴の方が少し広く
なっている。この窒化膜７表面には０．０１μｍ程度の
厚さの金６がコーティングされている。８１基板９上面
に形成された凹部３は５μｍ角程度の範囲で深さ５μｍ
程度である。 一方、Ｓｉ基板９上面の絶縁膜１１には２ｍｍ角程度の
穴１４が開いていおり、Ｓｉがあられになっている。コ
ーティングされた金６とＳｉ基板９とは中間の絶縁膜１
ｏによって絶縁されており。 Ｓｉ基板９は電気的に浮いている。 このナイフェツジとしてはたらく金６コーテイングされ
た窒化膜７の穴１３の端部を横切るように点Ｐ１から点
Ｐ２まで電子線１を走査２すると、Ｓｉ基板９の凹部３
がファラデーカップの役割を果たし、電子線１が窒化膜
７の穴１３を通過したときだけ電流計１２に電流が流れ
る。 その結果、第２図（Ａ）のような電子線走査位置に対応
した電流曲線が得られる。この曲線において、例えば電
流の大きさが１０％と９０％に相当する走査幅Δを電子
線径と定義することにより、電子線径が求まる。また、
電子線の電流密度は第２図（Ａ）の曲線を微分すること
により、第２図（Ｂ）の曲線のように求まり、この曲線
から電子線径を定義（例えば半値幅）して求めることも
できる。 ・また
、Ｓｉ基板９の代わりに電気的に浮かせた絶縁膜１０上
の金６に電流計１２を接続してｔよい。 検出信号としては、電流の代わりにナイフェツジ上方に
反射電子検出器を設置して反射電子を用いても良い。さ
らに二次電子検出器を設置して二次電子を用いても可能
であり、Ｘ線検出器を設置してＸ線を用いても同様にで
きる。 ここで、このナイフェツジの製作方法を以下ｌこ説明す
る。 まず厚さＱ、５ｍｍのＳｉ基板９の両面に絶縁膜１０．
１１をサブミクロンオーダーつける。絶縁膜１０．１１
はＳｉ基板９との間に生ずる応力除去のため、厚さ０．
１２μｍの酸化膜８と厚さ０．３５μｍの窒化膜７の二
層で形成する。この両面にレジストを塗布してそれぞれ
所望の穴の形、大きさにパターンを露光する。レジスト
現像後ドライエツチングで酸化膜８を貫通する深さまで
エツチングしレジストを除去すると、Ｓｉ基板９上に穴
をもつ絶縁膜１０が形成される。 このようにパターニングされた＃＠縁膜／Ｓｉ基板をフ
ッ硝酸（ＨＦ／ＨＮＯ，）溶液中に浸すと、Ｓｉ基板９
のみエツチングされ、微小な四角い穴１３の開いた絶縁
［１０の下部Ｓｉ基板９にその穴よりもずっと広い範囲
の凹部３（穴ぼこ）ができる。この後、Ｓｉ基板９上面
の絶縁膜１０の表面のみを金６コーテイングすると所望
のナイフェツジが得られる。この金６コーテイングは、
酸化ｒＩ４ｓにはコーティングされないので、金６とＳ
ｉ基板９とは絶縁されたものができる。 なお以上に示した数値は本発明の一例であり、例えば酸
化膜８と窒化膜７の厚みは応力除去のため約１：３であ
れば上記の数値に限るものではない。薄膜は酸化膜と窒
化膜の二層で形成したが、例えばＳｉｎ、、ＰＳＧの一
層やＳ １０ ｔ ／ Ｓ ｉａ Ｎ ４／Ｓｉｎ、の
三層等でも同様にできる。 また、本実施例では上面絶縁膜の穴１３を四角い穴とし
たが１円状のものでも可能である。また、本実施例では
下面絶縁膜の穴１４も四角い穴としたが、Ｓｉ基板と導
通がとれさえすればどのような形でもよいことはいうま
でもない。また、金６のコーティングは金に限ることな
く導電性のものであればよく、要は絶縁物の帯電を防止
できるものであればよい。 本実施例によれば、０．０１μｍ厚に金６コーテイング
された０、１μｍ厚の窒化膜（Ｓｉ、Ｎ、）７がナイフ
ェツジとして働き、エツジ部での電子の反射散乱がきわ
めて少ない。また、エツジの直線性は数ｎｍ程度に加工
できる。従って、従来測定できなかった０、１μｍ径以
下の微小な電子線径及び電流密度まで測定することがで
きる。 本発明の第２の実施例を第６図により説明する。 この場合、ナイフェツジ２４の下部Ｓｉの凹部３はＳｉ
基板９の逆面から開けられた穴２５と貫通している。こ
のナイフェツジの下部にファラデーケージ１６を配置し
、電子線１を走査したときファラデーケージ１６に流れ
る電流から電子線径及び電流密度を測定する。 また、第６図に示したファラデーケージ１６の代わりに
、他の電子線検呂器を配置して同様のことを行なっても
よいことはいうまでもない。 また、第３の実施例は、第６図のファラデーケージ１６
の代わりに第７図に示すように導電板２６と二次電子検
出器２７を配置する。ナイフェツジを通過してきた電子
がこの導電板２６に照射され発生した二次電子を二次電
子検出器２７で検出し、この信号より電子線径あるいは
電流密度を測定する。なお二次電子検出器２７０代わり
に反射電子検出器を配置し反射電子信号を用いてもよい
ことは言うまでもない。 （発明の効果１ 本発明によれば、ナイフェツジの厚さが薄くシャープな
ためエツジ部での電子の反射散乱がきわめて少ないので
、従来測定できなかった０、１μｍμｍ下の微小な電子
線径及び電流密度まで精度よく測定できるという効果が
ある。
度測定装置のナイフェツジ部の構成を示す断面図、第１
図（Ｂ）は第１図（Ａ）の四角く囲んだ部分の拡大図で
ある。 本実施例の構成は、第１図（Ａ）に示すように、８１基
板９の両面に四角い穴１３，１４が開いた絶縁膜１０．
１１が形成され、上面の絶縁膜１０のみ金（Ａｕ）６コ
ーテイングされている。さらに絶縁膜１０の穴より広い
範囲のＳｉに凹部（穴）３があり、Ｓｉ基板９の下面の
絶縁膜１１にある穴１４を通じてＳｉ基板９に電流計・
１２を接続したものである。絶縁膜１０．１１はＳｉ基
板９との間にはたらく応力除去のため０．１μｍ厚の窒
化膜（ＳＩ３Ｎ４） ７と０．３５ｐｍ厚の酸化膜（Ｓ
ｉＯ□）８の２層で形成されている。 上面の絶縁膜１０には０．５μｍ角程度の穴１３が開い
ており、窒化膜７の穴より酸化膜８の穴の方が少し広く
なっている。この窒化膜７表面には０．０１μｍ程度の
厚さの金６がコーティングされている。８１基板９上面
に形成された凹部３は５μｍ角程度の範囲で深さ５μｍ
程度である。 一方、Ｓｉ基板９上面の絶縁膜１１には２ｍｍ角程度の
穴１４が開いていおり、Ｓｉがあられになっている。コ
ーティングされた金６とＳｉ基板９とは中間の絶縁膜１
ｏによって絶縁されており。 Ｓｉ基板９は電気的に浮いている。 このナイフェツジとしてはたらく金６コーテイングされ
た窒化膜７の穴１３の端部を横切るように点Ｐ１から点
Ｐ２まで電子線１を走査２すると、Ｓｉ基板９の凹部３
がファラデーカップの役割を果たし、電子線１が窒化膜
７の穴１３を通過したときだけ電流計１２に電流が流れ
る。 その結果、第２図（Ａ）のような電子線走査位置に対応
した電流曲線が得られる。この曲線において、例えば電
流の大きさが１０％と９０％に相当する走査幅Δを電子
線径と定義することにより、電子線径が求まる。また、
電子線の電流密度は第２図（Ａ）の曲線を微分すること
により、第２図（Ｂ）の曲線のように求まり、この曲線
から電子線径を定義（例えば半値幅）して求めることも
できる。 ・また
、Ｓｉ基板９の代わりに電気的に浮かせた絶縁膜１０上
の金６に電流計１２を接続してｔよい。 検出信号としては、電流の代わりにナイフェツジ上方に
反射電子検出器を設置して反射電子を用いても良い。さ
らに二次電子検出器を設置して二次電子を用いても可能
であり、Ｘ線検出器を設置してＸ線を用いても同様にで
きる。 ここで、このナイフェツジの製作方法を以下ｌこ説明す
る。 まず厚さＱ、５ｍｍのＳｉ基板９の両面に絶縁膜１０．
１１をサブミクロンオーダーつける。絶縁膜１０．１１
はＳｉ基板９との間に生ずる応力除去のため、厚さ０．
１２μｍの酸化膜８と厚さ０．３５μｍの窒化膜７の二
層で形成する。この両面にレジストを塗布してそれぞれ
所望の穴の形、大きさにパターンを露光する。レジスト
現像後ドライエツチングで酸化膜８を貫通する深さまで
エツチングしレジストを除去すると、Ｓｉ基板９上に穴
をもつ絶縁膜１０が形成される。 このようにパターニングされた＃＠縁膜／Ｓｉ基板をフ
ッ硝酸（ＨＦ／ＨＮＯ，）溶液中に浸すと、Ｓｉ基板９
のみエツチングされ、微小な四角い穴１３の開いた絶縁
［１０の下部Ｓｉ基板９にその穴よりもずっと広い範囲
の凹部３（穴ぼこ）ができる。この後、Ｓｉ基板９上面
の絶縁膜１０の表面のみを金６コーテイングすると所望
のナイフェツジが得られる。この金６コーテイングは、
酸化ｒＩ４ｓにはコーティングされないので、金６とＳ
ｉ基板９とは絶縁されたものができる。 なお以上に示した数値は本発明の一例であり、例えば酸
化膜８と窒化膜７の厚みは応力除去のため約１：３であ
れば上記の数値に限るものではない。薄膜は酸化膜と窒
化膜の二層で形成したが、例えばＳｉｎ、、ＰＳＧの一
層やＳ １０ ｔ ／ Ｓ ｉａ Ｎ ４／Ｓｉｎ、の
三層等でも同様にできる。 また、本実施例では上面絶縁膜の穴１３を四角い穴とし
たが１円状のものでも可能である。また、本実施例では
下面絶縁膜の穴１４も四角い穴としたが、Ｓｉ基板と導
通がとれさえすればどのような形でもよいことはいうま
でもない。また、金６のコーティングは金に限ることな
く導電性のものであればよく、要は絶縁物の帯電を防止
できるものであればよい。 本実施例によれば、０．０１μｍ厚に金６コーテイング
された０、１μｍ厚の窒化膜（Ｓｉ、Ｎ、）７がナイフ
ェツジとして働き、エツジ部での電子の反射散乱がきわ
めて少ない。また、エツジの直線性は数ｎｍ程度に加工
できる。従って、従来測定できなかった０、１μｍ径以
下の微小な電子線径及び電流密度まで測定することがで
きる。 本発明の第２の実施例を第６図により説明する。 この場合、ナイフェツジ２４の下部Ｓｉの凹部３はＳｉ
基板９の逆面から開けられた穴２５と貫通している。こ
のナイフェツジの下部にファラデーケージ１６を配置し
、電子線１を走査したときファラデーケージ１６に流れ
る電流から電子線径及び電流密度を測定する。 また、第６図に示したファラデーケージ１６の代わりに
、他の電子線検呂器を配置して同様のことを行なっても
よいことはいうまでもない。 また、第３の実施例は、第６図のファラデーケージ１６
の代わりに第７図に示すように導電板２６と二次電子検
出器２７を配置する。ナイフェツジを通過してきた電子
がこの導電板２６に照射され発生した二次電子を二次電
子検出器２７で検出し、この信号より電子線径あるいは
電流密度を測定する。なお二次電子検出器２７０代わり
に反射電子検出器を配置し反射電子信号を用いてもよい
ことは言うまでもない。 （発明の効果１ 本発明によれば、ナイフェツジの厚さが薄くシャープな
ためエツジ部での電子の反射散乱がきわめて少ないので
、従来測定できなかった０、１μｍμｍ下の微小な電子
線径及び電流密度まで精度よく測定できるという効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は本発
明の電子線径及び電流密度測定の説明図、第３図は従来
のナイフェツジによる電子線径及び電流密度測定の構成
図、第４図はナイフェツジ法による電子線径及び電流密
度測定の説明図、第５図は本発明のナイフェツジの基本
断面図、第６図は本発明の第２の実施例を示す構成図、
第７図は本発明の第３の実施例を示す構成図である。 符号の説明 ｌ・・・電子線、２・・・走査、３・・・凹部、４・・
・上面、５・・・下面、６− Ａ ｕ、７ ’＝ Ｓ
ｔ、 Ｎ、、 ８ ・＝ ５ｉｎ２．９・・・Ｓｉ基板
、１０・・・絶縁膜、１１・・絶縁膜、１２・・・電流
計、１３・・・四角い穴、１４・・・四角い穴、１５・
・・導線、１６・・・ファラデーケージ、１７・・・透
過電子線、１８・・・測定された出力信号、１９・・・
ナイフェツジが理想的な場合の出力信号、２０・・・測
定された電流密度分布、２１・・・ナイフェツジが理想
的な場合の電流密度分布、２２・・・薄膜、２３・・半
導体基板、２４・・・ナイフェツジ、２５・・・逆面か
らの穴、２６・・・導電板、２７・・・二次電子検出器
等７図（７り 第２図 （１４） （Ｂ） 〃３団 キ≠図 〉乏−４辷イカニＪｒ 之査佳Ｉ 第す図 第７図
明の電子線径及び電流密度測定の説明図、第３図は従来
のナイフェツジによる電子線径及び電流密度測定の構成
図、第４図はナイフェツジ法による電子線径及び電流密
度測定の説明図、第５図は本発明のナイフェツジの基本
断面図、第６図は本発明の第２の実施例を示す構成図、
第７図は本発明の第３の実施例を示す構成図である。 符号の説明 ｌ・・・電子線、２・・・走査、３・・・凹部、４・・
・上面、５・・・下面、６− Ａ ｕ、７ ’＝ Ｓ
ｔ、 Ｎ、、 ８ ・＝ ５ｉｎ２．９・・・Ｓｉ基板
、１０・・・絶縁膜、１１・・絶縁膜、１２・・・電流
計、１３・・・四角い穴、１４・・・四角い穴、１５・
・・導線、１６・・・ファラデーケージ、１７・・・透
過電子線、１８・・・測定された出力信号、１９・・・
ナイフェツジが理想的な場合の出力信号、２０・・・測
定された電流密度分布、２１・・・ナイフェツジが理想
的な場合の電流密度分布、２２・・・薄膜、２３・・半
導体基板、２４・・・ナイフェツジ、２５・・・逆面か
らの穴、２６・・・導電板、２７・・・二次電子検出器
等７図（７り 第２図 （１４） （Ｂ） 〃３団 キ≠図 〉乏−４辷イカニＪｒ 之査佳Ｉ 第す図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子線をナイフエッジ上に走査して得られる信号か
ら電子線径及び電流密度を測定する装置において、Ｓｉ
あるいはＧａＡｓ等の半導体基板表面に形成した凹部に
該凹部より小さい穴を有する薄膜を形成し、上記薄膜の
穴の端部をナイフエッジとして用いることを特徴とする
電子線径及び電流密度測定装置。 ２、請求項第１項記載の薄膜は、絶縁膜表面に導電性物
質が形成された構造であることを特徴とする電子線径及
び電流密度測定装置。 ３、請求項第２項記載の導電性物質と半導体基板とは絶
縁して、電子線電流量を上記導電性物質もしくは半導体
基板により検出できるように構成せしめ、電子線を走査
したとき得られる電流量から電子線径及び電流密度を測
定することを特徴とする電子線径及び電流密度測定装置
。 ４、上記半導体基板に形成した凹部は、該半導体基板の
該凹部とは逆の面から開けられた穴で貫通した構造であ
ることを特徴とする請求項第１項から第３項までのいず
れかに記載の電子線径及び電流密度測定装置。 ５、上記ナイフエッジの下に、ファラデーケージあるい
は他の電子線検出器を配置したことを特徴とする請求項
第４項記載の電子線径及び電流密度測定装置。 ６、上記ナイフエッジの下に、導電板を配置し、ナイフ
エッジを通過してきた電子が該導電板に照射され発生し
て得られる反射電子または二次電子信号から電子線径及
び電流密度を測定することを特徴とする請求項第４項に
記載の電子線径及び電流密度測定装置。 ７、請求項第１項から第６項までのいずれかに記載の電
子線径及び電流密度測定装置を搭載したことを特徴とす
る電子線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18270289A JPH0348190A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 電子線径及び電流密度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18270289A JPH0348190A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 電子線径及び電流密度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348190A true JPH0348190A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16122943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18270289A Pending JPH0348190A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 電子線径及び電流密度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348190A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768118B2 (en) | 2002-08-08 | 2004-07-27 | Hitachi, Ltd. | Electron beam monitoring sensor and electron beam monitoring method |
| JP2006194618A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの評価方法及び走査方法並びに荷電粒子ビーム装置 |
| JP2006341093A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Bridgestone Sports Co Ltd | ゴルフボール |
| CN112817030A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-18 | 中国原子能科学研究院 | 测量装置 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP18270289A patent/JPH0348190A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768118B2 (en) | 2002-08-08 | 2004-07-27 | Hitachi, Ltd. | Electron beam monitoring sensor and electron beam monitoring method |
| JP2006194618A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの評価方法及び走査方法並びに荷電粒子ビーム装置 |
| JP4522267B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2010-08-11 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビームの評価方法及び走査方法並びに荷電粒子ビーム装置 |
| JP2006341093A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Bridgestone Sports Co Ltd | ゴルフボール |
| CN112817030A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-18 | 中国原子能科学研究院 | 测量装置 |
| CN112817030B (zh) * | 2020-12-29 | 2024-05-14 | 中国原子能科学研究院 | 测量装置 |
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