JPH06268441A - 電圧制御高周波発振器 - Google Patents

電圧制御高周波発振器

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Publication number
JPH06268441A
JPH06268441A JP5235993A JP5235993A JPH06268441A JP H06268441 A JPH06268441 A JP H06268441A JP 5235993 A JP5235993 A JP 5235993A JP 5235993 A JP5235993 A JP 5235993A JP H06268441 A JPH06268441 A JP H06268441A
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JP
Japan
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layer
circuit
ground
resonance element
high frequency
Prior art date
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Pending
Application number
JP5235993A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Takenouchi
正 竹之内
Yoshito Miyazaki
良人 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Filing date
Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、λ/4共振器と能動素子を用いて
構成する電圧制御高周波発振器に関し、共振素子と発振
回路との分離と線路の最短化を両立でき、且つ、小型化
を容易に実現できる電圧制御高周波発振器を得ることを
目的とする。 【構成】 本発明の電圧制御高周波発振器は第1層Aに
部品実装面となる基板を配設し、この基板に対向させ
て、第2層B、第3層C及び第4層Dの三層構造の多層
基板を配設している。第2層Bと第4層Dによって接地
層6、6を構成し、その間に第3層Cを配置する。この
第3層Cには共振素子1を形成し、第1層Aには周波数
制御回路2と負性抵抗回路5を形成し、前記共振素子1
の開放端と前記周波数制御回路2を導体8で接続し、前
記共振素子1の短絡端及び前記負性抵抗回路5の接地領
域と前記接地層6、6の双方を同一部位にて導体9によ
って接続して形成してある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電圧制御高周波発振器に
関し、λ/4共振器と能動素子を用いて構成する電圧制
御高周波発振器に係る。
【0002】
【従来の技術】発振器は高周波を応用した種々の分野の
電子回路に用いられており、とりわけ電圧制御高周波発
振器はPLL回路に構成され、準マイクロ波等において
安定した周波数のキャリアを得るために盛んに利用され
ている。
【0003】図3は発振器を構成するための発振回路の
基本的な回路図である。同図において、共振素子1の一
端はコンデンサ10を介してトランジスタ11のベース
に接続してあり、前記共振素子1の他端は接地されてい
る。前記トランジスタ11のベースには電源端子に印加
される電源電圧を抵抗12と抵抗13によって分圧した
バイアス電圧を印加しており、前記電源端子と前記トラ
ンジスタ11のコレクタの間にはチョークコイル14を
接続してある。前記トランジスタ11のエミッタは抵抗
15を介して接地すると共にコンデンサ16を介して前
記ベースに接続してある。前記トランジスタ11のコレ
クタはコンデンサ17を介して接地すると共にコンデン
サ18を介して前記エミッタに接続してあり、このエミ
ッタからコンデンサ19を介して発振出力が取り出され
る。そして、このトランジスタ11で構成される部分は
負性抵抗回路5として機能している。一方、前記共振素
子1にはコンデンサ20及び可変容量ダイオード21が
接続されており、前記コンデンサ20と前記可変容量ダ
イオード21との接続部位にはチョークコイル22を介
して前記可変容量ダイオード21を制御し、発振周波数
を加減するための制御電圧が印加されている。コンデン
サ23はバイパス用に用いられている。そして、この可
変容量ダイオード21等の部分は周波数制御回路2とし
て機能している。
【0004】図2は共振素子としてλ/4共振器を用い
て構成した従来の発振器の構造を示す概略斜視図であ
る。このような発振器において、高いC/N(キャリア
対ノイズ比)と所望の発振周波数を得るには、共振素子
と負性抵抗回路の間の線路を出来る限り短くする必要が
ある。それは、図2に示す線路3が長くなると高周波損
失が大きくなり、共振回路のQを下げてしまう結果、発
振信号のC/Nが低下してしまうからである。
【0005】また、負性抵抗回路5の接地点と共振素子
1との間の線路を出来る限り短くすることも重要であ
る。その理由は、図2に示す共振素子1や負性抵抗回路
5と接地層8との間の線路4が長くなると、接地電位と
されるべき共振素子の部分が高周波的に浮いてしまい所
定の発振周波数の発振信号が得られないためである。
【0006】更に、λ/4共振器を用いた発振器では共
振素子と発振回路との分離を実現することが望ましい。
そのわけは、λ/4共振器を用いる場合、信号レベルが
開放端で最大になるため、信号伝送線路外への結合が生
じ易くなるためである。例えば、共振器の開放端と接地
間で結合を生じると、共振回路のQが下がり、発振信号
のC/Nが低下してしまう。また、前記結合に起因して
発振周波数が設計値とはかなり違ったものになってしま
う。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図2に示されるよう
に、従来のマイクロストリップライン共振器(λ/4共
振器)を用いた発振器は発振回路と共振素子とが同一平
面上に配置されていた。そのため、共振素子1と周波数
制御回路2との間の線路3や負性抵抗回路5の入力端子
と周波数制御回路2との間の線路7を出来る限り短くす
るためには、可能な限り共振素子と負性抵抗回路5とを
接近させなければならない。しかし、そのようにすると
共振素子と発振回路とを分離させることができなくなっ
てしまう。即ち、共振素子と発振回路との分離と線路を
短くすることとは二律背反の関係にある。また、従来の
発振器は同一平面上に全ての回路素子が設けられていた
ため、構造的に小型化し難いという問題もあった。
【0008】そこで、本発明は前記問題点を考慮して、
共振素子と発振回路との分離と線路の最短化を両立で
き、且つ、小型化を容易に実現できる電圧制御高周波発
振器を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧制御高周波
発振器は第1層に部品実装面となる基板を配設し、第2
層以降にトリプレート構造(3層構造で上下層を接地層
とし、接地層に挟まれた中心層を信号層として持つ基板
構造)に形成した多層基板を配設し、前記トリプレート
構造の中心層に金属箔によって共振素子を形成し、この
共振素子の開放端と発振回路の信号伝送線路をスルーホ
ールによって最短距離で接続し、前記共振素子の短絡端
及び前記発振回路の接地領域の双方を同一部位にてスル
ーホールによって前記多層基板の接地層に接続して形成
してある。
【0010】
【作用】共振素子は接地層でシールドされるので、共振
素子と発振回路との分離を効果的に行うことができる。
また、共振素子と発振回路との電気的接続はスルーホー
ルによって最短距離で接続することが可能であり、発振
器全体を立体的構造に形成することができるため、小型
化を容易に実現できる。
【0011】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。図1は本発明の電圧制御高周波
発振器の一実施例を示す概略分解斜視図である。同図に
おいて、電圧制御高周波発振器は4層に形成された多層
プリント基板を備えている。その多層プリント基板のう
ちの第1層Aは部品実装面となる基板であり、図3に示
した負性抵抗回路5、周波数制御回路2を実装してあ
る。他の三層はトリプレート構造に形成した多層基板に
より構成してある。即ち、このトリプレート構造とは3
層から成り、第2層Bと第4層Dの上下層を接地層と
し、これらの接地層に挟まれた部位に第3層Cの共振素
子層が配設された基板構造である。
【0012】前記第3層Cの共振素子層には、銅箔、銀
箔その他の金属箔や金属膜といった金属薄体によって共
振素子1を形成し、前記第2層Bと前記第4層Dは、ほ
ぼ全面に銅箔等の金属薄体によって接地層を形成してあ
る。
【0013】前記第2層Bと第4層Dの金属薄体でシー
ルドされた第3層Cにおける共振素子1の開放端はスル
ーホールの手法によって前記第1層Aの周波数制御回路
2に最短距離で導体8を介して接続されている。即ち、
図3の共振素子1とコンデンサ10、20とが接続され
る。なお、前記周波数制御回路2は線路7で前記負性抵
抗回路5に接続している。
【0014】同様に、前記第3層Cにおける共振素子1
の短絡端はスルーホールの手法によって前記負性抵抗回
路5の接地領域及び前記第2層Bと第4層Dの接地層
6、6の金属薄体に同一部位にて導体9を介して接続さ
れている。
【0015】このような構成により、前記第3層Cにお
ける共振素子1は前記第2層Bと第4層Dの接地層よっ
てシールドされているため、共振素子1は前記第1層A
の発振回路(周波数制御回路2及び負性抵抗回路5)か
らほぼ完全に隔離することができる。
【0016】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明によ
れば、共振素子と発振回路との分離と線路の最短化を両
立させることができ、且つ、構造の小型化を容易に実現
でき、設計値に良く適合する電圧制御高周波発振器を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電圧制御高周波発振器の一実施例を示
す概略分解斜視図である。
【図2】共振素子としてλ/4共振器を用いて構成した
従来の発振器の構造を示す概略斜視図である。
【図3】発振器を構成するための発振回路の基本的な回
路図である。
【符号の説明】
1 共振素子 2 周波数制御回路 5 負性抵抗回路 6 接地層 8 導体 9 導体 A 第1層 B 第2層 C 第3層 D 第4層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1層に部品実装面となる基板を配設
    し、第2層以降にトリプレート構造(3層構造で上下層
    を接地層とし、接地層に挟まれた中心層を信号層として
    持つ基板構造)に形成した多層基板を配設し、前記トリ
    プレート構造の中心層に金属箔、金属膜その他の金属薄
    体によって共振素子を形成し、該共振素子の開放端と発
    振回路の信号伝送線路をスルーホールによって最短距離
    で接続し、前記共振素子の短絡端及び前記発振回路の接
    地領域の双方を同一部位にてスルーホールによって前記
    多層基板の接地層に接続して形成したことを特徴とする
    電圧制御高周波発振器。
JP5235993A 1993-03-12 1993-03-12 電圧制御高周波発振器 Pending JPH06268441A (ja)

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020723