JPH06252436A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPH06252436A JPH06252436A JP5038569A JP3856993A JPH06252436A JP H06252436 A JPH06252436 A JP H06252436A JP 5038569 A JP5038569 A JP 5038569A JP 3856993 A JP3856993 A JP 3856993A JP H06252436 A JPH06252436 A JP H06252436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- impurity semiconductor
- light
- layer
- photosensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 短波長の入射光に対して光感度が高く、かつ
温度変動に対して安定した光感度を有する受光素子を提
供するものである。 【構成】 第１導電型の低不純物半導体層と、その層の
所定の表面領域を挟む様にその表面に設けられた第２導
電型の高不純物半導体層と、その高不純物半導体層とオ
ーミック接触がとられ、かつその半導体層の表面全体の
上方に位置する様に設けられた電極とを設け、その受光
素子に逆電圧を印加する事により、空乏層が前記高不純
物半導体層を一体に囲む様に前記低不純物半導体層の表
面に設けられる様にするものである。
温度変動に対して安定した光感度を有する受光素子を提
供するものである。 【構成】 第１導電型の低不純物半導体層と、その層の
所定の表面領域を挟む様にその表面に設けられた第２導
電型の高不純物半導体層と、その高不純物半導体層とオ
ーミック接触がとられ、かつその半導体層の表面全体の
上方に位置する様に設けられた電極とを設け、その受光
素子に逆電圧を印加する事により、空乏層が前記高不純
物半導体層を一体に囲む様に前記低不純物半導体層の表
面に設けられる様にするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は短波長の入射光に対し
て、高い光感度を有する受光素子に関する。
て、高い光感度を有する受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、受光素子の改良が数多くなされて
いるが、その中で例えば、特開平３−２５０７７２号公
報で開示された受光素子を図７の平面図と図８の断面図
にて示す。シリコン系半導体のＰ型領域３１の表面に不
純物濃度の高いＮ型拡散領域からなる受光領域３２が設
けられている。受光領域３２の周辺部と内部にＰ+領域
３３が設けられ、受光領域３２の１部に電極３４が設け
られている。そして例えば半導体レーザ装置では、４０
０〜６３０ｎｍの短波長の光を出射することにより、ビ
ームの径が小さくなるので単位面積あたりのビーム数が
増えるから、出力としての情報量が増える。その半導体
レーザ装置の出力を制御するために装置からのモニタ光
を受けるものとして、上述の受光素子が用いられてい
る。
いるが、その中で例えば、特開平３−２５０７７２号公
報で開示された受光素子を図７の平面図と図８の断面図
にて示す。シリコン系半導体のＰ型領域３１の表面に不
純物濃度の高いＮ型拡散領域からなる受光領域３２が設
けられている。受光領域３２の周辺部と内部にＰ+領域
３３が設けられ、受光領域３２の１部に電極３４が設け
られている。そして例えば半導体レーザ装置では、４０
０〜６３０ｎｍの短波長の光を出射することにより、ビ
ームの径が小さくなるので単位面積あたりのビーム数が
増えるから、出力としての情報量が増える。その半導体
レーザ装置の出力を制御するために装置からのモニタ光
を受けるものとして、上述の受光素子が用いられてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の受光素子の光感
度特性を図３に於て点線で示す。横軸は受光素子に入射
する光の波長であり、縦軸は光感度、すなわち受光素子
の出力電流（Ａ）を入射光の強度（Ｗ）で割ったもので
ある。この図より４００〜６３０ｎｍの短波長の光が入
射した時に、光感度が０．０５〜０．４の低い値である
という第１の欠点がある。本発明者がその原因を究明し
たところ、不純物濃度の高い受光領域３２ではキヤリア
が多くかつ入射光の波長が短いので、電子とホールの再
結合がし易いから、この領域の表面近くで光エネルギー
が著しく減衰する。故に、光電流を生成する、受光領域
３２及びＰ+層３３ の周辺のＰ型領域３１に形成される
空乏層（図示せず）に於て、入射光の強度（光エネルギ
ー）が小さくなり、光電流が小さくなるためである。
度特性を図３に於て点線で示す。横軸は受光素子に入射
する光の波長であり、縦軸は光感度、すなわち受光素子
の出力電流（Ａ）を入射光の強度（Ｗ）で割ったもので
ある。この図より４００〜６３０ｎｍの短波長の光が入
射した時に、光感度が０．０５〜０．４の低い値である
という第１の欠点がある。本発明者がその原因を究明し
たところ、不純物濃度の高い受光領域３２ではキヤリア
が多くかつ入射光の波長が短いので、電子とホールの再
結合がし易いから、この領域の表面近くで光エネルギー
が著しく減衰する。故に、光電流を生成する、受光領域
３２及びＰ+層３３ の周辺のＰ型領域３１に形成される
空乏層（図示せず）に於て、入射光の強度（光エネルギ
ー）が小さくなり、光電流が小さくなるためである。
【０００４】次に、この受光素子は半導体レーザ装置の
近くに配置されるが、半導体レーザ装置が動作すると温
度が上昇し、受光素子も温度が上昇する。しかしこの様
に温度が上昇すると、受光素子の光感度（光電流を入射
光の強度で割った値）も変動するので、半導体レーザ装
置の出力制御ができなくなる第２の欠点がある。本発明
者が原因を究明したところ、Ｐ+領域３３の特性の温度
依存性が大きく、この領域に光の入射があると温度変動
により光電流が変動するためである。故に、本発明はか
かる欠点を鑑みて、短波長の入射光に対して光感度が高
く、かつ温度変動に対して安定した光強度を有する受光
素子を提供するものである。
近くに配置されるが、半導体レーザ装置が動作すると温
度が上昇し、受光素子も温度が上昇する。しかしこの様
に温度が上昇すると、受光素子の光感度（光電流を入射
光の強度で割った値）も変動するので、半導体レーザ装
置の出力制御ができなくなる第２の欠点がある。本発明
者が原因を究明したところ、Ｐ+領域３３の特性の温度
依存性が大きく、この領域に光の入射があると温度変動
により光電流が変動するためである。故に、本発明はか
かる欠点を鑑みて、短波長の入射光に対して光感度が高
く、かつ温度変動に対して安定した光強度を有する受光
素子を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、第１導電型の低不純物半導体層と、その
層の所定の表面領域を挟む様にその表面に設けられた第
２導電型の高不純物半導体層と、その高不純物半導体層
とオーミック接触がとられ、かつその半導体層の表面全
体の上方に位置する様に設けられた電極とを設け、その
受光素子に逆電圧を印加する事により、空乏層が前記高
不純物半導体層を一体に囲む様に前記低不純物半導体層
の表面に設けられる様にするものである。
決するために、第１導電型の低不純物半導体層と、その
層の所定の表面領域を挟む様にその表面に設けられた第
２導電型の高不純物半導体層と、その高不純物半導体層
とオーミック接触がとられ、かつその半導体層の表面全
体の上方に位置する様に設けられた電極とを設け、その
受光素子に逆電圧を印加する事により、空乏層が前記高
不純物半導体層を一体に囲む様に前記低不純物半導体層
の表面に設けられる様にするものである。
【０００６】
【作用】本発明は上述の様に、短波長の光が空乏層中に
入射すると、空乏層はキャリヤが少ないので電荷の再結
合が少ないから、入射光の光強度（光エネルギー）の減
衰量は少ない。故に光電流が大きくなり、光感度が向上
する。また高不純物半導体層の表面全体の上方に電極を
設ける事により、この半導体層への入射光がなくなる。
故に温度変動による光感度の変動の原因となっているこ
の半導体層からの影響がなくなり、受光素子の温度変動
に対して安定した光感度が得られる。
入射すると、空乏層はキャリヤが少ないので電荷の再結
合が少ないから、入射光の光強度（光エネルギー）の減
衰量は少ない。故に光電流が大きくなり、光感度が向上
する。また高不純物半導体層の表面全体の上方に電極を
設ける事により、この半導体層への入射光がなくなる。
故に温度変動による光感度の変動の原因となっているこ
の半導体層からの影響がなくなり、受光素子の温度変動
に対して安定した光感度が得られる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１と図２に従
い説明する。図１は本実施例の受光素子の断面図であ
り、図２はそれの平面図である。これらの図に於て、第
１導電型の低不純物半導体層１は例えば、１×１０12ｃ
ｍ-3以下の濃度の不純物（例えば燐）を添加されたＮ-
シリコン基板からなる。
い説明する。図１は本実施例の受光素子の断面図であ
り、図２はそれの平面図である。これらの図に於て、第
１導電型の低不純物半導体層１は例えば、１×１０12ｃ
ｍ-3以下の濃度の不純物（例えば燐）を添加されたＮ-
シリコン基板からなる。
【０００８】第２導電型の高不純物濃度半導体層２は例
えば、１×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物（例えばボ
ロン）を添加されたＰ+シリコン層からなり、幅が約４
０μｍで深さが５〜１０μｍに形成されている。高不純
物半導体層２は平面から見て略ロ字状に、低不純物半導
体層１の表面に上述の不純物を拡散する事により、形成
されている。
えば、１×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物（例えばボ
ロン）を添加されたＰ+シリコン層からなり、幅が約４
０μｍで深さが５〜１０μｍに形成されている。高不純
物半導体層２は平面から見て略ロ字状に、低不純物半導
体層１の表面に上述の不純物を拡散する事により、形成
されている。
【０００９】絶縁層３は二酸化珪素（ＳｉＯ2）からな
り、低不純物半導体層１の表面に形成されている。電極
４はアルミニウム等の金属からなり、高不純物半導体層
２とオーミック接触がとられ、かつ絶縁層３上に形成さ
れている。電極４は高不純物半導体層２を略覆う様に、
平面から見て略ロ字状に形成されている。
り、低不純物半導体層１の表面に形成されている。電極
４はアルミニウム等の金属からなり、高不純物半導体層
２とオーミック接触がとられ、かつ絶縁層３上に形成さ
れている。電極４は高不純物半導体層２を略覆う様に、
平面から見て略ロ字状に形成されている。
【００１０】第１導電型の高不純物半導体層５は例え
ば、２×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物（例えば燐）
を添加されたＮ+シリコン層からなり、低不純物半導体
層１の裏面に形成されており、厚さは約５μｍである。
他の電極６はアルミニウム等の金属からなり、高不純物
半導体層５の裏面に形成されている。
ば、２×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物（例えば燐）
を添加されたＮ+シリコン層からなり、低不純物半導体
層１の裏面に形成されており、厚さは約５μｍである。
他の電極６はアルミニウム等の金属からなり、高不純物
半導体層５の裏面に形成されている。
【００１１】空乏層７は電極４と他の電極６との間に約
１０Ｖの逆電圧が印加された時に、高不純物半導体層
２、２を一体に囲む様に低不純物半導体層１の表面に設
けられている。上述の低不純物半導体層１および高不純
物半導体層２の不純物濃度に於て、１方の高不純物半導
体層２の周辺に形成される空乏層７の広がり幅Ｂは、約
１２０μｍである。本発明者の実験によれば、低不純物
半導体層１の不純物濃度が低い程、空乏層７の広がり幅
Ｂは大きくなるが、１０14ｃｍ-3以下になると、略一定
になるので、製造のし易さも考慮して１０12〜１０14ｃ
ｍ-3が適切な範囲である。また高不純物半導体層２の不
純物濃度が高い程、広がり幅Ｂは大きくなるが、１０18
ｃｍ-3以上になると略一定になるので、製造のし易さも
考慮して１０18〜１０21ｃｍ-3が適切である。また高不
純物半導体層２の幅と深さは、空乏層の広がり幅Ｂに殆
ど影響を与えない。
１０Ｖの逆電圧が印加された時に、高不純物半導体層
２、２を一体に囲む様に低不純物半導体層１の表面に設
けられている。上述の低不純物半導体層１および高不純
物半導体層２の不純物濃度に於て、１方の高不純物半導
体層２の周辺に形成される空乏層７の広がり幅Ｂは、約
１２０μｍである。本発明者の実験によれば、低不純物
半導体層１の不純物濃度が低い程、空乏層７の広がり幅
Ｂは大きくなるが、１０14ｃｍ-3以下になると、略一定
になるので、製造のし易さも考慮して１０12〜１０14ｃ
ｍ-3が適切な範囲である。また高不純物半導体層２の不
純物濃度が高い程、広がり幅Ｂは大きくなるが、１０18
ｃｍ-3以上になると略一定になるので、製造のし易さも
考慮して１０18〜１０21ｃｍ-3が適切である。また高不
純物半導体層２の幅と深さは、空乏層の広がり幅Ｂに殆
ど影響を与えない。
【００１２】従って、空乏層７が高不純物半導体層２、
２を一体に囲む様にするには、高不純物半導体層２、２
の間隔ＣはＣ＜２Ｂを満足する必要があり、Ｃを２４０
μｍより小さくすれば良く、例えばＣを２００μｍに設
けられる。また受光面の幅すなわち電極４、４の間隔Ｄ
は略Ｃと同じ２００μｍである。空乏層７が高不純物半
導体層２、２を一体に囲むのは、中央近傍で空乏層７が
途切れて光電流を生じない領域が形成される事を防止す
るためである。これらの層により本実施例の受光素子が
構成されている。
２を一体に囲む様にするには、高不純物半導体層２、２
の間隔ＣはＣ＜２Ｂを満足する必要があり、Ｃを２４０
μｍより小さくすれば良く、例えばＣを２００μｍに設
けられる。また受光面の幅すなわち電極４、４の間隔Ｄ
は略Ｃと同じ２００μｍである。空乏層７が高不純物半
導体層２、２を一体に囲むのは、中央近傍で空乏層７が
途切れて光電流を生じない領域が形成される事を防止す
るためである。これらの層により本実施例の受光素子が
構成されている。
【００１３】次に、本実施例の受光素子の光感度特性を
図３に於て実線で示す。この図より４００〜６３０ｎｍ
の短波長の光が入射した時に、光感度が０．３〜０．５
となり従来より向上している事がわかる。この程度なら
ば実用上支障のない範囲である。向上した理由は、短波
長の光が空乏層７中に入射すると空乏層７はキャリヤが
少ないので電荷の再結合が少ないから、入射光の光強度
の損失が少ないので光電流に寄与する光強度が従来より
大きいから、光電流が大きいため光感度が向上するから
である。
図３に於て実線で示す。この図より４００〜６３０ｎｍ
の短波長の光が入射した時に、光感度が０．３〜０．５
となり従来より向上している事がわかる。この程度なら
ば実用上支障のない範囲である。向上した理由は、短波
長の光が空乏層７中に入射すると空乏層７はキャリヤが
少ないので電荷の再結合が少ないから、入射光の光強度
の損失が少ないので光電流に寄与する光強度が従来より
大きいから、光電流が大きいため光感度が向上するから
である。
【００１４】更に本実施例では低不純物半導体層１と高
不純物半導体層２は同じ材質であるが、異なる材質を用
いる第２実施例を図４の断面図に従い説明する。この図
に於て、第１導電型の低不純物半導体層８は例えば、１
×１０12ｃｍ-3以下の濃度の不純物を添加されたＮ型Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる。第２導電型の高不純物濃度
半導体層９は例えば、１×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不
純物を添加されたＰ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなる。
不純物半導体層２は同じ材質であるが、異なる材質を用
いる第２実施例を図４の断面図に従い説明する。この図
に於て、第１導電型の低不純物半導体層８は例えば、１
×１０12ｃｍ-3以下の濃度の不純物を添加されたＮ型Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる。第２導電型の高不純物濃度
半導体層９は例えば、１×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不
純物を添加されたＰ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなる。
【００１５】絶縁層３と電極４は第１実施例のものと同
じである。低不純物半導体層８の裏面には、例えばＮ型
Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓからなる半導体層１０とＧａＡｓか
らなる基板とアルミニウム等からなる他の電極１２が積
層されている。
じである。低不純物半導体層８の裏面には、例えばＮ型
Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓからなる半導体層１０とＧａＡｓか
らなる基板とアルミニウム等からなる他の電極１２が積
層されている。
【００１６】空乏層１３は電極４と他の電極１２との間
に約１０Ｖの逆電圧が印加された時に、離れて設けられ
た高不純物半導体層９、９を一体に囲む様に低不純物半
導体層８の表面に設けられている。この様に、高不純物
半導体層９を一体に囲む様に空乏層１３を低不純物半導
体層８の表面に設ける事により、光強度が減衰しにくい
空乏層での光電流を大きくするものである。また上述の
様に、空乏層の広がり幅は低不純物および高不純物半導
体層８、９の各不純物濃度値により定まる。従って本発
明では、低不純物半導体層と高不純物半導体層が同じ材
質からなるホモ接合型でも、異なる材質からなるヘテロ
接合型でも適用できる。
に約１０Ｖの逆電圧が印加された時に、離れて設けられ
た高不純物半導体層９、９を一体に囲む様に低不純物半
導体層８の表面に設けられている。この様に、高不純物
半導体層９を一体に囲む様に空乏層１３を低不純物半導
体層８の表面に設ける事により、光強度が減衰しにくい
空乏層での光電流を大きくするものである。また上述の
様に、空乏層の広がり幅は低不純物および高不純物半導
体層８、９の各不純物濃度値により定まる。従って本発
明では、低不純物半導体層と高不純物半導体層が同じ材
質からなるホモ接合型でも、異なる材質からなるヘテロ
接合型でも適用できる。
【００１７】また上述の第１実施例の受光素子に於て受
光面積を大きくするには、電極間の幅Ｄを大きくするの
で、高不純物半導体層による空乏層の広がり幅Ｂを大き
くする必要があり、受光素子に印加する逆電圧を大きく
せざるを得ない。そのため受光素子の消費電力が大きく
なる欠点がある。この欠点を改良した第３実施例を図５
と図６に従い説明する。
光面積を大きくするには、電極間の幅Ｄを大きくするの
で、高不純物半導体層による空乏層の広がり幅Ｂを大き
くする必要があり、受光素子に印加する逆電圧を大きく
せざるを得ない。そのため受光素子の消費電力が大きく
なる欠点がある。この欠点を改良した第３実施例を図５
と図６に従い説明する。
【００１８】図５は本実施例の受光素子の断面図であ
り、図６はその平面図である。これらの図に於て、第１
導電型の低不純物半導体層１４は例えば１×１０12ｃｍ
-3以下の濃度の不純物（例えば燐）を添加されたＮ-シ
リコン基板からなる。第２導電型の高不純物濃度半導体
層１５は例えば、１×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物
（例えばボロン）を添加されたＰ+シリコン層からな
り、幅が約４０μｍで深さが５〜１０μｍに形成されて
いる。高不純物半導体層１５は平面から見て略櫛歯状
に、低不純物半導体層１４の表面に上述の不純物を拡散
する事により、形成されている。
り、図６はその平面図である。これらの図に於て、第１
導電型の低不純物半導体層１４は例えば１×１０12ｃｍ
-3以下の濃度の不純物（例えば燐）を添加されたＮ-シ
リコン基板からなる。第２導電型の高不純物濃度半導体
層１５は例えば、１×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物
（例えばボロン）を添加されたＰ+シリコン層からな
り、幅が約４０μｍで深さが５〜１０μｍに形成されて
いる。高不純物半導体層１５は平面から見て略櫛歯状
に、低不純物半導体層１４の表面に上述の不純物を拡散
する事により、形成されている。
【００１９】絶縁層１６は酸化珪素（ＳｉＯ2）からな
り、低不純物半導体層１４の表面に形成されている。電
極１７はアルミニウム等の金属からなり、高不純物半導
体層１５とオーミック接触がとられ、かつ絶縁層１６上
に形成されている。電極１７は高不純物半導体層１５を
略囲む様に平面から見て略櫛歯状に形成されている。
り、低不純物半導体層１４の表面に形成されている。電
極１７はアルミニウム等の金属からなり、高不純物半導
体層１５とオーミック接触がとられ、かつ絶縁層１６上
に形成されている。電極１７は高不純物半導体層１５を
略囲む様に平面から見て略櫛歯状に形成されている。
【００２０】第１導電型の高不純物半導体層１８は例え
ば、２×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物（例えば燐）
を添加されたＮ+シリコン層からなり、低不純物半導体
層１４の裏面に形成されており、厚さは約５μｍであ
る。他の電極１９はアルミニウム等の金属からなり、高
不純物半導体層１８の裏面に形成されている。
ば、２×１０20ｃｍ-3程度の濃度の不純物（例えば燐）
を添加されたＮ+シリコン層からなり、低不純物半導体
層１４の裏面に形成されており、厚さは約５μｍであ
る。他の電極１９はアルミニウム等の金属からなり、高
不純物半導体層１８の裏面に形成されている。
【００２１】空乏層２０は受光素子の電極間に約１０Ｖ
の逆電圧が印加された時に、離れて設けられた高不純物
半導体層１５、・・・、１５を一体に囲む様に低不純物半
導体層１４の表面に設けられている。上述の第１実施例
で述べた様に、隣接する電極１７、１７の間隔Ｄは約２
００μｍが望ましい。そして本実施例では、電極１７が
櫛歯状に形成されているので、この間隔Ｄが５個所ある
から第１実施例の受光素子に比べて、約５倍の受光面積
になるので光電流も大きくなる。そして上述の様に第１
実施例と同じ約１０Ｖの逆電圧を印加して、第１実施例
と同じ空乏層２０の広がり幅が得られるので、消費電力
も第１実施例のものと略同じである。
の逆電圧が印加された時に、離れて設けられた高不純物
半導体層１５、・・・、１５を一体に囲む様に低不純物半
導体層１４の表面に設けられている。上述の第１実施例
で述べた様に、隣接する電極１７、１７の間隔Ｄは約２
００μｍが望ましい。そして本実施例では、電極１７が
櫛歯状に形成されているので、この間隔Ｄが５個所ある
から第１実施例の受光素子に比べて、約５倍の受光面積
になるので光電流も大きくなる。そして上述の様に第１
実施例と同じ約１０Ｖの逆電圧を印加して、第１実施例
と同じ空乏層２０の広がり幅が得られるので、消費電力
も第１実施例のものと略同じである。
【００２２】なお、本発明では低不純物半導体層をＮ型
とし高不純物半導体層をＰ型としているが、それぞれ逆
にＰ型とＮ型の不純物を用いても良い。また半導体層と
してシリコン層とＡｌＧａＡｓ層を例示したが、これ以
外の受光材料でも用いても良い。また上述の説明では、
表面保護用及び反射防止用として絶縁層が設けられてい
るが、必要に応じて絶縁層は設けられなくても良い。そ
して受光素子はＰＩＮホトダイオードでもＰＮホトダイ
オードても用いることができる。
とし高不純物半導体層をＰ型としているが、それぞれ逆
にＰ型とＮ型の不純物を用いても良い。また半導体層と
してシリコン層とＡｌＧａＡｓ層を例示したが、これ以
外の受光材料でも用いても良い。また上述の説明では、
表面保護用及び反射防止用として絶縁層が設けられてい
るが、必要に応じて絶縁層は設けられなくても良い。そ
して受光素子はＰＩＮホトダイオードでもＰＮホトダイ
オードても用いることができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は上述の様に、短波長の光が空乏
層中に入射すると、空乏層はキャリヤが少ないので電荷
の再結合が少ないから、入射光の光強度の減衰量が少な
いので光電流に寄与する光強度が従来より大きいから、
光電流が大きくなり光感度が向上する。具体的には、４
００〜６３０ｎｍの短波長の光が入射した時に、光感度
が０．３〜０．５となり従来より向上している事がわか
る。この程度ならば実用上支障のない範囲である。
層中に入射すると、空乏層はキャリヤが少ないので電荷
の再結合が少ないから、入射光の光強度の減衰量が少な
いので光電流に寄与する光強度が従来より大きいから、
光電流が大きくなり光感度が向上する。具体的には、４
００〜６３０ｎｍの短波長の光が入射した時に、光感度
が０．３〜０．５となり従来より向上している事がわか
る。この程度ならば実用上支障のない範囲である。
【００２４】また電極の幅を高不純物半導体層の幅より
大きく設ける事により、すなわち高不純物半導体層の表
面全体の上方に電極を配置する事により、この半導体層
への入射光がなくなる。故に温度変動による光感度の変
動の原因となっているこの半導体層からの影響がなくな
り、温度変動により光感度が変動しない。
大きく設ける事により、すなわち高不純物半導体層の表
面全体の上方に電極を配置する事により、この半導体層
への入射光がなくなる。故に温度変動による光感度の変
動の原因となっているこの半導体層からの影響がなくな
り、温度変動により光感度が変動しない。
【図１】本発明の第１実施例に係る受光素子の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１実施例に係る受光素子の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１実施例に係る受光素子及び従来の
受光素子に於ける、光感度特性図である。
受光素子に於ける、光感度特性図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る受光素子の断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第３実施例に係る受光素子の断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の第３実施例に係る受光素子の断面図で
ある。
ある。
【図７】従来の平面図である。
【図８】図７のＡＡ断面図である。
１ 低不純物半導体層 ２ 高不純物半導体層 ４ 電極 ７ 空乏層
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型の低不純物半導体層と、その
層の所定の表面領域を挟む様にその表面に設けられた第
２導電型の高不純物半導体層と、その高不純物半導体層
とオーミック接触がとられ、かつその半導体層の表面全
体の上方に位置する様に設けられた電極とを具備する受
光素子に於て、その受光素子に逆電圧を印加する事によ
り、空乏層が前記高不純物半導体層を一体に囲む様に前
記低不純物半導体層の表面に設けられる事を特徴とする
受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5038569A JPH06252436A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5038569A JPH06252436A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252436A true JPH06252436A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12528934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5038569A Pending JPH06252436A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252436A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128592A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多波長受光素子及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP5038569A patent/JPH06252436A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128592A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多波長受光素子及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0473197B1 (en) | Photo-sensing device | |
| US4616247A (en) | P-I-N and avalanche photodiodes | |
| JP4609430B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| US6690079B2 (en) | Light-receiving device | |
| EP0473198B1 (en) | Photo-sensing device | |
| JP3828982B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| US4984032A (en) | Semiconductor photodiode | |
| KR950004550B1 (ko) | 수광소자 | |
| JP2004039751A (ja) | 光起電力素子 | |
| CA1228663A (en) | Photodetector with isolated avalanche region | |
| US5343054A (en) | Semiconductor light-detection device with recombination rates | |
| EP1470574B9 (en) | High speed pin photodiode with increased responsivity | |
| JPS646547B2 (ja) | ||
| US5272364A (en) | Semiconductor photodetector device with short lifetime region | |
| JPH06252436A (ja) | 受光素子 | |
| JP3238823B2 (ja) | 受光素子 | |
| JP2670557B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JPH057014A (ja) | アバランシエフオトダイオード | |
| JP3172996B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH04261072A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS6259905B2 (ja) | ||
| JPH10233523A (ja) | 光検出器 | |
| JPH0494579A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH07147425A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPH01169975A (ja) | 半導体受光素子 |