JPH0627322B2 - コーティング膜形成装置 - Google Patents

コーティング膜形成装置

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JPH0627322B2
JPH0627322B2 JP63077948A JP7794888A JPH0627322B2 JP H0627322 B2 JPH0627322 B2 JP H0627322B2 JP 63077948 A JP63077948 A JP 63077948A JP 7794888 A JP7794888 A JP 7794888A JP H0627322 B2 JPH0627322 B2 JP H0627322B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はスパッタリング、加熱による真空蒸着、アーク
放電による真空蒸着などの真空成膜技術によって、基板
上にコーティング膜を形成する装置に関する。さらに詳
しくは、膜厚方向に相対成分比が変化する二つもしくは
それ以上の成分からなるコーティング膜を形成する装置
に関する。
[従来技術及びその問題点] ソーントンとラムは、『The Solid Films 』96 (1982)
pp.175-183 において、第7図に示したような真空チャ
ンバー内に複数の蒸着源を有する蒸着装置を開示してい
る。この装置では二つあるいはそれ以上のカソードが、
回転する(もしくは列状の)基板に正対するように設け
られていて、成膜工程中、材料成分の一つの蒸着速度が
変化するように上記のカソードのうち少なくとも一つの
出力を時間によって変化させて、膜厚が増して行くにつ
れてコーティング膜の成分構成が変化するようにしたも
のである。カソードの出力は、所望の構成が得られるよ
うに増加あるいは減少させられる。この装置は基板が回
転する場合にのみ有効であり、成膜工程中に基板がチャ
ンバー内を並進運動する場合には対応することができな
い。図示した遮蔽板はカソードの長さ方向にそって膜形
成が均一な速さで行なわれるように設けられており、コ
ーティング膜の成分が連続的に変化することには影響を
与えない。
ソーントンとラムは、さらに『Final Report to Solar
Energy Research Institute』Contact No.XP-9-8260, D
ecember 1982 において、第8図に示したような、一回
のバッチで複数の基板にコーティングする第7図と類似
の技術について述べている。彼らはこの技術によって、
管状の基板にPt/Alの相対比が連続的に変化
するサーメットのコーティング膜を形成した。
以下に述べるように、本発明は、目的に応じた形の一つ
もしくはそれ以上の開口部を有する遮蔽板を使用して、
マスキング技術を巧妙に利用するものである。前記のよ
うな遮蔽板は、単一層あるいは明確な境界面を有する多
層積層型のコーティング膜を形成するのに、以前より知
られている。このような例としては、米国特許第3,1
70,810号、第3,335,030号、第3,56
1,993号、第3,573,960号、第3,66
4,948号、第3,775,285号、第3,90
4,503号、第3,933,644号、第4,10
2,768号、および第4,303,489号を挙げる
ことができる。これらには遮蔽板によって、コーティン
グ膜の形および/または厚さを変化させる技術が開示さ
れている。しかしながら、これらのいずれにおいても、
本発明で開示する一つまたはそれ以上の層の各層で、そ
の厚さ方向に相対成分比が連続的に変化するような多成
分コーティング膜の形成技術については示されていな
い。
[発明の要旨] 本発明の主たる目的は、所望に応じた形の開口部を有す
るマスク部材を使用して、膜厚方向に相対成分比が連続
的に変化する二つもしくはそれ以上の成分からなるコー
ティング膜を形成する、改良されたコーティング膜形成
装置を提供することにある。
さらに本発明は、大きな体積を有するものにもコーティ
ングができるように、基板が装置内を並進移動するに従
って膜形成が連続的に行なわれるようにすることも目的
とする。
さらに本発明は、スパッタリング、加熱による真空蒸
着、アーク放電による真空蒸着などの真空成膜技術によ
って、上述したような多成分コーティング膜を得ること
も目的とするものである。
本発明の装置においては、基板は次々と途切れることの
ない流れとなって装置の蒸着室両端にある真空ロック部
を通って蒸着室内を出入するが、この一連の基板に対し
て成膜工程が連続的に行なわれるように、その脇を基板
が蒸着室内の蒸着域を先端から後端まで移動する、所望
に応じた形の開口部を有する遮蔽板を提供することにも
本発明のまた別の目的がある。上記のような構成の主た
る長所は、従来のバッチ式に比べて、より迅速な生産が
可能になる点である。一般に、連続処理システムでは、
基板を装置内に脱着したり、チャンバー内を排気して高
真空にする際に、蒸着源のスイッチをバッチ処理システ
ムのように切る必要がないため、生産の速度を上げるこ
とが可能になる。
本発明は、 二種類以上の材料成分を含み、該材料成分の相対比が膜
厚方向に連続的に変化する構成を持つ少なくとも一層の
コーティング膜を、少なくとも一つの基板表面上に形成
する装置であって、 前記材料成分をそれぞれ供給する二つ以上の蒸着源と、 該蒸着源の少なくとも一つと前記基板との間に配置され
た、少なくとも一つの開口部を有する少なくとも一つの
マスク部材、および 前記材料成分の相対比が予め定められた変化をするよう
に、少なくともマスク部材に設けられた開口部の形に応
じて、基板表面上で上記コーティング膜の構成が均一に
なるように、前記基板と前記蒸着源とを相対的に動かす
手段 とからなるコーティング膜形成装置 であり、換言すれば、 二種類以上の材料成分を含み、該材料成分の相対比が膜
厚方向に連続的に変化する構成を持つ少なくとも一層の
コーティング膜を、少なくとも一つの基板表面上に形成
する装置であって、 前記材料成分を前記基板に向けて飛散させる手段と 少なくとも一つの前記材料成分の一部を前記基板に到達
する前に遮蔽する手段と、 前記材料成分の相対比が予め定められた変化をするよう
に、少なくとも前記遮蔽される材料成分の量に応じて、
基板表面上で上記コーティング膜の構成が均一になるよ
うに、基板を相対的に動かす手段 とからなるコーティング膜形成装置 である。
本発明の好ましい態様を以下に示す。
(1)上記マスク部材によって遮蔽された蒸着源から飛
散し基板上に蒸着する蒸着物の量が、コーティング膜の
膜厚方向に直線的に変化するように、該マスク部材に設
けられた開口部の大きさが、基板が該マスク部材に対し
て移動する方向に直線的に変化しているコーティング膜
形成装置。
(2)上記マスク部材によって遮蔽された蒸着源から飛
散し基板上に蒸着する蒸着物の量が、コーティング膜の
膜厚方向に非直線的に変化するように、該マスク部材に
設けられた開口部の大きさが、基板が該マスク部材に対
して移動する方向に非直線的に変化しているコーティン
グ膜形成装置。
(3)上記マスク部材によって遮蔽された蒸着源から飛
散し基板上に蒸着する蒸着物の量が、コーティング膜の
膜厚方向に予め定められた周期で変化するように、該マ
スク部材に設けられた開口部の大きさが、基板が該マス
ク部材に対して移動する方向に前記周期で変化している
コーティング膜形成装置。
(4)上記マスク部材によって遮蔽されていない蒸着源
から飛散し基板上に蒸着する蒸着物の量が、コーティン
グ膜の膜厚方向に一定となるように、上記マスク部材に
よって遮蔽された前記蒸着源と前記基板の間にのみ、該
マスク部材が配置されているコーティング膜形成装置。
(5)基板表面の異なった部分に、それぞれの成分材料
が蒸着するように、前記基板に対して蒸着源が配置され
たコーティング膜形成装置。
(6)基板表面の少なくとも一部分に重なって、それぞ
れの成分材料が蒸着するように、前記基板に対して蒸着
源が配置されたコーティング膜形成装置。
(7)前記成分材料の相対成分比を予め定められたよう
に変化させるのを補助するため、各々の蒸着源の出力を
変化させることのできる電力を蒸着源の動力源として使
用したコーティング膜形成装置。
(8)前記蒸着源が、基板が該蒸着源に対して相対的に
移動する方向に実質的に列状に複数配置されているコー
ティング膜形成装置。
(9)前記蒸着源は固定されており、前記基板が移動す
るコーティング膜形成装置。
(10)少なくとも一つの装填ロック部、前記蒸着源と
前記マスク部材が設けられた少なくとも一つの蒸着室、
少なくとも一つの出口ロック部からなり、装填ロック部
より蒸着室、出口ロック部へと基板を連続的に搬送する
手段を有するコーティング膜形成装置。
(11)上記(10)において、多層積層型のコーティ
ング膜を形成するために複数の蒸着室を有し、各蒸着室
でそれぞれ各層が形成されるようなコーティング膜形成
装置。
(12)上記(11)において、各層の成分材料が単一
または複数(成分が連続的に変化しても、そうでなくて
も)であるようなコーティング膜形成装置。
(13)前記基板が円筒型であり、前記蒸着源のそばを
該円筒の軸方向に該基板を移動させる手段を有するコー
ティング膜形成装置。
(14)上記(13)において、前記円筒型の基板がそ
の軸を中心として回転する手段を有するコーティング膜
形成装置。
(15)上記(14)において、前記基板の異なった部
分にそれぞれの成分材料が蒸着されるように、蒸着源を
配置したコーティング膜形成装置。
(16)上記(15)において、前記蒸着源が、それぞ
れ前記基板をはさんで実質的に反対側に配置されている
コーティング膜形成装置。
(17)上記(13)において、成分材料の一つが金属
であり、他方がセラミックスであるコーティング膜形成
装置。
(18)前記基板の蒸着面が実質的に平面であるコーテ
ィング膜形成装置。
(19)上記(18)において、前記蒸着源からそれぞ
れ供給される成分材料が基板の前記平面蒸着面に実質的
に重なって蒸着されるように、該蒸着源が配置されてい
るコーティング膜形成装置。
(20)基板搬送体に複数の基板が装着されているコー
ティング膜形成装置。
(21)上記(20)において、基板搬送体を移動させ
る手段を有するコーティング膜形成装置。
(22)上記(21)において、前記基板搬送体に対し
て基板を回転させる手段を有するコーティング膜形成装
置。
(23)上記(21)において、基板搬送体を回転させ
る手段を有するコーティング膜形成装置。
(24)前記蒸着源が、陰極アーク放電蒸着装置、スパ
ッタリング装置、熱蒸着装置からなる群より選ばれる蒸
着装置であるコーティング膜形成装置。
[発明の構成] 添付した図面、特に第1図に、本発明の好ましい態様を
模式的に示した。
第1図で、棒状体/管状体4は基板であり、一端から他
端まで二つの成分材料が相対比を制御されながら蒸着さ
れる。蒸着源1および3は、図示したような長方形平板
スパッタリング・カソードあるいは陰極アーク放電蒸着
源、熱蒸着源などの公知の蒸着源である。この蒸着源は
本発明を限定するものではなく、本発明の装置を特に改
良するのに利用する場合以外は、それ自体本質的には本
発明に開示される技術思想を形成するものではない。
本発明にあっては、マスク部材2は蒸着源1と基板の間
に配置され、該マスク部材は開口部を有している。第1
図においては、前記開口部の幅は直線的に変化している
が、一般には目的に応じて非直線的な変化をしてもよ
い。
第1図に示された成膜工程および装置では、基板は矢印
で示されたように軸に中心として回転しながら、別の矢
印で示された方向に移動して行く。むろん、基板は回転
せずに、蒸着源が回転するようにしてもよい。
基板が蒸着源1および3、およびマスク部材2の脇を移
動して行くにつれて、基板上の一点に蒸着される蒸着源
1からの成分材料の量は、その点がマスク部材に設けら
れた開口部の終端部に至るまで減少し続ける。詳しく述
べれば、基板上のどの点においても、コーティング膜は
以下に述べるように形成される。例えば各々の蒸着源の
出力を等しくするといったように、他の条件を同じにす
れば、その基板上の一点が開口部の開いた方の端を通過
するときには、蒸着源1からの成分材料は蒸着源3から
の成分材料と同じ量だけ蒸着する。上記の点が開口部の
両端間を移動して行くにつれて、この点に蒸着される蒸
着源1からの成分材料の量の、蒸着源1と蒸着源3の両
者から蒸着する成分材料の量に対する割合は、50%か
ら0%まで減少して行く。このようにして、基板上のど
の点でも、開口部の終端を通過するときには、蒸着源3
からの成分材料だけが蒸着される。従って、基板上に形
成されるコーティング膜は、膜底の部分では蒸着源1か
らの材料成分50%と蒸着源3からの材料成分50%と
いう構成であり、膜表面の部分では蒸着源3からの材料
成分100%という構成となり、膜底と膜表面の間では
膜厚方向には両材料成分の相対比が連続的に変化し、基
板の長さ方向には均一であるという構成をもつことにな
る。
第1図に示した本発明の態様は、長い太陽熱捕集管の表
面上に、成分の相対比が連続的に変化するサーメットの
太陽熱吸収性コーティング膜を形成する場合を例として
説明できる。このコーティング膜の成分構成は、セラミ
ック/金属が膜底での50/50%から膜表面でのセラ
ミック100%まで一様に変化する一方、管の長さ方向
には均一なものとなる。このようなコーティング膜を形
成することができるのは、軸を中心に回転しながら、そ
の軸方向に移動する基板4の周囲を取り囲むように、二
つ以上の蒸着源1および3が配置されているためであ
る。開口部が設けられた遮蔽板2は基板を部分的に蒸着
源1から遮っていて、開口部の大きさ、すなわち遮られ
る広さが基板の移動する方向に沿って変化している。こ
の開口部は金属成分の蒸着源1と基板の間に設けられて
いて、その形は、蒸着源1の長さの関数である金属の蒸
着量が、基板が移動するにつれて直線的に減少するよう
に開けられている。セラミック成分の蒸着源3は基板を
はさんで蒸着源1の反対側に、遮蔽板なしに設けられ、
蒸着源3の長さの関数であるセラミックの蒸着量が一定
になるようにされている。この装置は上記のような構成
をしているので、基板が回転しながら蒸着源の長さ方向
に移動して行くにつれて、基板上のどの点でも金属層と
セラミック層が交互に形成されていく。基板が蒸着源の
長さ方向に沿って移動して行くにつれて、上記セラミッ
ク層の厚さは変化しない一方で、上記金属層の厚さは直
線的に減少して行く。基板の回転のスピードは、所望の
層厚、すなわち所望の成分の混ざり具合、が得られるよ
うに調節する。それ自体本質的には本発明ではないが、
基板の温度や電気的なバイアスも制御して両層が相互に
混じり合うのを調節する。
第2図では、膜の形成は第1図で示したものと似ている
が、さらに改良を加えた、基板をはさんで反対側に複式
蒸着源5と7が配置された装置で行なわれる。複式蒸着
源5と7は成分材料の各々に対応して設けられており、
該複式蒸着源には基板8が移動して行く方向に沿って複
数の蒸着源が直線状に(各成分材料ごとに各一列に)並
んでいる。また一つまたはそれ以上の遮蔽板6が、一つ
またはそれ以上の上記蒸着源列と基板の間に設けられて
いて、第1図に関して上述したような膜厚方向に材料成
分が連続的に変化する構成を持つコーティング膜が得ら
れるようになっている。
第2図に示した直線状に並んだ上記蒸着源列の内、少な
くとも一つの蒸着源列を構成している各々の蒸着源の出
力は、基板が移動して行く方向の距離の関数として変化
させられ、少なくとも一つの材料成分が蒸着する速度
が、基板が移動して行く方向の距離の関数として変化す
るようになっている。この場合、開口部を設けた遮蔽板
は使用しても使用しなくてもよいが、膜の成分構成をよ
り正確に行なうためには上記出力の調節のみによるより
も、使用した方が好ましい。
さらに第3図には、第1図に示したものと同様の改良し
た成膜操作と装置を示した。第3図の態様の主たる特徴
は、開口部を通って蒸着してくる蒸着物の量が、蒸着源
9の長さ方向に沿って直線的にせよ非直線的にせよ増加
または減少するよう、あるいは蒸着源(列)の長さ方向
に沿って周期的に増減する変化をするように開口部が開
けられていることである。このようにして基板12が蒸
着域を移動するに従って成膜をすると、コーティング膜
の断面の成分構成は、膜底と膜表面の間のどの位置であ
るかの関数としてどのようにも変化させることができ
る。
第4図では、基板16は平面の蒸着面を有している。蒸
着源(列)13、15は蒸着源の長さ方向に移動する基
板16の同じ側に配置されている。前記基板は回転して
もしなくてもよい。また前記蒸着源は両方とも、各蒸着
源からの成分材料が基板表面の一定範囲で同時に蒸着さ
れるように該基板表面に向けられている。基板が移動す
るに従って成分比が連続的に変化するコーティング膜が
形成されるように、一つあるいはそれ以上の蒸着源に
は、開口部の設けられたマスク部材14が備えつけられ
ている。基板が回転をしない場合、基板の幅方向の成分
構成は各蒸着源からの蒸着物の両側間での分布によって
変化するので、コーティングが可能な対象物の幅には限
界がある。
第5図において、蒸着源21、23および開口部を有す
る遮蔽板22は真空蒸着室内に設けられ、また基板の移
動して行く始点と終点には、他の部分とは独立に真空に
なっている搬送ロック部が設けられている。この構成で
は、基板17−20は装填ロック部へ次々と送り込まれ
るとともに、出口ロック部から次々と取り除かれ、連続
的な(あるいは間欠的な)流れとなって蒸着域を通り抜
けて行く。(このような系は工業では『インライン』シ
ステムとして知られている。)各々の層が単一または複
数(成分が連続的に変化しても、そうでなくても)の成
分構成を持つ多層のコーティング膜を形成する場合に
は、装置の一端から他端までの間に必要な数の蒸着域を
配置すればよいのはもちろんである。
第6図では、小さな基板が大きな搬送体37上に取付け
られている。この搬送体37は移動し、かつ回転しても
しなくてもよい。また基板はそれ自身、回転してもしな
くてもよい。搬送体が回転する場合、搬送体の直径は、
所望の数の基板がその外周面に取付けることが出来るよ
うに決めることができる。もちろん、搬送体は必ずしも
円筒型である必要はなく、例えば、基板を取り付けるた
めの多数の側面を持つものでもよいし、基板を取り付け
るための平な場所を一箇所持つものでもよい。蒸着源3
4と35およびマスク部材36は前述した態様と同様で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、コーティング膜の膜厚方向に蒸着材料の相対
成分比を制御する、本発明の好ましい態様の模式図であ
る。 第2図は複式蒸着源を用いた第1図と類似の装置であ
る。 第3図には、蒸着材料の相対成分比を非線形的に変化さ
せるために、非線形的な形の開口部を用いた第1図の装
置を示した。 第4図には、特に平らな基板に適応できるように、蒸着
源が基板に対して一方の側にだけ配置されている様子を
示した。 第5図にはまた、連続的なイン・ライン処理によって、
多くの基板にコーティングできるようにした第1図の装
置を示した。 第6図には、小さな基板を、大きな搬送体上に取り付け
てコーティングするという本発明の改良手法を示した。 第7図および第8図は、材料成分の相対比が連続的に変
化する構成を持つコーティング膜を形成する従来技術の
模式図である。 1:蒸着源、2:マスク部材 3:蒸着源、4:基板 5:複式蒸着源、6:マスク部材 7:複式蒸着源、8:基板 9:蒸着源、10:マスク部材 11:蒸着源、12:基板 13:蒸着源、14:マスク部材 15:蒸着源、16:基板 17、18、19、20:基板 21:蒸着源、22:マスク部材 23:蒸着源 34:蒸着源、35:蒸着源 36:マスク部材、37:搬送体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】二種類以上の材料成分を含み、該材料成分
    の相対比が膜厚方向に連続的に変化する構成を持つ少な
    くとも一層のコーティング膜を、少なくとも一つの基板
    表面上に形成する装置であって、 前記材料成分をそれぞれ供給する二つ以上の蒸着源と、 該蒸着源の少なくとも一つと前記基板との間に配置され
    た、少なくとも一つの開口部を有する少なくとも一つの
    マスク部材、および 前記材料成分の相対比が予め定められた変化をするよう
    に、少なくともマスク部材に設けられた開口部の形に応
    じて、基板表面上で上記コーティング膜の構成が均一に
    なるように、前記基板と前記蒸着源とを相対的に動かす
    手段 とからなるコーティング膜形成装置。
  2. 【請求項2】二種類以上の材料成分を含み、該材料成分
    の相対比が膜厚方向に連続的に変化する構成を持つ少な
    くとも一層のコーティング膜を、少なくとも一つの基板
    表面上に形成する装置であって、 前記材料成分を前記基板に向けて飛散させる手段と 少なくとも一つの前記材料成分の一部を前記基板に到達
    する前に遮蔽する手段と、 前記材料成分の相対比が予め定められた変化をするよう
    に、少なくとも前記遮蔽される材料成分の量に応じて、
    基板表面上で上記コーティング膜の構成が均一になるよ
    うに、基板を相対的に動かす手段 とからなるコーティング膜形成装置。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE115647T1 (de) * 1988-08-25 1994-12-15 Hauzer Ind Bv Physikalische dampfniederschlag- doppelbeschichtungsvorrichtung und verfahren.
EP0401035B1 (en) * 1989-06-02 1996-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming apparatus and film forming method
US4956000A (en) * 1989-06-28 1990-09-11 Reeber Robert R Gradient lens fabrication
US5437778A (en) * 1990-07-10 1995-08-01 Telic Technologies Corporation Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
US5427665A (en) * 1990-07-11 1995-06-27 Leybold Aktiengesellschaft Process and apparatus for reactive coating of a substrate
US5037522B1 (en) * 1990-07-24 1996-07-02 Vergason Technology Inc Electric arc vapor deposition device
US5156727A (en) * 1990-10-12 1992-10-20 Viratec Thin Films, Inc. Film thickness uniformity control apparatus for in-line sputtering systems
DE4433863A1 (de) * 1994-09-22 1996-03-28 Interpane Entw & Beratungsges Spektralselektive Kollektorbeschichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5985356A (en) * 1994-10-18 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Combinatorial synthesis of novel materials
US6045671A (en) * 1994-10-18 2000-04-04 Symyx Technologies, Inc. Systems and methods for the combinatorial synthesis of novel materials
US7767627B1 (en) 1994-10-18 2010-08-03 Symyx Solutions, Inc. Combinatorial synthesis of inorganic or composite materials
US5741544A (en) * 1995-08-31 1998-04-21 Olin Corporation Articles using specialized vapor deposition processes
WO1997028290A1 (en) * 1996-01-31 1997-08-07 Optical Coating Laboratory, Inc. Multi-chamber continuous sputter coating system
US6275629B1 (en) 1998-09-11 2001-08-14 Lucent Technologies Inc. Optical grating devices with adjustable chirp
US6830663B2 (en) * 1999-01-26 2004-12-14 Symyx Technologies, Inc. Method for creating radial profiles on a substrate
US6364956B1 (en) 1999-01-26 2002-04-02 Symyx Technologies, Inc. Programmable flux gradient apparatus for co-deposition of materials onto a substrate
US6303182B1 (en) * 1999-02-18 2001-10-16 Lucent Technologies Inc. Method for making optical fiber devices having variable thickness metal coatings
DE19959972A1 (de) * 1999-12-13 2001-06-21 Basf Ag Herstellung von Materialbibliotheken durch Sputterverfahren
US6485616B1 (en) * 1999-12-29 2002-11-26 Deposition Sciences, Inc. System and method for coating substrates with improved capacity and uniformity
US6252295B1 (en) 2000-06-19 2001-06-26 International Business Machines Corporation Adhesion of silicon carbide films
DE10045785C2 (de) * 2000-09-07 2002-10-24 Siemens Ag Verfahren zum Beschichten eines Bauteils
CA2423905A1 (en) * 2000-09-29 2002-04-11 General Electric Company Combinatorial systems and methods for coating with organic materials
DE10119926A1 (de) * 2001-04-23 2002-10-24 Ernst Muenstermann Verfahren zur Optimierung der Zusammensetzung und/oder der mechanischen Eigenschaften einer oder mehrerer Schichten auf einem Substratkörper und Verwendung dieses Verfahrens
US20030068559A1 (en) * 2001-09-12 2003-04-10 Armstrong Joseph H. Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration
TW560102B (en) * 2001-09-12 2003-11-01 Itn Energy Systems Inc Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design
US20030059526A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-27 Benson Martin H. Apparatus and method for the design and manufacture of patterned multilayer thin films and devices on fibrous or ribbon-like substrates
EP1466665B1 (en) * 2001-12-21 2012-10-10 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Member having photocatalytic function and method for manufacture thereof
US7132016B2 (en) * 2002-09-26 2006-11-07 Advantech Global, Ltd System for and method of manufacturing a large-area backplane by use of a small-area shadow mask
JP4767167B2 (ja) * 2003-06-24 2011-09-07 カーディナル・シージー・カンパニー 濃度変調コーティング
US7879201B2 (en) * 2003-08-11 2011-02-01 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for surface processing of a substrate
US9206500B2 (en) * 2003-08-11 2015-12-08 Boris Druz Method and apparatus for surface processing of a substrate using an energetic particle beam
CA2550331A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-14 Cardinal Cg Compagny Graded photocatalytic coatings
US7713632B2 (en) * 2004-07-12 2010-05-11 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings
ATE489343T1 (de) * 2004-10-04 2010-12-15 Cardinal Cg Co Dünnfilmbeschichtung und technologie zum zeitweiligen schutz, isolierverglasungseinheiten und dazugehörige verfahren
JP2006127637A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体の製造方法
US7923114B2 (en) * 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
US8092660B2 (en) * 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
JP5121002B2 (ja) * 2004-12-06 2013-01-16 日本板硝子株式会社 光触媒機能および熱線反射機能を有するガラス部材、ならびに、それを用いた複層ガラス
US7667929B2 (en) * 2005-04-04 2010-02-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus, method and system for fabricating a patterned media imprint master
DE102005056110A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Temperaturstabiles Schichtsystem
JP2009534563A (ja) * 2006-04-19 2009-09-24 日本板硝子株式会社 同等の単独の表面反射率を有する対向機能コーティング
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
PL1884576T3 (pl) * 2006-07-26 2013-02-28 Dr Laure Plasmatechnologie Gmbh Urządzenie do plazmowego powlekania podłużnych, walcowych części konstrukcyjnych
US7820296B2 (en) 2007-09-14 2010-10-26 Cardinal Cg Company Low-maintenance coating technology
EP2298954B1 (en) * 2009-09-18 2013-03-13 Sandvik Intellectual Property Ab A PVD method for depositing a coating onto a body and coated bodies made thereof
DE112013001298A5 (de) * 2012-03-05 2014-12-31 Dr. Laure Plasmatechnologie Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabeschichtung von länglichen zylindrischen Bauteilen
US10363537B2 (en) * 2013-02-14 2019-07-30 Universiteit Gent Deposition tool for combinatorial thin film material libraries
EP2860285B1 (en) 2013-10-14 2016-09-14 Rigas Tehniska universitate Method for increasing heat resistance of metallic articles
US9966242B2 (en) * 2014-09-29 2018-05-08 Xinsheng Guo High throughput vacuum deposition sources and system
WO2018093985A1 (en) 2016-11-17 2018-05-24 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology
US20220081757A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus, film forming system, and film forming method
US20240263298A1 (en) * 2023-02-08 2024-08-08 Innolux Corporation Deposition apparatus and deposition method

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3170810A (en) * 1962-05-24 1965-02-23 Western Electric Co Methods of and apparatus for forming substances on preselected areas of substrates
US3335030A (en) * 1963-03-11 1967-08-08 Fairchild Camera Instr Co Method for the production of a variable resistance track
US3327683A (en) * 1966-03-04 1967-06-27 Albert J Kerecman Vapor deposition device with traveling mask
DE1621263B2 (de) * 1967-04-11 1971-03-25 Jenaer Glaswerk Schott & Gen, 6500 Mainz Verfahren zur herstellung cyclisch verlaufender schichten durch aufdampfen aufspruehen bestrahlen usw
US3573960A (en) * 1968-12-19 1971-04-06 Bell Telephone Labor Inc Torsional mode elastic wave transducers
US3968018A (en) * 1969-09-29 1976-07-06 Warner-Lambert Company Sputter coating method
US3664948A (en) * 1969-11-19 1972-05-23 Texas Instruments Inc Sputtering system
US3775285A (en) * 1971-05-18 1973-11-27 Warner Lambert Co Apparatus for coating continuous strips of ribbon razor blade material
US3933644A (en) * 1972-03-23 1976-01-20 Varian Associates Sputter coating apparatus having improved target electrode structure
US4102768A (en) * 1972-11-29 1978-07-25 Triplex Safety Glass Company Limited Metal oxide coatings
DE2307649B2 (de) * 1973-02-16 1980-07-31 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat
US3904503A (en) * 1974-05-31 1975-09-09 Western Electric Co Depositing material on a substrate using a shield
US4047624A (en) * 1975-10-21 1977-09-13 Airco, Inc. Workpiece handling system for vacuum processing
US4151064A (en) * 1977-12-27 1979-04-24 Coulter Stork U.S.A., Inc. Apparatus for sputtering cylinders
DE2812271C2 (de) * 1978-03-21 1983-01-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung mit mehreren Schleusenkammern zum chargenweisen Beschichten von Substraten
US4303489A (en) * 1978-08-21 1981-12-01 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for producing a variable intensity pattern of sputtering material on a substrate
US4204942A (en) * 1978-10-11 1980-05-27 Heat Mirror Associates Apparatus for multilayer thin film deposition
US4473455A (en) * 1981-12-21 1984-09-25 At&T Bell Laboratories Wafer holding apparatus and method
JPS58111127A (ja) * 1981-12-24 1983-07-02 Ulvac Corp 耐摩耗性磁気記録体の製造法
EP0122092A3 (en) * 1983-04-06 1985-07-10 General Engineering Radcliffe Limited Vacuum coating apparatus
US4682565A (en) * 1984-11-19 1987-07-28 Sfe Technologies Vapor nozzle with gas barrier bars

Also Published As

Publication number Publication date
JPS644469A (en) 1989-01-09
US4814056A (en) 1989-03-21
IL85843A0 (en) 1988-09-30
DE3815006A1 (de) 1989-01-05
IL85843A (en) 1992-02-16

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