DE10119926A1

DE10119926A1 - Verfahren zur Optimierung der Zusammensetzung und/oder der mechanischen Eigenschaften einer oder mehrerer Schichten auf einem Substratkörper und Verwendung dieses Verfahrens

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Publication number: DE10119926A1
Application number: DE2001119926
Authority: DE
Inventors: Ernst Muenstermann; Rainer Cremer
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2001-04-23
Filing date: 2001-04-23
Publication date: 2002-10-24

Abstract

Zur Optimierung der Zusammensetzung und/oder der mechanischen Eigenschaften einer oder mehrerer Schichten, die mittels eines PVD-, CVD- und/oder PCVD-Verfahrens auf einem Substratkörper, insbesondere aus einem hartmetall, Cermet, einer Keramik- oder einer Metallegierung abgeschieden werden, wird vorgeschlagen, daß mittels zwei oder drei unter unterschiedlichen Richtungen auf eine ebene Oberfläche eines Probekörpers gerichteten Aufdampfquellen eine ein- oder zweidimensional kontinuierlich gradierte Schicht oder Schichtfolge abgeschieden wird, die dann punkt- oder strichweise einer Materialprüfung unterzogen wird und wonach die gemäß den gestellten Anforderungen günstigste Konstellation ausgewählt wird. Dieses Verfahren ist insbesondere zur Optimierung der Beschichtung von Schneideinsätzen zum Zerspanen verwendbar.

Description

Nach dem Stand der Technik ist es bekannt, daß auf den Gebrauchszweck abgestimmte Beschichtungen die gewünschten Eigenschaften eines Körpers verbessern können. Insbesondere bei Schneideinsätzen, die für die spanende Bearbeitung von Werk stücken eingesetzt werden, sind Beschichtungen bekannt, welche die Schneideigenschaften sowie die Standzeit des Schneideinsat zes erheblich verbessern. Typische Beispiele hierfür sich Car bide, Nitride, Carbonitride, Oxicarbonitride der Element der IVa- bis VIa-Gruppe des Periodensystemes, aber auch keramische Werkstoffe wie Aluminium- oder Yttrium-Oxid. Die jeweils aufge tragenen Schichten können einlagig oder auch mehrlagig sein. Beschichtungen können mittels des sogenannten Physical Vapour Deposition- oder des Chemical Vapour Deposition-(PVD- bzw. CVD-)Verfahrens aufgetragen werden. Die chemischen Aufdampfver fahren werden zum Teil plasmaunterstützt durchgeführt (soge nannte PCVD-Verfahren). Die Wahl des Beschichtungsmateriales sowie des Substratkörpers richten sich nach den jeweiligen Zer spanungsbedingungen, insbesondere nach dem Material des zu bearbeitenden Werkstückes, den angewendeten Zerspanungsverfah ren (Drehen, Fräsen, Bohren) sowie den Zerspanungsparametern, wie z. B. der Schnittgeschwindigkeit, dem Vorschub etc.. Auch Haftfestigkeiten der Schichten aufeinander bzw. der Beschich tung auf den Substratkörper, unerwünschte Diffusionen, zu deren Vermeidung sogenannte Diffusionssperren, z. B. aus TiN oder TiCN, verwendet werden, thermische Ausdehnungskoeffizienten der unterschiedlichen Materialien sowie die Gefügestruktur der Beschichtung spielen eine Rolle.

Um die aus einem Substratkörper und einer hierauf abgeschiede nen Beschichtung bestehenden Verbundkörper jeweils optimieren zu können, sind praktische Erprobungen unerläßlich. Nachdem die grundsätzlichen Eigenschaften der verschiedenen Beschichtungen, wie z. B. der Carbide, Nitride oder Carbonitride verschiedener Metalle oder auch Al₂O₃, bekannt sind, besteht ein wachsendes Interesse an solchen Schichten, in denen zusätzliche Metalle oder andere Stoffe eingebaut sind, oder an Mischstrukturen, wie z. B. solchen Schichten, in denen α- und γ-Formen oder auch teilweise amorphe Strukturen nebeneinander auftreten. Schichten unterschiedlicher Zusammensetzung, Strukturen und Morphologien können durch Variation der Verfahrensparameter sowie den für die Abscheidung verantwortlichen Stoffe, die ggf. Präkursoren sind, erzeugt werden. Um hier eine optimale Auswahl zu treffen, ist es nach dem Stand der Technik bisher erforderlich, jeweils mindestens eine Probekörper zu beschichten und dessen Eigen schaften zu untersuchen. Dies ist, z. B. für Härteprüfungen, extrem Zeit- und kostenaufwendig.

In der WO 98/47613 wird daher zur Untersuchung von mittels PVD abgeschiedenen Schichten ein Maskenverfahren angewendet, bei dem jeweils nur ein quadratisches oder rechteckiges Feld als Teil einer größeren Substratfläche mittels einer Apertur frei gelegt ist, das in einem ersten Beschichtungsgang unter Verwen dung von zwei Sputter-Quellen beschichtet wird. Nach Abschei dung einer gewünschten Schichtdicke wird die Apertur zu dem nächsten, noch freien Feld weiterbewegt, wonach die Beschich tungsbedingungen (Reaktoratmosphäre oder auch Sputter-Abschei dung) geändert werden. Diese Verfahrensweise wird sukzessive fortgesetzt, bis ein matrixartiges Raster fertiggestellt ist, in dem die einzelnen Felder unterschiedliche Schichtzusammen setzungen oder Schichtdicken aufweisen. Anschließend kann die Leitfähigkeit, Superleitfähigkeit, der Widerstand, die thermi sche Leitfähigkeit, die Anisotropie, die Härte, die Kristallstruktur, die optische Transparenz, die magnetischen Eigen schaften wie die Permeabilität oder Koerzivität, die dielektri schen Eigenschaften oder ähnliches untersucht werden.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Alternative zum eingangs genannten Verfahren zu finden, um für gewünschte Anwendungszwecke, insbesondere Zerspanungswerkzeuge Beschich tungsoptimierungen vornehmen zu können. Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.

Erfindungsgemäß wird mittels zwei oder drei unter unterschied lichen Richtungen auf eine ebene Oberfläche eines Probekörpers gerichteten Aufdampfquellen eine ein- oder zweidimensional kon tinuierlich gradierte Schicht oder Schichtfolge abgeschieden, die dann punkt- oder strichweise einer Materialprüfung unterzo gen wird und wonach die gemäß den gestellten Anforderungen gün stigste Konstellation ausgewählt wird.

Während das aus der WO 98/47613 bekannte Verfahren im wesentli chen auf den einzelnen beschichteten Feldern einheitliche Schichtzusammensetzungen schafft und lediglich die mit einem Beschichtungsvorgang beschichtete Fläche minimiert, so daß die gesamte Oberfläche eines Probekörpers für unterschiedliche Beschichtungen zur Verfügung steht, nutzt das erfindungsgemäße Verfahren die Tatsache aus, daß aufgrund der räumlich unter schiedlichen Ortskoordinaten, an denen zwei oder drei Aufdampf quellen im Beschichtungsreaktor angeordnet sind, und zusätzlich aufgrund der unterschiedlichen Ausrichtung der Aufdampfquellen im Beschichtungsreaktor unterschiedliche Atmosphärenbedingungen (insbesondere hinsichtlich der Gaszusammensetzung) herrschen, die jeweils lokal auf der Oberfläche des Probekörpers zu unter schiedlichen Abscheidungen führen, ohne daß hierbei diskrete Übergänge von Abscheidungsort zu Abscheidungsort in Kauf genom men werden müssen. Die Schichtzusammensetzungen entlang einer Linie auf dem Probekörper ändern sich vielmehr ortsabhängig mit einem kontinuierlichen Gradienten. Nachteiligerweise wird zur Homogenisierung der sukzessive abgeschiedenen Schichten ein Temperschritt benötigt, in dem die mittels der verwendeten Mas kentechnik abgeschiedenen Multilayer durch Interdiffusion zu homogenen Phasen umgewandelt werden. Dabei verlieren diese Schichten ihre vorherige Identität. Insbesondere sind mit dem in der WO 98/47613 beschriebenen Verfahren keine metastabilen Schichten wie z. B. viele Hartstoffschichten realisierbar.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist grundsätzlich für PVD- oder CVD-Schichten oder auch Mehrfachschichten verwendbar, ein schließlich solcher Schichten, die im Wechsel mittels PVD und CVD (einschließlich PCVD) aufgetragen worden sind. Bevorzugt werden jedoch bei diesem Verfahren CVD-Beschichtungen bzw. PCVD-Beschichtungen untersucht, da hierbei über die Menge und Einströmgeschwindigkeit der für die Abscheidung benötigten Gase größere Einflußmöglichkeiten als beim PVD-Verfahren bestehen.

Vorzugsweise werden mittels des genannten Verfahrens die late ral gradierten Schichten oder Schichtfolgen während oder nach der Abscheidung gezielt ortsabhängig inhomogen erwärmt und/oder verschiedenen elektrischen oder magnetischen Feldern ausge setzt. Anisotherme Abscheidebedingungen, die punktweise mittels eines Laserstrahles oder einer fokussierenden Heizlampe gezielt an der Probekörperoberfläche erzeugt werden können, können somit zur Erzeugung unterschiedlicher Schichten bzw. bei einer Nachbehandlung zur Untersuchung der jeweiligen Reaktion bestimmter Schichtzusammensetzungen und -gefüge getestet wer den. Aufgrund des ortsabhängigen kontinuierlichen Schichtgra dientenverlaufes lassen sich somit auf einem Probekörper weit aus mehr Schichtzusammensetzungen und -gefüge sowie anschlie ßende Untersuchungen hieran realisieren, als dies bei sukzes sive auf einzelnen kleinen Feldern aufgetragenen homogenen Schichtfeldern der Fall ist. Entsprechendes gilt für die Ein flußmöglichkeiten durch elektrische und/oder magnetische bzw. elektromagnetische Felder, soweit die Beschichtungsmaterialien oder die hierzu verwendeten Ausgangsstoffe dielektrischen oder magnetischen Charakter haben.

Insbesondere schließt die vorliegende Erfindung lokale Änderun gen der Abscheidebedingungen auf der Probekörperoberfläche zur Abscheidung von Schichten ein, die zwar eine identische chemi sche Zusammensetzung, wie z. B. Al₂O₃, aufweisen, sich jedoch strukturell und morphologisch im Gefüge unterscheiden. Auch hier lassen die Versuchsbedingungen lateral sich kontinuierlich ändernde Gradienten zu.

Bevorzugt wird das Verfahren zur Optimierung der Beschichtung eines Substratkörpers verwendet, der als Schneideinsatz zum Zerspanen eingesetzt wird. Betreffende Schneideinsätze besitzen eine Auflagefläche, drei oder mehr Seitenflächen sowie eine Spanfläche. Die Spanfläche sowie mindestens eine Seitenfläche, im Regelfall alle Seitenflächen, bilden Schneidkanten, von denen zwei benachbarte Schneidkanten über eine Schneidecke ver bunden sind. Neben drei- bzw. viereckigen Grundformen sind hiervon abgeleitete Formen mit oder ohne zusätzlichen Spanform elementen auf der Spanfläche bekannt. Solche Schneideinsätze können einen aus einem Hartmetall, einer Keramik, einem Cermet oder einem Stahl bestehenden Substratkörper besitzen, der mit einer Beschichtung aus einem Hartstoff, einer Keramik oder auch sogenannten Festschmierstoffschichten, wie beispielsweise MoS₂, beschichtet sein kann. Die Anzahl der Schichten sowie das Beschichtungsmaterial werden auf den Bedarfszweck abgestimmt.

Die vorliegende Erfindung soll im folgenden anhand von Ausfüh rungsbeispielen näher erläutert werden. Es zeigen

Fig. 1 eine schematische Darstellung von drei in einem PVD-Verfahren verwendeten Aufdampfquellen in räumlichem Bezug zu einer Probekörperoberflä che,

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer CVD- Beschichtungsanordnung,

Fig. 3 eine Ansicht eines in einem Reaktor angeordne ten, beschichteten Probekörpers, der zur Erzeugung mit sich graduell ändernden Strukturen der Beschichtung mittels eines Ofens temperaturbehandelt wird und

Fig. 4 eine Draufsicht auf einen lokal unterschiedlich temperaturbehandelten, beschichteten Probekör per.

PVD-, CVD- und plasmaunterstützte CVD-Anlagen sind grundsätz lich bekannt, so daß hierauf nicht näher eingegangen werden soll.

Beim Kathodenzerstäuben (Sputtern) werden Atome oder Atmoclu ster von der Oberfläche eines Stoffes unter Bestrahlung mit beschleunigten Ionen abgedampft. In dem in Fig. 1 dargestellten Fall werden drei räumlich ausgerichtete Aufdampfquellen 10, 11 und 12 unterschiedlicher Materialien, z. B. aus Sb, Ge und Te verwendet. Die zwischen diesen Aufdampfquellen und dem Probe körper 13 mit einer planaren Oberfläche angelegte Gleichspan nung führt zur Abscheidung der jeweils erzeugten Stoffe bzw. Stoffverbindungen. Da der räumliche Abstand zwischen den genannten Aufdampfquellen zu diversen Punkten der Oberfläche des Probekörpers 13 unterschiedlich groß ist, werden bei gerin geren Abständen zu der jeweiligen Aufdampfquelle 10, 11 oder 12 größere Metall-Gehalte abgeschieden als im weiter hiervon ent fernten Bereich. Zur Vergrößerung des natürlichen Gradienten in der Schicht kann ggf. ein Blendensystem 30 zwischen den Auf dampfquellen eingefügt werden. Durch geeignete Anpassung des Blendensystemes an den angestrebten Gradienten können so sowohl Schichten mit kleinem lateralen Gradienten als auch solche mit, im Vergleich zum natürlichen Gradienten, stark verbreiterter Dehnung erzeugt werden. Analoges gilt für die Verwendung einer gasförmigen Zuführung der Edukte in CVD-Prozessen. Die jewei lige Zusammensetzung der abgeschiedenen Metalle ändert sich entlang einer Linie auf der Probekörperoberfläche kontinuier lich, so daß je nach Oberflächenort unterschiedliche Metall- Gehalte in Form von Legierungen auftreten. Zur Erzeugung einer Hartstoffschicht auf dem Probekörper 13 können beispielsweise Ti-Al- und Si-Aufdampfquellen 10 bis 12 in einer Stickstoffat mosphäre eingesetzt werden. Für analytische Zwecke sind bei PVD-Beschichtungen von planaren Substratkörpern maximal drei Aufdampfquellen sinnvoll, zur Beschichtung komplexer Bauteile, wie z. B. von Wendeschneidplatten mit unterschiedlichen Zusam mensetzungen an den Schneidkanten, ggf. entsprechend mehr. Mit der in Fig. 1 gewählten Beschichtungsanordnung lassen sich kon tinuierlich entlang einer Linie oder in der Fläche ändernde Zusammensetzungsgradienten erzeugen.

Entsprechendes gilt, wenn mit einem chemischen Aufdampfverfah ren (CVD) gearbeitet wird. Im Unterschied zu dem vorgenannten PVD-Verfahren werden gasförmige Ausgangsmaterialien, sogenannte Präkursoren, in einen Reaktorraum geleitet, in dem die in der Gasphase vorhandenen Substanzen zu einem neuen Stoff reagieren, der sich dann auf dem Substratkörper abscheidet. So reagieren beispielsweise TiCl₄ und CH₄, die zusammen mit einem sogenann ten Trägergas (z. B. Ar, H₂) in den Reaktionsraum eingeleitet werden, zu TiC. In Fig. 2 sind zur Gaseinleitung drei mit ent sprechenden Versorgungsleitungen verbundene Zuführtrichter 14, 15 und 16 vorgesehen, über die die gasförmigen Ausgangsmateria lien in ein erzeugtes Plasma eingeleitet werden. Über den Ein laß 17 wird ein Inertgas, z. B. Ar, zugeführt. Die Zusammenset zung der abgeschiedenen Stoffe ist über verschiedene Verfah rensparameter steuerbar.

Fig. 3 zeigt exemplarisch eine Anordnung zur gezielt inhomoge nen Erwärmung eines planaren Substratkörpers 18, der in einem Reaktor 19 angeordnet ist und mittels eines Ofens 20 bzw. einer fokussierten Heizquelle punkt- oder linienweise erwärmt werden kann. Auf diesem Substratkörper 18 wurden als Funktion des Ortes strukturell und morphologisch unterschiedliche Al₂O₃- Modifikationen abgeschieden, nämlich im Bereich 21 amorphes Al₂O₃, im Bereich 22 γ-Al₂O₃ und im Bereich 23 α-Al₂O₃.

Fig. 4 zeigt in einer Draufsicht einen beschichteten Substrat körper 24, dessen Oberfläche im Bereich 25 auf eine maximale Temperatur erwärmt worden ist, in Richtung des Pfeiles 26 nimmt die bei der Beschichtung eingestellte Oberflächentemperatur generell ab, so daß in einer ersten Zone 27 α-Al₂O₃, in einer weiteren Zone 28 γ-Al₂O₃ und einer äußeren Zone 29 amorphes Al₂O₃ abgeschieden wurde. Die jeweiligen Übergänge zwischen den genannten Zonen weisen graduell abnehmende bzw. zunehmende . Al₂O₃-Mischmodifikationen auf.

Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß sowohl zu analytischen Zwecken auf der Oberfläche eines einzi gen Probekörpers oder auch zur Erzeugung einer den tatsächli chen Bedarfsfällen angepaßten Beschichtung eines Substratkör pers sich graduell in der Zusammensetzung, der Struktur und der Morphologie kontinuierlich sich ändernde Schichten erzeugt wer den können, womit mehrfache Beschichtungsgänge sowie aufwendige Arbeitsverfahren eingespart werden können. So kann mittels einer Analyse eines Probekörpers die optimale chemische Zusam mensetzung oder Schichtstruktur für einen Verschleißkörper ermittelt werden, beispielsweise durch Härtetests oder lokal auf der Oberfläche einwirkende Verschleißprüfungen.

Die Erzeugung von Schichtgradienten ist jedoch auch für dem Verschleiß ausgesetzte Verbundkörper von Bedeutung. So ist es bei Zerspanungswerkzeugen bekannt, daß die abrasive und/oder thermische Belastung entlang der Schneidkante und auf der Span fläche unterschiedlich groß ist, so daß entsprechend den unter schiedlichen Belastungen ein Schichtzusammensetzungsgradient gewählt werden kann, beispielsweise um die Verschleißbeständig keit bzw. Standzeit eines Werkzeuges zu erhöhen.

Mit den vorbeschriebenen Verfahren bzw. Anordnungen sind folgende Untersuchungen durchgeführt worden:

Beispiel 1

Zur PVD-Abscheidung von (Ti,Al)N mit einem eindimensionalen Gradienten der Beschichtungszusammensetzung ist auf einem HSS- Stahl bei einer Substrattemperatur von 100°C, einer Bias- Spannung von -40 V, einem Ar-Druck von 0,36 Pa und einem N-Druck von 0,11 Pa unter Verwendung von Ti- und Al-Target die Beschichtung erzeugt worden. Untersuchungen der Beschichtungen haben ergeben, daß die Oxidationsbestätigung der abgeschiedenen (Ti,Al)N-Schicht mit zunehmendem Al-Gehalt der Schicht kontinuierlich zunimmt. Im Bereich zwischen 70 und 80 Mol-% AlN in der vorgenannten Beschichtung kommt es aufgrund von Rißbildung zu innerer Oxidation. Bei höheren AlN-Gehalten sinkt die Neigung zur Rißbildung deutlich bzw. verbessert sich die Oxidationsbeständigkeit.

Beispiel 2

Unter Verwendung von drei Targets aus Titan, Aluminium und Hafnium in einem PVD-Prozeß (Anordnung entsprechend Fig. 1) sind (Ti,Al,Hf)N-Schichten abgeschieden worden, die "zweidimensionale Zusammensetzungsgradienten" aufwiesen. Der Substratkörper bestand aus einem HSS-Stahl, der auf 200°C während der Beschichtung erwärmt worden ist. Die Spannung sowie die partiellen Gasdrücke in der Reaktoratmosphäre waren wie im Beispiel 1 gewählt.

Bei Untersuchung der abgeschiedenen, einen Gradienten in beiden Flächenrichtungen aufweisenden Schicht konnte festgestellt wer den, daß der Einbau von Al in die TiN-Struktur zu einer Verrin gerung des Gitterparameters der kubischen Struktur führt, wäh rend durch den Einbau von Hf das Gitter aufgeweitet wird. Höhere Hf-Gehalte führen zu einer Ausbildung des Zweiphasenge bietes bei etwa 10 Mol-% geringeren AlN-Gehalten. Gleichzeitig wird das Zweiphasengebiet deutlich verbreitert.

Beispiel 3

In einem weiteren Versuch ist eine (Ti,Al)N-Schicht mit einem Temperatur- und eindimensionalen Zusammensetzungsgradienten (gemäß Anordnung nach Fig. 3) abgeschieden worden. Als Sub stratkörper diente ein HSS-Stahl, dessen Oberfläche durch die verwendete Heizquelle auf Substrattemperaturen erwärmt wurde, die im Bereich der maximalen Erwärmung bei 700°C und zu weiter von der Heizquelle entfernten Bereichen graduell bis auf 100°C abnahmen. Die angelegte Spannung betrug -10 V. Ansonsten wurden dieselben Verfahrensparameter wie in Beispiel 1 gewählt.

Anhand des derart hergestellten beschichteten Substratkörpers konnte festgestellt werden, daß das Zweiphasengebiet zwischen kubischer und hexagonaler Struktur sich mit steigender Tempera tur verbreitert. Bis zu Bereichen mit Abscheidetemperaturen von 500°C lassen sich etwa 63 Mol-% AlN in der kubischen Struktur lösen. Höhere Temperaturen führen zu einem Sinken der Löslich keit. Bei einer Abscheidetemperatur von 700°C beträgt die maximale Löslichkeit von AlN in (Ti,Al)N etwa 53 Mol-% AlN.

Beispiel 4

In einem weiteren Versuch ist eine plasmaunterstützte CVD- Abscheidung einer (Ti,Al)N-Schicht mit eine eindimensionalen Zusammensetzungsgradienten auf einem HSS-Substrat unter Verwendung folgender Parameter erzeugt worden:
Substrattemperatur: 510°C, verwendete Gasmischung: TiCl4- AlCl₃-H₂-N₂-Ar, Gesamtdruck: 150 Pa, 0,123 slh^-1 TiCl₄-Fluß, 0,369 slh^-1 AlCl₃-Fluß, 480 V Entladespannung.

Härteuntersuchungen der Schichten zeigten, daß mit steigendem AlN-Gehalt die Härte von 2000 HV auf 4000 HV anstieg. Maximale Härtewerte werden im Zweiphasengebiet zwischen kubischer und hexagonaler Phase gefunden.

Beispiel 5

Für die Herstellung optischer Datenspeicher ist in einem weite ren Versuch eine PVD-Abscheidung von Ge-Sb-Te-Schichten mit einem zweidimensionalen Zusammensetzungsgradienten auf einem Si(111)-Substratkörper unter Verwendung von Ge-, Sb- und Te-Targets bei einem Ar-Druck von 1 Pa hergestellt und unter sucht worden. Hierbei konnte festgestellt werden, daß die Löschgeschwindigkeit des optischen Datenspeichers bei der Zusammensetzung Ge₂Sb₂Te₅ maximal ist. An dieser Stelle ist die Schreibgeschwindigkeit minimal. Eine optimale Gesamtperformance ergibt sich auf dem quasibinären Schnitt GeTe-Sb₂Te₃ bei Zusam mensetzungen zwischen Ge₂Sb₂Te₅ und Ge₁Sb₂Te₄.

Claims

1. Verfahren zur Optimierung der Zusammensetzung und/oder der mechanischen Eigenschaften einer oder mehrerer Schichten, die mittels eines PVD-, CVD- und/oder PCVD-Verfahrens auf einem Substratkörper, insbesondere aus einem Hartmetall, Cermet, einer Keramik oder einer Metallegierung, abge schieden werden, dadurch gekennzeichnet, daß mittels zwei oder drei unter unterschiedlichen Rich tungen auf eine ebene Oberfläche eines Probekörpers gerichteten Aufdampfquellen eine ein- oder zweidimensional kontinuierlich gradierte Schicht oder Schichtfolge abge schieden wird, die dann punkt- oder strichweise einer Materialprüfung unterzogen wird und wonach die gemäß den gestellten Anforderungen günstigste Konstellation ausge wählt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lateral gradierten Schichten oder Schichtfolgen während oder nach der Abscheidung gezielt ortsabhängig inhomogen erwärmt und/oder verschiedenen elektrischen und/oder magnetischen Feldern ausgesetzt werden.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch lokale Änderungen der Abscheide bedingungen auf dem Probekörper strukturell und morpholo gisch Schichten mit graduell kontinuierlich sich änderndem Gefüge abgeschieden werden.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufdampfquellen aus zwei oder meh reren Gaszuführeinrichtungen für den Einlaß und die Zusammensetzung der für die chemischen Reaktionen benötigten Gase in einem CVD- oder plasmaunterstützten CVD-(PCVD-) Prozeß bestehen.

5. Verwendung des in einem der Ansprüche 1 bis 4 beschriebe nen Verfahrens zur Optimierung der Beschichtung eines Sub stratkörpers zu einem als Schneideinsatz zum Zerspanen einsetzbaren Verbundkörpers.