DE10320131B4 - Verfahren zur Herstellung eines optischen Beugungselementes - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines optischen Beugungselementes Download PDFInfo
- Publication number
- DE10320131B4 DE10320131B4 DE10320131A DE10320131A DE10320131B4 DE 10320131 B4 DE10320131 B4 DE 10320131B4 DE 10320131 A DE10320131 A DE 10320131A DE 10320131 A DE10320131 A DE 10320131A DE 10320131 B4 DE10320131 B4 DE 10320131B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layers
- layer
- etch
- etching
- etch stop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1866—Transmission gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/067—Construction details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
Bilden einer Mehrschichtstruktur (10, 50), die mehrere übereinander angeordnete, jeweils durch eine Ätzstopp-Schicht (22–26, 48) voneinander getrennte, in einem vorgegebenen Wellenlängenbereich phasenverschiebend wirkende Ätzschichten (14–20, 46) aufweist, durch abwechselndes Aufbringen der Ätzstopp-Schichten (22–26, 48) und der Ätzschichten (14–20, 46), wobei eine oder mehrere der Ätz- und Ätzstopp-Schichten (14–26, 46, 48) in hohem Maß undurchlässig für die Strahlung des vorgegebenen Wellenlängenbereichs ist bzw. sind;
Umwandeln der jeweils aufgebrachten undurchlässigen Schicht in eine Substanz, die zumindest in hohem Maß durchlässig für die Strahlung innerhalb des vorgegebenen Wellenlängenbereichs ist; und
Maskieren und Ätzen der Schichten der Mehrschichtstruktur (10, 50) zu einer Mehrstufenstruktur (34, 52), wobei das Ätzverfahren eine hohe Ätzselektivität zwischen den Ätz- und Ätzstopp-Schichten (14–26, 46, 48) aufweist.
Description
- Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Beugungselementes.
- Optische Beugungselemente können in einer breiten Vielzahl unterschiedlicher Formen implementiert sein, wie z. B. Fresnel-Zonenplatten, Diffusoren, Kinoformen, Phasengittern und Hologrammen, und können in einer breiten Vielzahl unterschiedlicher optischer Anwendungen verwendet werden, einschließlich Hochauflösungsbilderzeugungssystemen und Faseroptikkopplerverbindungssystemen. In jüngerer Zeit wurden optische Beugungselemente entwickelt, um komplizierte Phasentransformationen einfallender Strahlung, wie z. B. eine Wellenfrontumwandlung, durchzuführen. Optische Beugungselemente können optische Beugungselemente vom Reflexionstyp sein oder dieselben können optische Beugungselemente vom Durchlaßtyp sein.
- Allgemein sollten optische Beugungselemente hohe Beugungswirkungsgrade aufweisen. Um einen 100% Beugungswirkungsgrad zu erzielen, wird ein kontinuierliches Phasenprofil innerhalb einer bestimmten Periode benötigt, wobei Vorrichtungsstrukturen, die derartige kontinuierliche Phasenprofile liefern, jedoch schwierig herzustellen sind. Einem kontinuierlichen Phasenprofil kann man sich jedoch durch ein optisches Mehrebenenbeugungselement, das einen Satz diskreter Phasenpegel aufweist, annähern. Je größer die Anzahl diskreter Phasenpegel ist, desto besser ist die Annäherung an das entsprechende kontinuierliche Phasenprofil. Derartige optische Beugungselemente können mit relativ hohen Wirkungsgraden aufgebaut werden und sind leichter herzustellen als optische Beugungselemente, die kontinuierliche Phasenprofile liefern. Ein optisches Mehrebenenbeugungselement wird üblicherweise durch ein Erzeugen eines Satzes von Binäramplitudenätzmasken und ein serielles Maskieren und Ätzen mehrerer Ebenen einer Materialstruktur erzeugt. Die Stufenhöhen der Ebenen eines optischen Mehrebenenbeugungselementes können die gleichen sein oder dieselben können unterschiedlich sein (z. B. können die Stufenhöhen binär gewichtet sein).
- Die Mehrebenenoberflächenprofile gestufter optischer Beugungselemente können unter Verwendung von standardmäßigen Halbleiterintegrationsschaltungsherstellungstechniken hergestellt werden. Ätzprozesse sollten jedoch optimiert sein, um genaue und wiederholbare Ätztiefen für die unterschiedlichen Phasenpegel zu erzielen. Allgemein sind Ätzprozesse, die auf einer Steuerung einer Ätzrate und Ätzzeit beruhen, schwierig zu implementieren und leiden oft an Mikroladungsnäheeffekten, bei denen die lokale Ätzrate mit der Lokalstrukturdichte variiert, derart, daß die resultierende Phasenverschiebung jeder Ebene mit der Strukturdichte variiert. Das U.S.-Patent
US 6,392,792 B1 hat ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Mehrebenenbeugungselementes vom Reflexionstyp aus einem Ätzstapel, der aus abwechselnden Schichten zweier unterschiedlicher Materialen besteht, die gute Ätzselektivitätseigenschaften aufweisen, derart, daß benachbarte Stapelschichten eine natürliche Ätzsperre füreinander bilden, vorgeschlagen. Das '792-Patent beschreibt einen Ätzstapel mit abwechselnden Schichten aus Silizium und Siliziumdioxid, die im wesentlichen gleiche Höhen aufweisen. Nachdem die Ätzstapelschicht geätzt wurde, wird ein Überzug eines Mehrschichtreflexionsstapels über der geätzten Struktur gebildet, um die Vorrichtung fertigzustellen. - Die
JP 06-258510 A - Die
DE 100 17 614 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Reflexionsmaske, die zur Abbildung von lateralen Strukturen mittels Laserstrahlen mit einer Betriebswellenlänge dient. Bei der Herstellung der Maske wird eine aus einem für Laserstrahlen mit der Betriebswellenlänge transparenten Substrat und einem für Laserstrahlen mit der Betriebswellenlänge reflektierenden Schichtsystem bestehende Anordnung einer die Maskenstruktur aufweisenden Laserstrahlung von der Substratseite her ausgesetzt. Zwischen dem Substrat und dem Schichtsystem wird vor der Bestrahlung mit der die Maskenstruktur aufweisenden Laserstrahlung eine diese Strahlung absorbierende Schicht angeordnet. Hierdurch wird erreicht, dass die zur Ablation der Bereiche der Absorberschicht und des Schichtsystems, in denen die Maske transparent sein soll, eingesetzte Laserstrahlung eine Wellenlänge haben kann, die unabhängig von der Betriebswellenlänge ist. - Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines optisches Beugungselementes zu schaffen, mit dem ein optisches Beugungselement mit hohem Beugungswirkungsgrad ohne großen Aufwand hergestellt werden kann.
- Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst.
- Bei der Erfindung wird ein optisches Beugungselement durch ein Bilden einer Mehrschichtstruktur hergestellt, die mehrere Ätzschichten aufweist, die durch jeweilige Ätzstopp-Schichten getrennt sind, die selektiv hinsichtlich der Ätzschichten ätzbar sind. Eine oder mehrere der Ätz- und Ätzstopp-Schichten sind im wesentlichen undurchlässig für Licht innerhalb eines wirksamen Wellenlängenbereichs. Undurchlässige Schichten werden in Substanzen umgewandelt, die im wesentlichen durchlässig für Licht innerhalb des wirksamen Wellenlängenbereichs sind. Schichten der Mehrschichtstruktur werden seriell maskiert und geätzt, um eine optische Mehrstufenstruktur zu bilden.
- Bei einem Aspekt der Erfindung wird ein optisches Beugungselement durch ein Bilden einer Mehrschichtstruktur hergestellt, die mehrere amorphe Siliziumphasenverschiebungsschichten aufweist, die jeweilige Dicken aufweisen, die so ausgewählt sind, daß das optische Beugungselement betreibbar ist, um eine Phasenverschiebung von Infrarotlicht innerhalb eines wirksamen Wellenlängenbereichs durchzuführen. Die amorphen Siliziumphasenverschiebungsschichten sind durch jeweilige Siliziumdioxid-Ätzstopp-Schichten getrennt, die jeweilige Dicken von etwa 5 nm oder weniger aufweisen. Schichten der Mehrschichtstruktur werden seriell maskiert und geätzt, um eine optische Mehrstufenstruktur zu bilden.
- Bei einem anderen Aspekt weist die Erfindung ein optisches Beugungselement auf, das eine Mehrstufenstruktur aufweist, die mehrere amorphe Siliziumphasenverschiebungsschichten umfaßt, die jeweilige Dicken aufweisen, die ausgewählt sind, um eine Phasenverschiebung von Infrarotlicht innerhalb eines wirksamen Wellenlängenbereichs durchzuführen. Die amorphen Siliziumphasenverschiebungsschichten sind durch jeweilige Siliziumdioxid-Ätzstopp-Schichten getrennt, die jeweilige Dicken von etwa 5 nm oder weniger aufweisen.
- Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung, einschließlich der Zeichnungen und der Ansprüche, ersichtlich.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Querschnittsseitenansicht einer Mehrschichtstruktur, die mehrere Phasenverschiebungsschichten umfaßt, die durch jeweilige Ätzstopp-Schichten getrennt sind; -
2A eine schematische Querschnittsseitenansicht der Mehrschichtstruktur aus1 , nachdem eine obere Oxidschicht entfernt wurde, und nachdem eine strukturierte Schicht eines Photoresists auf einer oberen Phasenverschiebungsschicht gebildet wurde; -
2B eine schematische Querschnittsseitenansicht der Mehrschichtstruktur aus2A , nachdem die obere Phasenverschiebungsschicht geätzt wurde; -
2C eine schematische Querschnittsseitenansicht der Mehrschichtstruktur aus2B , nachdem eine obere Ätzstopp-Schicht geätzt wurde; -
3A eine schematische Querschnittsseitenansicht der Mehrschichtstruktur aus2C mit einer darüberliegenden strukturierten Schicht eines Photoresists; -
3B eine schematische Querschnittsseitenansicht der Mehrschichtstruktur aus3A , nachdem eine zweite Phasenverschiebungsschicht geätzt wurde; -
3C eine schematische Querschnittsseitenansicht der Mehrschichtstruktur aus3B , nachdem eine zweite Ätzstopp-Schicht geätzt wurde; -
4 eine schematische Querschnittsseitenansicht einer optischen Mehrstufenstruktur, die durch ein serielles Maskieren und Ätzen der Mehrebenenstruktur aus1 gebildet ist; -
5 eine schematische Querschnittsseitenansicht der optischen Mehrstufenstruktur aus4 , nachdem undurchlässige Schichten in Substanzen umgewandelt wurden, die im wesentlichen durchlässig für Licht innerhalb eines wirksamen Wellenlängenbereichs sind; -
6A eine schematische Querschnittsseitenansicht einer umwandelbaren Schicht, die auf einem Substrat angeordnet ist; -
6B eine schematische Querschnittsseitenansicht der umwandelbaren Schicht aus6A , nachdem ein oberer Abdeckungsabschnitt oxidiert wurde; -
6C eine schematische Querschnittsseitenansicht der umwandelbaren Schicht aus6B , nachdem ein oberer Abschnitt oxidiert wurde, um eine Ätzschicht über einer Ätzstopp-Schicht zu bilden; -
7 eine schematische Querschnittsseitenansicht einer Mehrschichtstruktur, die mehrere Ätz- und Ätzstopp-Schichten umfaßt, die über der Struktur aus6C gebildet sind; -
8 eine schematische Querschnittsseitenansicht einer optischen Mehrstufenstruktur, die durch ein serielles Maskieren und Ätzen der Mehrebenenstruktur aus7 gebildet ist; und -
9 eine schematische Querschnittsseitenansicht der optischen Mehrstufenstruktur aus8 , nachdem undurchlässige Schichten in Substanzen umgewandelt wurden, die im wesentlichen transparent für Licht innerhalb eines wirksamen Wellenlängenbereichs sind. - In der folgenden Beschreibung werden gleiche Bezugszeichen verwendet, um gleiche Elemente zu identifizieren. Ferner sollen die Zeichnungen Hauptmerkmale exemplarischer Ausführungsbeispiele auf eine schematische Weise darstellen. Die Zeichnungen sollen weder jedes Merkmal tatsächlicher Ausführungsbeispiele noch relative Abmessungen der dargestellten Elemente darstellen und sind nicht maßstabsgetreu.
- Bezug nehmend auf die
1 ,2A ,2B ,2C ,3A ,3B ,3C und4 und zu Beginn Bezug nehmend auf1 kann bei einigen Ausführungsbeispielen das optische Beugungselement wie folgt gebildet werden. Zu Beginn wird eine Mehrschichtstruktur10 auf einem Substrat12 gebildet. Die Mehrschichtstruktur10 umfaßt mehrere Phasenverschiebungsschichten14 ,16 ,18 ,20 , die durch jeweilige Ätzstopp-Schichten22 ,24 ,26 getrennt sind. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel umfaßt die Mehrschichtstruktur10 vier Phasenverschiebungsschichten. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann die Mehrschichtstruktur10 mehr oder weniger Phasenverschiebungsschichten umfassen. Die Phasenverschiebungsschichten14 bis20 weisen jeweilige Dicken auf, die ausgewählt sind, um eine Phasenverschiebung bei Licht innerhalb eines wirksamen Wellenlängenbereichs (z. B. Infrarotlicht) durchzuführen. Bei Durchlaßtyp-Ausführungsbeispielen sind die Phasenverschiebungsschichten14 bis20 , die Ätzstopp-Schichten22 bis26 und das Substrat12 im wesentlichen durchlässig für Licht innerhalb des wirksamen Wellenlängenbereichs. Bei einigen dieser Ausführungsbeispiele sind die Ätzstopp-Schichten22 bis26 im wesentlichen an die Phasenverschiebungsschichten14 bis20 indexangepaßt, um die Bildung eines Interferenzfilters in Serie mit dem optischen Beugungselement zu vermeiden. Bei anderen Ausführungsbeispielen weisen die Ätzstopp-Schichten22 bis26 jeweilige Dicken auf, die wesentlich kleiner als die Lichtwellenlängen innerhalb des wirksamen Wellenlängenbereichs sind, um die Erzeugung eines derartigen Interferenzfilters zu vermeiden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel umfaßt die Mehrschichtstruktur10 außerdem eine Oxidabdeckungsschicht28 . - Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel, das zum Erzeugen eines optischen Beugungselementes vom Durchlaßtyp entworfen ist, das innerhalb des Infrarotwellenlängenbereichs betreibbar ist, kann das Substrat
12 aus einem Material (z. B. Silizium, Quarz, Saphir und Borosilikat-Glas) gebildet sein, das im wesentlich durchlässig für Infrarotlicht ist. Die Phasenverschiebungsschichten14 bis20 sind aus amorphem Silizium gebildet. Die amorphen Siliziumphasenverschiebungsschichten können durch ein chemisches Aufdampfungsverfahren (z. B. chemische Niederdruckaufdampfung (LPCVD) oder plasmagestützte chemische Aufdampfung (PECVD)) bei einer Temperatur von vorzugsweise unter etwa 600°C und noch bevorzugter bei etwa 550°C aufgebracht werden. Eine LPCVD-Aufbringung bei 550°C wird bevorzugt, da die resultierenden Phasenverschiebungsschichten genau gesteuerte Dicken aufweisen und im wesentlichen glatt und merkmalslos sind. Bei diesem exemplarischen Ausführungsbeispiel weist jede Phasenverschiebungsschicht eine Dicke auf, die gleich einem Bruchteil der wirksamen Zielwellenlänge ist. Diese Dicke kann in dem Bereich von etwa 50 nm bis etwa 500 nm liegen. Die Ätzstopp-Schichten22 bis26 sind aus Siliziumdioxid gebildet, das thermisch aufgewachsen oder durch ein chemisches Aufdampfungsverfahren (z. B. PECVD) aufgebracht werden kann. Nachdem jede Phasenverschiebungsschicht gebildet ist, können Siliziumdioxid-Ätzstopp-Schichten thermisch auf die freiliegenden Oberflächen jeweiliger Phasenverschiebungsschichten durch ein Erwärmen auf eine Temperatur von vorzugsweise unter etwa 600°C und noch bevorzugter bei etwa 550°C aufgewachsen werden. Ein Beibehalten der thermischen Oxidationstemperatur unter etwa 600°C vermeidet die Bildung von Rohsiliziumunebenheiten auf den oberen Oberflächen jeder der amorphen Siliziumphasenverschiebungsschichten. Um die Bildung eines Interferenzfilters in Serie mit dem optischen Beugungselement zu vermeiden, betragen die Dicken der Ätzstopp-Schichten22 bis26 vorzugsweise weniger als etwa 5 nm und noch bevorzugter etwa 2 nm oder weniger. - Bezugnehmen auf die
2A –2C und3A –3C kann, nachdem die Mehrschichtstruktur10 auf dem Substrat12 gebildet wurde, eine optische Mehrstufenstruktur, die dem letztendlichen optischen Beugungselement entspricht, durch ein serielles Maskieren und Ätzen durch die Schichten der Mehrschichtstruktur10 , wie folgt gebildet werden. Dieses Verfahren wird hinsichtlich des oben beschrieben exemplarischen Ausführungsbeispiels beschrieben. - Zu Beginn kann die Oxidabdeckungsschicht
28 (falls vorhanden) durch ein Tauchen der Struktur in eine verdünnte (z. B. 50:1) Wasser:Fluorwasserstoffsäure-(HF-)Lösung entfernt werden. Als nächstes wird ein Photoresist auf die obere Oberfläche der freiliegenden Phasenverschiebungsschicht14 aufgeschleudert, vorgebacken, mit der ersten Maskenschicht belichtet und entwickelt, um eine strukturierte Photoresistschicht30 auf der Oberfläche der freiliegenden Phasenverschiebungsschicht14 zu bilden (2A ). Ein vorteilhaftes Merkmal des amorphen Silizium/Siliziumdioxid-Material-Systems des exemplarischen Ausführungsbeispiels besteht darin, daß es stark absorbierend für das ultraviolette Licht ist, das üblicherweise verwendet wird, um die strukturierte Photoresistschicht30 zu bilden, und deshalb Rückreflexionen vermeidet, die andernfalls die Genauigkeit der Photoresiststruktur verschlechtern könnten. Die Phasenverschiebungsschicht14 kann geätzt werden, um die obere Schicht des letztendlichen optischen Beugungselementes zu bilden (2B ). In dem Fall des exemplarischen Ausführungsbeispiels wird die Phasenverschiebungsschicht14 unter Verwendung eines herkömmlichen Plasmaätzers geätzt, der konfiguriert ist, um Polysilizium zu ätzen (z. B. ein herkömmlicher CMOS-Gatter-Ätzer). Ein derartiges Plasmaätzen weist eine hohe (z. B. 50:1 oder mehr) Ätzselektivität zwischen Silizium und Siliziumdioxid auf und behält vertikale Seitenwände zwischen den geätzten und den nichtgeätzten Regionen bei. Die Phasenverschiebungsschicht14 wird geätzt, bis das Ätzverfahren wirksam an der Ätzstopp-Schicht22 gestoppt wird. Freiliegende Regionen der Ätzstopp-Schicht22 werden durch ein Tauchen der Mehrschichtstruktur in eine verdünnte (50:1) Wasser:Fluorwasserstoffsäure-(HF-)Lösung entfernt (2C ). Die Mehrschichtstruktur wird dann in Vorbereitung zur Verarbeitung der nächsten Phasenverschiebungsschicht16 getrocknet. - Bezug nehmend auf die
3A –3C wird ein Photoresist über die strukturierte Phasenverschiebungsschicht14 und die freiliegende Oberfläche der Phasenverschiebungsschicht16 aufgeschleudert. Das Photoresist wird dann vorgebacken, mir der zweiten Maskenschicht belichtet und entwickelt, um eine strukturierte Photoresistschicht32 zu bilden (3A ). Wie bei der oberen Phasenverschiebungsschicht14 kann die Phasenverschiebungsschicht16 geätzt werden, um die zweite Schicht des letztendlichen optischen Beugungselementes zu bilden (3B ). In dem Fall des exemplarischen Ausführungsbeispiels wird die Phasenverschiebungsschicht16 unter Verwendung eines herkömmlichen Plasmaätzers geätzt, der konfiguriert ist, um Polysilizium zu ätzen (z. B. ein herkömmlicher CMOS-Gatter-Ätzer). Freiliegende Regionen der Ätzstopp-Schicht24 werden durch ein Tauchen der Mehrschichtstruktur in eine verdünnte (z. B. 50:1) Wasser:Fluorwasserstoffsäure-(HF-)Lösung entfernt (3C ). - Die Mehrschichtstruktur wird dann in Vorbereitung zur Verarbeitung der nächsten Phasenverschiebungsschicht
18 getrocknet. - Bezug nehmend auf
4 werden die verbleibenden Phasenverschiebungsschichten18 und20 unter Verwendung einer Photolithographie und von Ätzschritten verarbeitet, die denjenigen ähneln, die verwendet werden, um die Phasenverschiebungsschichten14 und16 zu verarbeiteten, bis eine letztendliche optische Mehrstufenstruktur34 gebildet ist. Diese Struktur kann direkt als ein optisches Beugungselement für Infrarotstrahlung in dem Fall des exemplarischen Ausführungsbeispiels verwendet werden. Antireflexionsbeschichtungen oder Schutzbeschichtungen können auf die optische Mehrstufenstruktur34 aufgebracht werden. Alternativ kann eine Ein- oder Mehrschicht-Reflexionsbeschichtung (z. B. Aluminium oder eine Kombination aus Chrom und Gold) über den freiliegenden Oberflächen der optischen Mehrstufenstruktur34 aufgebracht werden, um ein optisches Beugungselement vom Reflexionstyp zu bilden. - Bezug nehmend auf
5 kann die Mehrstufenstruktur34 aus4 bei einigen Ausführungsbeispielen oxidiert werden, um Regionen, die undurchlässig hinsichtlich Licht in einem unterschiedlichen wirksamen Wellenlängenbereich (z. B. Nahinfrarot- und Sichtbar-Wellenlängenbereich) sind, umzuwandeln und dadurch den wirksamen Wellenlängenbereich des resultierenden optischen Beugungselementes vom Durchlaßtyp zu erweitern. Hinsichtlich des exemplarischen Ausführungsbeispiels kann die optische Mehrstufenstruktur34 z. B. in Dampf auf eine Temperatur von etwa 1.000°C erwärmt werden, um die amorphen Siliziumphasenverschiebungsschichten14 bis20 in Siliziumdioxid (amorphes Quarz) umzuwandeln, das einen Durchlaßwellenlängenbereich aufweist, der sich in kürzere Wellenlängen (z. B. 850 nm) als den Durchlaßwellenlängenbereich von Silizium erstreckt. Die resultierende Struktur36 ist eine mehrschichtige monolithische reine Siliziumdioxidstruktur. Diese Struktur kann in dem Fall des exem plarischen Ausführungsbeispiels direkt als ein optisches Beugungselement für einen breiten Bereich von Strahlungswellenlängen verwendet werden. Antireflexionsbeschichtungen oder Schutzbeschichtungen können auf die optische Mehrstufenstruktur36 aufgebracht werden. Alternativ kann eine Ein- oder eine Mehrschichtreflexionsbeschichtung (z. B. Aluminium oder eine Kombination aus Chrom und Gold) über der freiliegenden Oberfläche der optischen Mehrstufenstruktur aufgebracht werden, um ein optisches Beugungselement vom Reflexionstyp zu bilden. - Bezug nehmend auf die
6A ,6B ,6C ,7 ,8 und9 und zu Beginn Bezug nehmend auf die6A –6C kann bei anderen Ausführungsbeispielen ein optisches Beugungselement wie folgt gebildet werden. Zu Beginn wird eine amorphe Siliziumschicht40 auf einem Substrat42 gebildet (6A ). Die amorphe Siliziumschicht kann durch ein chemisches Aufdampfungsverfahren (z. B. chemische Niederdruckaufdampfung (LPCVD) oder plasmagestützte chemische Aufdampfung (PECVD)) bei einer Temperatur von vorzugsweise unter etwas 600°C und noch bevorzugter bei etwa 550°C aufgebracht werden. Die amorphe Siliziumschicht40 weist eine Dicke auf, derart, daß die resultierende Schicht, nachdem sie in Siliziumdioxid umgewandelt wurde, betreibbar ist, um eine Phasenverschiebung bei Licht innerhalb des ausgewählten wirksamen Wellenlängenbereichs (z. B. Infrarot- oder sichtbares Licht) durchzuführen. Für optische Beugungselemente vom Durchlaßtyp kann das Substrat42 aus einem Material (z. B. Silizium, Quarz, Saphir und Borosilikat-Glas für Infrarot- und sichtbares Licht) gebildet sein, das im wesentlichen durchlässig für Licht innerhalb eines ausgewählten wirksamen optischen Wellenlängenbereichs ist. Als nächstes wird die amorphe Siliziumschicht40 oxidiert, um eine dünne Abdeckungsschicht44 mit einer Dicke in der Größenordnung von etwa 2–5 nm zu bilden. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die Abdeckungsschicht44 thermisch in Dampf bei einer Temperatur von vorzugsweise unter etwa 600°C und noch bevorzugter bei einer Temperatur von etwa 550°C aufgewachsen werden. Das Aufwachsen der Abdeckungsschicht44 bei einer Temperatur unter etwa 600°C ermöglicht es, daß die Abdeckungsschicht44 mit der gleichen glatten merkmalslosen Oberfläche der ursprünglichen amorphen Siliziumschicht40 gebildet wird. Zusätzlich vermeidet das Bilden der Abdeckungsschicht44 auf diese Weise die Bildung von Rohsiliziumunebenheiten, die sich andernfalls bilden könnten, wenn die amorphe Siliziumschicht40 direkt auf eine Temperatur oberhalb etwa 600°C erwärmt würde. Nachdem die Abdeckungsschicht44 gebildet ist, kann die amorphe Siliziumschicht40 auf eine höhere Temperatur (z. B. etwa 1.000°C) im Dampf erwärmt werden, um eine Siliziumdioxid-Ätzschicht46 zu bilden. Während dieses thermischen Oxidationsprozesses bei hoher Temperatur wird der verbleibende Teil der ursprünglichen amorphen Siliziumschicht40 in Polysilizium umgewandelt. Diese Polysiliziumschicht entspricht einer Ätzstopp-Schicht48 mit einer Dicke, die in der Größenordnung von etwa 10 nm ist. Der anfängliche Oxidationsprozeß bei niedriger Temperatur, der verwendet wird, um die Abdeckungsschicht44 zu bilden, unterdrückt die Bildung von Siliziumunebenheiten, die andernfalls während der Umwandlung von amorphem Silizium in Polysilizium erzeugt werden könnten. - Bezug nehmend auf
7 wird der Prozeß des Aufbringens von amorphem Silizium, gefolgt durch eine sequentielle thermische Oxidation bei niedriger Temperatur und eine thermische Oxidation bei hoher Temperatur, wiederholt, bis eine Mehrschichtstruktur50 , die eine erwünschte Anzahl von Phasenverschiebungsebenen (z. B. 4 Ebenen bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel) aufweist, gebildet ist. - Bezug nehmend auf
8 kann, nachdem die Mehrschichtstruktur50 gebildet wurde, eine optische Mehrstufenstruktur52 , die einem letztendlichen optischen Beugungselement entspricht, durch ein serielles Maskieren und Ätzen durch die Schichten der Mehrschichtstruktur50 wie folgt gebildet werden. Zu Beginn wird ein Photoresist auf die obere Oberfläche der freiliegenden Ätzschicht aufgeschleudert, vorge backen, mit der ersten Maskenschicht belichtet und entwikkelt, um eine strukturierte Photoresistschicht auf der Oberfläche der freiliegenden Ätzschicht zu bilden. Ein vorteilhaftes Merkmal des Polysilizium/Silziumdioxid-Material-Systems des exemplarischen Ausführungsbeispiels besteht darin, daß es stark absorbierend für das ultraviolette Licht ist, das üblicherweise verwendet wird, um die strukturierte Resistschicht zu bilden, und deshalb Rückreflexionen vermeidet, die andernfalls die Genauigkeit der Photoresiststruktur verschlechtern könnten. Die Ätzschicht kann geätzt sein, um die obere Schicht des letztendlichen optischen Beugungselementes zu bilden. In dem Fall des exemplarischen Ausführungsbeispiels wird die Ätzschicht unter Verwendung eines herkömmlichen Plasmaätzers geätzt, der konfiguriert ist, um Siliziumdioxid zu ätzen und bei Silizium zu stoppen (z. B. ein herkömmlicher CMOS-Kontaktätzer). Ein derartiges Plasmaätzen weist eine hohe (z. B. 20:1 oder mehr) Ätzselektivität zwischen Siliziumdioxid und Silizium auf und behält vertikale Seitenwände zwischen den geätzten und den ungeätzten Regionen bei. Die Ätzschicht wird geätzt, bis das Ätzverfahren wirksam bei der darunterliegenden Ätzstopp-Schicht stoppt. Die Ätzstopp-Schicht wird dann unter Verwendung eines herkömmlichen Plasmaätzers entfernt, der konfiguriert ist, um Polysilizium zu ätzen (z. B. ein herkömmlicher CMOS-Gatter-Ätzer). Ein derartiges Plasmaätzen weist eine hohe (z. B. 50:1 oder mehr) Ätzselektivität zwischen Silizium und Siliziumdioxid auf und behält vertikale Seitenwände zwischen den geätzten und den nichtgeätzten Regionen bei. Die Mehrschichtstruktur wird dann in Vorbereitung zur Verarbeitung der nächsten Ätzschicht getrocknet. Die verbleibenden Schichten der Mehrschichtstruktur50 werden unter Verwendung einer Photolithographie und von Ätzschritten verarbeitet, die denjenigen ähneln, die verwendet werden, um die obere Ätz- und Ätzstopp-Schicht zu verarbeiten, bis die letztendliche optische Mehrstufenstruktur52 gebildet ist. - Bezug nehmend auf
9 wird nach der Bildung die Mehrstufenstruktur52 aus8 oxidiert, um Regionen, die undurchlässig hinsichtlich Licht in einem erwünschten wirksamen Wellenlängenbereich (z. B. Nahinfrarot- und Sichtbar-Wellenlängenbereich) sind, umzuwandeln, um ein optisches Beugungselement vom Durchlaßtyp mit erweiterter Wellenlänge zu erhalten. Die optische Mehrstufenstruktur52 kann z. B. auf eine Temperatur von etwa 1.000°C in Dampf erwärmt werden, um die Polysilizium-Ätzstopp-Schichten in Siliziumdioxid (amorphes Quarz) umzuwandeln, das einen Durchlaßwellenlängenbereich aufweist, der sich zu kürzeren Wellenlängen (z. B. 850 nm oder kürzer) als der Durchlaßwellenlängenbereich von Silizium erstreckt. Die resultierende Struktur54 ist eine mehrschichtige, monolithische, reine Siliziumdioxidstruktur. Diese Struktur kann direkt als ein optisches Beugungselement für einen breiten Bereich von Strahlungswellenlängen verwendet werden. Antireflexionsbeschichtungen oder Schutzbeschichtungen können auf die optische Mehrstufenstruktur54 aufgebracht werden. Alternativ kann eine Ein- oder Mehrschicht-Reflexionsbeschichtung (z. B. Aluminium oder eine Kombination von Chrom und Gold) über der freiliegenden Oberfläche der optischen Mehrstufenstruktur54 aufgebracht werden, um ein optisches Beugungselement vom Reflexionstyp zu bilden. - Andere Ausführungsbeispiele liegen innerhalb des Schutzumfangs der Ansprüche. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann das oben beschriebene Herstellungsverfahren für das optische Beugungselement z. B. verwendet werden, um Preßoriginale herzustellen, die verwendet werden können, um Beugungsoptiken in weichen Materialien zu erzeugen, wie z. B. Polymeren und Sol-Gel-Materialien. Bei diesen Ausführungsbeispielen wird ein Stück des Substrates, das die optische Mehrstufenstruktur trägt, verwendet, um die Oberfläche des weicheren Materials einzudrücken, wodurch eine komplexe Beugungsstruktur auf das weichere Material übertragen wird. Allgemein ist die resultierende Replik eine Umkehrung des Preßoriginals (die hohen Stellen auf der Replik entsprechen den niedrigen Stellen auf dem Original) und das Preßoriginal sollte entsprechend entworfen sein.
Claims (19)
- Verfahren zum Bilden eines optischen Beugungselementes, mit folgenden Schritten: Bilden einer Mehrschichtstruktur (
10 ,50 ), die mehrere übereinander angeordnete, jeweils durch eine Ätzstopp-Schicht (22 –26 ,48 ) voneinander getrennte, in einem vorgegebenen Wellenlängenbereich phasenverschiebend wirkende Ätzschichten (14 –20 ,46 ) aufweist, durch abwechselndes Aufbringen der Ätzstopp-Schichten (22 –26 ,48 ) und der Ätzschichten (14 –20 ,46 ), wobei eine oder mehrere der Ätz- und Ätzstopp-Schichten (14 –26 ,46 ,48 ) in hohem Maß undurchlässig für die Strahlung des vorgegebenen Wellenlängenbereichs ist bzw. sind; Umwandeln der jeweils aufgebrachten undurchlässigen Schicht in eine Substanz, die zumindest in hohem Maß durchlässig für die Strahlung innerhalb des vorgegebenen Wellenlängenbereichs ist; und Maskieren und Ätzen der Schichten der Mehrschichtstruktur (10 ,50 ) zu einer Mehrstufenstruktur (34 ,52 ), wobei das Ätzverfahren eine hohe Ätzselektivität zwischen den Ätz- und Ätzstopp-Schichten (14 –26 ,46 ,48 ) aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem Ätzschichten (
14 –20 ,46 ) und Ätzstopp-Schichten (22 –26 ,48 ) durch eine gegenseitige Ätzselektivität gekennzeichnet sind. - Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem jede Ätzstopp-Schicht (
22 –26 ,48 ) eine Dicke von 5 nm oder weniger aufweist. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem Ätzschichten (
14 –20 ,46 ) aus amorphem Silizium gebildet sind und Ätzstopp-Schichten (22 –26 ,48 ) aus Siliziumdioxid gebildet sind. - Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem das Bilden der Mehrschichtstruktur (
10 ,50 ) ein Aufbringen amorpher Siliziumätzschichten durch eine chemische Aufdampfung aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 5, bei dem die amorphen Siliziumätzschichten durch eine chemische Niederdruckaufdampfung aufgebracht werden.
- Verfahren gemäß Anspruch 5 oder 6, bei dem die amorphen Siliziumätzschichten bei einer Temperatur unterhalb 600°C aufgebracht werden.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7, bei dem das Bilden der Mehrschichtstruktur (
10 ,50 ) ein thermisches Aufwachsen von Siliziumdioxid-Ätzstopp-Schichten auf jeweilige amorphe Siliziumätzschichten aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem die Siliziumdioxid-Ätzstopp-Schichten thermisch in Dampf bei einer Temperatur unterhalb 600°C aufgewachsen werden.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7, bei dem das Bilden der Mehrschichtstruktur (
10 ,50 ) ein Aufbringen von Siliziumdioxid-Ätzstopp-Schichten auf jeweilige amorphe Silizium-Ätzschichten aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem die Siliziumdioxid-Ätzstopp-Schichten durch eine chemische Aufdampfung aufgebracht werden.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 11, bei dem das Umwandeln undurchlässiger Schichten ein Umwandeln amorpher Siliziumätzschichten in der optischen Mehrstufenstruktur (
34 ,52 ) in Siliziumdioxid-Schichten aufweist. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem Ätzschichten aus Siliziumdioxid gebildet sind und Ätzstopp-Schichten aus Silizium gebildet sind.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem das Bilden der Mehrschichtstruktur (
10 ,50 ) ein Oxidieren eines oberen Teils einer amorphen Siliziumschicht aufweist, um eine Siliziumdioxid-Ätzschicht und eine darunterliegende Silizium-Ätzstopp-Schicht zu bilden. - Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem das Oxidieren des oberen Teils der amorphen Siliziumschicht ein thermisches Aufwachsen einer Siliziumdioxid-Abdeckungsschicht auf einem oberen Teil der amorphen Siliziumschicht und ein darauffolgendes thermisches Oxidieren des verbleibenden oberen Teils der amorphen Siliziumschicht aufweist.
- Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem die Abdeckungsschicht bei einer Temperatur unterhalb 600°C thermisch aufgewachsen wird und der verbleibende obere Teil thermisch bei einer Temperatur über etwa 600°C oxidiert wird.
- Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem das Umwandeln undurchlässiger Schichten ein thermisches Oxidieren von Silizium-Ätzstopp-Schichten in der optischen Mehrstufenstruktur (
34 ,52 ) aufweist. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem ferner über der optischen Mehrstufenstruktur (
34 ,52 ) eine für die Strahlung innerhalb des vorgegebenen Wellenlängenbereichs reflektierende Beschichtung aufgebracht wird. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18, das ferner ein Eindrücken der optischen Mehrstufenstruktur in ein relativ weiches Material aufweist, um eine Beugungsstruktur in das relativ weiche Material zu übertragen.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/208,570 | 2002-07-30 | ||
US10/208570 | 2002-07-30 | ||
US10/208,570 US6905618B2 (en) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | Diffractive optical elements and methods of making the same |
DE10362217A DE10362217B4 (de) | 2002-07-30 | 2003-05-06 | Optische Beugungselemente und Verfahren zur Herstellung derselben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10320131A1 DE10320131A1 (de) | 2004-02-26 |
DE10320131B4 true DE10320131B4 (de) | 2009-10-15 |
Family
ID=27804772
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10320131A Expired - Fee Related DE10320131B4 (de) | 2002-07-30 | 2003-05-06 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Beugungselementes |
DE10362217A Expired - Fee Related DE10362217B4 (de) | 2002-07-30 | 2003-05-06 | Optische Beugungselemente und Verfahren zur Herstellung derselben |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10362217A Expired - Fee Related DE10362217B4 (de) | 2002-07-30 | 2003-05-06 | Optische Beugungselemente und Verfahren zur Herstellung derselben |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6905618B2 (de) |
JP (1) | JP2004062200A (de) |
DE (2) | DE10320131B4 (de) |
GB (2) | GB2393267B (de) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7343535B2 (en) * | 2002-02-06 | 2008-03-11 | Avago Technologies General Ip Dte Ltd | Embedded testing capability for integrated serializer/deserializers |
EP1416527A1 (de) * | 2002-10-23 | 2004-05-06 | ABB Schweiz AG | Verfahren zur Herstellung eines Stufenprofils aus einer Schichtfolge |
TWI243288B (en) * | 2002-11-26 | 2005-11-11 | Asml Netherlands Bv | Method of fabricating an optical element, lithographic apparatus and semiconductor device manufacturing method |
US20050063431A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-24 | Gallup Kendra J. | Integrated optics and electronics |
US6953990B2 (en) * | 2003-09-19 | 2005-10-11 | Agilent Technologies, Inc. | Wafer-level packaging of optoelectronic devices |
JP2005257778A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Alps Electric Co Ltd | 微細格子作製方法 |
US20050213995A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Myunghee Lee | Low power and low jitter optical receiver for fiber optic communication link |
JP2007538275A (ja) * | 2004-05-21 | 2007-12-27 | ピレリ・アンド・チ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ | 高アスペクト比を有する回折格子構造の製造方法 |
US7737455B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-06-15 | Bridgelux, Inc. | Electrode structures for LEDs with increased active area |
US7573074B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-08-11 | Bridgelux, Inc. | LED electrode |
US7667324B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-02-23 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Systems, devices, components and methods for hermetically sealing electronic modules and packages |
US20080231600A1 (en) | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Smith George E | Near-Normal Incidence Optical Mouse Illumination System with Prism |
TWI392774B (zh) * | 2009-09-17 | 2013-04-11 | Univ Nat Taiwan | 維持材料表面平整度的製作方法 |
WO2015176272A1 (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | 中国科学技术大学 | 正负相移双金属波带片 |
FI128629B (en) * | 2017-06-02 | 2020-09-15 | Dispelix Oy | Method for making a master plate and a master plate |
JP6981074B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-12-15 | Agc株式会社 | 光学素子 |
US10712475B2 (en) * | 2017-08-16 | 2020-07-14 | Lumentum Operations Llc | Multi-layer thin film stack for diffractive optical elements |
US10802185B2 (en) * | 2017-08-16 | 2020-10-13 | Lumentum Operations Llc | Multi-level diffractive optical element thin film coating |
KR102585150B1 (ko) * | 2018-03-06 | 2023-10-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 3d 기능성 광학 물질 적층 구조를 구축하는 방법 |
CN112856837B (zh) * | 2021-01-11 | 2021-11-02 | 中南大学 | 一种用于太阳能水气化的光谱选择性吸光结构 |
FR3122033B1 (fr) * | 2021-04-19 | 2023-04-14 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication d’un groupe de motifs inclinés |
US20240192431A1 (en) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | Snap Inc. | Thin film layers having non-uniform thicknesses |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258510A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Canon Inc | 回折格子製作用成形型およびその製造方法 |
DE10017614A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-25 | Laser Lab Goettingen Ev | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Reflexionsmaske |
US6392792B1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-05-21 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4895790A (en) | 1987-09-21 | 1990-01-23 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
US5161059A (en) | 1987-09-21 | 1992-11-03 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
US5728324A (en) | 1995-01-31 | 1998-03-17 | Digital Optics Corporation | Molding diffractive optical elements |
IL115295A0 (en) | 1995-09-14 | 1996-12-05 | Yeda Res & Dev | Multilevel diffractive optical element |
JP3287236B2 (ja) | 1996-10-03 | 2002-06-04 | キヤノン株式会社 | 回折光学素子の製作方法 |
US6120942A (en) * | 1997-02-18 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Method for making a photomask with multiple absorption levels |
US6365455B1 (en) * | 1998-06-05 | 2002-04-02 | Mosel Vitelic, Inc. | Flash memory process using polysilicon spacers |
US6670105B2 (en) | 1998-09-18 | 2003-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing diffractive optical element |
US6187211B1 (en) | 1998-12-15 | 2001-02-13 | Xerox Corporation | Method for fabrication of multi-step structures using embedded etch stop layers |
US6265246B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-07-24 | Agilent Technologies, Inc. | Microcap wafer-level package |
JP3442004B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2003-09-02 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法 |
US6810176B2 (en) | 2000-08-07 | 2004-10-26 | Rosemount Inc. | Integrated transparent substrate and diffractive optical element |
US6387787B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-05-14 | Motorola, Inc. | Lithographic template and method of formation and use |
-
2002
- 2002-07-30 US US10/208,570 patent/US6905618B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-06 DE DE10320131A patent/DE10320131B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-06 DE DE10362217A patent/DE10362217B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-09 JP JP2003272146A patent/JP2004062200A/ja not_active Withdrawn
- 2003-07-29 GB GB0317739A patent/GB2393267B/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-29 GB GB0604376A patent/GB2421805B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258510A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Canon Inc | 回折格子製作用成形型およびその製造方法 |
DE10017614A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-25 | Laser Lab Goettingen Ev | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Reflexionsmaske |
US6392792B1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-05-21 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 06 258 510 A Mir Abstract und Computerübersetzung * |
JP 06-258 510 A Mir Abstract und Computerübersetzung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2421805A (en) | 2006-07-05 |
GB0604376D0 (en) | 2006-04-12 |
DE10320131A1 (de) | 2004-02-26 |
DE10362217B4 (de) | 2011-07-28 |
US20040020892A1 (en) | 2004-02-05 |
GB2393267B (en) | 2006-05-17 |
GB2421805B (en) | 2007-03-07 |
GB0317739D0 (en) | 2003-09-03 |
US6905618B2 (en) | 2005-06-14 |
JP2004062200A (ja) | 2004-02-26 |
GB2393267A (en) | 2004-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10320131B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optischen Beugungselementes | |
US5982545A (en) | Structure and method for manufacturing surface relief diffractive optical elements | |
EP0742455B1 (de) | Ma stab und Verfahren zur Herstellung eines Ma stabes sowie Positionsmesseinrichtung | |
DE60301297T2 (de) | Polarisierendes optisches Element und Herstellungsverfahren dafür | |
EP1250618B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer gitterstruktur, optisches element, evaneszentfeldsensorplatte, mikrotiterplatte und nachrichtentechnischer optischer koppler sowie vorrichtung zur überwachung einer wellenlänge | |
EP0271002B1 (de) | Photomaske mit Transmissionsfaktor-Modulation, ihr Herstellungsverfahren und Herstellungsverfahren für ein Beugungsgitter | |
RU2019126264A (ru) | Оптический фильтр, оптическая фильтровая система, спектрометр и способ изготовления оптического фильтра | |
EP0478055A2 (de) | Verfahren zur Bildung mindestens eines Grabens in einer Substratschicht | |
DE4338969C2 (de) | Verfahren zur Herstellung anorganischer diffraktiver Elemente und Verwendung derselben | |
DE602004009841T2 (de) | Diffusionsplatte und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE4448052B4 (de) | Maske und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102011090192A1 (de) | Spiegel, Verfahren zu dessen Herstellung, Belichtungsgerät, und Vorrichtungsherstellungsverfahren | |
DE112015002127B4 (de) | Herstellungsverfahren für eine Aufnahmestruktur für Gitterelemente | |
DE3783239T2 (de) | Roentgenstrahlmaske. | |
EP1158317B1 (de) | Littrow-Gitter sowie Verwendungen eines Littrow-Gitters | |
WO2007121990A1 (de) | Projektionsbelichtungssystem und verwendung desselben | |
DE102006031561B4 (de) | Fotomaskenanordnung, optisches Abbildungssystem, Verfahren zum Bestimmen der Gitterparameter und Absorptionseigenschaften für ein diffraktives optisches Element und Verfahren zum Herstellen eines diffraktiven optischen Elements | |
EP3438618B1 (de) | Abtastplatte für eine optische positionsmesseinrichtung | |
DE19508749C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske | |
DE10319534A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Mems-Fabry-Perot-Resonators | |
DE4420417C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Erzeugung eines Musters auf einem Halbleiterbauelement | |
EP3362854A1 (de) | Mikrostruktur und verfahren zur herstellung einer mikrostruktur in einer fotolithographietechnik | |
DE102018009116A1 (de) | Skala und Herstellungsverfahren derselben | |
DE102020112776A1 (de) | Maske für extremes-ultraviolett-fotolithografie | |
DE112019005885T5 (de) | Bildung von dreidimensionalen strukturen mittels graustufenphotolithographie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD., |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref document number: 10362217 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref document number: 10362217 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELLSCHA |
|
AH | Division in |
Ref document number: 10362217 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE., SG Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG Effective date: 20130523 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE Effective date: 20130523 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: BROADCOM INTERNATIONAL PTE. LTD., SG Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LT, SG Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DILG, HAEUSLER, SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESE, DE Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: BROADCOM INTERNATIONAL PTE. LTD., SG Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LTD., SINGAPUR, SG |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DILG, HAEUSLER, SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESE, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |