JPH06273621A - 偏光子およびその製造方法 - Google Patents

偏光子およびその製造方法

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JPH06273621A
JPH06273621A JP3075593A JP3075593A JPH06273621A JP H06273621 A JPH06273621 A JP H06273621A JP 3075593 A JP3075593 A JP 3075593A JP 3075593 A JP3075593 A JP 3075593A JP H06273621 A JPH06273621 A JP H06273621A
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JP
Japan
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vapor deposition
polarizer
transparent substrate
metal layer
liquid crystal
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JP3075593A
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English (en)
Inventor
Ryuji Osawa
隆二 大沢
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 引き伸し工程を行わず、高透磁率、高消光比
を持ち、小型化および薄膜化が可能である安価な偏光子
を提供する。 【構成】 偏光子は透明基板１上に物理蒸着方法により
誘電体層と金属層とを交互に形成してなり、前記金属層
は前記透明基板１の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度
で金属粒子を入射させて形成する。前記透明基板１は蒸
着面に平行に形成された複数の溝を有するようにしても
よい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜によりなる偏光
子、この偏光子を有する光アイソレータおよび液晶表示
体並びにこれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】偏光子は特定の振動方向の光だけを透過
し、他の光は吸収する機能を持っており、さまざまな構
成の偏光子が実行化されている。たとえば、ポリビニル
アルコール−ヨウ素錯体または、ポリビニルアルコール
−２色性染料からなる高分子薄膜を偏光方向に延伸して
作製された偏光フィルムや、複屈折性の結晶を貼り合わ
せたグラントムソンプリズム、ソーダガラス中に銀コロ
イドを析出させ、偏光方向に延伸させたボーラコア、さ
らに連続な金属薄膜と誘電体の交互多層膜によって形成
されたラミボールなどがある。
【０００３】また、偏光子を有する光アイソレータとし
て、図１３に示すように永久磁石６０内に磁気光学結晶
を装着したファラデー回転子６１の両側に、金属格子状
の偏光子６２，６３を配置したものがある。ファラデー
回転子６１は、入射光の偏波面を４５度回転させるもの
であり、その両側に位置する偏光子６２，６３はそれぞ
れ通過偏波面が４５度異なる向きで組み合わされてい
る。
【０００４】また、偏光板を有する液晶表示体をして、
図１５に示すように、液晶層７０と、これを挟持して対
向する透明電極７１と、これらを挟持して対向する透明
基板７２と、これらの透明基板７２の外表面に形成され
た偏光板７３とを有し、かつ、前記偏光板７３が主とし
て高分子フィルムからなるものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】偏光子には、（１）挿
入損失が少なくて透過率が高いこと、（２）消光比が高
いこと、（３）小型化および薄膜化が可能であることお
よび（４）安価であることが主として要求されている。
しかしながら、従来の偏光子はそれらの要求項目をすべ
て満足できるものはなかった。
【０００６】そして、従来の偏光子の製造方法として、
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法な
どのいわゆる物理蒸着法を用いるものが知られている。
この従来の偏光子の製造方法において、基板材料と薄膜
材料が異なる場合の薄膜の形成過程は、ほとんどの場
合、核成長論に従って薄膜の形成が行なわれるといわれ
ている。
【０００７】この核成長論は、基体が凝集するのと同様
に基板へ到達した単原子のいくつかが付着し、この付着
単原子が基板表面上を動き回るうちに複数個の原子集団
に合体して核が形成される。この核はさらに基板に入射
する単原子を取り込みながら成長し、やがて多数の核が
合体して膜になるというものである。
【０００８】ここで、膜になる以前の、多数の核が存在
している構造は島状構造と呼ばれており、図６に示すよ
うに、その核５２の形状は、通常基板５１の面に対して
垂直な方向から見て円形であり、基板５１の面に対して
平行な方向から見て潰れた楕円形の回転楕円体であるこ
とが知られている。
【０００９】また、一般に無数の金属粒子を内部に分散
させたガラスは光の可視領域で共鳴吸収特性を示すこと
が知られている。この共鳴波長は金属粒子の種類、形
状、密度等に依存する。このため、引き伸ばし処理等の
方法により金属粒子の形状に異方性を与えると、共鳴吸
収波長に偏波依存性が生じ、光学異方性が実現できる。
ポーラコアはこの性質を利用して、偏光子を形成してい
る。
【００１０】一方、島状構造の金属薄膜においてもこの
共鳴吸収特性を示し、この島状構造金属薄膜と透明なガ
ラス層を積層し、その後に引き伸ばし処理により島状構
造金属薄膜の形状を引き伸ばした方向に長く伸びた異方
性を持たせ、偏光子を形成する試みも行なわれている
が、実現に至っていない。
【００１１】また、従来の光アイソレータにおいては、
偏光子およびファラデー回転子などの部品をひとつひと
つその相対的な角度および寸法を調節しながら組み立て
いるので、生産効率が非常に悪いという問題がある。さ
らに、従来の光アイソレータにおいては、これを組み込
む光学機械の小型化にともなって小型化が要求されてい
るが小型化できないという問題がある。
【００１２】また、従来の液晶表示体においては、偏光
板が主として高分子フィルムからなるので、高温にさら
された場合に特性が劣化するという問題がある。
【００１３】本発明の第の課題は、引き伸ばし工程を行
なわず、高透過率、高消光比を持ち、小型化および薄膜
化が可能である安価な偏光子を提供することにある。
【００１４】本発明の第２の課題は、生産効率が良く、
かつ、小型化に適している光アイソレータを提供するこ
とにある。
【００１５】本発明の第３の課題は、耐熱性がある液晶
表示体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明基
板上に物理的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互
に形成してなる偏光子において、前記金属層は前記透明
基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を
入射させることにより形成してなることを特徴とする偏
光子が得られる。
【００１７】また、本発明によれば、透明基板上に物理
的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成する
偏光子の製造方法において、前記金属層を形成する場合
に前記基体の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属
粒子を入射させることを特徴とする偏光子の製造方法が
得られる。
【００１８】また、本発明によれば、透明基板上に物理
的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成して
なる偏光子において、前記透明基板は蒸着面に平行に形
成された複数の溝を有し、かつ、前記金属層は前記透明
基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を
入射させることにより形成してなることを特徴とする偏
光子が得られる。
【００１９】また、本発明によれば、透明基板上に物理
的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成する
偏光子の製造方法において、前記透明基板の蒸着面に複
数の溝を平行に形成し、次に前記金属層を形成する場合
に前記透明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で
金属粒子を入射させることを特徴とする偏光子の製造方
法が得られる。
【００２０】また、本発明によれば、光入射面および光
出射面に偏光子を具備するファラデー回転子と、該ファ
ラデー回転子に磁界を印加する磁石とから構成される光
アイソレータにおいて、前記偏光子は透明基板上に物理
的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成して
なり、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対して所定
範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることにより形成
してなることを特徴とする光アイソレータが得られる。
【００２１】また、本発明によれば、光入射面および光
出射面に偏光子を具備するファラデー回転子と、該ファ
ラデー回転子に磁界を印加する磁石とから構成される光
アイソレータの製造方法において、透明基板上に物理的
蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成する偏
光子を作る場合に、前記金属層を形成する場合に前記基
体の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入
射させることにより前記金属層を形成することを特徴と
する光アイソレータの製造方法が得られる。
【００２２】また、本発明によれば、光入射面および光
出射面に偏光子を具備するファラデー回転子と、該ファ
ラデー回転子に磁界を印加する磁石とから構成される光
アイソレータにおいて、前記偏光子は透明基板上に物理
的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成して
なり、前記透明基板は蒸着面に平行に形成された複数の
溝を有し、かつ、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に
対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させること
により形成してなることを特徴とする光アイソレータが
得られる。
【００２３】また、本発明によれば、光入射面および光
出射面に偏光子を具備するファラデー回転子と、該ファ
ラデー回転子に磁界を印加する磁石とから構成される光
アイソレータの製造方法において、前記透明基板上に物
理的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成し
て偏光子を作る場合に、前記透明基板の蒸着面に複数の
溝を平行に形成し、次に前記金属層を形成する場合に前
記透明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属
粒子を入射させることを特徴とする光アイソレータの製
造方法が得られる。
【００２４】また、本発明によれば、液晶層と、これを
挟持して対向する透明電極と、これらを挟持して対向す
る透明基板と、これらの透明基板の外表面に形成された
偏光子とを有する液晶表示体において、前記偏光子は透
明基板上に物理的蒸着方法により誘電体層と金属層とを
交互に形成してなり、前記金属層は前記透明基板の蒸着
面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させる
ことにより形成してなることを特徴とする液晶表示体が
得られる。
【００２５】また、本発明によれば、液晶層と、これを
挟持して対向する透明電極と、これらを挟持して対向す
る透明基板と、これらの透明基板の外表面に形成された
偏光子とを有する液晶表示体の製造方法において、前記
透明基板上に物理的蒸着方法により誘電体層と金属層と
を交互に形成する偏光子を作る場合に、前記金属層を形
成する場合に前記透明基板の蒸着面に対して所定範囲の
傾斜角度で金属粒子を入射させることにより前記金属層
を形成することを特徴とする液晶表示体の製造方法が得
られる。
【００２６】また、本発明によれば、液晶層と、これを
挟持して対向する透明電極と、これらを挟持して対向す
る透明基板と、これらの透明基板の外表面に形成された
偏光子とを有する液晶表示体において、前記偏光子は透
明基板上に物理的蒸着方法により誘電体層と金属層とを
交互に形成してなり、前記透明基板は蒸着面に平行に形
成された複数の溝を有し、かつ、前記金属層は前記透明
基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を
入射させることにより形成してなることを特徴とする液
晶表示体が得られる。
【００２７】また、本発明によれば、液晶層と、これを
挟持して対向する透明電極と、これらを挟持して対向す
る透明基板と、これらの透明基板の外表面に形成された
偏光子とを有する液晶表示体の製造方法において、前記
透明基板上に物理的蒸着方法により誘電体層と金属層と
を交互に形成して偏光子を作る場合に、前記透明基板の
蒸着面に複数の溝を平行に形成し、次に前記金属層を形
成する場合に前記透明基板の蒸着面に対して所定範囲の
傾斜角度で金属粒子を入射させることを特徴とする液晶
表示体の製造方法が得られる。
【００２８】
【実施例】
（実施例１）第１の発明は、透明基板上に物理的蒸着方
法により誘電体層と金属層とを交互に形成してなる偏光
子において、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対し
て所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることによ
り形成してなることを特徴とする偏光子である。
【００２９】第２の発明は、透明基板上に物理的蒸着方
法により誘電体層と金属層とを交互に形成する偏光子の
製造方法において、前記金属層を形成する場合に前記基
体の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入
射させることを特徴とする偏光子の製造方法である。
【００３０】図１に示すように、第１および第２の発明
における透明基板１上に形成される核２の形状は、入射
方向に対して長軸が一致した回転楕円体となる。この斜
め入射による島状構造の金属層は、薄膜の面に対して垂
直な方向から光を入射する場合、長軸方向に偏光方向を
持つ光の吸収波長は、短軸方向に偏光方向を持つ光の吸
収波長に比べ長波長側にシフトする。この特性を利用す
れば、偏光子を形成することができる。第１および第２
の発明は、引き伸ばし工程を行なう必要がなく、金属の
種類およびガラス等の光学的に透明な誘電体の種類にも
制限されることがなく、かつ、機械的強度および使用す
る光の波長などに対して広い範囲にわたって適用するこ
とができる。
【００３１】次に、第１および第２の発明の具体的な実
施例を詳細に説明する。
【００３２】第１および第２の発明に使用した薄膜形成
装置の概略図を図に示す。薄膜形成方法としてＲＦマグ
ネトロンスパッタ法を使用し、金属としてＡｕを使用
し、光学的に透明な誘電体としてＳｉＯ2 を使用した。
真空容器３内に直径１００ｍｍのＡｕターゲット４およ
びＳｉＯ2 ターゲット５を配置し、基板１としてスライ
ドガラスを使用した。基板１の位置はＳｉＯ2 ターゲッ
ト５の直上とし、Ａｕターゲット４中心から基板１の中
心部への入射角θを１６°とした。
【００３３】基板１を固定したままで、ＳｉＯ2 膜とＡ
ｕ島状構造膜を交互に作製した。この場合のＳｉＯ2 ス
パッタの条件は、スパッタ圧力が０．１Ｐａ（Ａｒ：１
４ｃｃ／ｍｉｎ、Ｏ2 ：６ｃｃ／ｍｉｎ）であり、ＲＦ
パワーが１００Ｗであり、かつ、スパッタ時間が１分３
０秒であり、かつ、Ａｕスパッタの条件は、スパッタ圧
力が０．１Ｐａ（Ａｒ：１４ｃｃ／ｍｉｎ）であり、Ｒ
Ｆパワーが１００Ｗであり、かつ、スパッタ時間が１分
３０秒である。
【００３４】この時のＳｉＯ2 膜の層数は１１層であ
り、Ａｕ膜の層数は１０層とした。
【００３５】ここで、形成されるＳｉＯ2 膜の膜厚は１
０ｎｍ、Ａｕ膜の平均膜厚は約３ｎｍである。
【００３６】作製された積層膜の偏光特性を分光光度計
により測定した。
【００３７】積層膜において、Ａｕスパッタ粒子の入射
方向に平行な方向をＸ軸にとり、それに直行する方向を
Ｙ軸とすると、入射光を４００ｎｍ〜１６００ｎｍとし
た時の、偏波面をＸ軸方向とした時の透過率（ＴX ）
と、Ｙ軸方向にした時の透過率（ＴY ）を図３に示す。
図３より、あきらかにＸ軸方向とＹ軸方向の吸収波長が
異なり、Ｘ軸方向で吸収波長が長く、Ｙ軸方向で短くな
っている。
【００３８】また、挿入損失も広い範囲で低くなってい
るのがわかる。
【００３９】さらに、１０Ｌｏｇ（ＴY ／ＴX ）で示さ
れる消光比を図４に示す。この図４より、十分な偏光特
性が得られ、波長８００ｎｍにおいて、最大３０ｄＢの
消光比が得られたことがわかる。
【００４０】また、波長８００ｎｍにおいて、Ｘ軸に対
する偏波面の傾きをθX とした時の透過率を図５に示
す。この図５より、偏光子の偏光方向はＡｕスパッタ粒
子の入射方向と同一になっていることがわかる。
【００４１】なお、上記例では、島状金属層をＡｕと
し、誘電体層をＳｉＯ2 としたが、島状金属層の材料は
金属であればよいが、特に電気抵抗の低いものが望まし
く、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｕ、
Ｂｅ、Ｍｇ、Ｒｈであればよい。
【００４２】また、誘電体層をＳｉＯ2 としたが、誘電
体層についても、光学的に透明であればよく、ＳｉＯ2
単体だけでなく、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｎａ、
Ｌｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｂ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｌ、Ｐ、Ａｇ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｙ、Ｓ
ｃ、Ｈｆ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｂなどの酸化物や、
少なくとも１つ以上含むガラスであればよい。
【００４３】さらに、本発明の実施例において、島状構
造金属層のスパッタ粒子（金属粒子）の入射角度を１６
°としたが、本発明の意図するところは斜めから入射さ
せることにあり、その入射角度は５。〜４５。の範囲で
あることが望ましい。また、島状構造金属層および誘電
体層の層数についても本発明の実施例に制限されない。
【００４４】（実施例２）第３の発明は、図７乃至図９
に示すように、透明基板１上に物理的蒸着方法により誘
電体層と金属層とを交互に形成してなる偏光子におい
て、前記透明基板１は蒸着面１ａに平行に形成された複
数の溝１ｂを有し、かつ、前記金属層は前記透明基板１
の蒸着面１ａに対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を
入射させることにより形成してなることを特徴とする偏
光子である。
【００４５】第４の発明は、図７乃至図９に示すよう
に、透明基板１上に物理的蒸着方法により誘電体層と金
属層とを交互に形成する偏光子の製造方法において、前
記透明基板１の蒸着面１ａに複数の溝１ｂを平行に形成
し、次に前記金属層を形成する場合に前記透明基板１の
蒸着面１ａに対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入
射させることを特徴とする偏光子の製造方法である。
【００４６】図８に示すように、前記透明基板１の蒸着
面１ａにおける複数の溝１ｂに対して矢印Ａで示すよう
に入射角θ、偏角φで金属粒子を入射させると、溝１ａ
の片側にのみ回転楕円体の核を形成することができる。
すなわち、これにより図９に示すように前記透明基板１
に対して島状粒子間の水平方向の間隔が、溝１ａの間隔
Ｌによって制御することができる。
【００４７】ここで、ポーラコア等の研究により、使用
波長において透過方向の偏波面を持つ入射光（金属粒子
の単軸方向に偏波面を持つ入射光）の吸収および反射を
低減し、透過率を大きくするためには、金属粒子の単軸
方向の間隔を使用波長に対して同等かそれ以上とするこ
とが必要であることが知られている。このことにより、
前記透明基板の表面に形成する溝の間隔Ｌは、０．４μ
ｍ以上であることが必要となる。また、溝の間隔Ｌは、
吸収方向の偏波面を持つ入射光（金属粒子の長軸方向に
偏波面を持つ入射光）の吸収が低下する２．０μｍであ
ることが望ましい。
【００４８】また、島状構造の金属薄膜と透明な誘電体
層を積層させることによってさらに消光比が高い偏光子
を作製することができる。
【００４９】この本発明による偏光子は、引き伸し工程
を行う必要がなく、金属の種類およびガラス等の透明な
誘電体の種類にも制限されることがないので、機械的強
度および使用する光の波長などに対して広い範囲にわた
って適用することができる。次に、第３および第４の発
明の具体的な実施例を詳細に説明する。
【００５０】前記偏角φを３０°としたほかは前記実施
例１と同様の条件で偏光子を作製したところ、前記実施
例１とほぼ同様の特性および効果が得られた。なお、前
記入射角θは５。〜４５。の範囲であることが望まし
く、かつ、前記偏角φは２０°〜９０°の範囲であるこ
とが望ましい。
【００５１】（実施例３）第５の発明は、図１０に示す
ように、光入射面および光出射面に偏光子１０，１１を
具備するファラデー回転子１２と、該ファラデー回転子
１２に磁界を印加する磁石１３とから構成される光アイ
ソレータにおいて、前記偏光子１０，１１は透明基板１
上に物理的蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に
形成してなり、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対
して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることに
より形成してなることを特徴とする光アイソレータであ
る。
【００５２】第６の発明は、図１０に示すように、光入
射面および光出射面に偏光子１０，１１を具備するファ
ラデー回転子１２と、該ファラデー回転子１２に磁界を
印加する磁石１３とから構成される光アイソレータの製
造方法において、透明基板１上に物理的蒸着方法により
誘電体層と金属層とを交互に形成する偏光子１０，１１
を作る場合に、前記金属層を形成する場合に前記透明基
板１の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を
入射させることにより前記金属層を形成することを特徴
とする光アイソレータの製造方法である。
【００５３】第５および第６の発明は、光アイソレータ
の偏光子を前記実施例１と同じ構成としたものである。
なお、図１１および図１２に示すように、ファラデー回
転子１２の一面に偏光子１０を形成する場合の金属粒子
の入射方向Ｂに対して、ファラデー回転子１２の他の面
に偏光子１１を形成する場合の金属粒子の入射方向Ｃ
は、４５度回転させた方向とする。ファラデー回転子１
２に磁石１３が有機接着剤またはメタライズにより固定
される。
【００５４】（実施例４）第７の発明は、図１０に示す
ように、光入射面および光出射面に偏光子１０、１１を
具備するファラデー回転子１２と、該ファラデー回転子
１２に磁界を印加する磁石とから構成される光アイソレ
ータにおいて、前記偏光子は透明基板上に物理蒸着方法
により誘電体層と金属層とを交互に形成してなり、前記
透明基板は蒸着面に平行に形成された複数の溝を有し、
かつ、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対して所定
範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることにより形成
してなることを特徴とする光アイソレータである。
【００５５】第８の発明は、図１０に示すように、光入
射面および光出射面に偏光子１０、１１を具備するファ
ラデー回転子１２と、該ファラデー回転子１２に磁界を
印加する磁石１３とから構成される光アイソレータの製
造方法において、透明基板上に物理蒸着方法により誘電
体層と金属層とを交互に形成して偏光子を作る場合に、
前記透明基板の蒸着面に平行に複数の溝を形成し、次に
前記金属層を形成する場合に前記透明基板の蒸着面に対
して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることを
特徴とする光アイソレータである。
【００５６】第７および第８の発明は、前記ファラデー
回転子１２に前記実施例２と同じ偏光子を形成してなる
ものである。なお、第７および第８の発明は、前記透明
基板の蒸着面に平行に複数の溝を形成する点を除けば前
記実施例３と同じである。
【００５７】（実施例５）第９の発明は、図１４に示す
ように、液晶層２０と、これを挟持して対向する透明電
極２１と、これらを挟持して対向する透明基板２２と、
これらの透明基板２２の外表面に形成された偏光子２３
とを有する液晶表示体において、前記偏光子２３は透明
基板上に物理蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互
に形成してなり、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に
対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させること
により形成してなることを特徴とする液晶表示体であ
る。
【００５８】第１０の発明は、図１４に示すように、液
晶層２０と、これを挟持して対向する透明電極２１と、
これらを挟持して対向する透明基板２２と、これらの透
明基板２２の外表面に形成された偏光子２３とを有する
液晶表示体の製造方法において、透明基板上に物理蒸着
方法により誘電体層と金属層とを交互に形成して偏光子
２３を作る場合に、前記金属層を形成する場合に前記透
明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子
を入射させることを特徴とする液晶表示体の製造方法で
ある。
【００５９】第９および第１０の発明は、前記透明基板
に前記実施例１と同じ偏光子を形成してなるものであ
る。
【００６０】（実施例６）第１１の発明は、図１４に示
すように、液晶層２０と、これを挟持して対向する透明
電極２１と、これらを挟持して対向する透明基板２２
と、これらの透明基板２２の外表面に形成された偏光子
２３とを有する液晶表示体において、前記偏光子２３は
透明基板上に物理蒸着方法により誘電体層と金属層とを
交互に形成してなり、前記透明基板は蒸着面に平行に形
成された複数の溝を有し、かつ、前記金属層は前記透明
基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を
入射させることにより形成してなることを特徴とする液
晶表示体である。
【００６１】第１２の発明は、図１４に示すように、液
晶層２０と、これを挟持して対向する透明電極２１と、
これらを挟持して対向する透明基板２２と、これらの透
明基板２２の外表面に形成された偏光子２３とを有する
液晶表示体の製造方法において、透明基板上に物理蒸着
方法により誘電体層と金属層とを交互に形成して偏光子
２３を作る場合に、前記透明基板の蒸着面に平行に複数
の溝を形成し、次に前記金属層を形成する場合に前記透
明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子
を入射させることを特徴とする液晶表示体の製造方法で
ある。
【００６２】第１１および第１２の発明は、前記透明基
板に前記実施例２と同じ偏光子を形成してなるものであ
る。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、引き伸し工程を行わ
ず、高透磁率、高消光比を持ち、小型化および薄膜化が
可能である安価な偏光子を得ることができる。
【００６４】また、本発明によれば、生産効率が良く、
かつ、小型化に適している光アイソレータを得ることが
できる。
【００６５】また、本発明によれば、耐熱性がある液晶
表示体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１および第２の発明における島状構造の核の
形状を示す概念図である。
【図２】第１および第２の発明を実施する装置の概念図
である。
【図３】第１および第２の発明の実施例における透過率
の測定結果を示す図である。
【図４】第１および第２の発明の実施例における消光比
の測定結果を示す図である。
【図５】第１および第２の発明の実施例における偏光方
向の測定結果を示す図である。
【図６】従来の島状構造の核の形状を示す概念図であ
る。
【図７】第３および第４の発明における偏光子の透明基
板および島状構造の核の形状を示す概念図である。
【図８】第３および第４の発明における偏光子の透明基
板および金属粒子の入射方向を示す概念図である。
【図９】第３および第４の発明における偏光子の透明基
板および金属粒子の入射方向を示す概念図である。
【図１０】第５および第６の発明の実施例を示す断面図
である。
【図１１】第５および第６の発明の実施例におけるファ
ラデー回転子に偏光子を形成する方法を説明するための
斜視図である。
【図１２】第５および第６の発明の実施例におけるファ
ラデー回転子に偏光子を形成する方法を説明するための
斜視図である。
【図１３】従来の光アイソレータを示す断面図である。
【図１４】第５の発明の液晶表示体を示す断面図であ
る。
【図１５】従来の液晶表示体を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 透明基板 ２ 核 ４ Ａｕターゲット ５ ＳｉＯ2 ターゲット １ａ 蒸着面 １ｂ 溝 １０，１１ 偏光子 １２ ファラデー回転子 １３ 磁石 ２０ 液晶層 ２１ 透明電極 ２２ 透明基板 ２３ 偏光子

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板上に物理的蒸着方法により誘電
    体層と金属層とを交互に形成してなる偏光子において、
    前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対して所定範囲の
    傾斜角度で金属粒子を入射させることにより形成してな
    ることを特徴とする偏光子。
  2. 【請求項２】 透明基板上に物理的蒸着方法により誘電
    体層と金属層とを交互に形成する偏光子の製造方法にお
    いて、前記金属層を形成する場合に前記基体の蒸着面に
    対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させること
    を特徴とする偏光子の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の偏光子において、前記
    金属層がＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃ
    ｕ、Ｂｅ、ＭｇおよびＲｈの少なくとも１つからなる偏
    光子の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の偏光子において、前記
    誘電体層がＳｉ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｎａ、
    Ｌｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｄ、Ｂ
    ｉ、Ｇｅ、Ｔｌ、Ｐ、Ａｇ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｙ、Ｓ
    ｃ、Ｈｆ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｒ、ＭｎおよびＢの少なくとも
    １つの酸化物からなることを特徴とする偏光子の製造方
    法。
  5. 【請求項５】 透明基板上に物理的蒸着方法により誘電
    体層と金属層とを交互に形成してなる偏光子において、
    前記透明基板は蒸着面に平行に形成された複数の溝を有
    し、かつ、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対して
    所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることにより
    形成してなることを特徴とする偏光子。
  6. 【請求項６】 透明基板上に物理的蒸着方法により誘電
    体層と金属層とを交互に形成する偏光子の製造方法にお
    いて、前記透明基板の蒸着面に複数の溝を平行に形成
    し、次に前記金属層を形成する場合に前記透明基板の蒸
    着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させ
    ることを特徴とする偏光子の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載の偏光子において、前記
    透明基板は蒸着面に平行に形成された複数の溝を有し、
    かつ、これらの溝の間隔を０．４〜２．０μｍとしたこ
    とを特徴とする偏光子。
  8. 【請求項８】 光入射面および光出射面に偏光子を具備
    するファラデー回転子と、該ファラデー回転子に磁界を
    印加する磁石とから構成される光アイソレータにおい
    て、前記偏光子は透明基板上に物理的蒸着方法により誘
    電体層と金属層とを交互に形成してなり、前記金属層は
    前記透明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金
    属粒子を入射させることにより形成してなることを特徴
    とする光アイソレータ。
  9. 【請求項９】 光入射面および光出射面に偏光子を具備
    するファラデー回転子と、該ファラデー回転子に磁界を
    印加する磁石とから構成される光アイソレータの製造方
    法において、透明基板上に物理的蒸着方法により誘電体
    層と金属層とを交互に形成する偏光子を作る場合に、前
    記金属層を形成する場合に前記基体の蒸着面に対して所
    定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることにより前
    記金属層を形成することを特徴とする光アイソレータの
    製造方法。
  10. 【請求項１０】 光入射面および光出射面に偏光子を具
    備するファラデー回転子と、該ファラデー回転子に磁界
    を印加する磁石とから構成される光アイソレータにおい
    て、前記偏光子は透明基板上に物理的蒸着方法により誘
    電体層と金属層とを交互に形成してなり、前記透明基板
    は蒸着面に平行に形成された複数の溝を有し、かつ、前
    記金属層は前記透明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾
    斜角度で金属粒子を入射させることにより形成してなる
    ことを特徴とする光アイソレータ。
  11. 【請求項１１】 光入射面および光出射面に偏光子を具
    備するファラデー回転子と、該ファラデー回転子に磁界
    を印加する磁石とから構成される光アイソレータの製造
    方法において、前記透明基板上に物理的蒸着方法により
    誘電体層と金属層とを交互に形成して偏光子を作る場合
    に、前記透明基板の蒸着面に複数の溝を平行に形成し、
    次に前記金属層を形成する場合に前記透明基板の蒸着面
    に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させるこ
    とを特徴とする光アイソレータの製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載のアイソレータにお
    いて、前記偏光子の前記透明基板は蒸着面に平行に形成
    された複数の溝を有し、かつ、これらの溝の間隔を０．
    ４〜２．０μｍとしたことを特徴とする光アイソレー
    タ。
  13. 【請求項１３】 液晶層と、これを挟持して対向する透
    明電極と、これらを挟持して対向する透明基板と、これ
    らの透明基板の外表面に形成された偏光子とを有する液
    晶表示体において、前記偏光子は透明基板上に物理的蒸
    着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成してな
    り、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対して所定範
    囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることにより形成し
    てなることを特徴とする液晶表示体。
  14. 【請求項１４】 液晶層と、これを挟持して対向する透
    明電極と、これらを挟持して対向する透明基板と、これ
    らの透明基板の外表面に形成された偏光子とを有する液
    晶表示体の製造方法において、前記透明基板上に物理的
    蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成する偏
    光子を作る場合に、前記金属層を形成する場合に前記透
    明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子
    を入射させることにより前記金属層を形成することを特
    徴とする液晶表示体の製造方法。
  15. 【請求項１５】 液晶層と、これを挟持して対向する透
    明電極と、これらを挟持して対向する透明基板と、これ
    らの透明基板の外表面に形成された偏光子とを有する液
    晶表示体において、前記偏光子は透明基板上に物理的蒸
    着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成してな
    り、前記透明基板は蒸着面に平行に形成された複数の溝
    を有し、かつ、前記金属層は前記透明基板の蒸着面に対
    して所定範囲の傾斜角度で金属粒子を入射させることに
    より形成してなることを特徴とする液晶表示体。
  16. 【請求項１６】 液晶層と、これを挟持して対向する透
    明電極と、これらを挟持して対向する透明基板と、これ
    らの透明基板の外表面に形成された偏光子とを有する液
    晶表示体の製造方法において、前記透明基板上に物理的
    蒸着方法により誘電体層と金属層とを交互に形成して偏
    光子を作る場合に、前記透明基板の蒸着面に複数の溝を
    平行に形成し、次に前記金属層を形成する場合に前記透
    明基板の蒸着面に対して所定範囲の傾斜角度で金属粒子
    を入射させることを特徴とする液晶表示体の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１５に記載の液晶表示体におい
    て、前記偏光子の前記透明基板は蒸着面に平行に形成さ
    れた複数の溝を有し、かつ、これらの溝の間隔を０．４
    〜２．０μｍとしたことを特徴とする液晶表示体。
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