JPH06275872A - 超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去方法およびその装置 - Google Patents
超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去方法およびその装置Info
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- JPH06275872A JPH06275872A JP5057461A JP5746193A JPH06275872A JP H06275872 A JPH06275872 A JP H06275872A JP 5057461 A JP5057461 A JP 5057461A JP 5746193 A JP5746193 A JP 5746193A JP H06275872 A JPH06275872 A JP H06275872A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 極低温雰囲気中への外部熱侵入の増加を防止
し、しかも磁束トラップの除去を確実化する。 【構成】 ＳＱＵＩＤ素子を収容する極低温ケーシング
１の内部において、ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも一部を
加熱するヒータ６をフィードバックコイル５と並列接続
する。
し、しかも磁束トラップの除去を確実化する。 【構成】 ＳＱＵＩＤ素子を収容する極低温ケーシング
１の内部において、ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも一部を
加熱するヒータ６をフィードバックコイル５と並列接続
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は超伝導量子干渉素子の
磁束トラップ除去方法およびその装置に関し、さらに詳
細にいえば、超伝導量子干渉素子を超伝導転移温度以下
に冷却する過程において超伝導量子干渉素子に磁束がト
ラップされた場合に、磁束のトラップを解消させるため
の装置およびその方法に関する。
磁束トラップ除去方法およびその装置に関し、さらに詳
細にいえば、超伝導量子干渉素子を超伝導転移温度以下
に冷却する過程において超伝導量子干渉素子に磁束がト
ラップされた場合に、磁束のトラップを解消させるため
の装置およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から磁束に対する感度が著しく高い
という特性に着目して、生態磁場計測等の微弱磁場計測
をはじめとして種々の分野で超伝導量子干渉素子（Ｓｕ
ｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔ
ｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ、以下、ＳＱＵＩＤ
と略称する）が採用されている。
という特性に着目して、生態磁場計測等の微弱磁場計測
をはじめとして種々の分野で超伝導量子干渉素子（Ｓｕ
ｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔ
ｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ、以下、ＳＱＵＩＤ
と略称する）が採用されている。
【０００３】ところで、ＳＱＵＩＤ素子は超伝導転移温
度以下に冷却されることが必要であるため、ＳＱＵＩＤ
素子を液体ヘリウム等に浸漬するか、またはＳＱＵＩＤ
素子を極低温冷凍機により冷却することが必要になる。
しかし、何れの冷却方法を採用しても、ＳＱＵＩＤ素子
の全範囲が同時に超伝導転移温度以下になることは殆ど
期待できず、一般にはある部分からある部分に向かって
徐々に温度が低下し、最終的に全範囲が超伝導転移温度
以下になるのである。したがって、例えば、ＳＱＵＩＤ
素子の周縁部から中央部に向かって徐々に温度が低下す
る場合であって、周囲の雑音磁場が大きい場合には、周
縁部のみが超伝導転移温度以下に冷却された状態におい
て中央部に閉じ込められた磁束が残存し、しかも磁束閉
じ込め領域が小さくなるにしたがって磁束密度が大きく
なるので、中央部はいつまでも超伝導状態に転移しない
ことになってしまう。この結果、ＳＱＵＩＤ素子の特性
が著しく劣化してしまう。
度以下に冷却されることが必要であるため、ＳＱＵＩＤ
素子を液体ヘリウム等に浸漬するか、またはＳＱＵＩＤ
素子を極低温冷凍機により冷却することが必要になる。
しかし、何れの冷却方法を採用しても、ＳＱＵＩＤ素子
の全範囲が同時に超伝導転移温度以下になることは殆ど
期待できず、一般にはある部分からある部分に向かって
徐々に温度が低下し、最終的に全範囲が超伝導転移温度
以下になるのである。したがって、例えば、ＳＱＵＩＤ
素子の周縁部から中央部に向かって徐々に温度が低下す
る場合であって、周囲の雑音磁場が大きい場合には、周
縁部のみが超伝導転移温度以下に冷却された状態におい
て中央部に閉じ込められた磁束が残存し、しかも磁束閉
じ込め領域が小さくなるにしたがって磁束密度が大きく
なるので、中央部はいつまでも超伝導状態に転移しない
ことになってしまう。この結果、ＳＱＵＩＤ素子の特性
が著しく劣化してしまう。
【０００４】このような不都合を解消するために、図８
に示すように、従来は内部雰囲気が超伝導転移温度以下
にまで冷却される極低温ケーシング５１の内部に、ジョ
セフソン接合５３が設けられた超伝導ループ５２、イン
プットコイル５４、フィードバックコイル５５を設ける
だけでなく、超伝導ループ５２に近接させて常伝導状態
に転移させるためのヒータ５６を設ける構成が採用され
ている。尚、ヒータ５６に対する給電配線はフィードバ
ックコイル５５、超伝導ループ５２、インプットコイル
５４に対する配線とは別個に設けられている。
に示すように、従来は内部雰囲気が超伝導転移温度以下
にまで冷却される極低温ケーシング５１の内部に、ジョ
セフソン接合５３が設けられた超伝導ループ５２、イン
プットコイル５４、フィードバックコイル５５を設ける
だけでなく、超伝導ループ５２に近接させて常伝導状態
に転移させるためのヒータ５６を設ける構成が採用され
ている。尚、ヒータ５６に対する給電配線はフィードバ
ックコイル５５、超伝導ループ５２、インプットコイル
５４に対する配線とは別個に設けられている。
【０００５】この構成を採用すれば、出力電圧低下等に
より磁束がトラップされている状態を検出した場合に、
ヒータ５６に通電することによりＳＱＵＩＤ素子を局部
的に加熱し、局部的に常伝導状態に転移させることがで
きる。そして、ヒータ５６に対する通電を停止してＳＱ
ＵＩＤ素子を再び冷却すれば、ＳＱＵＩＤ素子は最も加
熱された端部に向かって徐々に超伝導転移温度以下に冷
却されるので、磁束トラップを確実に解消させることが
できる。
より磁束がトラップされている状態を検出した場合に、
ヒータ５６に通電することによりＳＱＵＩＤ素子を局部
的に加熱し、局部的に常伝導状態に転移させることがで
きる。そして、ヒータ５６に対する通電を停止してＳＱ
ＵＩＤ素子を再び冷却すれば、ＳＱＵＩＤ素子は最も加
熱された端部に向かって徐々に超伝導転移温度以下に冷
却されるので、磁束トラップを確実に解消させることが
できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の磁束トラップ除
去装置においては、ＳＱＵＩＤ素子自体として必要な配
線が極低温ケーシング５１を貫通して設けられているだ
けでなく、磁束トラップを除去するだけのために設けら
れたヒータ５６に対する給電配線も極低温ケーシング５
１を貫通することになり、ＳＱＵＩＤ素子を用いるシス
テム全体としての構成を複雑にするとともに、ヒータ５
６に対する給電配線を通して極低温ケーシング５１内に
侵入する熱量が増加し、ＳＱＵＩＤ素子を超伝導転移温
度以下に冷却することが困難になってしまう。特に、生
態磁場の計測を行なう場合には、必要なＳＱＵＩＤ素子
の数が１００程度もしくはそれ以上になり、しかもＳＱ
ＵＩＤ素子毎にヒータ５６が必要になるのであるから、
ヒータ５６に対する給電配線を通して極低温ケーシング
５１内に侵入する熱量が著しく多くなってしまう。この
結果、液体ヘリウムを用いる場合には、液体ヘリウムの
必要両が著しく増加し、極低温冷凍機を用いる場合に
は、冷凍能力が大きいものを用いることが必要になるの
みならず、超伝導転移温度以下にまで冷却するための所
用時間が著しく長くなってしまう。
去装置においては、ＳＱＵＩＤ素子自体として必要な配
線が極低温ケーシング５１を貫通して設けられているだ
けでなく、磁束トラップを除去するだけのために設けら
れたヒータ５６に対する給電配線も極低温ケーシング５
１を貫通することになり、ＳＱＵＩＤ素子を用いるシス
テム全体としての構成を複雑にするとともに、ヒータ５
６に対する給電配線を通して極低温ケーシング５１内に
侵入する熱量が増加し、ＳＱＵＩＤ素子を超伝導転移温
度以下に冷却することが困難になってしまう。特に、生
態磁場の計測を行なう場合には、必要なＳＱＵＩＤ素子
の数が１００程度もしくはそれ以上になり、しかもＳＱ
ＵＩＤ素子毎にヒータ５６が必要になるのであるから、
ヒータ５６に対する給電配線を通して極低温ケーシング
５１内に侵入する熱量が著しく多くなってしまう。この
結果、液体ヘリウムを用いる場合には、液体ヘリウムの
必要両が著しく増加し、極低温冷凍機を用いる場合に
は、冷凍能力が大きいものを用いることが必要になるの
みならず、超伝導転移温度以下にまで冷却するための所
用時間が著しく長くなってしまう。
【０００７】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、外部侵入熱量の増加を未然に防止し、し
かも磁束トラップを確実に解消させることができるＳＱ
ＵＩＤ素子の磁束トラップ除去方法およびその装置を提
供することを目的としている。
たものであり、外部侵入熱量の増加を未然に防止し、し
かも磁束トラップを確実に解消させることができるＳＱ
ＵＩＤ素子の磁束トラップ除去方法およびその装置を提
供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの、請求項１の磁束トラップ除去装置は、超伝導量子
干渉素子を加熱して常伝導状態に転移させるヒータを極
低温ケーシング内においてフィードバックコイルと直列
接続したものである。請求項２の磁束トラップ除去装置
は、超伝導量子干渉素子を加熱して常伝導状態に転移さ
せるヒータを極低温ケーシング内においてフィードバッ
クコイルと並列接続したものである。
めの、請求項１の磁束トラップ除去装置は、超伝導量子
干渉素子を加熱して常伝導状態に転移させるヒータを極
低温ケーシング内においてフィードバックコイルと直列
接続したものである。請求項２の磁束トラップ除去装置
は、超伝導量子干渉素子を加熱して常伝導状態に転移さ
せるヒータを極低温ケーシング内においてフィードバッ
クコイルと並列接続したものである。
【０００９】請求項３の磁束トラップ除去装置は、超伝
導量子干渉素子を加熱して常伝導状態に転移させるヒー
タを極低温ケーシング内において超伝導ループのバイア
ス供給配線と直列接続したものである。請求項４の磁束
トラップ除去装置は、ヒータが折り返し状に形成された
ものである。
導量子干渉素子を加熱して常伝導状態に転移させるヒー
タを極低温ケーシング内において超伝導ループのバイア
ス供給配線と直列接続したものである。請求項４の磁束
トラップ除去装置は、ヒータが折り返し状に形成された
ものである。
【００１０】請求項５の磁束トラップ除去方法は、フィ
ードバックコイルに強制的に大電流を供給することによ
り超伝導量子干渉素子の少なくとも一部を通常伝導状態
に転移させ、その後、ヒータに対する大電流の供給を停
止して超伝導量子干渉素子を冷却し、超伝導状態に転移
させる方法である。
ードバックコイルに強制的に大電流を供給することによ
り超伝導量子干渉素子の少なくとも一部を通常伝導状態
に転移させ、その後、ヒータに対する大電流の供給を停
止して超伝導量子干渉素子を冷却し、超伝導状態に転移
させる方法である。
【００１１】
【作用】請求項１の磁束トラップ装置であれば、ジョセ
フソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ループに磁束
を導くインプットコイルおよびインプットコイルにより
超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償すべく補償用
磁束を超伝導ループに導くフィードバックコイルを、内
部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシ
ング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却した場合
に、磁束トラップが発生していれば、フィードバックコ
イルと直列接続されたヒータに比較的大きな電流を通電
することにより、ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも一部を通
常伝導状態に転移させることができる。その後、ヒータ
への比較的大きな電流の通電を停止してＳＱＵＩＤ素子
を冷却することにより磁束トラップを生じさせることな
く全ての構成要素を超伝導転移温度以下に冷却できる。
フソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ループに磁束
を導くインプットコイルおよびインプットコイルにより
超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償すべく補償用
磁束を超伝導ループに導くフィードバックコイルを、内
部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシ
ング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却した場合
に、磁束トラップが発生していれば、フィードバックコ
イルと直列接続されたヒータに比較的大きな電流を通電
することにより、ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも一部を通
常伝導状態に転移させることができる。その後、ヒータ
への比較的大きな電流の通電を停止してＳＱＵＩＤ素子
を冷却することにより磁束トラップを生じさせることな
く全ての構成要素を超伝導転移温度以下に冷却できる。
【００１２】さらに詳細に説明すると、例えば、当初の
冷却過程において素子の周縁部から順次超伝導転移温度
以下にまで冷却されることにより磁束トラップが生じた
場合であっても、ヒータにより素子の一部のみが強く加
熱されることに起因して、素子の一部が通常伝導状態に
転移される。したがって、その後、ヒータへの比較的大
きな電流の通電を停止して素子を冷却することにより、
磁束トラップを生じさせることなく素子全体を超伝導転
移温度以下にまで冷却できる。
冷却過程において素子の周縁部から順次超伝導転移温度
以下にまで冷却されることにより磁束トラップが生じた
場合であっても、ヒータにより素子の一部のみが強く加
熱されることに起因して、素子の一部が通常伝導状態に
転移される。したがって、その後、ヒータへの比較的大
きな電流の通電を停止して素子を冷却することにより、
磁束トラップを生じさせることなく素子全体を超伝導転
移温度以下にまで冷却できる。
【００１３】また、上記ヒータは極低温ケーシングの内
部においてフィードバックコイルと直列接続されている
のであるから、ヒータを設けることに伴なう、極低温ケ
ーシングを貫通する配線の数の増加を未然に防止でき、
外部侵入熱量の増加をも未然に防止できる。この結果、
ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の複雑
化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を容易
化できる。
部においてフィードバックコイルと直列接続されている
のであるから、ヒータを設けることに伴なう、極低温ケ
ーシングを貫通する配線の数の増加を未然に防止でき、
外部侵入熱量の増加をも未然に防止できる。この結果、
ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の複雑
化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を容易
化できる。
【００１４】請求項２の磁束トラップ除去装置であれ
ば、ジョセフソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ル
ープに磁束を導くインプットコイルおよびインプットコ
イルにより超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償す
べく補償用磁束を超伝導ループに導くフィードバックコ
イルを、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極
低温ケーシング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却
した場合に、磁束トラップが発生していれば、フィード
バックコイルと並列接続されたヒータに比較的大きな電
流を通電することにより、ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも
一部を通常伝導状態に転移させることができる。その
後、ヒータへの比較的大きな電流の通電を停止してＳＱ
ＵＩＤ素子を冷却することにより磁束トラップを生じさ
せることなく全ての構成要素を超伝導転移温度以下に冷
却できる。
ば、ジョセフソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ル
ープに磁束を導くインプットコイルおよびインプットコ
イルにより超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償す
べく補償用磁束を超伝導ループに導くフィードバックコ
イルを、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極
低温ケーシング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却
した場合に、磁束トラップが発生していれば、フィード
バックコイルと並列接続されたヒータに比較的大きな電
流を通電することにより、ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも
一部を通常伝導状態に転移させることができる。その
後、ヒータへの比較的大きな電流の通電を停止してＳＱ
ＵＩＤ素子を冷却することにより磁束トラップを生じさ
せることなく全ての構成要素を超伝導転移温度以下に冷
却できる。
【００１５】また、上記ヒータは極低温ケーシングの内
部においてフィードバックコイルと並列接続されている
のであるから、ヒータを設けることに伴なう、極低温ケ
ーシングを貫通する配線の数の増加を未然に防止でき、
外部侵入熱量の増加をも未然に防止できる。この結果、
ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の複雑
化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を容易
化できる。
部においてフィードバックコイルと並列接続されている
のであるから、ヒータを設けることに伴なう、極低温ケ
ーシングを貫通する配線の数の増加を未然に防止でき、
外部侵入熱量の増加をも未然に防止できる。この結果、
ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の複雑
化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を容易
化できる。
【００１６】請求項３の磁束トラップ除去装置であれ
ば、ジョセフソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ル
ープに磁束を導くインプットコイルおよびインプットコ
イルにより超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償す
べく補償用磁束を超伝導ループに導くフィードバックコ
イルを、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極
低温ケーシング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却
した場合に、磁束トラップが発生していれば、超伝導ル
ープのバイアス供給配線と直列接続されたヒータに比較
的大きな電流を通電することにより、ＳＱＵＩＤ素子の
少なくとも一部を通常伝導状態に転移させることができ
る。その後、ヒータへの比較的大きな電流の通電を停止
してＳＱＵＩＤ素子を冷却することにより磁束トラップ
を生じさせることなく全ての構成要素を超伝導転移温度
以下に冷却できる。
ば、ジョセフソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ル
ープに磁束を導くインプットコイルおよびインプットコ
イルにより超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償す
べく補償用磁束を超伝導ループに導くフィードバックコ
イルを、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極
低温ケーシング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却
した場合に、磁束トラップが発生していれば、超伝導ル
ープのバイアス供給配線と直列接続されたヒータに比較
的大きな電流を通電することにより、ＳＱＵＩＤ素子の
少なくとも一部を通常伝導状態に転移させることができ
る。その後、ヒータへの比較的大きな電流の通電を停止
してＳＱＵＩＤ素子を冷却することにより磁束トラップ
を生じさせることなく全ての構成要素を超伝導転移温度
以下に冷却できる。
【００１７】また、上記ヒータは極低温ケーシングの内
部において超伝導ループのバイアス供給配線と直列接続
されているのであるから、ヒータを設けることに伴な
う、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を未然
に防止でき、外部侵入熱量の増加をも未然に防止でき
る。この結果、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体とし
ての構成の複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素
子の冷却を容易化できる。請求項４の磁束トラップ除去
装置であれば、ヒータが折り返し状に形成されてあるの
で、ＳＱＵＩＤ素子動作時にヒータに流れる電流に起因
する磁束が発生しても、折り返しの前後において磁束の
向きが互に逆になり、互にキャンセルし合うことになる
ので、超伝導ループにノイズ磁束として作用することを
未然に防止できる。
部において超伝導ループのバイアス供給配線と直列接続
されているのであるから、ヒータを設けることに伴な
う、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を未然
に防止でき、外部侵入熱量の増加をも未然に防止でき
る。この結果、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体とし
ての構成の複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素
子の冷却を容易化できる。請求項４の磁束トラップ除去
装置であれば、ヒータが折り返し状に形成されてあるの
で、ＳＱＵＩＤ素子動作時にヒータに流れる電流に起因
する磁束が発生しても、折り返しの前後において磁束の
向きが互に逆になり、互にキャンセルし合うことになる
ので、超伝導ループにノイズ磁束として作用することを
未然に防止できる。
【００１８】請求項５の磁束トラップ除去方法であれ
ば、ジョセフソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ル
ープに磁束を導くインプットコイルおよびインプットコ
イルにより超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償す
べく補償用磁束を超伝導ループに導くフィードバックコ
イルを、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極
低温ケーシング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却
した場合に、磁束トラップが発生していれば、フィード
バックコイルに強制的に大電流を通電することにより、
ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも一部を通常伝導状態に転移
させることができる。その後、フィードバックコイルへ
の大電流の通電を停止してＳＱＵＩＤ素子を冷却するこ
とにより磁束トラップを生じさせることなく全ての構成
要素を超伝導転移温度以下に冷却できる。
ば、ジョセフソン接合を有する超伝導ループ、超伝導ル
ープに磁束を導くインプットコイルおよびインプットコ
イルにより超伝導ループに導かれる磁束の変化を補償す
べく補償用磁束を超伝導ループに導くフィードバックコ
イルを、内部温度が超伝導転移温度以下に冷却された極
低温ケーシング内に収容して超伝導転移温度以下に冷却
した場合に、磁束トラップが発生していれば、フィード
バックコイルに強制的に大電流を通電することにより、
ＳＱＵＩＤ素子の少なくとも一部を通常伝導状態に転移
させることができる。その後、フィードバックコイルへ
の大電流の通電を停止してＳＱＵＩＤ素子を冷却するこ
とにより磁束トラップを生じさせることなく全ての構成
要素を超伝導転移温度以下に冷却できる。
【００１９】また、この発明においては、フィードバッ
クコイルによりヒータを兼ねさせているのであるから、
極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を未然に防
止でき、外部侵入熱量の増加をも未然に防止できる。こ
の結果、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構
成の複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷
却を容易化できる。
クコイルによりヒータを兼ねさせているのであるから、
極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を未然に防
止でき、外部侵入熱量の増加をも未然に防止できる。こ
の結果、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構
成の複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷
却を容易化できる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を示す添付図面によって詳細に
説明する。図１はこの発明の磁束トラップ除去装置の一
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図であり、１対のジョセフソン接合３を有する超伝導ル
ープ２、図示しないピックアップコイルにより検出され
た外部磁束を超伝導ループ２に導くインプットコイル
４、インプットコイル４により超伝導ループ２に導かれ
る磁束の変化を補償すべく補償用の磁束を超伝導ループ
２に導くフィードバックコイル５、およびフィードバッ
クコイル５と直列接続されたヒータ６が、内部雰囲気が
超伝導転移温度以下に冷却される極低温ケーシング１に
収容されている。尚、２ａは超伝導ループ２に対してバ
イアスを供給するためのバイアス供給配線、５ａは図示
しない位相ロックループ回路および図示しないヒータ電
源とフィードバックコイル５とを接続する配線である。
尚、図１には特には示していないが、超伝導ループ２か
ら信号を取り出すための信号取り出し配線が設けられて
いる。そして、バイアス供給配線２ａ、配線５ａおよび
信号取り出し配線は極低温ケーシング１を貫通して常温
側と極低温側の電気的接続を達成している。また、上記
配線５ａは、常温側において図示しないスイッチ等によ
り位相ロックループ回路またはヒータ電源と選択的に接
続されている。尚、ヒータ６の配置位置は、製造の容易
さ等の観点から超伝導ループ２の外側であることが好ま
しいが、超伝導ループ２の内側であってもよい。
説明する。図１はこの発明の磁束トラップ除去装置の一
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図であり、１対のジョセフソン接合３を有する超伝導ル
ープ２、図示しないピックアップコイルにより検出され
た外部磁束を超伝導ループ２に導くインプットコイル
４、インプットコイル４により超伝導ループ２に導かれ
る磁束の変化を補償すべく補償用の磁束を超伝導ループ
２に導くフィードバックコイル５、およびフィードバッ
クコイル５と直列接続されたヒータ６が、内部雰囲気が
超伝導転移温度以下に冷却される極低温ケーシング１に
収容されている。尚、２ａは超伝導ループ２に対してバ
イアスを供給するためのバイアス供給配線、５ａは図示
しない位相ロックループ回路および図示しないヒータ電
源とフィードバックコイル５とを接続する配線である。
尚、図１には特には示していないが、超伝導ループ２か
ら信号を取り出すための信号取り出し配線が設けられて
いる。そして、バイアス供給配線２ａ、配線５ａおよび
信号取り出し配線は極低温ケーシング１を貫通して常温
側と極低温側の電気的接続を達成している。また、上記
配線５ａは、常温側において図示しないスイッチ等によ
り位相ロックループ回路またはヒータ電源と選択的に接
続されている。尚、ヒータ６の配置位置は、製造の容易
さ等の観点から超伝導ループ２の外側であることが好ま
しいが、超伝導ループ２の内側であってもよい。
【００２１】上記の構成のＳＱＵＩＤ素子の作用は次の
とおりである。ＳＱＵＩＤ素子を超伝導転移温度以下に
まで冷却する場合には、例えば極低温冷凍機等が用いら
れることになるが、ＳＱＵＩＤ素子自体の冷却に関して
は、ＳＱＵＩＤ素子自体の熱容量等の影響を受けるの
で、どの部分を最も早く超伝導転移温度以下にまで冷却
し、どの部分を最も遅く超伝導転移温度以下にまで冷却
するかを制御することは殆ど不可能である。また、冷却
過程において周囲の雑音磁場が大きいか否かについても
完全には制御することができない。したがって、所定の
冷却時間が経過した時点において磁束トラップが生じて
いる場合がある。尚、磁束トラップが生じているか否か
に関しては、例えば、超伝導ループ２からの出力電圧の
レベル等に基づいて簡単に判別できる。
とおりである。ＳＱＵＩＤ素子を超伝導転移温度以下に
まで冷却する場合には、例えば極低温冷凍機等が用いら
れることになるが、ＳＱＵＩＤ素子自体の冷却に関して
は、ＳＱＵＩＤ素子自体の熱容量等の影響を受けるの
で、どの部分を最も早く超伝導転移温度以下にまで冷却
し、どの部分を最も遅く超伝導転移温度以下にまで冷却
するかを制御することは殆ど不可能である。また、冷却
過程において周囲の雑音磁場が大きいか否かについても
完全には制御することができない。したがって、所定の
冷却時間が経過した時点において磁束トラップが生じて
いる場合がある。尚、磁束トラップが生じているか否か
に関しては、例えば、超伝導ループ２からの出力電圧の
レベル等に基づいて簡単に判別できる。
【００２２】そして、磁束トラップが生じている場合に
は、配線５ａをヒータ電源と接続することによりヒータ
６に対して比較的大きい電流を供給すればよく、ＳＱＵ
ＩＤ素子を部分的に常伝導状態に転移させることができ
る。その後、ヒータ６に対する比較的大きい電流の供給
を停止し、再び極低温冷凍機による冷却を行なえば、常
伝導状態に転移された部分が最後に超伝導転移温度以下
にまで冷却されることになるので、トラップされていた
磁束をＳＱＵＩＤ素子から排除できる。即ち、磁束トラ
ップを除去できる。
は、配線５ａをヒータ電源と接続することによりヒータ
６に対して比較的大きい電流を供給すればよく、ＳＱＵ
ＩＤ素子を部分的に常伝導状態に転移させることができ
る。その後、ヒータ６に対する比較的大きい電流の供給
を停止し、再び極低温冷凍機による冷却を行なえば、常
伝導状態に転移された部分が最後に超伝導転移温度以下
にまで冷却されることになるので、トラップされていた
磁束をＳＱＵＩＤ素子から排除できる。即ち、磁束トラ
ップを除去できる。
【００２３】したがって、その後は、従来のＳＱＵＩＤ
素子と同様に高感度の磁束検出動作を行なわせることが
できる。尚、この磁束検出動作は従来公知であるから、
詳細な説明は省略する。もちろん、位相ロックループ回
路からフィードバックコイル５に供給される電流はヒー
タ６にも流れることになるが、位相ロックループにより
フィードバックコイル５に供給される電流は著しく微弱
であるから、ヒータ６による発熱は殆ど皆無となり、Ｓ
ＱＵＩＤ素子の動作に殆ど悪影響を及ぼさない。
素子と同様に高感度の磁束検出動作を行なわせることが
できる。尚、この磁束検出動作は従来公知であるから、
詳細な説明は省略する。もちろん、位相ロックループ回
路からフィードバックコイル５に供給される電流はヒー
タ６にも流れることになるが、位相ロックループにより
フィードバックコイル５に供給される電流は著しく微弱
であるから、ヒータ６による発熱は殆ど皆無となり、Ｓ
ＱＵＩＤ素子の動作に殆ど悪影響を及ぼさない。
【００２４】また、以上の説明から明らかなように、ヒ
ータ６に通電するための特別の配線は設けられていない
のであるから、極低温ケーシング１の側壁を貫通する配
線の数はヒータを設けていない従来装置と同じであり、
配線数の増加に起因する構成の複雑化、ＳＱＵＩＤ素子
の冷却の困難化を未然に防止できる。
ータ６に通電するための特別の配線は設けられていない
のであるから、極低温ケーシング１の側壁を貫通する配
線の数はヒータを設けていない従来装置と同じであり、
配線数の増加に起因する構成の複雑化、ＳＱＵＩＤ素子
の冷却の困難化を未然に防止できる。
【００２５】
【実施例２】図２はこの発明の磁束トラップ除去装置の
他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す
概略図であり、図１の構成と異なる点は、ヒータ６を折
り返し状に形成した点のみである。したがって、この実
施例の場合には、図１の実施例と同様の作用を達成でき
るほか、磁束検出動作時にヒータ６に通電されることに
起因する磁束が折り返しの前後で互に逆向きになるの
で、ヒータ６に通電されることに起因する磁束が超伝導
ループ２に対して雑音磁束として導かれることを未然に
防止でき、ヒータ６に常時通電され続けることに起因す
る磁束検出感度の低下を未然に防止できる。
他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す
概略図であり、図１の構成と異なる点は、ヒータ６を折
り返し状に形成した点のみである。したがって、この実
施例の場合には、図１の実施例と同様の作用を達成でき
るほか、磁束検出動作時にヒータ６に通電されることに
起因する磁束が折り返しの前後で互に逆向きになるの
で、ヒータ６に通電されることに起因する磁束が超伝導
ループ２に対して雑音磁束として導かれることを未然に
防止でき、ヒータ６に常時通電され続けることに起因す
る磁束検出感度の低下を未然に防止できる。
【００２６】
【実施例３】図３はこの発明の磁束トラップ除去装置の
他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す
概略図であり、図１の構成と異なる点は、ヒータ６をフ
ィードバックコイル５と並列接続しているとともに、フ
ィードバックコイル５に対する通電を制御するための、
ジョセフソン接合等からなるスイッチ５ｂを接続してい
る点のみである。
他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す
概略図であり、図１の構成と異なる点は、ヒータ６をフ
ィードバックコイル５と並列接続しているとともに、フ
ィードバックコイル５に対する通電を制御するための、
ジョセフソン接合等からなるスイッチ５ｂを接続してい
る点のみである。
【００２７】したがって、この実施例の場合にも、図１
の実施例と同様の作用を達成できる。但し、この実施例
においては、ヒータ６とフィードバックコイル５とが互
に並列接続されている関係上、そのままではヒータ６へ
の通電初期等においてフィードバックコイル５に大電流
が流れる可能性がある。しかし、この実施例において
は、フィードバックコイル５と直列にジョセフソン接合
等からなるスイッチ５ｂを接続しているので、ヒータ６
に大電流が流れる場合には、スイッチ５ｂにも臨界電流
を越える大電流が流れ、スイッチ５ｂがＯＦＦ状態にな
るので、フィードバックコイル５に大電流が流れるとい
う不都合の発生を未然に阻止できる。
の実施例と同様の作用を達成できる。但し、この実施例
においては、ヒータ６とフィードバックコイル５とが互
に並列接続されている関係上、そのままではヒータ６へ
の通電初期等においてフィードバックコイル５に大電流
が流れる可能性がある。しかし、この実施例において
は、フィードバックコイル５と直列にジョセフソン接合
等からなるスイッチ５ｂを接続しているので、ヒータ６
に大電流が流れる場合には、スイッチ５ｂにも臨界電流
を越える大電流が流れ、スイッチ５ｂがＯＦＦ状態にな
るので、フィードバックコイル５に大電流が流れるとい
う不都合の発生を未然に阻止できる。
【００２８】また、この実施例を採用すれば、薄膜技術
を用いてＳＱＵＩＤ素子を作成するに当って、ヒータ６
の位置、サイズ等を簡単に設定することができるのであ
るから、磁束トラップの除去を一層効果的に達成でき
る。また、温度勾配の解消等にも適用できる。
を用いてＳＱＵＩＤ素子を作成するに当って、ヒータ６
の位置、サイズ等を簡単に設定することができるのであ
るから、磁束トラップの除去を一層効果的に達成でき
る。また、温度勾配の解消等にも適用できる。
【００２９】
【実施例４】図４はこの発明の磁束トラップ除去装置の
さらに他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成
を示す概略図であり、図３の構成と異なる点は、ヒータ
６を折り返し状に形成した点のみである。したがって、
この実施例の場合には、図３の実施例と同様の作用を達
成できるほか、磁束検出動作時にヒータ６に通電される
ことに起因する磁束が折り返しの前後で互に逆向きにな
るので、ヒータ６に通電されることに起因する磁束が超
伝導ループ２に対して雑音磁束として導かれることを未
然に防止でき、ヒータ６に常時通電され続けることに起
因する磁束検出感度の低下を未然に防止できる。
さらに他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成
を示す概略図であり、図３の構成と異なる点は、ヒータ
６を折り返し状に形成した点のみである。したがって、
この実施例の場合には、図３の実施例と同様の作用を達
成できるほか、磁束検出動作時にヒータ６に通電される
ことに起因する磁束が折り返しの前後で互に逆向きにな
るので、ヒータ６に通電されることに起因する磁束が超
伝導ループ２に対して雑音磁束として導かれることを未
然に防止でき、ヒータ６に常時通電され続けることに起
因する磁束検出感度の低下を未然に防止できる。
【００３０】
【実施例５】図５はこの発明の磁束トラップ除去装置の
他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す
概略図であり、図１の構成と異なる点は、ヒータ６をバ
イアス供給配線２ａの途中に直列接続した点のみであ
る。したがって、この実施例の場合にも、図１の場合と
同様の作用を達成できる。
他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す
概略図であり、図１の構成と異なる点は、ヒータ６をバ
イアス供給配線２ａの途中に直列接続した点のみであ
る。したがって、この実施例の場合にも、図１の場合と
同様の作用を達成できる。
【００３１】
【実施例６】図６はこの発明の磁束トラップ除去装置の
さらに他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成
を示す概略図であり、図５の構成と異なる点は、ヒータ
６を折り返し状に形成した点のみである。したがって、
この実施例の場合には、図５の実施例と同様の作用を達
成できるほか、磁束検出動作時にヒータ６に通電される
ことに起因する磁束が折り返しの前後で互に逆向きにな
るので、ヒータ６に通電されることに起因する磁束が超
伝導ループ２に対して雑音磁束として導かれることを未
然に防止でき、ヒータ６に常時通電され続けることに起
因する磁束検出感度の低下を未然に防止できる。
さらに他の実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成
を示す概略図であり、図５の構成と異なる点は、ヒータ
６を折り返し状に形成した点のみである。したがって、
この実施例の場合には、図５の実施例と同様の作用を達
成できるほか、磁束検出動作時にヒータ６に通電される
ことに起因する磁束が折り返しの前後で互に逆向きにな
るので、ヒータ６に通電されることに起因する磁束が超
伝導ループ２に対して雑音磁束として導かれることを未
然に防止でき、ヒータ６に常時通電され続けることに起
因する磁束検出感度の低下を未然に防止できる。
【００３２】
【実施例７】図７はこの発明の磁束トラップ除去方法の
一実施例を説明するフローチャートであり、ステップＳ
Ｐ１においてＳＱＵＩＤ素子を超伝導転移温度以下にま
で冷却し、ステップＳＰ２において磁束トラップが生じ
ているか否かを判別する。そして、磁束トラップが生じ
ていなければ、ステップＳＰ６においてそのまま磁束検
出動作を行なう。
一実施例を説明するフローチャートであり、ステップＳ
Ｐ１においてＳＱＵＩＤ素子を超伝導転移温度以下にま
で冷却し、ステップＳＰ２において磁束トラップが生じ
ているか否かを判別する。そして、磁束トラップが生じ
ていなければ、ステップＳＰ６においてそのまま磁束検
出動作を行なう。
【００３３】逆に、ステップＳＰ２において磁束トラッ
プが生じていると判別された場合には、ステップＳＰ３
において、位相ロックループ回路に代えてヒータ電源に
よりフィードバックコイルに大電流を供給することによ
りＳＱＵＩＤ素子の該当箇所を加熱して、該当箇所を常
伝導状態に転移させ、ステップＳＰ４においてヒータ電
源によるフィードバックコイルへの大電流の通電を停止
し、ステップＳＰ５においてＳＱＵＩＤ素子が超伝導転
移温度以下に冷却されるまで待ち、そのままステップＳ
Ｐ６の磁束検出動作を行なう。
プが生じていると判別された場合には、ステップＳＰ３
において、位相ロックループ回路に代えてヒータ電源に
よりフィードバックコイルに大電流を供給することによ
りＳＱＵＩＤ素子の該当箇所を加熱して、該当箇所を常
伝導状態に転移させ、ステップＳＰ４においてヒータ電
源によるフィードバックコイルへの大電流の通電を停止
し、ステップＳＰ５においてＳＱＵＩＤ素子が超伝導転
移温度以下に冷却されるまで待ち、そのままステップＳ
Ｐ６の磁束検出動作を行なう。
【００３４】尚、この磁束トラップ除去方法が適用され
るＳＱＵＩＤ素子の構成としては、従来のＳＱＵＩＤ素
子と同様の構成のものが採用できる。但し、フィードバ
ックコイル５については、超伝導材料ではなく、通常伝
導材料で形成されたものを用いることが好ましく、通電
電流の急激な増加を未然に防止できる。
るＳＱＵＩＤ素子の構成としては、従来のＳＱＵＩＤ素
子と同様の構成のものが採用できる。但し、フィードバ
ックコイル５については、超伝導材料ではなく、通常伝
導材料で形成されたものを用いることが好ましく、通電
電流の急激な増加を未然に防止できる。
【００３５】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明は、ヒータ
を設けることに伴なう、極低温ケーシングを貫通する配
線の数の増加を未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも
未然に防止して、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体と
しての構成の複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ
素子の冷却を容易化でき、しかも磁束トラップを確実に
除去できるという特有の効果を奏する。
を設けることに伴なう、極低温ケーシングを貫通する配
線の数の増加を未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも
未然に防止して、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体と
しての構成の複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ
素子の冷却を容易化でき、しかも磁束トラップを確実に
除去できるという特有の効果を奏する。
【００３６】請求項２の発明も、ヒータを設けることに
伴なう、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を
未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも未然に防止し
て、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の
複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を
容易化でき、しかも磁束トラップを確実に除去できると
いう特有の効果を奏する。
伴なう、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を
未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも未然に防止し
て、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の
複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を
容易化でき、しかも磁束トラップを確実に除去できると
いう特有の効果を奏する。
【００３７】請求項３の発明も、ヒータを設けることに
伴なう、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を
未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも未然に防止し
て、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の
複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を
容易化でき、しかも磁束トラップを確実に除去できると
いう特有の効果を奏する。
伴なう、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を
未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも未然に防止し
て、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の
複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を
容易化でき、しかも磁束トラップを確実に除去できると
いう特有の効果を奏する。
【００３８】請求項４の発明は、ＳＱＵＩＤ素子動作時
にヒータに流れる電流に起因する磁束が発生しても、折
り返しの前後において磁束の向きが互に逆になり、互に
キャンセルし合うことになるので、超伝導ループにノイ
ズ磁束として作用することを未然に防止できる。請求項
５の発明は、フィードバックコイルによりヒータを兼ね
させて、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を
未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも未然に防止し
て、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の
複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を
容易化でき、しかも磁束トラップを確実に除去できると
いう特有の効果を奏する。
にヒータに流れる電流に起因する磁束が発生しても、折
り返しの前後において磁束の向きが互に逆になり、互に
キャンセルし合うことになるので、超伝導ループにノイ
ズ磁束として作用することを未然に防止できる。請求項
５の発明は、フィードバックコイルによりヒータを兼ね
させて、極低温ケーシングを貫通する配線の数の増加を
未然に防止し、外部侵入熱量の増加をも未然に防止し
て、ＳＱＵＩＤ素子を含むシステム全体としての構成の
複雑化を防止できるとともに、ＳＱＵＩＤ素子の冷却を
容易化でき、しかも磁束トラップを確実に除去できると
いう特有の効果を奏する。
【図１】この発明の磁束トラップ除去装置の一実施例が
組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略図であ
る。
組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略図であ
る。
【図２】この発明の磁束トラップ除去装置の他の実施例
が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略図であ
る。
が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略図であ
る。
【図３】この発明の磁束トラップ除去装置のさらに他の
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
【図４】この発明の磁束トラップ除去装置のさらに他の
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
【図５】この発明の磁束トラップ除去装置のさらに他の
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
【図６】この発明の磁束トラップ除去装置のさらに他の
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
実施例が組み込まれたＳＱＵＩＤ素子の構成を示す概略
図である。
【図７】この発明の磁束トラップ除去方法の一実施例を
説明するフローチャートである。
説明するフローチャートである。
【図８】従来の磁束トラップ除去装置が組み込まれたＳ
ＱＵＩＤ素子の構成を示す概略図である。
ＱＵＩＤ素子の構成を示す概略図である。
１ 極低温ケーシング ２ 超伝導ループ ２ａ バイアス供給配線 ３ ジョセフソン接合 ４ インプットコイル ５ フィードバックコイル ６ ヒータ
Claims (5)
- 【請求項１】 ジョセフソン接合（３）を有する超伝導
ループ（２）、超伝導ループ（２）に磁束を導くインプ
ットコイル（４）およびインプットコイル（４）により
超伝導ループ（２）に導かれる磁束の変化を補償すべく
補償用磁束を超伝導ループ（２）に導くフィードバック
コイル（５）を含む超伝導量子干渉素子が、内部温度が
超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシング
（１）内に収容されてあり、超伝導量子干渉素子を加熱
して常伝導状態に転移させるヒータ（６）が極低温ケー
シング（１）内においてフィードバックコイル（５）と
直列接続されてあることを特徴とする超伝導量子干渉素
子の磁束トラップ除去装置。 - 【請求項２】 ジョセフソン接合（３）を有する超伝導
ループ（２）、超伝導ループ（２）に磁束を導くインプ
ットコイル（４）およびインプットコイル（４）により
超伝導ループ（２）に導かれる磁束の変化を補償すべく
補償用磁束を超伝導ループ（２）に導くフィードバック
コイル（５）を含む超伝導量子干渉素子が、内部温度が
超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシング
（１）内に収容されてあり、超伝導量子干渉素子を加熱
して常伝導状態に転移させるヒータ（６）が極低温ケー
シング（１）内においてフィードバックコイル（５）と
並列接続されてあることを特徴とする超伝導量子干渉素
子の磁束トラップ除去装置。 - 【請求項３】 ジョセフソン接合（３）を有する超伝導
ループ（２）、超伝導ループ（２）に磁束を導くインプ
ットコイル（４）およびインプットコイル（４）により
超伝導ループ（２）に導かれる磁束の変化を補償すべく
補償用磁束を超伝導ループ（２）に導くフィードバック
コイル（５）を含む超伝導量子干渉素子が、内部温度が
超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシング
（１）内に収容されてあり、超伝導量子干渉素子を加熱
して常伝導状態に転移させるヒータ（６）が極低温ケー
シング（１）内において超伝導ループ（２）のバイアス
供給配線（２ａ）と直列接続されてあることを特徴とす
る超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去装置。 - 【請求項４】 ヒータ（６）が折り返し状に形成されて
ある請求項１から請求項３の何れかに記載の超伝導量子
干渉素子の磁束トラップ除去装置。 - 【請求項５】 ジョセフソン接合（３）を有する超伝導
ループ（２）、超伝導ループ（２）に磁束を導くインプ
ットコイル（４）およびインプットコイル（４）により
超伝導ループ（２）に導かれる磁束の変化を補償すべく
補償用磁束を超伝導ループ（２）に導くフィードバック
コイル（５）を含む超伝導量子干渉素子が、内部温度が
超伝導転移温度以下に冷却された極低温ケーシング
（１）内に収容されてあり、フィードバックコイルに強
制的に大電流を供給することにより超伝導量子干渉素子
の少なくとも一部を通常伝導状態に転移させ、その後、
ヒータに対する大電流の供給を停止して超伝導量子干渉
素子を冷却し、超伝導状態に転移させることを特徴とす
る超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5057461A JPH06275872A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5057461A JPH06275872A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275872A true JPH06275872A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13056322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5057461A Withdrawn JPH06275872A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 超伝導量子干渉素子の磁束トラップ除去方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275872A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09145811A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-06-06 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導量子干渉素子装置 |
| WO1999064796A1 (fr) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Hitachi, Ltd. | Recipient cryogenique et magnetometre l'utilisant |
| EP1043597A2 (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for adjusting the working point of a squid |
| JP2007064930A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | National Institute For Materials Science | 超伝導量子干渉素子用電子回路及びそれを用いた装置 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5057461A patent/JPH06275872A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09145811A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-06-06 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導量子干渉素子装置 |
| WO1999064796A1 (fr) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Hitachi, Ltd. | Recipient cryogenique et magnetometre l'utilisant |
| US6332324B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-12-25 | Hitachi, Ltd. | Cryostat and magnetism measurement apparatus using the cryostat |
| EP1043597A2 (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for adjusting the working point of a squid |
| EP1043597A3 (en) * | 1999-04-09 | 2001-07-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for adjusting the working point of a squid |
| EP1243936A2 (en) * | 1999-04-09 | 2002-09-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Squid Magnetometer |
| EP1243937A2 (en) * | 1999-04-09 | 2002-09-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting magnetic sensor heater |
| EP1243936A3 (en) * | 1999-04-09 | 2002-11-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Squid Magnetometer |
| EP1243937A3 (en) * | 1999-04-09 | 2002-11-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting magnetic sensor heater |
| US6498483B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for easily adjusting working point of SQUID |
| JP2007064930A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | National Institute For Materials Science | 超伝導量子干渉素子用電子回路及びそれを用いた装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040304 |