JPH06267869A - アルミニウム合金薄膜の形成装置 - Google Patents
アルミニウム合金薄膜の形成装置Info
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- JPH06267869A JPH06267869A JP5600293A JP5600293A JPH06267869A JP H06267869 A JPH06267869 A JP H06267869A JP 5600293 A JP5600293 A JP 5600293A JP 5600293 A JP5600293 A JP 5600293A JP H06267869 A JPH06267869 A JP H06267869A
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- Japan
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- raw material
- thin film
- alloy thin
- container
- substrate
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各原料ガスを最適な温度で供給し、良質な合
金薄膜を形成できるアルミニウム合金薄膜の形成装置を
提供することにある。 【構成】 形成装置は、化学気相成長によって合金薄膜
を形成する反応容器１０とバブラー２０、３０を備え
る。バブラー２０で発生した原料ガスは供給ノズル１４
を介し、また、バブラー３０で発生した原料ガスは供給
ノズル１５を介してそれぞれ別々に反応容器１０内に導
入する。成膜時には、基板１２を支持するサセプタ１１
をベルトコンベア１６によって往復動させる。
金薄膜を形成できるアルミニウム合金薄膜の形成装置を
提供することにある。 【構成】 形成装置は、化学気相成長によって合金薄膜
を形成する反応容器１０とバブラー２０、３０を備え
る。バブラー２０で発生した原料ガスは供給ノズル１４
を介し、また、バブラー３０で発生した原料ガスは供給
ノズル１５を介してそれぞれ別々に反応容器１０内に導
入する。成膜時には、基板１２を支持するサセプタ１１
をベルトコンベア１６によって往復動させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム化合物原
料を気化させ、化学気相成長によってアルミニウム合金
薄膜を形成するアルミニウム合金薄膜の形成装置に関す
る。
料を気化させ、化学気相成長によってアルミニウム合金
薄膜を形成するアルミニウム合金薄膜の形成装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの微細化に伴い、集積回路装置の
配線用に用いられるＡｌ−Ｃｕ合金などの合金薄膜を化
学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）
によって堆積させる技術が提案されている（特開平２−
１７０４１９など）。
配線用に用いられるＡｌ−Ｃｕ合金などの合金薄膜を化
学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）
によって堆積させる技術が提案されている（特開平２−
１７０４１９など）。
【０００３】この方法に使用される装置構成の一例を図
６に示す。一方のバブラー６０内にはアルミ化合物原料
として、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイドライ
ド）６１が封入され、他方のバブラー７０内には銅化合
物原料として、ＣｐＣｕＴＥＰ（＝Ｃｕ（Ｃ5 Ｈ5 ）・
Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）７１が封入されている。それぞれ適
当なキャリアガスによってバブリングし、各バブラーか
ら発生した各原料ガス及びキャリアを混合して反応容器
８０内に供給していた。
６に示す。一方のバブラー６０内にはアルミ化合物原料
として、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイドライ
ド）６１が封入され、他方のバブラー７０内には銅化合
物原料として、ＣｐＣｕＴＥＰ（＝Ｃｕ（Ｃ5 Ｈ5 ）・
Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）７１が封入されている。それぞれ適
当なキャリアガスによってバブリングし、各バブラーか
ら発生した各原料ガス及びキャリアを混合して反応容器
８０内に供給していた。
【０００４】通常、常温で気体もしくは固体の原料を２
種以上混合して成膜を行う場合には、適当なキャリアガ
ス流量において適切な分圧比を得るために、原料ガスの
供給配管の温度に差をつけることが多い。特開平２−１
７０４１９によれば、ＤＭＡＨ６１、ＣｐＣｕＴＥＰ７
１のバブラリング温度は、前者が２５℃、後者が８０℃
であり、配管温度は特に明示されていないが、一般的に
はバブリング温度よりも１０〜２０℃高くなるように各
配管毎に別々に設定している。
種以上混合して成膜を行う場合には、適当なキャリアガ
ス流量において適切な分圧比を得るために、原料ガスの
供給配管の温度に差をつけることが多い。特開平２−１
７０４１９によれば、ＤＭＡＨ６１、ＣｐＣｕＴＥＰ７
１のバブラリング温度は、前者が２５℃、後者が８０℃
であり、配管温度は特に明示されていないが、一般的に
はバブリング温度よりも１０〜２０℃高くなるように各
配管毎に別々に設定している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような装置を用い
た場合、発生した各原料ガスを共通のノズル８１から反
応容器８０内に導入するので、少なくともノズル８１或
いは供給配管の一部を共有することになる。図６の場合
には、供給配管内で各原料ガスを混合しており、この部
分は原料ガスの凝集を防ぐため、高い方の配管温度以上
に加熱する必要がある。この例では、この部分の配管を
１００℃以上に加熱しなければならない。このため、分
解温度が低い方の原料ガスとなるＣｐＣｕＴＥＰは、そ
の分解が過剰に進むため、成膜時にＣ，Ｐなどの不純物
が混入してしまい、さらに成膜速度の低下を引き起こす
などの問題点があった。
た場合、発生した各原料ガスを共通のノズル８１から反
応容器８０内に導入するので、少なくともノズル８１或
いは供給配管の一部を共有することになる。図６の場合
には、供給配管内で各原料ガスを混合しており、この部
分は原料ガスの凝集を防ぐため、高い方の配管温度以上
に加熱する必要がある。この例では、この部分の配管を
１００℃以上に加熱しなければならない。このため、分
解温度が低い方の原料ガスとなるＣｐＣｕＴＥＰは、そ
の分解が過剰に進むため、成膜時にＣ，Ｐなどの不純物
が混入してしまい、さらに成膜速度の低下を引き起こす
などの問題点があった。
【０００６】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的は、このようなアルミニウム
合金薄膜を形成する際に、各原料ガスを最適な温度で供
給し、良質なアルミニウム合金薄膜を形成できるアルミ
ニウム合金薄膜の形成装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、このようなアルミニウム
合金薄膜を形成する際に、各原料ガスを最適な温度で供
給し、良質なアルミニウム合金薄膜を形成できるアルミ
ニウム合金薄膜の形成装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明のアルミ
ニウム合金薄膜の形成装置は、第１収容体で発生したア
ルミニウム原料ガスを反応容器内に導入する第１の原料
供給ノズルと、第２収容体で発生した銅原料ガスを反応
容器内に導入する第２の原料供給ノズルとを備え、各原
料ガスを別々に反応容器内に導入する構成とした。
ニウム合金薄膜の形成装置は、第１収容体で発生したア
ルミニウム原料ガスを反応容器内に導入する第１の原料
供給ノズルと、第２収容体で発生した銅原料ガスを反応
容器内に導入する第２の原料供給ノズルとを備え、各原
料ガスを別々に反応容器内に導入する構成とした。
【０００８】さらに、反応容器内に配設された被成膜基
板を支持する基板支持体と、第１及び第２の原料供給ノ
ズルに対して、基板支持体を相対的に変位させる移動手
段とを備え、成膜する際に、この反応容器内において基
板支持体を連続的に或いは間欠的に移動させる構成とす
ることが望ましい。
板を支持する基板支持体と、第１及び第２の原料供給ノ
ズルに対して、基板支持体を相対的に変位させる移動手
段とを備え、成膜する際に、この反応容器内において基
板支持体を連続的に或いは間欠的に移動させる構成とす
ることが望ましい。
【０００９】また、この移動手段によって基板支持体を
移動させることにより、基板支持体上の被成膜基板を、
各原料供給ノズルの間を亘って往復動させる構成として
も良い。
移動させることにより、基板支持体上の被成膜基板を、
各原料供給ノズルの間を亘って往復動させる構成として
も良い。
【００１０】さらに、基板支持体上には被成膜基板を複
数配置すると共に、この各被成膜基板に対応して、いず
れかの原料供給ノズルを個々に対置させ、この移動手段
によって基板支持体を移動させることにより、各被成膜
基板を各原料供給ノズルの直下を巡って循環させても良
い。
数配置すると共に、この各被成膜基板に対応して、いず
れかの原料供給ノズルを個々に対置させ、この移動手段
によって基板支持体を移動させることにより、各被成膜
基板を各原料供給ノズルの直下を巡って循環させても良
い。
【００１１】また、第１及び第２の原料供給ノズルのう
ち、いずれか一方の原料供給ノズルを中央部に配し、他
方の原料供給ノズルをその外周部に同心的に配設し、い
わゆる二重配管構造とすることもできる。
ち、いずれか一方の原料供給ノズルを中央部に配し、他
方の原料供給ノズルをその外周部に同心的に配設し、い
わゆる二重配管構造とすることもできる。
【００１２】
【作用】第１及び第２の原料供給ノズルによって各原料
ガスを別々に反応容器内に導入するので、各原料ガスが
導入前に混合されることはなく、分解温度が低い原料ガ
スが過剰に加熱されることはない。
ガスを別々に反応容器内に導入するので、各原料ガスが
導入前に混合されることはなく、分解温度が低い原料ガ
スが過剰に加熱されることはない。
【００１３】また、このように各原料ガスを分離して個
々に導入するため、各原料ガスの混合性の低下を生じる
おそれがあるが、これを補う目的で、移動手段によって
基板支持体を第１及び第２の原料供給ノズルに対して変
位させることにより、被成膜基板に各原料ガスが均等に
あたるようにしている。
々に導入するため、各原料ガスの混合性の低下を生じる
おそれがあるが、これを補う目的で、移動手段によって
基板支持体を第１及び第２の原料供給ノズルに対して変
位させることにより、被成膜基板に各原料ガスが均等に
あたるようにしている。
【００１４】
【実施例】以下、本実施例にかかるアルミニウム合金薄
膜の形成装置について添付図面を基に説明する。
膜の形成装置について添付図面を基に説明する。
【００１５】＜実施例１＞図１に、本実施例に使用する
形成装置の全体の構成を示す。本形成装置は、化学気相
成長によって合金薄膜を形成する反応容器１０、及びこ
の反応容器１０に導入する原料ガスを発生供給する２つ
のバブラー容器２０、３０を備えている。
形成装置の全体の構成を示す。本形成装置は、化学気相
成長によって合金薄膜を形成する反応容器１０、及びこ
の反応容器１０に導入する原料ガスを発生供給する２つ
のバブラー容器２０、３０を備えている。
【００１６】反応容器１０内には、矢印方向に往復動す
るベルトコンベア１６を備えており、このベルト上にサ
セプター１１を固定している。また、サセプター１１上
に基板１２を配置しており、この基板１２に相対して２
本の原料ガス供給ノズル（以下、供給ノズルと記す）１
４、１５を設置している。この各ノズルを介して後述す
る各原料ガスなどを反応容器１０内に供給する。また、
サセプター１１内にはヒータ１３を設けており、交流電
圧を印加することにより発熱し、基板１２を所定の温度
に加熱する。なお、参照番号１７は反応容器内のガスを
排気する排気系を示している。
るベルトコンベア１６を備えており、このベルト上にサ
セプター１１を固定している。また、サセプター１１上
に基板１２を配置しており、この基板１２に相対して２
本の原料ガス供給ノズル（以下、供給ノズルと記す）１
４、１５を設置している。この各ノズルを介して後述す
る各原料ガスなどを反応容器１０内に供給する。また、
サセプター１１内にはヒータ１３を設けており、交流電
圧を印加することにより発熱し、基板１２を所定の温度
に加熱する。なお、参照番号１７は反応容器内のガスを
排気する排気系を示している。
【００１７】バブラー容器２０内には、アルミニウム化
合物原料２１を封入しており、温度コントロールされた
オイルバス（図示せず）により、このアルミニウム化合
物原料を一定温度に加温する。この原料を水素などの適
当なキャリアガスによってバブリングさせ、発生したア
ルミ原料ガスをキャリアガスと共に、供給ノズル１４を
介して反応容器１０内に導入する。
合物原料２１を封入しており、温度コントロールされた
オイルバス（図示せず）により、このアルミニウム化合
物原料を一定温度に加温する。この原料を水素などの適
当なキャリアガスによってバブリングさせ、発生したア
ルミ原料ガスをキャリアガスと共に、供給ノズル１４を
介して反応容器１０内に導入する。
【００１８】一方、バブラー容器３０内には、銅化合物
原料３１を封入しており、温度コントロールされたオイ
ルバス（図示せず）により、この銅化合物原料３１を一
定温度に加温する。この原料を水素などの適当なキャリ
アガスによってバブリングさせ、発生したアルミ原料ガ
スをキャリアガスと共に、供給ノズル１５を介して反応
容器１０内に導入する。
原料３１を封入しており、温度コントロールされたオイ
ルバス（図示せず）により、この銅化合物原料３１を一
定温度に加温する。この原料を水素などの適当なキャリ
アガスによってバブリングさせ、発生したアルミ原料ガ
スをキャリアガスと共に、供給ノズル１５を介して反応
容器１０内に導入する。
【００１９】なお、各ガス供給配管１８、１９は、図示
しないヒータによって所定の温度に加熱することができ
る。
しないヒータによって所定の温度に加熱することができ
る。
【００２０】図２に、供給ノズル１４、１５付近を拡大
して示す。各供給ノズル１４、１５は、その下面側に多
数のガス吹出し孔を配列形成しており、供給ノズル１４
からはバブラー容器２０で発生したアルミニウムの原料
ガスが、また、供給ノズル１５からはバブラー容器３０
で発生した銅の原料ガスが、サセプター１１上に配置さ
れた基板１２に向けて吹き出される。ベルトコンベア１
６によって、このサセプター１１を、矢印方向に連続的
に或いは間欠的に、往復動させる。
して示す。各供給ノズル１４、１５は、その下面側に多
数のガス吹出し孔を配列形成しており、供給ノズル１４
からはバブラー容器２０で発生したアルミニウムの原料
ガスが、また、供給ノズル１５からはバブラー容器３０
で発生した銅の原料ガスが、サセプター１１上に配置さ
れた基板１２に向けて吹き出される。ベルトコンベア１
６によって、このサセプター１１を、矢印方向に連続的
に或いは間欠的に、往復動させる。
【００２１】以上のように構成する形成装置を用いて、
Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜の成膜を行った。アルミニウム化合
物原料２０としては、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウム
ハイドライド：ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）を用い、銅化合物
原料３０としてはＣｐＣｕＴＥＰ（＝Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）を用いた。各バブラー容器２０，３０
に供給されるバブリングガスとしてのキャリアガスは、
水素ガスを用い、流量調節器（図示せず）によってそれ
ぞれ１００ＳＣＣＭに制御して流した。バブラー２０内
の圧力は、５００Ｔｏｒｒ一定に制御し、オイルバス温
度は５０℃一定とした。一方、バブラー３０内の圧力
は、１７０Ｔｏｒｒ一定に制御し、オイルバス温度は１
００℃一定とした。なお、アルミ側のガス供給配管１８
はヒータにより７０℃に加熱し、銅側のガス供給配管１
９はヒータにより１２０℃に加熱した。 反応容器１０
内の成膜条件としては、反応容器１０内の圧力を２Ｔｏ
ｒｒ、基板１２の温度を２５０℃とした。また、サセプ
ター１１を往復動させるベルトコンベア１６の移動速度
は平均１ｃｍ／ｓｅｃとした。
Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜の成膜を行った。アルミニウム化合
物原料２０としては、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウム
ハイドライド：ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）を用い、銅化合物
原料３０としてはＣｐＣｕＴＥＰ（＝Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）を用いた。各バブラー容器２０，３０
に供給されるバブリングガスとしてのキャリアガスは、
水素ガスを用い、流量調節器（図示せず）によってそれ
ぞれ１００ＳＣＣＭに制御して流した。バブラー２０内
の圧力は、５００Ｔｏｒｒ一定に制御し、オイルバス温
度は５０℃一定とした。一方、バブラー３０内の圧力
は、１７０Ｔｏｒｒ一定に制御し、オイルバス温度は１
００℃一定とした。なお、アルミ側のガス供給配管１８
はヒータにより７０℃に加熱し、銅側のガス供給配管１
９はヒータにより１２０℃に加熱した。 反応容器１０
内の成膜条件としては、反応容器１０内の圧力を２Ｔｏ
ｒｒ、基板１２の温度を２５０℃とした。また、サセプ
ター１１を往復動させるベルトコンベア１６の移動速度
は平均１ｃｍ／ｓｅｃとした。
【００２２】以上の条件で成膜を行った結果、形成され
た合金薄膜中の不純物濃度（Ｃ濃度）は１００ｐｐｍ未
満であり、図６に示した従来の装置で成膜した場合の
０．５％に比べて大きく低減した。また、成膜速度も従
来、２００ｎｍ／ｍｉｎであったものが、４００ｎｍ／
ｍｉｎと倍の速度で成膜することができた。
た合金薄膜中の不純物濃度（Ｃ濃度）は１００ｐｐｍ未
満であり、図６に示した従来の装置で成膜した場合の
０．５％に比べて大きく低減した。また、成膜速度も従
来、２００ｎｍ／ｍｉｎであったものが、４００ｎｍ／
ｍｉｎと倍の速度で成膜することができた。
【００２３】＜実施例２＞図３に本形成装置の他の実施
例を示す。反応容器４０内には、図４に示すような円盤
状のサセプター４１を備えており、その中心部を駆動軸
４７によって一体的に支持し、駆動軸４７が回転するこ
とによりサセプター４１が回転する機構となっている。
また、このサセプター４１上には、図４に示すように、
多数の基板４２を放射状に等間隔で配置しており、各基
板４２の直上には、各ブラー容器から輸送された原料ガ
スを噴出する供給ノズル４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４５
ａ，４５ｂ，４５ｃを固定している。この６つの供給ノ
ズルのうち、供給ノズル４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、バ
ブラ容器２０から延びるガス供給配管１８に分岐接続し
ており、それぞれがアルミニウムの原料ガスを噴出す
る。また、供給ノズル４５ａ，４５ｂ，４５ｃは、バブ
ラ容器３０から延びるガス供給配管１９に分岐接続して
おり、それぞれが銅の原料ガスを噴出する。なお、この
供給ノズル４４ａ，４４ｂ，４４ｃと、供給ノズル４５
ａ，４５ｂ，４５ｃとは、それぞれ一つ置きに放射状に
配設している。成膜時には、間欠的或いは一定の速度
で、サセプター４１を回転させる。これによって、個々
の基板４２は、各供給ノズルの直下を順に巡って循環す
ることになり、個々の基板４２には、アルミニウムの原
料ガスと銅の原料ガスとが交互にあたり、結果的に各原
料ガスを均一にあてることができる。なお、その他の構
成は、図１に示した形成装置と同様であるため、同一の
構成要素には同一の参照番号を付し説明は省略する。
例を示す。反応容器４０内には、図４に示すような円盤
状のサセプター４１を備えており、その中心部を駆動軸
４７によって一体的に支持し、駆動軸４７が回転するこ
とによりサセプター４１が回転する機構となっている。
また、このサセプター４１上には、図４に示すように、
多数の基板４２を放射状に等間隔で配置しており、各基
板４２の直上には、各ブラー容器から輸送された原料ガ
スを噴出する供給ノズル４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４５
ａ，４５ｂ，４５ｃを固定している。この６つの供給ノ
ズルのうち、供給ノズル４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、バ
ブラ容器２０から延びるガス供給配管１８に分岐接続し
ており、それぞれがアルミニウムの原料ガスを噴出す
る。また、供給ノズル４５ａ，４５ｂ，４５ｃは、バブ
ラ容器３０から延びるガス供給配管１９に分岐接続して
おり、それぞれが銅の原料ガスを噴出する。なお、この
供給ノズル４４ａ，４４ｂ，４４ｃと、供給ノズル４５
ａ，４５ｂ，４５ｃとは、それぞれ一つ置きに放射状に
配設している。成膜時には、間欠的或いは一定の速度
で、サセプター４１を回転させる。これによって、個々
の基板４２は、各供給ノズルの直下を順に巡って循環す
ることになり、個々の基板４２には、アルミニウムの原
料ガスと銅の原料ガスとが交互にあたり、結果的に各原
料ガスを均一にあてることができる。なお、その他の構
成は、図１に示した形成装置と同様であるため、同一の
構成要素には同一の参照番号を付し説明は省略する。
【００２４】このような装置構成とし、実際に成膜を行
った結果、実施例１と同様の効果が得られた。
った結果、実施例１と同様の効果が得られた。
【００２５】＜実施例３＞また、供給ノズルを図５に示
す構造とすることもできる。この供給ノズルは、大径ノ
ズル５４の内部に、小径ノズル５５を挿入して、両供給
ノズルを同心的に配置したもので、いわゆる二重配管構
造を呈している。小径ノズル５５に対してガス供給配管
１８を接続し、大径ノズル５４に対してガス供給配管１
９を接続している。なお、各バブラ容器及びガス供給配
管は、図１と同一であるので図示は省略する。
す構造とすることもできる。この供給ノズルは、大径ノ
ズル５４の内部に、小径ノズル５５を挿入して、両供給
ノズルを同心的に配置したもので、いわゆる二重配管構
造を呈している。小径ノズル５５に対してガス供給配管
１８を接続し、大径ノズル５４に対してガス供給配管１
９を接続している。なお、各バブラ容器及びガス供給配
管は、図１と同一であるので図示は省略する。
【００２６】この供給ノズルの直下には、黒鉛サセプタ
５１が設けられており、反応容器５０の外周部に設けた
高周波誘導コイル５６によって加熱を施す。この黒鉛サ
セプタ５１は駆動軸５３の先端部に固定しており、成膜
時には、この駆動軸５３の回転に伴って連続的に或いは
間欠的に一体的に回転する。なお、黒鉛サセプタ５１上
には基板５２をセットしている。
５１が設けられており、反応容器５０の外周部に設けた
高周波誘導コイル５６によって加熱を施す。この黒鉛サ
セプタ５１は駆動軸５３の先端部に固定しており、成膜
時には、この駆動軸５３の回転に伴って連続的に或いは
間欠的に一体的に回転する。なお、黒鉛サセプタ５１上
には基板５２をセットしている。
【００２７】供給ノズルをこのような構造とした場合に
も、大径ノズル５４と小径ノズル５５とを輸送される各
原料ガスを混合することなく、それぞれ最適な温度で基
板５２上に導入することができる。この結果、各原料ガ
スの熱分解の程度が異なることを回避することができ、
実際に実施例１と同一の条件で成膜を行った結果、同様
の効果が得られた。
も、大径ノズル５４と小径ノズル５５とを輸送される各
原料ガスを混合することなく、それぞれ最適な温度で基
板５２上に導入することができる。この結果、各原料ガ
スの熱分解の程度が異なることを回避することができ、
実際に実施例１と同一の条件で成膜を行った結果、同様
の効果が得られた。
【００２８】以上、各実施例では、ガス供給配管と共に
供給ノズルにも加熱を施してもよく、これによって、各
原料ガスをより最適な温度で基板上に導入することがで
きる。なお、供給ノズルの加熱機構としては、このノズ
ル部にヒータを巻着するなどが望ましいが、加熱を施す
ことができれば、特に限定するものではない。
供給ノズルにも加熱を施してもよく、これによって、各
原料ガスをより最適な温度で基板上に導入することがで
きる。なお、供給ノズルの加熱機構としては、このノズ
ル部にヒータを巻着するなどが望ましいが、加熱を施す
ことができれば、特に限定するものではない。
【００２９】また、各実施例において基板１２を移動さ
せる例を示したが、例示した移動方向に限定するもので
はなく、他の動きと組み合わせた複合的な移動機構であ
っても良い。例えば、図２の場合には、往復動に変えて
回転させるか、或いは往復動させながら、基板１２を回
転させても良い。図４の場合には、放射状に配置した各
基板４２自体を回転させながら、かつ、サセプター４１
も回転させるなどが上げられる。いずれの実施例におい
ても、各基板に対して各原料ガスが均一にあたるように
基板を移動させる機構であれば、何等限定するものでは
ない。
せる例を示したが、例示した移動方向に限定するもので
はなく、他の動きと組み合わせた複合的な移動機構であ
っても良い。例えば、図２の場合には、往復動に変えて
回転させるか、或いは往復動させながら、基板１２を回
転させても良い。図４の場合には、放射状に配置した各
基板４２自体を回転させながら、かつ、サセプター４１
も回転させるなどが上げられる。いずれの実施例におい
ても、各基板に対して各原料ガスが均一にあたるように
基板を移動させる機構であれば、何等限定するものでは
ない。
【００３０】ここで、各実施例に適用可能な各化合物原
料を例示しておく。
料を例示しておく。
【００３１】アルミ化合物原料としては、例示した原料
のほか、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ，Ａ
ｌ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 ，ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ3 ）3 ，Ａｌ（Ｏ
Ｃ3 Ｈ7 ）3 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 ，（ｎ−Ｃ
3 Ｈ7 ）2 ＡｌＣｌなどが適用できる。
のほか、ＡｌＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ，Ａ
ｌ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 ，ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ3 ）3 ，Ａｌ（Ｏ
Ｃ3 Ｈ7 ）3 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＡｌＣｌ2 ，（ｎ−Ｃ
3 Ｈ7 ）2 ＡｌＣｌなどが適用できる。
【００３２】また、銅化合物原料としては、例示した原
料のほか、Ｃｕ（ａｃａｃ）2 ，Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 ，
Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（ＣＨ3 ）3 ，Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ
5 ）3 、（ｈｆａｃ）ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，（ｈｆａ
ｃ）Ｃｕ（２−Ｂｕｔｙｎｅ）などが適用可能である。
料のほか、Ｃｕ（ａｃａｃ）2 ，Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 ，
Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（ＣＨ3 ）3 ，Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ
5 ）3 、（ｈｆａｃ）ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，（ｈｆａ
ｃ）Ｃｕ（２−Ｂｕｔｙｎｅ）などが適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるア
ルミニウム合金薄膜の形成装置によれば、アルミニウム
原料ガスを導入する第１の原料供給ノズル、及び、銅原
料ガスを導入する第２の原料供給ノズルを備えたので、
各原料ガスを別々に反応容器内に導入することができ、
従来のように、各原料ガスを導入前の輸送中に混合する
必要がないため、分解温度が低い原料ガスが過剰に加熱
されるおそれはなく、各原料ガスを最適な温度で供給で
きる。
ルミニウム合金薄膜の形成装置によれば、アルミニウム
原料ガスを導入する第１の原料供給ノズル、及び、銅原
料ガスを導入する第２の原料供給ノズルを備えたので、
各原料ガスを別々に反応容器内に導入することができ、
従来のように、各原料ガスを導入前の輸送中に混合する
必要がないため、分解温度が低い原料ガスが過剰に加熱
されるおそれはなく、各原料ガスを最適な温度で供給で
きる。
【００３４】また、反応容器内において基板支持体を移
動させる移動手段を備え、被成膜基板を支持する基板支
持体を反応容器内で移動させる構成としたので、各原料
ガスを分離導入することによる各原料ガスの混合性の低
下を補って、被成膜基板に対し、各原料ガスを均等に供
給することができる。この結果、良質なアルミニウム合
金薄膜を形成することが可能となる。
動させる移動手段を備え、被成膜基板を支持する基板支
持体を反応容器内で移動させる構成としたので、各原料
ガスを分離導入することによる各原料ガスの混合性の低
下を補って、被成膜基板に対し、各原料ガスを均等に供
給することができる。この結果、良質なアルミニウム合
金薄膜を形成することが可能となる。
【図１】本実施例に使用するアルミニウム合金薄膜の形
成装置を示す概略構成図である。
成装置を示す概略構成図である。
【図２】供給ノズルの設置箇所を拡大して示す部分斜視
図である。
図である。
【図３】アルミニウム合金薄膜の形成装置の他の実施例
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図４】供給ノズル及びサセプターを拡大して示す部分
斜視図である。
斜視図である。
【図５】別の構造の供給ノズルを配した形成装置を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図６】従来の合金薄膜の形成装置を示す概略構成図で
ある。
ある。
１０，４０，５０…反応容器、１２…基板（被成膜基
板）、２０…バブラー容器（第１収容体）、３０…バブ
ラー容器（第２収容体）、１４，４４ａ，４４ｂ，４４
ｃ，５４…供給ノズル（第１の原料供給ノズル）、１
５，４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，５５…供給ノズル（第２
の原料供給ノズル）、１１，４１，５１…サセプタ（基
板支持体）、１６…ベルトコンベア（移動手段）、４
７，５３…駆動軸（移動手段）。
板）、２０…バブラー容器（第１収容体）、３０…バブ
ラー容器（第２収容体）、１４，４４ａ，４４ｂ，４４
ｃ，５４…供給ノズル（第１の原料供給ノズル）、１
５，４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，５５…供給ノズル（第２
の原料供給ノズル）、１１，４１，５１…サセプタ（基
板支持体）、１６…ベルトコンベア（移動手段）、４
７，５３…駆動軸（移動手段）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片桐 智治 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (5)
- 【請求項１】 アルミニウム化合物原料を封入する第１
収容体及び銅化合物原料を封入する第２収容体と、 前記各収容体で発生した各原料ガスが導入され、化学気
相成長によって合金薄膜を形成する反応容器と、 第１収容体で発生したアルミニウム原料ガスを前記反応
容器内に導入する第１の原料供給ノズルと、 第２収容体で発生した銅原料ガスを前記反応容器内に導
入する第２の原料供給ノズルと、を備えたアルミニウム
合金薄膜の形成装置。 - 【請求項２】 前記反応容器内に配設された被成膜基
板を支持する基板支持体と、 第１及び第２の原料供給ノズルに対して、前記基板支持
体を相対的に変位させる移動手段と、を備えたことを特
徴とする請求項１記載のアルミニウム合金薄膜の形成装
置。 - 【請求項３】 前記移動手段によって前記基板支持体を
移動させることにより、前記基板支持体上の被成膜基板
を、前記各原料供給ノズルの間を亘って往復動させるこ
とを特徴とする請求項２記載のアルミニウム合金薄膜の
形成装置。 - 【請求項４】 前記基板支持体上には前記被成膜基板を
複数配置すると共に、この各被成膜基板に対応して、い
ずれかの前記原料供給ノズルを個々に対置させ、 前記
移動手段によって前記基板支持体を移動させることによ
り、前記各被成膜基板を前記各原料供給ノズルの直下を
巡って循環させることを特徴とする請求項２記載のアル
ミニウム合金薄膜の形成装置。 - 【請求項５】 前記第１及び第２の原料供給ノズルのう
ち、いずれか一方の原料供給ノズルを中央部に配し、他
方の原料供給ノズルをその外周部に同心的に配設したこ
とを特徴とする請求項１記載のアルミニウム合金薄膜の
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5600293A JPH06267869A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | アルミニウム合金薄膜の形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5600293A JPH06267869A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | アルミニウム合金薄膜の形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267869A true JPH06267869A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13014868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5600293A Pending JPH06267869A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | アルミニウム合金薄膜の形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267869A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502878A (ja) * | 1999-06-24 | 2003-01-21 | ナーハ ガジル、プラサード | 原子層化学気相成長装置 |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5600293A patent/JPH06267869A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502878A (ja) * | 1999-06-24 | 2003-01-21 | ナーハ ガジル、プラサード | 原子層化学気相成長装置 |
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