JPH06252127A - ウェハのエッチング処理方法 - Google Patents

ウェハのエッチング処理方法

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Publication number
JPH06252127A
JPH06252127A JP3522293A JP3522293A JPH06252127A JP H06252127 A JPH06252127 A JP H06252127A JP 3522293 A JP3522293 A JP 3522293A JP 3522293 A JP3522293 A JP 3522293A JP H06252127 A JPH06252127 A JP H06252127A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
wafer
chemical
etching rate
etched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3522293A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuzo Shiraki
隆三 白木
Takeshi Kirihara
武始 桐原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3522293A priority Critical patent/JPH06252127A/ja
Publication of JPH06252127A publication Critical patent/JPH06252127A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング能力がある間は薬液を無駄無く有
効に使用でき、かつ薬液のエッチング能力が低下する前
に液交換を行えるウェハのエッチング処理方法を提供す
る。 【構成】 エッチング開始より終了までのエッチング時
間と、エッチングされたウェハ膜厚とによって算出され
るエッチングレートが、予め設定した、薬液のエッチン
グ能力が低下する限界の下限エッチングレート以下にな
った時に、エッチング処理を停止して薬液を交換する工
程を含んでなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハ上に形成された
被エッチング皮膜を薬液によって所望のパターンにエッ
チングするウェハのエッチング処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術について図3を参照して説明
する。図3(a)及び(b)はそれぞれ、従来例による
アルミニウム(Al)エッチング装置の上面図及び側面
図である。
【0003】ウェハ1は、ローダー側ウェハカセット台
10より、エッチング室20、水洗室30、乾燥室40
を通ってアンローダー側ウェハカセット台50に搬送さ
れる。 図中、60はローダー側ウェハカセットコント
ローラー、70は入力部(キーボード)、80は計算部
(コンピューター)、90はエッチングの終点を検知す
るエンドポイントディテクタ(EPD、以下EPDと記
す)、100はアンローダー側ウェハカセットコントロ
ーラーである。
【0004】図4(a)及び(b)はそれぞれ、上記エ
ッチング室20の上面図及び断面図である。
【0005】図4(a)及び(b)に示すように、ウェ
ハ1はウェハチャック21上に搭載され、この上からエ
ッチング液噴射ノズル22によってエッチング液が供給
される。ウェハチャック21はエッチング液の均一供給
のため回転動作を行う。23はウェハ1のエッチング終
端を検知するエンドポイントセンサ(EPS、以下EP
Sと記す)である。このEPS23からは、エッチング
状態のデータが常にEPD90に送られている。
【0006】上記従来のAlエッチング装置において
は、エッチングしたウェハ枚数をカウントし、処理した
ウェハの枚数が予め設定された処理枚数に達すると装置
を停止し、エッチング薬液を交換するという方法を行っ
ていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来方
法によると、薬液交換の管理基準がウェハ1の処理枚数
のみであるため、Al膜厚が厚いウェハ1が連続した場
合には、設定された処理枚数に達するまでに薬液の処理
能力が低下し、エッチング不良が発生したり、逆にAl
膜厚の薄いウェハ1が連続した場合には、薬液のエッチ
ング能力がまだ十分にあるにもかかわらず、薬液を交換
しなければならなくなり、無駄が生じるという問題があ
る。
【0008】そこで、本発明の目的は、エッチング能力
がある間は薬液を無駄無く有効に使用でき、かつ薬液の
エッチング能力が低下する前に液交換を行えるエッチン
グ処理に関する半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、複数のウェハの各皮膜を薬液によって個々
にエッチングするウェハのエッチング処理方法におい
て、エッチング開始より終了までのエッチング時間と、
エッチングされたウェハ膜厚とによって算出されるエッ
チングレートを各ウェハ毎に算出する工程と、前記算出
したエッチングレートが、予め設定した、前記薬液のエ
ッチング能力が低下する限界の下限エッチングレート以
下になった時に、エッチング処理を停止して前記薬液を
交換する工程と、を含んでなることを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明は、薬液を交換する基準を、従来のよう
なウェハの処理枚数ではなく、薬液のエッチング能力を
示すエッチングレートを用いているので、従来のよう
に、薬液のエッチング能力が低下しているにもかかわら
ずエッチングを行いエッチング不良を生じたり、また薬
液のエッチング能力がまだ十分にあるにもかかわらず、
薬液を交換してしまうといった問題はなく、薬液を効率
的に活用できる。
【0011】
【実施例】本発明の一実施例について、図1及び図2を
参照して説明する。図1は本実施例によるエッチング処
理方法を示すブロック図、図2は図1のエッチングプロ
セスフローチャートである。なお、説明上、従来技術に
示した図3及び図4も参照する。
【0012】一般にエッチング装置内において、薬液は
循環使用されているため、処理枚数が増えるに従って、
一定時間当たりのエッチング率を示すエッチングレート
は遅くなってくる。本実施例の特徴は、このエッチング
レートをもって、薬液交換の基準とした点にある。
【0013】以下、図1及び図2を参照して詳細に説明
する。
【0014】本実施例は、図1及び図2に示すように、
まず初期設定として、エッチングして得ようとするウェ
ハ1上のAlの膜厚と、下限エッチングレート(それ以
下となるとエッチング能力が低下しエッチング不良等が
発生する可能性のある限界のエッチングレート)とを、
入力部70より計算部80内の初期設定データ入力部
(図示せず)に入力、設定する。
【0015】そして、この設定後、通常のエッチングを
開始する。そして、エッチングの終点をEPS23によ
って検出すると、EPS23の検知データが常に送られ
ているEPD90より、エッチング開始からエッチング
終点までのエッチング時間が計算部80に送られ、この
計算部80において、初期設定データ入力部のデータ
(エッチングされたAl膜厚)とエッチング時間を基に
エッチングレートを算出する。この結果、エッチングレ
ートが初期設定した下限エッチングレート以上であれ
ば、薬液はまだエッチング能力を十分有していると判断
し、そのまま次のウェハのエッチングを行う。
【0016】以後、各ウェハ毎にエッチングレートの算
出と下限エッチングレートとの比較を繰返す。そして、
算出したエッチングが下限エッチングを下回った時点
で、薬液が十分なエッチング能力を失ったものと判断し
て装置を停止させ、薬液の交換を行う。
【0017】以上説明したように、本実施例のエッチン
グ処理によれば、薬液交換の基準として、従来のような
ウェハの処理枚数ではなく、薬液のエッチング能力を示
すエッチングレートを用いているので、従来のように、
薬液のエッチング能力が低下しているにもかかわらずエ
ッチングを行いエッチング不良を生じたり、また薬液の
エッチング能力がまだ十分にあるにもかかわらず、薬液
を交換してしまうといった問題はなく、薬液を効率的に
活用できる。
【0018】また、上記した本実施例によるエッチング
システムに対して、薬液の自動排出、供給システムを設
けて両者を連動させれば、エッチング装置のインライン
化を容易に実現できる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、薬
液のエッチング能力の低下によるエッチング不良を解消
できるとともに、薬液の効率的な使用ができる。
【0020】また、エッチング装置のインライン化を図
れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるエッチング処理方法の
ブロック図である。
【図2】本発明の一実施例によるエッチング処理方法の
フローチャートである。
【図3】(a)及び(b)はそれぞれ、従来例によるA
lエッチング装置の上面図及び側面図である。
【図4】(a)及び(b)はそれぞれ、図3のエッチン
グ室の上面図及び断面図である。
【符号の説明】
1 ウェハ 70 入力部 80 計算部 90 EPD(エッチング時間検出用)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のウェハの各皮膜を薬液によって個
    々にエッチングするウェハのエッチング処理方法におい
    て、 エッチング開始より終了までのエッチング時間と、エッ
    チングされたウェハ膜厚とによって算出されるエッチン
    グレートを各ウェハ毎に算出する工程と、 前記算出したエッチングレートが、予め設定した、前記
    薬液のエッチング能力が低下する限界の下限エッチング
    レート以下になった時に、エッチング処理を停止して前
    記薬液を交換する工程と、 を含んでなることを特徴とするウェハのエッチング処理
    方法。
JP3522293A 1993-02-24 1993-02-24 ウェハのエッチング処理方法 Pending JPH06252127A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177329A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング方法
JP2009267115A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法
JP2019106476A (ja) * 2017-12-13 2019-06-27 オムロン株式会社 監視システム、学習装置、学習方法、監視装置及び監視方法

Cited By (3)

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JP2008177329A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング方法
JP2009267115A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法
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