JP2999450B2 - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクの製造方法
に係るもので、詳しくは、交番型（Alternativetype)
位相シフトマスクの製造方法に関するものである。
に係るもので、詳しくは、交番型（Alternativetype)
位相シフトマスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、交番型位相シフトマスクにおいて
は、図３及び図４に示すように、透明基板１上に予め決
めたパターンの複数の遮光層パターン２をそれぞれＸ方
向に所定間隔を置いて形成し、隣接する遮光層パターン
２間には透明基板１の投光部４と位相反転部（シフタ）
３を交代に形成していた。ここで、シフタ３は遮光層パ
ターン２を部分的に覆うように形成していた。
は、図３及び図４に示すように、透明基板１上に予め決
めたパターンの複数の遮光層パターン２をそれぞれＸ方
向に所定間隔を置いて形成し、隣接する遮光層パターン
２間には透明基板１の投光部４と位相反転部（シフタ）
３を交代に形成していた。ここで、シフタ３は遮光層パ
ターン２を部分的に覆うように形成していた。
【０００３】そして、図４（Ａ）は図３のａ−ａ線縦断
面図で、シフタ３が遮光層パターン２を部分的に覆うた
め遮光層パターン２上で位相反転が発生する。また、図
４（Ｂ）は図４のｂ−ｂ線縦断面図で、シフタ３が透明
基板１と直接接するため、透明基板１上で位相反転が発
生する。
面図で、シフタ３が遮光層パターン２を部分的に覆うた
め遮光層パターン２上で位相反転が発生する。また、図
４（Ｂ）は図４のｂ−ｂ線縦断面図で、シフタ３が透明
基板１と直接接するため、透明基板１上で位相反転が発
生する。
【０００４】このように構成した従来の位相シフトマス
クの作用原理は次のようである。
クの作用原理は次のようである。
【０００５】即ち、透明基板１を露光装置（図示してい
ない）に設置すると、光は透明基板１を通過し、該透明
基板１上の遮光層パターン２を除いた全ての領域でウエ
ハ（図示していない）上に到達する。即ち、遮光層パタ
ーン２の領域を通過する光はウエハ上に到達せずに遮断
するが、透明基板１の投光部４及びシフタ３をそれぞれ
通過した光はウエハ上に到達する。このとき、それらの
投光部４及びシフタ３をそれぞれ通過した光は互いに反
対の位相を有するようになる。ここで、図３のｘ軸方向
においては、図４（Ａ）に示すように、シフタ３が遮光
層パターン２の一部を覆っているため、遮光層パターン
２上の光の位相が反転するが、遮光領域であるため、急
激な位相の反転による光強度低下の現象が発生しても鮮
明なパターンを得ることができる。ただし、図３のｙ軸
方向においては、図４（Ｂ）に示すように、透明基板１
の投光部４とシフタ３とが直接接するようになってい
る。このとき、投光部４及びシフタ３をそれぞれ通過す
る光の位相は互いに反対である。それにより、それらの
投光部４及びシフタ３が接する場合は、互いに反対の位
相を有する２つの光が接する境界面で、光強度が０に近
くなるほど急激に低下する現象が発生する。このような
光強度の低下現象は、図５に示す距離に対する光強度の
変化を示すグラフにより分かるように、シフタ３と透明
基板１の投光部４との境界部３ａではウエハ上に到達す
る光強度がほぼ０になるため、境界部３ａでは鮮明なパ
ターンを得ることができなくなる。
ない）に設置すると、光は透明基板１を通過し、該透明
基板１上の遮光層パターン２を除いた全ての領域でウエ
ハ（図示していない）上に到達する。即ち、遮光層パタ
ーン２の領域を通過する光はウエハ上に到達せずに遮断
するが、透明基板１の投光部４及びシフタ３をそれぞれ
通過した光はウエハ上に到達する。このとき、それらの
投光部４及びシフタ３をそれぞれ通過した光は互いに反
対の位相を有するようになる。ここで、図３のｘ軸方向
においては、図４（Ａ）に示すように、シフタ３が遮光
層パターン２の一部を覆っているため、遮光層パターン
２上の光の位相が反転するが、遮光領域であるため、急
激な位相の反転による光強度低下の現象が発生しても鮮
明なパターンを得ることができる。ただし、図３のｙ軸
方向においては、図４（Ｂ）に示すように、透明基板１
の投光部４とシフタ３とが直接接するようになってい
る。このとき、投光部４及びシフタ３をそれぞれ通過す
る光の位相は互いに反対である。それにより、それらの
投光部４及びシフタ３が接する場合は、互いに反対の位
相を有する２つの光が接する境界面で、光強度が０に近
くなるほど急激に低下する現象が発生する。このような
光強度の低下現象は、図５に示す距離に対する光強度の
変化を示すグラフにより分かるように、シフタ３と透明
基板１の投光部４との境界部３ａではウエハ上に到達す
る光強度がほぼ０になるため、境界部３ａでは鮮明なパ
ターンを得ることができなくなる。
【０００６】従って、このように光強度が０になる問題
点を解決するため、シフタ３と透明基板１の投光部４と
の境界部３ａに位相遷移層を形成して、位相を緩慢に変
化させ、シフタ３と投光部４との境界部３ａにおいても
鮮明なパターンを得る方法が、米国特許第５，２５４，
４１８号に記載されており、これを説明すると次のよう
である。
点を解決するため、シフタ３と透明基板１の投光部４と
の境界部３ａに位相遷移層を形成して、位相を緩慢に変
化させ、シフタ３と投光部４との境界部３ａにおいても
鮮明なパターンを得る方法が、米国特許第５，２５４，
４１８号に記載されており、これを説明すると次のよう
である。
【０００７】即ち、図６に示すように、透明基板１１上
に複数の遮光層パターン１２を形成し、それらの遮光層
パターン１２の一部と該遮光層パターン１２間の透明基
板１１上とにシフタ１３を形成し、該シフタ１３及び遮
光層パターン１２上に粘着性の優れた物質により位相遷
移層１４を形成していた。
に複数の遮光層パターン１２を形成し、それらの遮光層
パターン１２の一部と該遮光層パターン１２間の透明基
板１１上とにシフタ１３を形成し、該シフタ１３及び遮
光層パターン１２上に粘着性の優れた物質により位相遷
移層１４を形成していた。
【０００８】このように構成した従来の位相遷移層を有
する位相シフトマスクの製造方法を、図７に基づいて説
明すると次のようであった。先ず、図７（Ａ）に示すよ
うに、透明基板１１上に一般のスパッタリング又は電子
ビーム蒸発法（E-beam evaporation) により遮光層のク
ロム膜を蒸着形成する。次いで、上記のクロム膜を予め
決めたパターンにより選択的に除去し、遮光層パターン
のクロム膜パターン１２を形成する。
する位相シフトマスクの製造方法を、図７に基づいて説
明すると次のようであった。先ず、図７（Ａ）に示すよ
うに、透明基板１１上に一般のスパッタリング又は電子
ビーム蒸発法（E-beam evaporation) により遮光層のク
ロム膜を蒸着形成する。次いで、上記のクロム膜を予め
決めたパターンにより選択的に除去し、遮光層パターン
のクロム膜パターン１２を形成する。
【０００９】次いで、図７（Ｂ）に示すように、クロム
膜パターン１２及び透明基板１１を完全に覆うように化
学気相蒸着法（ＣＶＤ法）を施してＳｉＯ2 フィルムを
蒸着１３ａし、スピンコート法を施して上記のＳｉＯ2
フィルムを電子ビームに対しポジ型のフォトレジスト膜
２０で覆う。次いで、電子ビームによりフォトレジスト
膜２０を選択的に露光し、シフタ１３のような形態のレ
ジストパターン２０ａを形成する。
膜パターン１２及び透明基板１１を完全に覆うように化
学気相蒸着法（ＣＶＤ法）を施してＳｉＯ2 フィルムを
蒸着１３ａし、スピンコート法を施して上記のＳｉＯ2
フィルムを電子ビームに対しポジ型のフォトレジスト膜
２０で覆う。次いで、電子ビームによりフォトレジスト
膜２０を選択的に露光し、シフタ１３のような形態のレ
ジストパターン２０ａを形成する。
【００１０】次いで、図７（Ｃ）に示すように、レジス
トパターン２０ａをマスクとし、反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）により上記のＳｉＯ2 フィルムを食刻して
シフタ１３を形成する。次いで、レジストパターン２０
ａを酸素（Ｏ2)プラズマにより除去した後、透明基板１
１、クロム膜パターン１２及びシフタ１３の全てを覆う
第２のシフタである位相遷移層１４を形成する。このと
き、位相遷移層１４は粘性が良く、リフロー特性の優れ
たＳＯＧ（Spin On Glass)により形成すると、シフタ１
３と透明基板１１との接する境界面が緩慢な傾斜を有す
るようになり、それにより、シフタ１３の境界領域での
光は０゜から１８０゜に急反転せず、光の位相が連続的
になるため、光強度は０に低下することなく、ウエハ上
に鮮明なパターンを形成するようになる。
トパターン２０ａをマスクとし、反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）により上記のＳｉＯ2 フィルムを食刻して
シフタ１３を形成する。次いで、レジストパターン２０
ａを酸素（Ｏ2)プラズマにより除去した後、透明基板１
１、クロム膜パターン１２及びシフタ１３の全てを覆う
第２のシフタである位相遷移層１４を形成する。このと
き、位相遷移層１４は粘性が良く、リフロー特性の優れ
たＳＯＧ（Spin On Glass)により形成すると、シフタ１
３と透明基板１１との接する境界面が緩慢な傾斜を有す
るようになり、それにより、シフタ１３の境界領域での
光は０゜から１８０゜に急反転せず、光の位相が連続的
になるため、光強度は０に低下することなく、ウエハ上
に鮮明なパターンを形成するようになる。
【００１１】このように、位相遷移層１４を形成したと
き、シフタ１３と透明基板１１との境界部における光強
度の変化は、図８に示すグラフのようであった。
き、シフタ１３と透明基板１１との境界部における光強
度の変化は、図８に示すグラフのようであった。
【００１２】然るに、このような位相反転緩和層の位相
遷移層１４を形成した従来の位相シフトマスクにおいて
は、シフタを２層に形成するため、光の透過率の低下が
発生し、それらのシフタの異質の媒質境界部における光
の反射及び散乱が増加して、マスクの解像効率を低下さ
せるという不都合な点があった。また、２層のシフタを
用いるため、位相境界部の面積が広くなってマスクの集
積度を低下させるという不都合な点があった。
遷移層１４を形成した従来の位相シフトマスクにおいて
は、シフタを２層に形成するため、光の透過率の低下が
発生し、それらのシフタの異質の媒質境界部における光
の反射及び散乱が増加して、マスクの解像効率を低下さ
せるという不都合な点があった。また、２層のシフタを
用いるため、位相境界部の面積が広くなってマスクの集
積度を低下させるという不都合な点があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の課題に鑑みてなされたもので、透明基板を用いて
シフタを構成し、別途のマスクを利用せずに、位相遷移
部を自己整列により多段に構成し得る位相シフトマスク
の製造方法を提供する。
従来の課題に鑑みてなされたもので、透明基板を用いて
シフタを構成し、別途のマスクを利用せずに、位相遷移
部を自己整列により多段に構成し得る位相シフトマスク
の製造方法を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法に
おいては、透明基板上に遮光層パターンを形成する段階
と、上記の透明基板及び遮光層パターンを覆うように第
１保護膜パターンを形成する段階と、上記の遮光層パタ
ーン及び第１保護膜パターンをマスクとして上記の透明
基板を食刻して投光部を形成する段階と、上記の投光
部、遮光パターン及び第１保護膜パターンの上面に第２
保護膜を形成する段階と、第１保護膜パターンを露出す
る段階と、第１保護膜パターンを除去して該第１保護膜
パターン下面に形成した遮光層パターン及び透明基板を
露出する段階と、上記の露出した遮光層パターンをシー
ド（種）とし、アルミニウム膜を成長させてアルミニウ
ム膜パターンを形成する段階と、上記の露出させた透明
基板を食刻する段階と、上記のアルミニウム膜パターン
に対し等方性食刻を施す段階と、上記のアルミニウム膜
パターンの等方性食刻により露出した上記の透明基板の
表面を再食刻し、位相遷移部及びシフタを形成する段階
と、を順次行うようになっている。
るため、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法に
おいては、透明基板上に遮光層パターンを形成する段階
と、上記の透明基板及び遮光層パターンを覆うように第
１保護膜パターンを形成する段階と、上記の遮光層パタ
ーン及び第１保護膜パターンをマスクとして上記の透明
基板を食刻して投光部を形成する段階と、上記の投光
部、遮光パターン及び第１保護膜パターンの上面に第２
保護膜を形成する段階と、第１保護膜パターンを露出す
る段階と、第１保護膜パターンを除去して該第１保護膜
パターン下面に形成した遮光層パターン及び透明基板を
露出する段階と、上記の露出した遮光層パターンをシー
ド（種）とし、アルミニウム膜を成長させてアルミニウ
ム膜パターンを形成する段階と、上記の露出させた透明
基板を食刻する段階と、上記のアルミニウム膜パターン
に対し等方性食刻を施す段階と、上記のアルミニウム膜
パターンの等方性食刻により露出した上記の透明基板の
表面を再食刻し、位相遷移部及びシフタを形成する段階
と、を順次行うようになっている。
【００１５】透明基板７１を食刻する段階は、予め設計
した位相遷移部７３の形状を有するまでアルミニウム膜
パターン７６を等方性食刻する段階を反復遂行してもよ
い。
した位相遷移部７３の形状を有するまでアルミニウム膜
パターン７６を等方性食刻する段階を反復遂行してもよ
い。
【００１６】第１保護膜パターン７７を露出させる段階
は、第２保護膜パターン７８を化学機械研磨法により除
去してもよい。
は、第２保護膜パターン７８を化学機械研磨法により除
去してもよい。
【００１７】アルミニウム膜パターン７６を成長させる
段階は、ジメチルアルミニウムヒドリド（ＤＭＡＨ；Ａ
ｌ（ＣＨ3)2 Ｈ）を原料として形成してもよい。
段階は、ジメチルアルミニウムヒドリド（ＤＭＡＨ；Ａ
ｌ（ＣＨ3)2 Ｈ）を原料として形成してもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る位相シフトマ
スクの製造方法に対し、図面を用いて説明する。
スクの製造方法に対し、図面を用いて説明する。
【００１９】先ず、本発明の位相シフトマスクの構成に
おいては、図１に示すように、透明基板７１に複数の突
出した位相遷移部７５が形成し、それらの突出した位相
遷移部７５上面の両方側の所定領域には複数の遮光層パ
ターン７２及び７３が形成し、それらの遮光層パターン
７２及び７３間には位相反転領域７５がそれぞれ形成し
ている。そして、上記の複数の突出した位相遷移部７５
の間には陥没した投光部７４を形成する。ここで、突出
した位相遷移部７５及び陥没した投光部７４は位相反転
を発生させる厚さ程度の高さの差を有するように形成
し、シフタ７５及び投光部としての陥没した投光部７４
をそれぞれ通過した光は互いに反対の位相を有するよう
になる。さらに、遮光層パターン７２及び位相反転領域
７５のｙ軸側面には位相遷移部７３が形成し、該位相遷
移部７３は透明基板７１を食刻して形成した多段食刻面
（５０″、５００′及び５０００）により形成されてい
る。位相遷移部７３を透明基板７１と同一材質により形
成し、光の透過率を低下せずに、位相の反転を緩和し
て、従来の位相シフトマスクの有する問題点を改善する
ようになっている。
おいては、図１に示すように、透明基板７１に複数の突
出した位相遷移部７５が形成し、それらの突出した位相
遷移部７５上面の両方側の所定領域には複数の遮光層パ
ターン７２及び７３が形成し、それらの遮光層パターン
７２及び７３間には位相反転領域７５がそれぞれ形成し
ている。そして、上記の複数の突出した位相遷移部７５
の間には陥没した投光部７４を形成する。ここで、突出
した位相遷移部７５及び陥没した投光部７４は位相反転
を発生させる厚さ程度の高さの差を有するように形成
し、シフタ７５及び投光部としての陥没した投光部７４
をそれぞれ通過した光は互いに反対の位相を有するよう
になる。さらに、遮光層パターン７２及び位相反転領域
７５のｙ軸側面には位相遷移部７３が形成し、該位相遷
移部７３は透明基板７１を食刻して形成した多段食刻面
（５０″、５００′及び５０００）により形成されてい
る。位相遷移部７３を透明基板７１と同一材質により形
成し、光の透過率を低下せずに、位相の反転を緩和し
て、従来の位相シフトマスクの有する問題点を改善する
ようになっている。
【００２０】以下、上記のように構成する本発明に係る
位相シフトマスクの製造方法に対し、を図２を用いて説
明する。
位相シフトマスクの製造方法に対し、を図２を用いて説
明する。
【００２１】先ず、図２（Ａ）に示すように、透明基板
７１の上面に遮光層のクロム層を一般のスパッタリング
又は蒸発法により形成し、上記のクロム層をパターニン
グして遮光層パターン７２を形成する。そして、該遮光
層パターン７２上面の一部及び透明基板７１上面の一部
である位相遷移部７３を覆うように感光膜の第１保護膜
パターン７７を形成する。
７１の上面に遮光層のクロム層を一般のスパッタリング
又は蒸発法により形成し、上記のクロム層をパターニン
グして遮光層パターン７２を形成する。そして、該遮光
層パターン７２上面の一部及び透明基板７１上面の一部
である位相遷移部７３を覆うように感光膜の第１保護膜
パターン７７を形成する。
【００２２】次いで、図２（Ｂ）に示すように、遮光層
パターン７２及び感光膜パターン７７をマスクとし、透
明基板７１を食刻して陥没した投光部７４を有する透明
基板７１を製造する。ここで、陥没した投光部７４を食
刻する深さは、食刻前の上記透明基板７１の高さから位
相反転を発生させる程度であり、この陥没した投光部７
４は位相シフトマスクの製造を完了したときに投光部と
して作用する。
パターン７２及び感光膜パターン７７をマスクとし、透
明基板７１を食刻して陥没した投光部７４を有する透明
基板７１を製造する。ここで、陥没した投光部７４を食
刻する深さは、食刻前の上記透明基板７１の高さから位
相反転を発生させる程度であり、この陥没した投光部７
４は位相シフトマスクの製造を完了したときに投光部と
して作用する。
【００２３】次いで、図２（Ｃ）に示すように、遮光層
パターン７２、感光膜パターン７７、及び透明基板７１
の陥没した投光部７４の上面に第２保護膜パターン〔無
機質レジスト（Ｇｅ−Ｓｅ系）膜パターン〕７８をスパ
ッタリング又は蒸着方法により、感光膜パターン７７よ
り高く形成する。このとき、上記の無機質レジストは、
ガラス転移点である２１０℃でポジ型のレジストを用い
て形成する。
パターン７２、感光膜パターン７７、及び透明基板７１
の陥没した投光部７４の上面に第２保護膜パターン〔無
機質レジスト（Ｇｅ−Ｓｅ系）膜パターン〕７８をスパ
ッタリング又は蒸着方法により、感光膜パターン７７よ
り高く形成する。このとき、上記の無機質レジストは、
ガラス転移点である２１０℃でポジ型のレジストを用い
て形成する。
【００２４】次いで、図２（Ｄ）に示すように、無機質
レジスト膜パターン７８に対し化学機械研磨（Chemical
Mechanical Polishing ；ＣＭＰ）を実施し、感光膜パ
ターン７７を露出させた後、該露出した感光膜パターン
７７を酸素プラズマ（Ｏ2 Plasma）又はＣＦ4 ガスによ
り選択的に除去し、遮光層パターン７２の一部及び透明
基板７１の上面を露出させる。
レジスト膜パターン７８に対し化学機械研磨（Chemical
Mechanical Polishing ；ＣＭＰ）を実施し、感光膜パ
ターン７７を露出させた後、該露出した感光膜パターン
７７を酸素プラズマ（Ｏ2 Plasma）又はＣＦ4 ガスによ
り選択的に除去し、遮光層パターン７２の一部及び透明
基板７１の上面を露出させる。
【００２５】次いで、図２（Ｅ）に示すように、遮光層
パターン７２のクロムをシードとし、ＤＭＡＨガスを用
いてアルミニウムパターン７６を遮光層パターン７２の
上面及び側面に成長させる。一般に、ＤＭＡＨガスは、
特定の温度及び圧力を有する領域において伝導性の金属
のみに選択的に蒸着する性質を有し、温度範囲１８０℃
〜３５０℃、全圧０．５〜５０Torr、ＤＭＡＨ分圧３３
〜８５０m Torrの条件下、特に、最適条件としてＤＭＡ
Ｈ分圧１６０m Torr、基板温度２８０℃で成長させる
と、成長速度の速い膜が得られることが公知である。成
長したアルミニウムパターン７６は、遮光層パターン７
２のクロム層全体と透明基板７１の表面の一部に選択的
に形成する。そして、前記の化学機械研磨工程後に残存
している無機質レジストパターン７８及びアルミニウム
パターン７６をマスクとし、露出している領域の透明基
板７１の表面を異方性食刻して食刻表面５０を形成す
る。
パターン７２のクロムをシードとし、ＤＭＡＨガスを用
いてアルミニウムパターン７６を遮光層パターン７２の
上面及び側面に成長させる。一般に、ＤＭＡＨガスは、
特定の温度及び圧力を有する領域において伝導性の金属
のみに選択的に蒸着する性質を有し、温度範囲１８０℃
〜３５０℃、全圧０．５〜５０Torr、ＤＭＡＨ分圧３３
〜８５０m Torrの条件下、特に、最適条件としてＤＭＡ
Ｈ分圧１６０m Torr、基板温度２８０℃で成長させる
と、成長速度の速い膜が得られることが公知である。成
長したアルミニウムパターン７６は、遮光層パターン７
２のクロム層全体と透明基板７１の表面の一部に選択的
に形成する。そして、前記の化学機械研磨工程後に残存
している無機質レジストパターン７８及びアルミニウム
パターン７６をマスクとし、露出している領域の透明基
板７１の表面を異方性食刻して食刻表面５０を形成す
る。
【００２６】次いで、図２（Ｆ）に示すように硫酸（Ｈ
2 ＳＯ4)等の溶液によりアルミニウムパターン７６の上
面及び側面を段階的に食刻し、第一段目の食刻により露
出した透明基板７１を乾式食刻して食刻表面５００を形
成し、それと同時に食刻表面５０を再食刻して、食刻表
面５００とは段差を有する食刻表面５０′を形成する。
透明基板７１に対し、Ｈ2 ＳＯ4 溶液によりアルミニウ
ムパターン７６の上面及び側面を第二段目の湿式食刻
し、露出表面を全て乾式食刻して、それぞれ段差を有す
る食刻面５０００、５００′及び５０″パターンを形成
する。上記の湿式食刻工程において、遮光層パターン７
２がクロムであるときは、Ｈ2 ＳＯ4 溶液とアルミニウ
ムとの食刻選択比が非常に高い（等方性食刻）ため、上
記の段階的に食刻する工程中で、アルミニウムパターン
７６が全て除去し、遮光層パターン７２が露出して、食
刻は安定的に終了する。
2 ＳＯ4)等の溶液によりアルミニウムパターン７６の上
面及び側面を段階的に食刻し、第一段目の食刻により露
出した透明基板７１を乾式食刻して食刻表面５００を形
成し、それと同時に食刻表面５０を再食刻して、食刻表
面５００とは段差を有する食刻表面５０′を形成する。
透明基板７１に対し、Ｈ2 ＳＯ4 溶液によりアルミニウ
ムパターン７６の上面及び側面を第二段目の湿式食刻
し、露出表面を全て乾式食刻して、それぞれ段差を有す
る食刻面５０００、５００′及び５０″パターンを形成
する。上記の湿式食刻工程において、遮光層パターン７
２がクロムであるときは、Ｈ2 ＳＯ4 溶液とアルミニウ
ムとの食刻選択比が非常に高い（等方性食刻）ため、上
記の段階的に食刻する工程中で、アルミニウムパターン
７６が全て除去し、遮光層パターン７２が露出して、食
刻は安定的に終了する。
【００２７】次いで、図２（Ｇ）に示すように、アンモ
ニア溶液（６mol ％）により無機質レジスト膜パターン
７８を除去して、本発明の位相シフトマスクの製造を終
了する。
ニア溶液（６mol ％）により無機質レジスト膜パターン
７８を除去して、本発明の位相シフトマスクの製造を終
了する。
【００２８】このように、位相反転領域７５と透明基板
７１との表面の境界面に段階的な段差を有する食刻面５
０００、５００′及び５０″を含む位相遷移部７３を形
成して、位相の変換を緩和させるため、位相反転境界部
における光強度の低下を防止することができる。
７１との表面の境界面に段階的な段差を有する食刻面５
０００、５００′及び５０″を含む位相遷移部７３を形
成して、位相の変換を緩和させるため、位相反転境界部
における光強度の低下を防止することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る位相
シフトマスクの製造方法においては、ＤＭＡＨを利用し
たアルミニウムパターンが金属層のみで成長するという
ことを利用したものであって、新しくマスク及び露光工
程を追加せずに位相反転緩和部を形成するため、工程の
単純化を図り得るという効果がある。
シフトマスクの製造方法においては、ＤＭＡＨを利用し
たアルミニウムパターンが金属層のみで成長するという
ことを利用したものであって、新しくマスク及び露光工
程を追加せずに位相反転緩和部を形成するため、工程の
単純化を図り得るという効果がある。
【００３０】且つ、本発明に係る位相シフトマスクの製
造方法においては、自己整合を利用するため、位相遷移
部と投光部との境界、即ち、線幅及び段差の調節が容易
になるという効果がある。
造方法においては、自己整合を利用するため、位相遷移
部と投光部との境界、即ち、線幅及び段差の調節が容易
になるという効果がある。
【００３１】また、本発明に係る位相シフトマスクの製
造方法においては、無機質レジストを用いるため、感光
レジスト、アルミニウム、及び透明基板に対する食刻耐
食性が優れ、位相遷移部及び投光部を多段に食刻すると
きの保護膜効果が優れるという効果がある。
造方法においては、無機質レジストを用いるため、感光
レジスト、アルミニウム、及び透明基板に対する食刻耐
食性が優れ、位相遷移部及び投光部を多段に食刻すると
きの保護膜効果が優れるという効果がある。
【００３２】さらに、本発明に係る位相シフトマスクの
製造方法においては、シフタ及び投光部を透光率の高い
物質を用いて形成するため、解像能力が優れるという効
果がある。
製造方法においては、シフタ及び投光部を透光率の高い
物質を用いて形成するため、解像能力が優れるという効
果がある。
【図１】本発明に係る位相シフトマスクを示す平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る位相シフトマスクの製造工程図で
ある。
ある。
【図３】従来の位相シフトマスクを示す平面図である。
【図４】（Ａ）は図３のａ−ａ線縦断面図であり、
（Ｂ）は図３のｂ−ｂ線縦断面図である。
（Ｂ）は図３のｂ−ｂ線縦断面図である。
【図５】図４（Ｂ）の位相シフトマスクの距離に対する
光強度の変化を示すグラフである。
光強度の変化を示すグラフである。
【図６】従来の位相遷移層を有する位相シフトマスクを
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図７】図６の位相シフトマスクの製造工程図である。
【図８】図６の位相シフトマスクにおける、距離に対す
る光強度の変化を示すグラフである。
る光強度の変化を示すグラフである。
１ 透明基板 ２ 遮光層パターン ３ シフタ ４ 投光部 １１ 透明基板 １２ 遮光層パターン １３ シフタ １４ 位相遷移部 ２０ フォトレジスト膜 ２０a フォトレジスト膜パターン ７１ 透明基板 ７２ 遮光層パターン ７３ 位相遷移部 ７４ 投光部 ７５ シフタ ７６ アルミニウム膜パターン ７７ 第１保護膜パターン ７８ 第２保護膜パターン ５０″ 食刻面 ５００′ 食刻面 ５０００ 食刻面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−197130（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−59436（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−54420（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−258427（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−123695（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に遮光層パターンを形成する
工程と、 前記遮光層パターンの一方側部及び上面並びに前記透明
基板上に第１保護膜パターンを形成する工程と、 前記遮光層パターン及び前記第１保護膜パターンをマス
クとし、前記透明基板を食刻して位相反転部を形成する
工程と、 前記位相反転部上に第２保護膜パターンを形成する工程
と、 第１保護膜パターンを除去する工程と、 前記光透光部上にアルミニウム膜パターンを形成する工
程と、 前記遮光層パターン及びアルミニウム膜パターンをマス
クとし、前記第１保護膜パターン層を除去して露出され
た前記透明基板に対し、前記遮光部側が高く、前記位相
反転部側が低くなるように階段状に食刻を行って位相遷
移部を形成する工程と、 前記アルミニウム膜パターンを除去すると同時に、前記
透明基板を食刻した前記位相反転部に対して、１８０°
の位相差を有する光透光部を形成する工程と、を順次行
うことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記位相遷移部を形成する工程は、 前記第１遮光層をシードとし、露出した前記透明基板の
一部が露出されるように前記透明基板にアルミニウム膜
パターンを蒸着する工程と、 露出した透明基板を食刻する工程と、 前記アルミニウム膜パターンに等方性食刻を施し、アル
ミニウム膜パターンの等方性食刻により露出した透明基
板の表面を再食刻し、透明基板を階段状に形成する工程
と、 を順次行うことを特徴とする、請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970026353A KR100244482B1 (ko) | 1997-06-21 | 1997-06-21 | 위상 반전 마스크 제조 방법 |
| KR26353/1997 | 1997-06-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1124233A JPH1124233A (ja) | 1999-01-29 |
| JP2999450B2 true JP2999450B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=19510579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12901398A Expired - Fee Related JP2999450B2 (ja) | 1997-06-21 | 1998-05-12 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6017659A (ja) |
| JP (1) | JP2999450B2 (ja) |
| KR (1) | KR100244482B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6395435B1 (en) | 2000-06-27 | 2002-05-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Photo-lithographic mask having total internal reflective surfaces |
| JP4903300B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2012-03-28 | 旭硝子株式会社 | 光学装置 |
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| KR100465067B1 (ko) * | 2002-06-19 | 2005-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 감광막 패턴형성 방법 |
| US6884144B2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for planarizing microelectronic devices with Ge-Se-Ag layers |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5254418A (en) * | 1990-10-22 | 1993-10-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask |
| US5281500A (en) * | 1991-09-04 | 1994-01-25 | Micron Technology, Inc. | Method of preventing null formation in phase shifted photomasks |
-
1997
- 1997-06-21 KR KR1019970026353A patent/KR100244482B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-12-18 DE DE19756518A patent/DE19756518B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-27 US US09/049,471 patent/US6017659A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-12 JP JP12901398A patent/JP2999450B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH1124233A (ja) | 1999-01-29 |
| DE19756518B4 (de) | 2005-04-21 |
| US6017659A (en) | 2000-01-25 |
| DE19756518A1 (de) | 1999-01-28 |
| KR100244482B1 (ko) | 2000-03-02 |
| KR19990002677A (ko) | 1999-01-15 |
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