JPH06250036A - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法Info
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- JPH06250036A JPH06250036A JP3216093A JP3216093A JPH06250036A JP H06250036 A JPH06250036 A JP H06250036A JP 3216093 A JP3216093 A JP 3216093A JP 3216093 A JP3216093 A JP 3216093A JP H06250036 A JPH06250036 A JP H06250036A
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- Japan
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- layer
- substrate
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易に製造できる光増幅機能等を持った光導
波路の構造及びその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ゾルゲル法により希土類元素をドープして形
成した不純物ドープ層８ｂを、スパッタ法あるいは火炎
堆積法により第１及び第２のコア層８ａ、８ｃで挟み込
むことにより、基板４上に形成するコア部８ｄの構造を
３層の積層構造にしたことを特徴とし、その製造方法と
しては、第１の工程において、上記基板４上にコア部８
ｄを構成する第１のコア層８ａを形成し、この第１のコ
ア層８ａ上にゾルゲル法により希土類元素をドープして
不純物ドープ層８ｂを形成した後、さらに第２のコア層
８ｃを形成し、第２の工程において、これら基板４上に
積層された各層８をエッチングすることでコア部８ｄを
形成し、さらに第３の工程において、エッチングにより
３層構造のコア部８ｄが形成された基板４上に、クラッ
ド部９を形成して製造することを特徴としている。
波路の構造及びその製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ゾルゲル法により希土類元素をドープして形
成した不純物ドープ層８ｂを、スパッタ法あるいは火炎
堆積法により第１及び第２のコア層８ａ、８ｃで挟み込
むことにより、基板４上に形成するコア部８ｄの構造を
３層の積層構造にしたことを特徴とし、その製造方法と
しては、第１の工程において、上記基板４上にコア部８
ｄを構成する第１のコア層８ａを形成し、この第１のコ
ア層８ａ上にゾルゲル法により希土類元素をドープして
不純物ドープ層８ｂを形成した後、さらに第２のコア層
８ｃを形成し、第２の工程において、これら基板４上に
積層された各層８をエッチングすることでコア部８ｄを
形成し、さらに第３の工程において、エッチングにより
３層構造のコア部８ｄが形成された基板４上に、クラッ
ド部９を形成して製造することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば光増幅機能、
光スイッチ機能等の光素子としての機能を持つ光導波路
に関し、特に、これら機能を得るための構造及びその製
造方法に関するものである。
光スイッチ機能等の光素子としての機能を持つ光導波路
に関し、特に、これら機能を得るための構造及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路の中で石英ガラスを主成
分とした石英系光導波路は、光伝送損失が低く、また、
石英系光ファイバとの低損失な接続が可能であることか
ら、注目を集めてきた。
分とした石英系光導波路は、光伝送損失が低く、また、
石英系光ファイバとの低損失な接続が可能であることか
ら、注目を集めてきた。
【０００３】この石英系光導波路の製造方法としては、
例えば河内正夫、「石英系光導波路と集積光部品への応
用」光学第１８巻第１２号（１９８９年１２月）Ｐ６８
１〜６８６に示すように、火災堆積法（ＦＨＤ：Flame
Hydrolysis Deposition ）によるガラス膜形成と反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）に
よるガラス膜形成とを組合せた方法が最も一般的であ
る。
例えば河内正夫、「石英系光導波路と集積光部品への応
用」光学第１８巻第１２号（１９８９年１２月）Ｐ６８
１〜６８６に示すように、火災堆積法（ＦＨＤ：Flame
Hydrolysis Deposition ）によるガラス膜形成と反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）に
よるガラス膜形成とを組合せた方法が最も一般的であ
る。
【０００４】具体的には、図２に示すように、まず、バ
ーナ１にＳｉＣｌ4 ，ＴｉＣｌ3 等のガラス原料を供給
し、酸水素火炎２中で加水分解反応及び酸化反応により
ガラス微粒子３を得、これをＳｉウェハなどの基板４上
に堆積させて、屈折率の異なるガラス微粒子膜５ａ，５
ｂを順次形成する（同図（ａ））。ここで、ガラス微粒
子膜５ａ，５ｂの両者の組成は異なるものとする（屈折
率が異なる）。
ーナ１にＳｉＣｌ4 ，ＴｉＣｌ3 等のガラス原料を供給
し、酸水素火炎２中で加水分解反応及び酸化反応により
ガラス微粒子３を得、これをＳｉウェハなどの基板４上
に堆積させて、屈折率の異なるガラス微粒子膜５ａ，５
ｂを順次形成する（同図（ａ））。ここで、ガラス微粒
子膜５ａ，５ｂの両者の組成は異なるものとする（屈折
率が異なる）。
【０００５】そして、上述した工程で順次形成したガラ
ス微粒子膜５ａ、５ｂを高温に加熱することにより、ガ
ラス微粒子膜５ａ，５ｂを透明ガラス化してバッファ層
６ａ及びコア層６ｂとする（同図（ｂ））。以上が火炎
堆積法である。
ス微粒子膜５ａ、５ｂを高温に加熱することにより、ガ
ラス微粒子膜５ａ，５ｂを透明ガラス化してバッファ層
６ａ及びコア層６ｂとする（同図（ｂ））。以上が火炎
堆積法である。
【０００６】次に、反応性エッチングにより、コア層６
ｂの不要な部分を除去してリッジ状のコア部６ｃを残し
（同図（ｃ））、再び火炎堆積法によりコア部６ｃを覆
うようにクラッド層６ｄを形成することにより、埋め込
み型の石英系光導波路７を製造する（同図（ｄ））。
ｂの不要な部分を除去してリッジ状のコア部６ｃを残し
（同図（ｃ））、再び火炎堆積法によりコア部６ｃを覆
うようにクラッド層６ｄを形成することにより、埋め込
み型の石英系光導波路７を製造する（同図（ｄ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の石英系光導波路
の製造方法は以上のように、火炎堆積法によりコア層及
びクラッド層を形成する。この火炎堆積法は伝送損失が
小さく光合分波、分岐等の受動型光素子の製造には適し
た方法であるが、光増幅、あるいは光スイッチ等の機能
を持った光素子には適していない。
の製造方法は以上のように、火炎堆積法によりコア層及
びクラッド層を形成する。この火炎堆積法は伝送損失が
小さく光合分波、分岐等の受動型光素子の製造には適し
た方法であるが、光増幅、あるいは光スイッチ等の機能
を持った光素子には適していない。
【０００８】すなわち、上記機能を持たせるためには、
コア部に希土類元素などをドープする必要があるが、上
述した火炎堆積法では２０００℃以上の酸水素火炎内で
ガラス合成を行なうため、これら添加物が結晶化しガラ
スにドープすることができないなどの課題があった。
コア部に希土類元素などをドープする必要があるが、上
述した火炎堆積法では２０００℃以上の酸水素火炎内で
ガラス合成を行なうため、これら添加物が結晶化しガラ
スにドープすることができないなどの課題があった。
【０００９】一方、室温付近でガラス合成を行なうため
（添加物の結晶化は起こらない）、添加物を高濃度にし
かも均一にドープすることができる方法としてゾルゲル
法がある。
（添加物の結晶化は起こらない）、添加物を高濃度にし
かも均一にドープすることができる方法としてゾルゲル
法がある。
【００１０】このゾルゲル法は、ガラス原料としてシリ
コンアルコキシドを用い、１０００℃程度の比較的低温
の製造プロセスでガラスが得られるという特徴を有す
る。また、従来の気相法、溶液含浸法等では１ｗｔ％程
度しか不純物をドープすることができず、しかもドープ
しても均一にならない（高温度では結晶化してしまう）
のに対し、この方法によれば、加工温度を低くできるの
で３ｗｔ％程度まで不純物をドープすることができ、し
かも均一にドープできるので、従来の方法よりもはるか
に高い濃度の不純物をドープしたガラスの合成が可能で
ある。
コンアルコキシドを用い、１０００℃程度の比較的低温
の製造プロセスでガラスが得られるという特徴を有す
る。また、従来の気相法、溶液含浸法等では１ｗｔ％程
度しか不純物をドープすることができず、しかもドープ
しても均一にならない（高温度では結晶化してしまう）
のに対し、この方法によれば、加工温度を低くできるの
で３ｗｔ％程度まで不純物をドープすることができ、し
かも均一にドープできるので、従来の方法よりもはるか
に高い濃度の不純物をドープしたガラスの合成が可能で
ある。
【００１１】しかしながら、ゾルゲル法で作成すること
ができるコーティング膜の膜厚は１μｍ程度が限界で、
それ以上の厚さの膜を作製しようとすると膜の剥離又は
クラックなどを生じるため、コア部とするのに必要な数
μｍの厚さを持った薄膜を作製することができないとい
う課題があった。
ができるコーティング膜の膜厚は１μｍ程度が限界で、
それ以上の厚さの膜を作製しようとすると膜の剥離又は
クラックなどを生じるため、コア部とするのに必要な数
μｍの厚さを持った薄膜を作製することができないとい
う課題があった。
【００１２】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、容易に製造できる光増幅機能等を
持った光導波路の構造及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
めになされたもので、容易に製造できる光増幅機能等を
持った光導波路の構造及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光導波路
の製造方法は、第１の工程において、上記基板上にコア
部を構成する層として、機能性物質として希土類元素を
含有しない第１のコア層と、機能性物質として希土類元
素がドープされた不純物ドープ層と、機能性物質として
希土類元素を含有しない第２のコア層とを積層し、第２
の工程において、これら基板上に積層された各層をエッ
チングすることでリッジ状のコア部を形成し、さらに第
３の工程において、エッチングにより３層構造のコア部
が形成された基板上に、クラッド部を形成して製造する
ことを特徴としている。
の製造方法は、第１の工程において、上記基板上にコア
部を構成する層として、機能性物質として希土類元素を
含有しない第１のコア層と、機能性物質として希土類元
素がドープされた不純物ドープ層と、機能性物質として
希土類元素を含有しない第２のコア層とを積層し、第２
の工程において、これら基板上に積層された各層をエッ
チングすることでリッジ状のコア部を形成し、さらに第
３の工程において、エッチングにより３層構造のコア部
が形成された基板上に、クラッド部を形成して製造する
ことを特徴としている。
【００１４】特に、上記第１の工程において、コア部を
構成する第１及び第２のコア層はスパッタ法で形成する
か、あるいは火炎堆積法で形成し、不純物ドープ層はゾ
ルゲル法を用いて形成することを特徴としている。
構成する第１及び第２のコア層はスパッタ法で形成する
か、あるいは火炎堆積法で形成し、不純物ドープ層はゾ
ルゲル法を用いて形成することを特徴としている。
【００１５】また、上記製造方法により製造される光導
波路は、ゾルゲル法により機能性物質として希土類元素
をドープして形成した不純物ドープ層を、この希土類元
素を含まない第１及び第２のコア層で挟み込むことによ
り、基板上に形成するコア部の構造を３層の積層構造に
したことを特徴としている。
波路は、ゾルゲル法により機能性物質として希土類元素
をドープして形成した不純物ドープ層を、この希土類元
素を含まない第１及び第２のコア層で挟み込むことによ
り、基板上に形成するコア部の構造を３層の積層構造に
したことを特徴としている。
【００１６】特に、光導波路におけるクラッド領域とし
て機能する上記基板及びクラッド領域は、上記コア部の
屈折率と異なる屈折率とする。
て機能する上記基板及びクラッド領域は、上記コア部の
屈折率と異なる屈折率とする。
【００１７】具体的には、基板及びクラッド部にフッ素
等をドープして、この基板及びクラッド部の屈折率をコ
ア部の屈折率よりも下げるか、あるいはコア部の各層に
ＧｅＯ2 をドープして、このコア部の屈折率を基板及び
クラッド部の屈折率よりも上げるようにする。なお、基
板とクラッド部の屈折率は、必ずしも一致する必要はな
い。
等をドープして、この基板及びクラッド部の屈折率をコ
ア部の屈折率よりも下げるか、あるいはコア部の各層に
ＧｅＯ2 をドープして、このコア部の屈折率を基板及び
クラッド部の屈折率よりも上げるようにする。なお、基
板とクラッド部の屈折率は、必ずしも一致する必要はな
い。
【００１８】
【作用】この発明における光導波路は、ゾルゲル法によ
り希土類元素をドープした不純物ドープ層を、スパッタ
法あるいは火炎堆積法により形成したコア層で挟み込む
ことにより３層構造のコア部を形成したので、通常４〜
１０μｍ程度必要なコア部の膜厚が確保できるととも
に、このコア部に高濃度の希土類元素をドープすること
を可能にする。
り希土類元素をドープした不純物ドープ層を、スパッタ
法あるいは火炎堆積法により形成したコア層で挟み込む
ことにより３層構造のコア部を形成したので、通常４〜
１０μｍ程度必要なコア部の膜厚が確保できるととも
に、このコア部に高濃度の希土類元素をドープすること
を可能にする。
【００１９】また、コア部を取り囲む基板及びクラッド
部の屈折率を、コア部の屈折率よりも低くなるように構
成することにより、光導波路としての機能を保証する。
部の屈折率を、コア部の屈折率よりも低くなるように構
成することにより、光導波路としての機能を保証する。
【００２０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１を用いて説
明する。なお、図中同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。
明する。なお、図中同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。
【００２１】図１は、この発明に係る光導波路の製図方
法を説明するための製造工程を示す図であり、以下この
図にしたがって各工程を説明する。
法を説明するための製造工程を示す図であり、以下この
図にしたがって各工程を説明する。
【００２２】まず、第１の工程において、基板４上にス
パッタ法により第１のコア層８ａである膜厚１．５μｍ
のＳｉＯ2 膜を形成する（同図（ａ））。ここで、上記
基板４はフッ素（Ｆ）をドープした３０ｍｍ角のＳｉＯ
2 ガラスであって、上記第１のコア層８ａとして形成し
たＳｉＯ2 に対して屈折率差が−０．７％低くしたもの
を用いている。
パッタ法により第１のコア層８ａである膜厚１．５μｍ
のＳｉＯ2 膜を形成する（同図（ａ））。ここで、上記
基板４はフッ素（Ｆ）をドープした３０ｍｍ角のＳｉＯ
2 ガラスであって、上記第１のコア層８ａとして形成し
たＳｉＯ2 に対して屈折率差が−０．７％低くしたもの
を用いている。
【００２３】次に、上記第１のコア層８ａ上にゾルゲル
法を用い、機能性物質である希土類元素としてエルビウ
ム（Ｅｒ）を３ｗｔ％ドープした膜厚１μｍのＳｉＯ2
膜を不純物ドープ層８ｂとして形成する（同図
（ｂ））。
法を用い、機能性物質である希土類元素としてエルビウ
ム（Ｅｒ）を３ｗｔ％ドープした膜厚１μｍのＳｉＯ2
膜を不純物ドープ層８ｂとして形成する（同図
（ｂ））。
【００２４】具体的には、テトラエトキシシラン（ＴＥ
ＯＳ:tetraethylorthosilicate）を１０ｍｌ、エタノー
ルを１０ｍｌ、１Ｎ−ＨＣｌを４ｍｌの溶液にＥｒＣｌ
3 ・６Ｈ2 Ｏを所定量溶解させ攪拌して調整したゾル
を、スピンコーティングにより第１のコア層８ａ上にコ
ーティングし、１００℃で１０時間乾燥した後８００℃
で１時間焼結することで、不純物ドープ層８ｂである膜
厚１μｍ程度のＳｉＯ2膜を得る。
ＯＳ:tetraethylorthosilicate）を１０ｍｌ、エタノー
ルを１０ｍｌ、１Ｎ−ＨＣｌを４ｍｌの溶液にＥｒＣｌ
3 ・６Ｈ2 Ｏを所定量溶解させ攪拌して調整したゾル
を、スピンコーティングにより第１のコア層８ａ上にコ
ーティングし、１００℃で１０時間乾燥した後８００℃
で１時間焼結することで、不純物ドープ層８ｂである膜
厚１μｍ程度のＳｉＯ2膜を得る。
【００２５】なお、不純物ドープ層８ｂの膜厚は、ＴＥ
ＯＳに対するエタノールの成分比を変え、ゾルの粘度を
変化させることで、０．４〜１．２μｍ程度の範囲で制
御できることが、星野、他´ゾルゲル法による石英膜の
作成´、１９９１年電子情報通信学会春季全国大会、Ｃ
−２１５に示されている。
ＯＳに対するエタノールの成分比を変え、ゾルの粘度を
変化させることで、０．４〜１．２μｍ程度の範囲で制
御できることが、星野、他´ゾルゲル法による石英膜の
作成´、１９９１年電子情報通信学会春季全国大会、Ｃ
−２１５に示されている。
【００２６】さらに、上記不純物ドープ層８ｂを形成し
た後、再びスパッタ法で第２のコア層８ｃである膜厚
１．５μｍのＳｉＯ2 膜を形成する（同図（ｃ））。
た後、再びスパッタ法で第２のコア層８ｃである膜厚
１．５μｍのＳｉＯ2 膜を形成する（同図（ｃ））。
【００２７】第２の工程では、以上のように形成した積
層構造のコア層８（コア部を形成するための膜であっ
て、上記第１及び第２のコア層８ａ、８ｃ、不純物ドー
プ層８ｂからなる）をリソグラフィー技術を用いてパタ
ーン化し、反応性イオンエッチング法によりこのコア層
８を４μｍ×４μｍの断面矩形状にエッチングしてコア
部８ｄを形成する（同図（ｄ））。
層構造のコア層８（コア部を形成するための膜であっ
て、上記第１及び第２のコア層８ａ、８ｃ、不純物ドー
プ層８ｂからなる）をリソグラフィー技術を用いてパタ
ーン化し、反応性イオンエッチング法によりこのコア層
８を４μｍ×４μｍの断面矩形状にエッチングしてコア
部８ｄを形成する（同図（ｄ））。
【００２８】そして、第３の工程では、火炎堆積法によ
って上記基板４と同様にコア部８ｄより屈折率の低いク
ラッド部９を形成することで、埋め込み型光導波路を製
造する（同図（ｅ））。
って上記基板４と同様にコア部８ｄより屈折率の低いク
ラッド部９を形成することで、埋め込み型光導波路を製
造する（同図（ｅ））。
【００２９】なお、上記実施例において、第１及び第２
のコア層８ａ、８ｃの形成方法は、スパッタ法あるいは
火炎堆積法のいずれを用いてもよく、同様にコア膜を形
成することができる。
のコア層８ａ、８ｃの形成方法は、スパッタ法あるいは
火炎堆積法のいずれを用いてもよく、同様にコア膜を形
成することができる。
【００３０】また、コア部８ｄにおける不純物ドープ層
８ｂの位置は、特にコア部８ｄの中心には限定されず、
第１及び第２のコア層８ａ、８ｃの膜厚を変えることに
より、不純物ドープ層８ｂの位置を制御することができ
る。
８ｂの位置は、特にコア部８ｄの中心には限定されず、
第１及び第２のコア層８ａ、８ｃの膜厚を変えることに
より、不純物ドープ層８ｂの位置を制御することができ
る。
【００３１】さらに、上記実施例では基板４としてフッ
素をドープしたＳｉＯ2 板を用いたが、特に限定するも
のではなく、純ＳｉＯ2 板、多成分ガラス板、Ｓｉウェ
ハ等を用いても同様の効果を奏する。
素をドープしたＳｉＯ2 板を用いたが、特に限定するも
のではなく、純ＳｉＯ2 板、多成分ガラス板、Ｓｉウェ
ハ等を用いても同様の効果を奏する。
【００３２】この実施例のように基板４としてフッ素を
ドープしたＳｉＯ2 板の場合、基板４の屈折率が低下す
るのでコア部８ｄは純石英でよいので作製が容易にな
る。
ドープしたＳｉＯ2 板の場合、基板４の屈折率が低下す
るのでコア部８ｄは純石英でよいので作製が容易にな
る。
【００３３】一方、基板４に純石英基板を用いる場合、
コア部８ｄを形成のときに屈折率を上げる材料としてＧ
ｅＯ2 などの不純物を同時に添加することにより、光導
波路としての機能を保証する。
コア部８ｄを形成のときに屈折率を上げる材料としてＧ
ｅＯ2 などの不純物を同時に添加することにより、光導
波路としての機能を保証する。
【００３４】なお、基板４としてＳｉウェハ等を用いる
場合は、コア部８ｄを形成するのに先立って、バッファ
層（従来の技術では、図２中の図番６ａに相当する）を
形成しておく。
場合は、コア部８ｄを形成するのに先立って、バッファ
層（従来の技術では、図２中の図番６ａに相当する）を
形成しておく。
【００３５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ゾルゲ
ル法により希土類元素をドープして形成した不純物ドー
プ層を、スパッタ法あるいは火炎堆積法により形成した
第１及び第２のコア層で挟み込むことにより、基板上に
形成するコア部の構造を３層の積層構造としたことによ
り、希土類元素のドーピングにゾルゲル法を用いること
を可能にし、このゾルゲル法を用いることにより希土類
元素が高濃度にドープされたコア部を形成することがで
きるという効果がある。
ル法により希土類元素をドープして形成した不純物ドー
プ層を、スパッタ法あるいは火炎堆積法により形成した
第１及び第２のコア層で挟み込むことにより、基板上に
形成するコア部の構造を３層の積層構造としたことによ
り、希土類元素のドーピングにゾルゲル法を用いること
を可能にし、このゾルゲル法を用いることにより希土類
元素が高濃度にドープされたコア部を形成することがで
きるという効果がある。
【００３６】さらに、この発明にによると導波路型の光
増幅器を作成することが可能になるため、光通信分野に
おける増幅器の小形化を可能にするという効果がある。
増幅器を作成することが可能になるため、光通信分野に
おける増幅器の小形化を可能にするという効果がある。
【図１】この発明に係る光導波路の製造方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図２】従来の光導波路の製造方法を説明するための図
である。
である。
４…基板、８ａ…第１のコア層、８ｂ…不純物ドープ
層、８ｃ…第２のコア層、８ｄ…コア部、９…クラッド
部。
層、８ｃ…第２のコア層、８ｄ…コア部、９…クラッド
部。
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に機能性物質を含有しない第１の
コア層を形成し、該第１のコア層上にゾルゲル法により
機能性物質をドープした不純物ドープ層を形成し、さら
に該機能性物質を含有しない第２のコア層を順次形成す
る第１の工程と、 前記基板上に積層された各層をエッチングし、コア部を
形成する第２の工程と、 前記３層構造のコア部が形成
された基板上に、クラッド部を形成する第３の工程を備
えた光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板及びクラッド部に不純物をドー
プして、該基板及びクラッド部の屈折率を前記コア部の
屈折率よりも低くすることを特徴とする請求項１記載の
光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 前記コア部を構成する各層に不純物をド
ープして、該コア部を構成する各層の屈折率を前記基板
及びクラッド部の屈折率よりも高くすることを特徴とす
る請求項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の工程において、前記コア部を
構成する不純物ドープ層を、ゾルゲル法により機能性物
質である希土類元素をドープして形成することを特徴と
する請求項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１の工程において、前記コア部を
構成する第１及び第２のコア層を、スパッタ法で形成す
るか、あるいは火炎堆積法で形成することを特徴とする
請求項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項６】 基板上に光を伝搬させるコア部と、該コ
ア部を取り囲み、該コア部よりも低い屈折率を有するク
ラッド部を備えた光導波路において、前記コア部は、機
能性物質がドープされた不純物ドープ層を含む積層構造
であることを特徴とする光導波路。 - 【請求項７】 前記コア部は、前記不純物ドープ層を前
記機能性物質を含有しない第１及び第２のコア層で上下
から挟み込んだ３層構造であることを特徴とする請求項
６記載の光導波路。 - 【請求項８】 前記コア部における不純物ドープ層は、
機能性物質としてレーザ発振作用を示す希土類元素を含
有することを特徴とする請求項６又は７記載の光導波
路。 - 【請求項９】 前記基板及びクラッド部は、前記コア部
の屈折率と異なる屈折率を有することを特徴とする請求
項６記載の光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216093A JPH06250036A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216093A JPH06250036A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光導波路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250036A true JPH06250036A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12351188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3216093A Pending JPH06250036A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06250036A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990035454A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 단일 챔버내에서 평면 광 도파로를 제작하는 방법 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP3216093A patent/JPH06250036A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990035454A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 단일 챔버내에서 평면 광 도파로를 제작하는 방법 |
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