JPH06258510A - 回折格子製作用成形型およびその製造方法 - Google Patents
回折格子製作用成形型およびその製造方法Info
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- JPH06258510A JPH06258510A JP7520893A JP7520893A JPH06258510A JP H06258510 A JPH06258510 A JP H06258510A JP 7520893 A JP7520893 A JP 7520893A JP 7520893 A JP7520893 A JP 7520893A JP H06258510 A JPH06258510 A JP H06258510A
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- Japan
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- etching
- diffraction grating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 底面および段差の深さの精度や均一性にすぐ
れた安価な回折格子製作用成形型を実現する。 【構成】 基板１の表面に、第１ないし第３の２層膜２
ａ〜２ｃを成膜する。各２層膜２ａ〜２ｃは、２種類の
エッチングガスの一方のエッチングガスに対して高い反
応性を有し他方に対して低い反応性をもつ薄膜３と、前
記一方のエッチングガスに対して低い反応性をもち前記
他方のエッチングガスに対して高い反応性をもつ薄膜４
からなる。前記２種類のエッチングガスを交互に用いて
第３の２層膜２ｃから順次所定の部分をエッチングする
ことで回折格子転写用の溝５を形成する。このため、エ
ッチング深さを高精度で制御する必要はない。
れた安価な回折格子製作用成形型を実現する。 【構成】 基板１の表面に、第１ないし第３の２層膜２
ａ〜２ｃを成膜する。各２層膜２ａ〜２ｃは、２種類の
エッチングガスの一方のエッチングガスに対して高い反
応性を有し他方に対して低い反応性をもつ薄膜３と、前
記一方のエッチングガスに対して低い反応性をもち前記
他方のエッチングガスに対して高い反応性をもつ薄膜４
からなる。前記２種類のエッチングガスを交互に用いて
第３の２層膜２ｃから順次所定の部分をエッチングする
ことで回折格子転写用の溝５を形成する。このため、エ
ッチング深さを高精度で制御する必要はない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディジタルカラー読取
装置の色分解に用いるブレーズト回折格子をレプリカ法
によって製作するための回折格子製作用成形型およびそ
の製造方法に関するものである。
装置の色分解に用いるブレーズト回折格子をレプリカ法
によって製作するための回折格子製作用成形型およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、原稿面上のカラー画像情報を
光学系を介してＣＣＤ等のラインセンサ面上に結像させ
て、このときのラインセンサからの出力信号を利用して
カラー画像情報をデジタル的に読取る装置がいろいろと
提案されている。特に、特開平３−１８１２６９号に示
されているように、原稿面上のカラー画像からの光束を
結像光学系で集光し、前述のラインセンサ上に結像させ
るに際して、該光束を、例えば、赤色、緑色および青色
の３色に色分解するための装置としては、３ｐプリズム
を用いたものや、２つの色分解用のビームスプリッタを
用いるものや、透過型のブレーズト回折格子を用いるも
のが開発されており、最近では、装置の簡素化が容易で
あり、かつ、高精度の読取りが可能であるという点で、
反射型のブレーズト回折格子を用いる装置が注目されて
いる。反射型のブレーズト回折格子は、回折格子のピッ
チや各段差の高さを変えることで回折結像位置ずれやブ
レーズト波長ずれ等を解消できる利点をもち、安価で高
性能なカラー読取装置を実現するうえで極めて有益であ
る。そこで、このような反射型のブレーズト回折格子を
大量にかつ安価に作製する方法として、石英等で作られ
た基板に公知のフォトリソグラフィによるパターニング
とエッチングを繰返し、ブレーズト回折格子の形状を有
する凹所を形成することで回折格子製作用成形型を作
り、これを用いて紫外線硬化型の樹脂材料に回折格子を
転写したうえで、その表面を反射膜で被覆するレプリカ
法が開発されている。
光学系を介してＣＣＤ等のラインセンサ面上に結像させ
て、このときのラインセンサからの出力信号を利用して
カラー画像情報をデジタル的に読取る装置がいろいろと
提案されている。特に、特開平３−１８１２６９号に示
されているように、原稿面上のカラー画像からの光束を
結像光学系で集光し、前述のラインセンサ上に結像させ
るに際して、該光束を、例えば、赤色、緑色および青色
の３色に色分解するための装置としては、３ｐプリズム
を用いたものや、２つの色分解用のビームスプリッタを
用いるものや、透過型のブレーズト回折格子を用いるも
のが開発されており、最近では、装置の簡素化が容易で
あり、かつ、高精度の読取りが可能であるという点で、
反射型のブレーズト回折格子を用いる装置が注目されて
いる。反射型のブレーズト回折格子は、回折格子のピッ
チや各段差の高さを変えることで回折結像位置ずれやブ
レーズト波長ずれ等を解消できる利点をもち、安価で高
性能なカラー読取装置を実現するうえで極めて有益であ
る。そこで、このような反射型のブレーズト回折格子を
大量にかつ安価に作製する方法として、石英等で作られ
た基板に公知のフォトリソグラフィによるパターニング
とエッチングを繰返し、ブレーズト回折格子の形状を有
する凹所を形成することで回折格子製作用成形型を作
り、これを用いて紫外線硬化型の樹脂材料に回折格子を
転写したうえで、その表面を反射膜で被覆するレプリカ
法が開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、レプリカ法によって安価に回折格子を
製作するには、まず、成形型を安価に製造することが望
まれるが、反射型のブレーズト回折格子の色分解特性
は、各回折格子の頂面および段差の高さの均一性や精度
に大きく依存するため、前述の方法で成形型を作製する
際には、エッチング深さを高精度で制御することが必要
であり、このためにエッチング工程が複雑化し、成形型
の製造コストが上昇する。
の技術によれば、レプリカ法によって安価に回折格子を
製作するには、まず、成形型を安価に製造することが望
まれるが、反射型のブレーズト回折格子の色分解特性
は、各回折格子の頂面および段差の高さの均一性や精度
に大きく依存するため、前述の方法で成形型を作製する
際には、エッチング深さを高精度で制御することが必要
であり、このためにエッチング工程が複雑化し、成形型
の製造コストが上昇する。
【０００４】本発明は上記従来の技術の未解決の課題に
鑑みてなされたものであり、製造コストの上昇を招くこ
となく、回折格子転写用の凹所の底面および段差の深さ
の精度や均一性を向上させることのできる回折格子製作
用成形型およびその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
鑑みてなされたものであり、製造コストの上昇を招くこ
となく、回折格子転写用の凹所の底面および段差の深さ
の精度や均一性を向上させることのできる回折格子製作
用成形型およびその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の回折格子製作用成形型は、基板とその表面
に積層された複数の２層膜を有し、各２層膜が、２種類
のエッチングガスの一方のエッチングガスに対して高い
反応性を有し他方のエッチングガスに対して低い反応性
を有する第１の薄膜と、前記一方のエッチングガスに対
して低い反応性を有し前記他方のエッチンクガスに対し
て高い反応性を有する第２の薄膜からなり、前記２層膜
のそれぞれの所定の部分を前記２種類のエッチングガス
によってエッチングすることで回折格子転写用の凹所が
形成されていることを特徴とする。
に、本発明の回折格子製作用成形型は、基板とその表面
に積層された複数の２層膜を有し、各２層膜が、２種類
のエッチングガスの一方のエッチングガスに対して高い
反応性を有し他方のエッチングガスに対して低い反応性
を有する第１の薄膜と、前記一方のエッチングガスに対
して低い反応性を有し前記他方のエッチンクガスに対し
て高い反応性を有する第２の薄膜からなり、前記２層膜
のそれぞれの所定の部分を前記２種類のエッチングガス
によってエッチングすることで回折格子転写用の凹所が
形成されていることを特徴とする。
【０００６】また、本発明の方法は、基板の表面に、２
種類のエッチングガスの一方のエッチングガスに対して
高い反応性を有し他方のエッチングガスに対して低い反
応性を有する第１の薄膜と、前記一方のエッチングガス
に対して低い反応性を有し前記他方のエッチングガスに
対して高い反応性を有する第２の薄膜からなる２層膜を
少くとも２層成膜する工程と、各２層膜の所定部分を、
前記２種類のエッチングガスを交互に用いてエッチング
する工程からなることを特徴とする。
種類のエッチングガスの一方のエッチングガスに対して
高い反応性を有し他方のエッチングガスに対して低い反
応性を有する第１の薄膜と、前記一方のエッチングガス
に対して低い反応性を有し前記他方のエッチングガスに
対して高い反応性を有する第２の薄膜からなる２層膜を
少くとも２層成膜する工程と、各２層膜の所定部分を、
前記２種類のエッチングガスを交互に用いてエッチング
する工程からなることを特徴とする。
【０００７】
【作用】前記凹所の底面および段差の深さは、エッチン
グされた２層膜の膜厚に等しい。従って、各２層膜成膜
時にその膜厚を高精度に制御することにより、前記凹所
の底面および段差の深さの精度や均一性を向上させるこ
とができる。エッチング深さを高精度で制御する必要が
ないために製造コストの上昇を招くおそれはない。
グされた２層膜の膜厚に等しい。従って、各２層膜成膜
時にその膜厚を高精度に制御することにより、前記凹所
の底面および段差の深さの精度や均一性を向上させるこ
とができる。エッチング深さを高精度で制御する必要が
ないために製造コストの上昇を招くおそれはない。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【０００９】図１は、一実施例の一部分を示す部分斜視
図であって、本実施例の回折格子製作用成形型である成
形型Ｍは、平坦な表面１ａをもつ石英製の基板１と、そ
の表面１ａに成膜された第１ないし第３の２層膜２ａ〜
２ｃを有し、各２層膜２ａ〜２ｃは材質の異なる２つの
薄膜３，４を積層したものであり、各２層膜２ａ〜２ｃ
の所定の部分をエッチングによって除去することによっ
て、底面５ａと２つの段差５ｂ，５ｃを有する回折格子
転写用の凹所である溝５が形成されている。各２層膜２
ａ〜２ｃを構成する２つの薄膜３，４の材質は、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の組合わせ、あるいは、Ｃｒ2 Ｏ
3 とＳｉＯ2 の組合わせのように、特定のエッチングガ
ス（例えばＣＦ4 ）に対して一方が反応しやすく、他方
が反応し難い性質を有し、別のエッチングガス（例えば
ＣＣｌ4 ）に対しては反応性が前記と逆であるような組
合わせのものが選定されている。従って、各２層膜２ａ
〜２ｃの２つの薄膜３，４の成膜時に、これらの膜厚が
高精度に制御されていれば、前記エッチング工程におい
て、前記２つのエッチングガスを交互に用いることによ
り、溝５の底面５ａと段差５ｂ，５ｃをそれぞれ所定の
深さｈ1 〜ｈ3 にエッチングすることができる。このと
き、従来のようにエッチング時間等を高精度で制御する
必要がないため、エッチング工程の複雑化を避けること
ができる。従って、成形型Ｍの製造コストは低い。
図であって、本実施例の回折格子製作用成形型である成
形型Ｍは、平坦な表面１ａをもつ石英製の基板１と、そ
の表面１ａに成膜された第１ないし第３の２層膜２ａ〜
２ｃを有し、各２層膜２ａ〜２ｃは材質の異なる２つの
薄膜３，４を積層したものであり、各２層膜２ａ〜２ｃ
の所定の部分をエッチングによって除去することによっ
て、底面５ａと２つの段差５ｂ，５ｃを有する回折格子
転写用の凹所である溝５が形成されている。各２層膜２
ａ〜２ｃを構成する２つの薄膜３，４の材質は、例えば
Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 の組合わせ、あるいは、Ｃｒ2 Ｏ
3 とＳｉＯ2 の組合わせのように、特定のエッチングガ
ス（例えばＣＦ4 ）に対して一方が反応しやすく、他方
が反応し難い性質を有し、別のエッチングガス（例えば
ＣＣｌ4 ）に対しては反応性が前記と逆であるような組
合わせのものが選定されている。従って、各２層膜２ａ
〜２ｃの２つの薄膜３，４の成膜時に、これらの膜厚が
高精度に制御されていれば、前記エッチング工程におい
て、前記２つのエッチングガスを交互に用いることによ
り、溝５の底面５ａと段差５ｂ，５ｃをそれぞれ所定の
深さｈ1 〜ｈ3 にエッチングすることができる。このと
き、従来のようにエッチング時間等を高精度で制御する
必要がないため、エッチング工程の複雑化を避けること
ができる。従って、成形型Ｍの製造コストは低い。
【００１０】次に、図２ないし図７に基づいて、成形型
Ｍの製造方法を説明する。
Ｍの製造方法を説明する。
【００１１】まず、長さ７０ｍｍ、幅７０ｍｍ、厚さ３
ｍｍ、φ５０でニュートン３本の面精度および表面粗さ
〜１０Å（ｒ．ｍ．ｓ）の石英製の基板１に真空蒸着に
よって、それぞれ２つの薄膜３，４からなる第１ないし
第３の２層膜２ａ〜２ｃを成膜する。２つの薄膜３，４
のうちの基板１の表面１ａに近い方の薄膜３はＡｌ2Ｏ3
、他方の薄膜４はＳｉＯ2 で成膜されており、各２層
膜２ａ〜２ｃの成膜条件は以下の通りである。
ｍｍ、φ５０でニュートン３本の面精度および表面粗さ
〜１０Å（ｒ．ｍ．ｓ）の石英製の基板１に真空蒸着に
よって、それぞれ２つの薄膜３，４からなる第１ないし
第３の２層膜２ａ〜２ｃを成膜する。２つの薄膜３，４
のうちの基板１の表面１ａに近い方の薄膜３はＡｌ2Ｏ3
、他方の薄膜４はＳｉＯ2 で成膜されており、各２層
膜２ａ〜２ｃの成膜条件は以下の通りである。
【００１２】 ガス圧(torr) 成膜速度（Å/s） 温度（℃） 膜厚（Å） Al2O3 の薄膜 ５×１０-5 ５ ３００ ５００ SiO2の薄膜 ５×１０-5 １０ ３００ ５５００ 次いで、図２に示すように、第３の２層膜２ｃの表面に
レジストＲ1 を塗布し、公知のパターニングを行い、エ
ッチングガスにＣＦ4 を用いて以下の条件でエッチング
を行い、露出している部分のＳｉＯ2 の薄膜４を除去し
た。
レジストＲ1 を塗布し、公知のパターニングを行い、エ
ッチングガスにＣＦ4 を用いて以下の条件でエッチング
を行い、露出している部分のＳｉＯ2 の薄膜４を除去し
た。
【００１３】消費電力 １００Ｗ エッチング時間 １５分 ガス圧 ４０ｍｔｏｒｒ ガス流量 １５ＳＣＣＭ このとき、Ａｌ2 Ｏ3 の薄膜３は、ＣＦ4 に対して反応
性が極めて低いためにエッチングされず、従って、エッ
チング深さを高精度で制御する必要はない。
性が極めて低いためにエッチングされず、従って、エッ
チング深さを高精度で制御する必要はない。
【００１４】次に、エッチングガスをＣＣｌ4 に切換え
て以下の条件でＡｌ2 Ｏ3 の薄膜３のエッチングを行
い、図３に示すように第２の２層膜２ｂの一部分を露出
させる。このときも、上記と同様に、エッチング深さを
高精度で制御する必要はない。
て以下の条件でＡｌ2 Ｏ3 の薄膜３のエッチングを行
い、図３に示すように第２の２層膜２ｂの一部分を露出
させる。このときも、上記と同様に、エッチング深さを
高精度で制御する必要はない。
【００１５】消費電力 １００Ｗ エッチング時間 ５分 ガス圧 ６０ｍｔｏｒｒ ガス流量 ２０ＳＣＣＭ さらに、図４に示すように、第３の２層膜２ｃの表面お
よび第２の２層膜２ｂの露出部分にレジストＲ2 を塗布
し、第２の２層膜２ｂの露出部分に公知のパターニング
を行ったのち、エッチングガスにＣＦ4 を用いて前述と
同様の条件でエッチングを行い、露出しているＳｉＯ2
の薄膜４を除去し、さらにエッチングガスＣＣｌ4 に切
換えて前述と同様にＡｌ2 Ｏ3 の薄膜３のエッチングを
行い、図５に示すように、第１の２層膜２ａの一部分を
露出させる。次いで、前述と同様にレジストＲ3 の塗
布、次いでパターニングを行い（図６に示す）、続い
て、前述と同様のエッチングを行なうことで基板１の表
面１ａの所定部分を露出させる。公知の真空蒸着法によ
れば、各２層膜２ａ〜２ｃの２つの薄膜３，４の成膜時
の膜厚は、回折格子の深さの必要精度である±０．５％
の精度で制御することが可能である。また、成膜温度が
３００℃であるために前述のエッチング工程において各
薄膜３，４がはがれたり、劣化したりするおそれはな
い。従って、本実施例によれば、極めて寸法精度が高く
耐久性にもすぐれた成形型を安価に製造できる。
よび第２の２層膜２ｂの露出部分にレジストＲ2 を塗布
し、第２の２層膜２ｂの露出部分に公知のパターニング
を行ったのち、エッチングガスにＣＦ4 を用いて前述と
同様の条件でエッチングを行い、露出しているＳｉＯ2
の薄膜４を除去し、さらにエッチングガスＣＣｌ4 に切
換えて前述と同様にＡｌ2 Ｏ3 の薄膜３のエッチングを
行い、図５に示すように、第１の２層膜２ａの一部分を
露出させる。次いで、前述と同様にレジストＲ3 の塗
布、次いでパターニングを行い（図６に示す）、続い
て、前述と同様のエッチングを行なうことで基板１の表
面１ａの所定部分を露出させる。公知の真空蒸着法によ
れば、各２層膜２ａ〜２ｃの２つの薄膜３，４の成膜時
の膜厚は、回折格子の深さの必要精度である±０．５％
の精度で制御することが可能である。また、成膜温度が
３００℃であるために前述のエッチング工程において各
薄膜３，４がはがれたり、劣化したりするおそれはな
い。従って、本実施例によれば、極めて寸法精度が高く
耐久性にもすぐれた成形型を安価に製造できる。
【００１６】次に、薄膜３，４の材料の組合わせをＣｒ
2 Ｏ3 とＳｉＯ2 に変えて回折格子製作用成形型を製造
した場合を説明する。
2 Ｏ3 とＳｉＯ2 に変えて回折格子製作用成形型を製造
した場合を説明する。
【００１７】前述と同様の基板に、スパッタリング成膜
法によって、それぞれＣｒ2 Ｏ3 の薄膜とＳｉＯ2 の薄
膜からなる第１ないし第３の２層膜を成膜する。各２層
膜の両薄膜の成膜条件は、以下の通りである。
法によって、それぞれＣｒ2 Ｏ3 の薄膜とＳｉＯ2 の薄
膜からなる第１ないし第３の２層膜を成膜する。各２層
膜の両薄膜の成膜条件は、以下の通りである。
【００１８】 ガス圧(torr) 成膜速度（Å/s） 温度（℃） 膜厚（Å） Cr2O3 の薄膜 ６×１０-3 ３０ ２５０ ３００ SiO2の薄膜 ６×１０-3 ２００ ２５０ ２７００ 次に、第３の２層膜の表面に前述と同様にレジスト塗布
およびパターニングの後、エッチングガスにＣＦ4 を用
いて以下の条件でエッチングを行い、ＳｉＯ2の薄膜の
露出部分を除去した。
およびパターニングの後、エッチングガスにＣＦ4 を用
いて以下の条件でエッチングを行い、ＳｉＯ2の薄膜の
露出部分を除去した。
【００１９】消費電力 １００Ｗ エッチング時間 １６分 ガス圧 ４０ｍｔｏｒｒ ガス流量 １５ＳＣＣＭ 次に、エッチングガスをＣＣｌ4 に切換えて以下の条件
でエッチングを行い、Ｃｒ2 Ｏ3 の薄膜の露出部分を除
去した。
でエッチングを行い、Ｃｒ2 Ｏ3 の薄膜の露出部分を除
去した。
【００２０】消費電力 １５０Ｗ エッチング時間 ３分 ガス圧 ３０ｍｔｏｒｒ ガス流量 １０ＳＣＣＭ 第２の２層膜、次いで第１の２層膜について上記と同様
のレジスト塗布、パターニングおよびエッチングを繰返
して所望の形状の回折格子転写用の溝を形成した。
のレジスト塗布、パターニングおよびエッチングを繰返
して所望の形状の回折格子転写用の溝を形成した。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、以下に記載するような効果を奏する。
ので、以下に記載するような効果を奏する。
【００２２】製造コストの上昇を招くことなく、回折格
子転写用の凹所の底面および段差の深さの精度や均一性
を向上させることのできる回折格子製作用成形型を実現
する。その結果、高精度の回折格子の製造コストを低減
し、安価で高性能なディジタルカラー読取装置を実現で
きる。
子転写用の凹所の底面および段差の深さの精度や均一性
を向上させることのできる回折格子製作用成形型を実現
する。その結果、高精度の回折格子の製造コストを低減
し、安価で高性能なディジタルカラー読取装置を実現で
きる。
【図１】一実施例の一部分を示す部分斜視図である。
【図２】図１の成形型の製造工程を説明する部分模式断
面図である。
面図である。
【図３】図１の成形型の製造工程を説明する部分模式断
面図である。
面図である。
【図４】図１の成形型の製造工程を説明する部分模式断
面図である。
面図である。
【図５】図１の成形型の製造工程を説明する部分模式断
面図である。
面図である。
【図６】図１の成形型の製造工程を説明する部分模式断
面図である。
面図である。
【図７】図１の成形型の製造工程を説明する部分模式断
面図である。
面図である。
Ｍ 成形型 １ 基板 ２ａ 第１の２層膜 ２ｂ 第２の２層膜 ２ｃ 第３の２層膜 ３，４ 薄膜 ５ 溝
Claims (5)
- 【請求項１】 基板とその表面に積層された複数の２層
膜を有し、各２層膜が、２種類のエッチングガスの一方
のエッチングガスに対して高い反応性を有し他方のエッ
チングガスに対して低い反応性を有する第１の薄膜と、
前記一方のエッチングガスに対して低い反応性を有し前
記他方のエッチンクガスに対して高い反応性を有する第
２の薄膜からなり、前記２層膜のそれぞれの所定の部分
を前記２種類のエッチングガスによってエッチングする
ことで回折格子転写用の凹所が形成されていることを特
徴とする回折格子製作用成形型。 - 【請求項２】 第１および第２の薄膜の一方がＳｉＯ
2 、他方がＡｌ2 Ｏ3、またはＣｒ2 Ｏ3 で作られてい
ることを特徴とする請求項１記載の回折格子製作用成形
型。 - 【請求項３】 基板の表面に、２種類のエッチングガス
の一方のエッチングガスに対して高い反応性を有し他方
のエッチングガスに対して低い反応性を有する第１の薄
膜と、前記一方のエッチングガスに対して低い反応性を
有し前記他方のエッチングガスに対して高い反応性を有
する第２の薄膜からなる２層膜を少くとも２層成膜する
工程と、各２層膜の所定部分を、前記２種類のエッチン
グガスを交互に用いてエッチングする工程からなる回折
格子製作用成形型の製造方法。 - 【請求項４】 ２種類のエッチングガスの一方がＣＦ4
であり、他方がＣＣｌ4 であることを特徴とする請求項
３記載の回折格子製作用成形型の製造方法。 - 【請求項５】 各２層膜の成膜温度が２５０℃以上であ
ることを特徴とする請求項３または４記載の回折格子製
作用成形型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7520893A JPH06258510A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 回折格子製作用成形型およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7520893A JPH06258510A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 回折格子製作用成形型およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258510A true JPH06258510A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=13569555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7520893A Pending JPH06258510A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 回折格子製作用成形型およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06258510A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1011028A2 (en) | 1998-12-15 | 2000-06-21 | Xerox Corporation | A method for fabrication of multi-step structures using embedded etch stop layers |
| US6392792B1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-05-21 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements |
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