JPH06275924A - セラミック基板 - Google Patents

セラミック基板

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Publication number
JPH06275924A
JPH06275924A JP5088027A JP8802793A JPH06275924A JP H06275924 A JPH06275924 A JP H06275924A JP 5088027 A JP5088027 A JP 5088027A JP 8802793 A JP8802793 A JP 8802793A JP H06275924 A JPH06275924 A JP H06275924A
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JP
Japan
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laser
processing
ceramic substrate
substrate
dividing line
Prior art date
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Pending
Application number
JP5088027A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Kato
正博 加藤
Toshihiko Aoyama
俊彦 青山
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP5088027A priority Critical patent/JPH06275924A/ja
Publication of JPH06275924A publication Critical patent/JPH06275924A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0097Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1216Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザ光による板厚中途までのレーザ溝を分
割線として折処理されるセラミック基板を、後加工にお
いて位置決めする際の精度向上を図る。 【構成】 レーザ溝に沿って折処理された分割線aおよ
びh上の特定部分には、板厚方向に貫通するレーザ貫通
切断面S1、S2およびS3が形成されている。このセラ
ミック基板1aに後加工として例えばスクリーン印刷処
理をする際に、それらレーザ貫通切断部S1〜S3が位置
決めのための基準ピンP1〜P3にそれぞれ押し当てられ
て当該セラミック基板1aが位置決めされ、その状態で
スクリーン印刷処理等の所定の後加工が施される。レー
ザ貫通切断部S1〜S3は、折処理によって形成された端
面に比べて平坦度や位置精度が高いため、折処理端面の
バリやウネリ等に影響されることなく位置決め精度が高
められる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば厚膜用・薄膜
用ハイブリッドIC等のためのセラミック基板、あるい
はサーマルヘッド等に好適なグレーズドセラミック基板
等に関し、特に分割線に沿って折処理されるセラミック
基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、上記のような用途に用いられるセ
ラミック基板では、レーザ光により板厚中途までのレー
ザ溝が形成され、このレーザ溝を分割線として折処理さ
れることにより、その折処理された端面を基準として後
加工、例えばガラスペースト、導体ペースト、抵抗ペー
スト等の印刷又はパターニング等が行われるのが普通で
ある。
【0003】一般には、折処理した端面を後加工の位置
決めの基準となる基準ピンに当接させた状態で、上述の
ような印刷やパターニングを行うのであるが、折処理さ
れた端面を仕上げ加工せずそのまま基準端面として後加
工を行う場合もあるし、精度向上を目的として、その折
処理された基板端面をさらに平面研削盤等を用い、ダイ
ヤモンドホイールで研磨加工した後、その研磨加工した
端面を基準端面とすることも行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図11に例
示するように、セラミック基板をレーザ溝(分割線)に
沿って折処理すると、その破断の際のバリ等により分割
端面に凹凸が生じる。このような端面が基準ピンに押し
当てられると位置決め精度が落ちる他、そのバリが基準
ピンに当たって破砕され、この破砕粉が後に形成しよう
とする印刷パターン等に断線や短絡等の悪影響を及ぼす
場合がある。
【0005】また、セラミック基板を分割線に沿って折
処理(スナップ)する際、作業者による折処理の手法の
違い等により、図12(平面視)に示すようなウネリが
分割線の長手方向に生じる場合があり、このようなウネ
リのある端面が基準ピンに押し当てられる場合も、位置
決め精度が悪くなる。
【0006】上記のような折処理端面のバリやウネリ等
の対策として、その端面を研磨加工する場合には、研磨
のために余分なコスト並びに工期を要する。さらに、端
面を研磨する場合の弊害として、端面研磨量のバラツキ
により基板寸法が変動する他、基板内部に予め分割のた
めのレーザ溝が入っている場合、基準となる基板端面か
ら内部のレーザ溝までの寸法精度がかえって悪くなるこ
ともある。
【0007】本発明の課題は、後加工において位置決め
の基準となる基板端面のバリやウネリ等の問題を解消
し、研磨加工を行うことなく位置決め精度を高めること
ができるセラミック基板を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明においては、レー
ザ光による板厚中途までのレーザ溝を分割線として折処
理されるセラミック基板において、その分割線の特定領
域に、その基板を厚さ方向に貫くレーザ貫通切断部を形
成したものである。このレーザ貫通切断部は、後に予定
される加工の位置決めの基準となる部分(例えば、基準
ピンに押し当てられる端面部分)に対応して形成され
る。また、ここでいうレーザ溝とは、連続的な溝はもち
ろん、不連続な溝、つまり間欠的な凹部の集合・連なり
で構成される溝をも含むものである。
【0009】なお、上記レーザ貫通切断部が最終製品の
端面に残るかどうかは本質的な問題ではない。すなわ
ち、セラミック基板に対する所定の加工後、位置決めの
役目を終えてレーザ貫通切断部を含む部分が折処理によ
り除去されて最終製品には残らない場合もあるし、ある
いは位置決めに使用されたレーザ貫通切断部がそのまま
最終製品の端面に残ることもある。
【0010】また本発明は、分割線上にレーザ貫通切断
部が形成されていれば、折処理される前のセラミック基
板も、その分割線に沿って折処理された後のセラミック
基板も双方含むものである。前者の場合、レーザ貫通切
断部はスリットの片側端面で構成され、後者の場合は折
処理後に表れる端面で構成されることとなる。
【0011】
【作用】このようなセラミック基板においては、折処理
後のセラミック基板の端面のうち、レーザ溝の残りの厚
さ部分の破断面に比べて、レーザ貫通切断部はバリ等が
余りなく、かつ位置精度も良いため、そのレーザ貫通切
断部を後加工の位置決めの基準となる基準ピン等に対応
して形成することにより、そのレーザ貫通切断部が基準
ピンに押し当てられてセラミック基板が位置決めされる
こととなる。これにより、折処理による破断面のバリや
ウネリ等の影響を受けることなく、正確な位置決めが可
能となる。
【0012】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。図1は、本発明をサーマルヘッド用のグレー
ズドセラミック基板に適用した場合の一実施例であり、
縦長状のセラミック基板1は、例えばアルミナを主成分
として焼成されたものである。この基板1には、レーザ
光によるレーザ溝a〜gが図の縦方向に互いに平行に形
成され、また基板1の長手方向の両端付近には横方向に
レーザ溝h及びiが形成されている。これらのレーザ溝
a〜iは、図2に誇張して示すように、基板1の厚さ方
向の中途までの深さを有し、微視的に見れば多数のパル
ス状レーザ孔が互いに接するように連なったもので、基
板1はこれらレーザ溝a〜iによって与えられる分割線
に沿って折処理されることとなる。
【0013】縦方向の分割線のうち、図において左端に
位置するもの(レーザ溝a)の両端部近傍には、その分
割線に沿ってレーザ貫通切断部S1及びS2がスリット状
に形成され、また、横方向の分割線hのほぼ中央部に
も、レーザ貫通切断部S3がスリット状に形成されてい
る。これらのレーザ貫通切断部S1〜S3は、レーザ光が
基板1を厚さ方向に貫通するように、かつ分割線a又は
hに沿って所定長さ範囲(例えば10mm程度)で設けら
れている。
【0014】以上のようなレーザ溝a又はh及びレーザ
貫通切断部S1〜S3は、例えば図7に示すように形成す
ることができる。すなわち、基板1の例えば分割線a上
にレーザ光Lrを当てつつ、基板1とレーザ光Lrとを分
割線aに沿って相対的に移動させ、基板1の厚さの中途
までのレーザ溝a1を形成する際には、そのレーザ光Lr
が基板1を突き抜けないように、レーザ出力又はレーザ
照射時間を設定する。レーザ光Lrをパルス状に照射す
る場合は、その単位時間当たりのパルス数を照射時間と
考えることができる。一方、レーザ貫通切断部S1(又
はS2、S3)を形成すべき領域では、レーザ光Lrのレ
ーザ出力を上げ、あるいは単位時間当たりのパルス数を
増やす等して、レーザ光Lrが基板1を厚さ方向に突き
抜けるようにしてスリット状の貫通切断部S1(又はS
2、S3)を形成し、その形成が終れば、レーザ光Lrの
出力又はパルス数等を元に戻して、下流側のレーザ溝a
1を形成するようにすればよい。
【0015】なお、場合によっては、まずレーザ光Lr
により均一な深さのレーザ溝(a)を連続的に形成し、
その後、特定部分にレーザ光Lrを強く再照射してそこ
を貫通させ、レーザ貫通切断部を形成することもでき
る。
【0016】そして、このような基板1は、図1の縦方
向の分割線a〜g、並びに横方向の分割線h及びiにお
いてそれぞれ折処理され、基板1の領域G、F、I、J
が除去されて、製品部A〜Dを含む図3に示すようなセ
ラミック基板1aとなる。このように折処理された後の
セラミック基板1aの端面(a)において、図7のレー
ザ溝端面(a1)及び折処理による破断面C1を平面拡大
写真で見ると、図8に示すように、凹凸状のバリが存在
する。これに対し、図7のレーザ貫通切断部S1(又は
S2、S3)においては、図9に示すように、バリの殆ど
ない平坦な端面が得られている。
【0017】そして、図3のセラミック基板1aのレー
ザ溝b〜fが形成された面とは反対側の面(図4の板面
1b)には、公知のグレーズ加工が施される。これは、
例えばガラス質材料によるスクリーン印刷が所定のパタ
ーン(例えば図3の下側に一部示すようなパターン)で
施されるものである。そのグレーズ印刷工程において基
板1aは、レーザ光が厚さ方向に貫通したレーザ貫通切
断部S1、S2及びS3の各端面で基準ピンP1、P2及び
P3に突き当てられた状態で位置決めされる。
【0018】さらに具体的には、例えば図5及び図6に
示すような印刷用ペイント板5の浅い凹部6にセラミッ
ク基板1aがセットされ、3カ所に固定された基準ピン
P1、P2およびP3に対し、レーザ貫通切断部S1、S2
及びS3が押し当てられるのである。凹部6には多数の
吸引孔7が形成され、上記のように凹部6に位置決めさ
れたセラミック基板1aは、裏面からの負圧吸引によっ
てその位置決め状態に保持され、その状態で上述のよう
なスクリーン印刷処理が行われる。ここで、上述のよう
なレーザ貫通切断部S1〜S3により、位置決め精度が高
く保証されるため、図3において分割線aからのグレー
ズパターン部の距離xが精度良く設定され、そのパター
ン部の幅方向の端が分割線(レーザ溝)c又はe等に掛
かるといったミスが生じにくい。
【0019】なお、このようなグレーズ処理が施された
セラミック基板1aは、最終的には分割線b、c、d、
e、fにおいて折処理され、端部分H及びEが除去され
て、製品部A〜Dがサーマルヘッド等に使用されること
となる。その際、各製品部A〜Dについてグレーズパタ
ーンは同一のものとなる。
【0020】以上、サーマルヘッド用のグレーズドセラ
ミック基板について説明したが、例えば図10に示すよ
うな厚膜用または薄膜用ハイブリッドICのためのセラ
ミック基板10に対しても、本発明を同様に適用するこ
とができる。この例では、分割線d及びeに沿って折処
理された端面に板厚方向に貫通するレーザ貫通切断部S
1、S2及びS3が形成され、これら以外の分割線部分は
板厚中途までのレーザ溝が折処理により破断された断面
となっている。この実施例でも、レーザ貫通切断部S1
〜S3が、位置決めのための基準ピンに押し当てられて
セラミック基板10の位置決めがなされ、その状態で所
定の加工又は処理が行われることとなる。この実施例に
おいて、レーザ貫通切断部S3を含むM部分及び反対側
のN部分は折処理されて除去されるが、製品部A〜Lの
うち、レーザ切断部S1およびS2が製品部A及びDの一
端面に残存することとなる。
【0021】なお、以上説明した実施例は文字通り例示
であり、レーザ貫通切断部の形成位置や、その設定数等
は適宜変更することができ、その他の部分においても当
業者の知識に基づき、種々の変形を加えた態様で本発明
を実施し得ることは勿論である。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、セラミック基板の分割
線上の特定領域に板厚方向に貫通するレーザ貫通切断部
が形成され、この部分はレーザ溝及び折処理による破断
面より位置精度や平面精度が高い。そして、このような
レーザ貫通切断部がセラミック基板の後加工における位
置決めに利用されることにより、折処理による破断面の
バリやウネリ等に影響されることなく、そのレーザ貫通
切断部を基準端面として精度の高い後加工ができること
となった。すなわち、従来のような端面のバリ等のため
にセラミック基板が基準位置からズレたり、あるいはバ
リの破砕物が加工面に付着する等の問題が解消された。
また、折処理による端面を研磨加工する必要がなく、従
来における研磨のためのコストや時間が必要なくなり、
工程上の能率も高められる他、研磨加工量のバラツキに
よる位置ズレ等の弊害も生じる余地がなくなった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるセラミック基板の平面
図。
【図2】その正面図。
【図3】図1のセラミック基板の外周部が折処理されて
得られた、グレーズ加工対象品たるセラミック基板の平
面図。
【図4】その正面図。
【図5】そのグレーズ加工のための印刷用ペイント板の
平面図。
【図6】その断面図。
【図7】レーザ貫通切断部とその近傍を模式的に示す拡
大図。
【図8】レーザ溝の折処理後の端面を平面視で撮影した
写真。
【図9】レーザ貫通切断部の端面を平面視で撮影した写
真。
【図10】本発明の他の実施例を示す平面図。
【図11】従来のバリの問題を示す説明図。
【図12】従来のウネリの問題を示す平面図。
【符号の説明】
1、1a、10 セラミック基板 a〜k 分割線 S1〜S3 レーザ貫通切断部 5 印刷用ペイント板 P1〜P3 基準ピン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光による板厚中途までのレーザ溝
    を分割線として折処理されるセラミック基板において、
    その分割線の特定領域に、その基板を厚さ方向に貫くレ
    ーザ貫通切断部が形成されていることを特徴とするセラ
    ミック基板。
JP5088027A 1993-03-22 1993-03-22 セラミック基板 Pending JPH06275924A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5088027A JPH06275924A (ja) 1993-03-22 1993-03-22 セラミック基板

Applications Claiming Priority (1)

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JP5088027A JPH06275924A (ja) 1993-03-22 1993-03-22 セラミック基板

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JPH06275924A true JPH06275924A (ja) 1994-09-30

Family

ID=13931348

Family Applications (1)

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JP5088027A Pending JPH06275924A (ja) 1993-03-22 1993-03-22 セラミック基板

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JP (1) JPH06275924A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006013004A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Murata Mfg Co Ltd 板状部材の分割方法および該分割方法を用いて製造された基板
JP2007313774A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Tdk Corp サーマルヘッド用基板の分割溝形成方法、サーマルヘッドの製造方法、サーマルヘッド及び印画装置
CN102398065A (zh) * 2011-11-11 2012-04-04 常州澳弘电子有限公司 金属基线路板外形加工方法
JP2013071335A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd マザー基板の分断方法
WO2019043053A1 (de) * 2017-08-31 2019-03-07 Robert Bosch Gmbh Isoliervorrichtung

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